JP2011075917A - 光導波路素子 - Google Patents
光導波路素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011075917A JP2011075917A JP2009228474A JP2009228474A JP2011075917A JP 2011075917 A JP2011075917 A JP 2011075917A JP 2009228474 A JP2009228474 A JP 2009228474A JP 2009228474 A JP2009228474 A JP 2009228474A JP 2011075917 A JP2011075917 A JP 2011075917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- optical waveguide
- rib
- mode
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
基本モードの損失を抑制しながら、効率的に高次モードを減衰させることが可能な光導波路、所謂、低損失かつ単一モードの光導波路を有する光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
高屈折率のコアと、該コアより低屈折率のクラッドからなり、少なくとも複数の導波モードを有する光導波路を備えた光導波路素子において、該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、該導波手段で高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すことを特徴とする。
好ましくは、該光導波路はリブ導波路構造23であり、該導波手段は該リブ導波路構造のコア部の高さより低いスラブ導波路構造24であることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
(1)導波路構造を極端に小さくする。
(2)リブ部分の高さDを低く、リブ部分の幅Wを狭くして、シングルモード条件を満たすようにする。(非特許文献2参照)
(3)2つ目以降のモードをリーキー(leaky)なモードとして有効な長さを伝搬しないようにすることで、実効的にシングルモードとする。
(a)スラブ導波路のモード(実効)屈折率は、リブ導波路の基本モードおよび高次モード屈折率よりも高いため、光は、リブ導波路からスラブ導波路へ漏れやすい構造となっている。
(b)リブ導波路の基本モードと高次モードでは電磁界プロファイルの広がりは高次モードの方が大きい。
(c)従って、基本モード/放射モードの結合と高次モード/放射モードの結合では後者の方が大きく、その差を利用して、高次モードを減衰させることができる。
本発明は、高屈折率のコアと、該コアより低屈折率のクラッドからなり、少なくとも複数の導波モードを有する光導波路を備えた光導波路素子において、該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、該導波手段で高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すことを特徴とする。
(シミュレーションの条件(その1))
使用波長:1.55μm
導波路部分の屈折率(nf):2.13(LiNbO3の異常光線に対する屈折率。今回のモデルではZ板とし、光の偏向方向は基板に垂直方向(TMモード)とした。)
上部クラッド(nc)及び下部クラッド屈折率(ns):1.45(上部クラッドとしてSiO2を、下部クラッドとして接着剤を想定)
リブ上部幅(W):4μm
リブ部高さ(D):2μm
リブ導波路を含む基板厚み(H):4μm
リブ側面の傾斜角度:70°
・基本モード実効屈折率:2.11775674
・2つめのモード実効屈折率:2.10682458
図5は、図1に相当するシミュレーションモデルを図示したものである。
(シミュレーションの条件(その2))
スラブ導波路を含む基板厚み(h):2.5μm
トレンチ幅:2μm
(1)基板の薄板化
Z−cut型のLiNbO3基板(LN基板)を研磨により薄板化する。基板厚みHは、4μm程度とする。
(2)補強基板等の接合
LN基板(薄板)40を補強基板60への接着剤50で貼り合せる。補強基板には、LN基板が利用可能である。
(3)リブ導波路の作製
トレンチ部80をエッチング(エッチングの深さはD)もしくは機械加工により形成する。リブ導波路の幅Wは4μm、リブ側面の傾斜角度は70°に設定できる。リッジ部の高さDは2μm程度である。
スラブ導波路42の実効屈折率を調整するため、スラブ導波路の高さをリブ導波路に比較して差分fだけ、エッチングにより低くする。エッチング方法は、従来のフォトリソ技術により、リブ導波路およびトレンチ部等、エッチングさせたくない部分をレジストで覆い、基板全体を所望の厚さになるまでエッチング処理する。エッチングはドライエッチングでも、ウェットエッチングでも可能である。エッチングする厚みfは、1.5μm程度以下である。
リブ導波路41、スラブ導波路42及びトレンチ部80を被覆するように、SiO2膜を形成する。このSiO2膜は、クラッドとして機能する。
2 コアとなる媒体
40 LN基板
50 接着剤
60 補強基板
20,21,23,41 リブ導波路
22,24,42 スラブ導波路
70 SiO2膜
80 トレンチ部
Claims (6)
- 高屈折率のコアと、該コアより低屈折率のクラッドからなり、少なくとも複数の導波モードを有する光導波路を備えた光導波路素子において、
該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、該導波手段で高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すことを特徴とする光導波路素子。 - 請求項1に記載の光導波路素子において、該光導波路はリブ導波路構造であり、該導波手段は該リブ導波路構造のコア部の高さより低いスラブ導波路構造であることを特徴とする光導波路素子。
- 請求項2に記載の光導波路素子において、該リブ導波路構造と該スラブ導波路構造との間には、幅が1〜10μmのトレンチが形成されていることを特徴とする光導波路素子。
- 請求項2に記載の光導波路素子において、該リブ導波路構造を構成する媒質の屈折率が2以上であることを特徴とする光導波路素子。
- 請求項4に記載の光導波路素子において、該リブ導波路構造を構成する媒質がニオブ酸リチウムであることを特徴とする光導波路素子。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の光導波路素子において、該光導波路の長手方向に渡り、複数の該導波手段が離散して配置されていることを特徴とする光導波路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009228474A JP5359750B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 光導波路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009228474A JP5359750B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 光導波路素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011075917A true JP2011075917A (ja) | 2011-04-14 |
JP5359750B2 JP5359750B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=44019957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009228474A Active JP5359750B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 光導波路素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5359750B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013081063A1 (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 日本電気株式会社 | 高次モードフィルタ |
WO2014050230A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 日本電気株式会社 | 高次モードフィルタ |
