JP2008091627A - 半導体集積チップ及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】実用性及び量産性の高い3次元構造の半導体装置を得る。
【解決手段】略四角形状の基板と、基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、半導体集積チップ間において、他の半導体集積チップにおける平面インダクタを介し情報通信を行うため、平面インダクタの上下の位置があわされ、隣接する半導体集積チップにおいて、前記端子列が交互に180度となるように上下に積層され、各々の前記端子列がワイヤーボンドにより接続され、電力を供給することを特徴とする半導体装置を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図3
【解決手段】略四角形状の基板と、基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、半導体集積チップ間において、他の半導体集積チップにおける平面インダクタを介し情報通信を行うため、平面インダクタの上下の位置があわされ、隣接する半導体集積チップにおいて、前記端子列が交互に180度となるように上下に積層され、各々の前記端子列がワイヤーボンドにより接続され、電力を供給することを特徴とする半導体装置を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体集積チップ及び半導体装置に関するものであり、特に、半導体集積チップを多層構造にした半導体装置に用いる半導体集積チップ及びこれにより構成される半導体装置の技術分野に関するものである。
半導体集積回路は、一般に微細化・高集積化が進むにつれて、次第に周辺の回路をICチップ内に取り込み高性能化していく傾向にある。しかし、微細加工技術には物理的な限界があるばかりでなく、巨額の設備投資、複雑化する設計に対応するために必要な人件費、研究開発費等により、コストの増加により経済的な制限を有している。このような集積回路の微細化・高集積化に対応する方策として、3次元IC化技術やマルチ・チップ・モジュール(MCM)技術が提案されている。
このうち3次元IC化技術は様々な方法が提案されているが、3次元IC化技術における要素技術として、各々のチップ間における情報伝達等のための配線技術が重要となる。特許文献1では、複数のチップに電気配線接続のためのスルーホールを形成し、複数のチップを積層し、各々のチップのスルーホールを接続することにより、各々のチップにおける電気配線を行う発明が開示されている。
一方、このようなスルーホールを形成する方法では、各々のシリコン基板等からなるチップにスルーホールを形成し、各々のチップに形成されたスルーホールの位置あわせをした後、接続する必要がある。
特許文献2では、このような点を鑑み、積層形成される各々のチップに情報伝達のための平面インダクタを形成し、各々のチップに形成された平面インダクタにおける電磁結合によって、チップ間における無線信号の伝達を行う発明が開示されている。
また、平面インダクタとともに容量を形成することにより、ICチップ上に共振回路を形成し、チップ間を無線接続する際の伝送周波数と共振周波数とを等しくし、不要な残留振動を抑え符号間干渉を低減させることにより、高速でビット誤りの生じないデジタル情報の伝送を行うものである。
これにより、三次元化に伴い複雑な工程を要するチップ間の接続電極の形成や、無線接続のため高精度のチップ間の位置あわせを行うことが不要となり、製造方法が簡略化される。
更に、共振特性を利用しているため、送信電力を抑えることができるとともに、通信回路部の消費電力を低減させることができ、また、平面インダクタの小面積化による多チャンネル化や、チップ間の間隔を広げることにより放熱を容易に行うことができるといった特徴を有している。
しかしながら、この発明ではチップ間における情報伝達は平面インダクタを介して行うことが可能であるが、半導体集積チップ内の電子回路の制御のためには、半導体集積チップ内に比較的大きな電流を流す必要性があることから電力供給はこのような平面インダクタを介して行うことは困難であり、実用上問題があった。
特開平6−291250号公報
特開2005−203657号公報
本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、略同一形状の複数のチップを3次元的に構成した場合、チップ間の情報伝達は、平面インダクタを介して行い、電源供給は、ワーヤボンド等により接続された電極により供給する構成からなるものである。これにより上述した実用上の問題を解決するとともに、略同一形状の半導体集積チップを3次元的に配置することにより、ワイヤーボンド接続のための領域を確保するとともに、積層するための半導体集積チップの量産化、コストダウンを図るものである。更には、これにより作製される3次元構造の半導体装置のコストダウン及び量産性を高めた半導体チップ及び半導体装置を提供するものである。
本発明の一の態様に係る半導体集積チップは、略四角形状の基板と、前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域と、を備え、前記平面インダクタは、電磁結合により基板における情報の入出力を行うものであることを特徴とする。
また、本発明の一の態様に係る半導体装置は、略四角形状の基板と、前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域と、を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、前記半導体集積チップ間において、他の半導体集積チップにおける平面インダクタを介し情報通信を行うため、平面インダクタの上下の位置があわされ、隣接する前記半導体集積チップにおいて、前記端子列が交互に180度となるように上下に積層され、各々の前記端子列が前記ワイヤーボンドにより接続され、前記ワイヤーボンドを介し各々の半導体集積チップを駆動するための電力を供給することを特徴とする。
また、本発明の一の態様に係る半導体装置は、略四角形状の基板と、前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域と、を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、前記半導体集積チップ間において、他の半導体集積チップにおける平面インダクタを介し情報通信を行うため、平面インダクタの上下の位置があわされ、隣接する上下の半導体集積チップにおける前記端子列が重複しないよう、各々の半導体集積チップは、90度、180度又は270度回転させた位置に配置し積層され、各々の前記端子列が前記ワイヤーボンドにより接続され、前記ワイヤーボンドを介し各々の半導体集積チップを駆動するための電力を供給することを特徴とする。
また、本発明の一の態様に係る半導体装置は、略四角形状の基板と、前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるように形成した複数のスルーホールからなる領域と、を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、各々の半導体集積チップ間において前記スルーホールの各々が電気的に接続され、隣接する前記半導体集積チップにおいて、前記端子列が交互に180度となるように上下に積層され、各々の前記端子列が前記ワイヤーボンドにより接続され、前記ワイヤーボンドを介し各々の半導体集積チップを駆動するための電力を供給することを特徴とする。
本発明によれば、半導体装置において、情報伝達は、平面インダクタを介して行い、電源供給は、ワイヤーボンド等により形成された電気配線により行うため、実用性の高い3次元構造の半導体装置を得ることができる。また、略同一形状のチップを3次元的に積層形成することができるため、量産性が高く、低コストの3次元構造の半導体装置を得ることができる。
〔第1の実施の形態〕
本発明における一実施の形態を以下に記載する。
本発明における一実施の形態を以下に記載する。
図1は、本実施の形態に用いられる半導体集積チップを示す。本実施の形態に用いられる半導体集積チップ(ロジックチップ)111、半導体集積チップ(メモリチップ)112は、略四角形の形状からなり、その一辺にワイヤーボンドやマイクロバンプによる接続のための電極となる端子121、122が形成されている。
半導体集積チップ111、112の中心部には平面インダクタ131、132が形成されており、複数の平面インダクタ131、132により平面インダクタ領域が形成されている。この平面インダクタ131、132の形成される領域の中心は、半導体集積チップ111、112の中心より、端子121、122の形成されていない方向に偏心させた位置が中心となるように配置されている。これは、半導体集積チップ111、112を積層し3次元構造にする際、端子121、122におけるワイヤーボンドの接続のための作業領域等を確保するためである。
平面インダクタンス131、132の形成される領域の両側には、図1(a)に示すロジックチップ111においては、ロジック回路151が形成され、図1(b)に示すメモリチップ112にはメモリ回路152が形成されている。尚、ロジックチップ111、メモリチップ112はともに、概観上は略同一形状であり、端子121、122及び平面インダクタ131、132の形成される領域も略同一の領域となる。
このようなロジックチップ111、メモリチップ112を積層することにより3次元構造の半導体装置が形成される。
図2に、図1に示すロジックチップ111、メモリチップ112を一点鎖線に示した領域が重複するように積層したものを示す。図に示すように、ロジックチップ111、メモリチップ112はともに、ワイヤーボンド接続のための端子121、122が重ならないように、積層するロジックチップ111、メモリチップ112を180°回転させた位置で、平面インダクタ131、132の形成される領域の中心が、略一致するように積層する。
次に、本実施に用いられる半導体集積チップとして、2枚の同一のメモリチップを用いた場合について説明する。
図3に示すように、(a)、(b)に示す半導体チップ112、113は、同一のメモリチップであり、一方を180°回転させたものである。具体的には、メモリチップである半導体チップ112、113の中心部には、各々平面インダクタ132、133が形成されており、複数の平面インダクタ132、133により平面インダクタ領域が形成されている。この平面インダクタ132、133の形成される領域の中心は、半導体集積チップ112、113の中心より、端子122、123の形成されていない方向に偏心させた位置が中心となるように配置されている。これは、半導体集積チップ112、113を積層し3次元構造にする際、端子122、123におけるワイヤーボンドの接続のための作業領域等を確保するためである。
平面インダクタンス131、132の形成される領域の両側には、メモリ回路152が形成されている。
図4に、図3に示す2枚のメモリチップ112、113を一点鎖線に示した領域が重複するように積層したものを示す。図に示すように、メモリチップ112,113はともに、ワイヤーボンド接続のための端子122、123が重ならないように、積層するメモリチップ112とメモリチップ113とは180°回転させて、平面インダクタ132、133の形成される領域の中心が、略一致するように積層する。
図5には、図4に示した2枚のメモリチップ112、113の上に、ロジックチップ111を積層したものの構成を示す。尚、図では、ロジックチップ111の大きさは、メモリチップ112、113より小さな場合を示しているが、ロジックチップ111の大きさは、メモリチップ112、113と略同一であっても異なっていてもよい。即ち、本実施の形態においては、複数の半導体チップのうち少なくとも2枚以上が略同一の形状であればよい。
図6に、図5に示した半導体集積チップ(ロジックチップ)111と、半導体集積チップ(メモリチップ)112、113を積層したものの断面を示す。この構成は、ロジックチップ111を1個に対し、メモリチップ112を2個用いた構成である。大容量のメモリを搭載した半導体装置においては、複数のメモリチップが必要となるため、同一形状、同一構造のメモリチップ112、113を複数個用いて構成する。このような同一形状、同一構造のメモリチップを用いることにより、量産性を向上させることができコストダウンに有効となる。
図に示すように、各々のチップにおける平面インダクタ131、132、133は情報通信をすることができるように、各々の平面インダクタ131、132、133の上下の位置が重複するように位置合わせされている。尚、平面コンダクタ131、132、133間で確実な情報の通信を行うためには半導体集積チップの間隔を十分短くする必要があることから、ロジックチップ111とメモリチップ112、113における間隔は非常に狭くなる。
平面インダクタ131、132、133の形成される領域は、各々の半導体集積チップ111、112、113の中心より、端子121、122、123が存在する方向とは、反対方向に偏心させた位置を中心に配置されているため180°回転させた位置で積層されている。このため、端子121、122、123においてワイヤーボンド161、162、163による接続等が可能となるように十分にスペースを確保することができるのである。
この構成により、各半導体集積チップへの電源電力の供給は、ワイヤーボンド161、162、163を介し、各々のチップの端子121、122、123より行われ、また、各々のチップ間の通信は平面コンダクタ131、132、133によって行われる。
尚、端子121、122、123に接続されるワイヤーボンド161、162、163は、電力供給を目的とするものであることから、必要とされる本数は非常に少ない。従って、全てワイヤーボンドにより各々の半導体集積チップにおける接続をとる場合と比較して、形成される本数は極めて少なく、生産性にも殆ど影響を与えないため、容易に3次元に積層した半導体装置を得ることができる。
尚