JP2015064413A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 富士通株式会社 | 光半導体素子とその製造方法 |
WO2015134968A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Skorpios Technologies, Inc. | High-order-mode filter for semiconductor waveguides |
WO2016092829A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
US9885832B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-02-06 | Skorpios Technologies, Inc. | Waveguide mode expander using amorphous silicon |
US9977188B2 (en) | 2011-08-30 | 2018-05-22 | Skorpios Technologies, Inc. | Integrated photonics mode expander |
US10088629B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-10-02 | Skorpios Technologies, Inc. | Wide shoulder, high order mode filter for thick-silicon waveguides |
JP2018173604A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
US10649148B2 (en) | 2017-10-25 | 2020-05-12 | Skorpios Technologies, Inc. | Multistage spot size converter in silicon photonics |
JP2020166054A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
JP2021148911A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、及び光導波路デバイス |
JP2022056979A (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
US11360263B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-06-14 | Skorpios Technologies. Inc. | Self-aligned spot size converter |
WO2022210854A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
WO2023053404A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1082918A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバグレーティング |
JP2002006160A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Fujitsu Ltd | 光導波路 |
JP2004219751A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置 |
-
2009
- 2009-09-30 JP JP2009228474A patent/JP5359750B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1082918A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバグレーティング |
JP2002006160A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Fujitsu Ltd | 光導波路 |
JP2004219751A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路デバイスならびにそれを用いた光導波路レーザおよびそれを備えた光学装置 |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9977188B2 (en) | 2011-08-30 | 2018-05-22 | Skorpios Technologies, Inc. | Integrated photonics mode expander |
US10895686B2 (en) | 2011-08-30 | 2021-01-19 | Skorpios Technologies, Inc. | Integrated photonics mode expander |
US9201196B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-12-01 | Nec Corporation | High-order mode filter |
JPWO2013081063A1 (ja) * | 2011-11-30 | 2015-04-27 | 日本電気株式会社 | 高次モードフィルタ |
WO2013081063A1 (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 日本電気株式会社 | 高次モードフィルタ |
US9429693B2 (en) | 2012-09-25 | 2016-08-30 | Nec Corporation | High-order mode filter |
JPWO2014050230A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-08-22 | 日本電気株式会社 | 高次モードフィルタ |
WO2014050230A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 日本電気株式会社 | 高次モードフィルタ |
JP2015064413A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 富士通株式会社 | 光半導体素子とその製造方法 |
WO2015134968A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Skorpios Technologies, Inc. | High-order-mode filter for semiconductor waveguides |
US10088629B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-10-02 | Skorpios Technologies, Inc. | Wide shoulder, high order mode filter for thick-silicon waveguides |
US10295746B2 (en) | 2014-03-07 | 2019-05-21 | Skorpios Technologies, Inc. | Wide shoulder, high order mode filter for thick-silicon waveguides |
US11409039B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-08-09 | Skorpios Technologies, Inc. | Waveguide mode expander having non-crystalline silicon features |
US10345521B2 (en) | 2014-05-27 | 2019-07-09 | Skorpios Technologies, Inc. | Method of modifying mode size of an optical beam, using a waveguide mode expander having non-crystalline silicon features |
US9885832B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-02-06 | Skorpios Technologies, Inc. | Waveguide mode expander using amorphous silicon |
US10001600B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-06-19 | Skorpios Technologies, Inc. | Waveguide mode expander having an amorphous-silicon shoulder |
US10146099B2 (en) | 2014-12-09 | 2018-12-04 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical modulator |
WO2016092829A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
CN107003549A (zh) * | 2014-12-09 | 2017-08-01 | 日本电信电话株式会社 | 光调制器 |
CN107003549B (zh) * | 2014-12-09 | 2019-12-10 | 日本电信电话株式会社 | 光调制器 |
JPWO2016092829A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2017-05-25 | 日本電信電話株式会社 | 光変調器 |
JP2018173604A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
US10649148B2 (en) | 2017-10-25 | 2020-05-12 | Skorpios Technologies, Inc. | Multistage spot size converter in silicon photonics |
US11079549B2 (en) | 2017-10-25 | 2021-08-03 | Skorpios Technologies, Inc. | Multistage spot size converter in silicon photonics |
US11360263B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-06-14 | Skorpios Technologies. Inc. | Self-aligned spot size converter |
JP2020166054A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
JP7207087B2 (ja) | 2019-03-28 | 2023-01-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
US11506950B2 (en) | 2020-03-18 | 2022-11-22 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide element, optical waveguide device and optical transmission apparatus |
JP2021148911A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、及び光導波路デバイス |
JP7435097B2 (ja) | 2020-03-18 | 2024-02-21 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、及び光導波路デバイス |
JP2022056979A (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
WO2022210854A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
WO2023053404A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5359750B2 (ja) | 2013-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5359750B2 (ja) | 光導波路素子 | |
TWI431348B (zh) | Light control element and manufacturing method thereof | |
US6396984B1 (en) | Mode shape converter, method for fabricating the mode shape converter and integrated optical device using the mode shape converter | |
JP5764776B2 (ja) | 光学変換素子 | |
US9696492B1 (en) | On-chip photonic-phononic emitter-receiver apparatus | |
US6853791B2 (en) | Waveguide bends and splitters in slab photonic crystals with noncircular holes | |
JP4936313B2 (ja) | 光変調素子 | |
JP2008089875A (ja) | 光導波路素子 | |
US20130229809A1 (en) | Optical device, optical transmitter, optical receiver, optical transceiver, and method of manufacturing optical device | |
JP2012078375A (ja) | 光導波路素子 | |
WO2020172585A1 (en) | Low loss fiber-to-chip interfaces for lithium niobate photonic integrated circuits | |
CN111308612B (zh) | 一种反mmi型波导马赫-曾德干涉器的制备方法 | |
CN115877506B (zh) | 覆盖可见光波段的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 | |
US20230103702A1 (en) | Optical scanning element | |
Chen et al. | Design, fabrication, and characterization of Si-based ARROW-B photonic crystal sharp-bend waveguides and power splitters | |
Hameed et al. | Design consideration of polarization converter based on silica photonic crystal fiber | |
WO2006017485A2 (en) | Photonic crystal resonator apparatus with improved out of plane coupling | |
US20240142852A1 (en) | Waveguide device, optical scanning device and optical modulation device | |
Shinya et al. | Single-mode transmission in commensurate width-varied line-defect SOI photonic crystal waveguides | |
JP5324565B2 (ja) | 光ビームを曲げることのできる導波路配列 | |
JP2007293211A (ja) | 光導波路回路 | |
KR100399577B1 (ko) | 광 모드 크기 변환기의 제조 방법 | |
Llobera et al. | Large-core single-mode waveguides with cross-sectional antiresonant confinement | |
CN116931170A (zh) | 一种光栅端面耦合器及其设计方法 | |
Kakihara et al. | Reduced lateral leakage losses of TM-like modes in silicon-on-insulator ridge waveguides |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5359750 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |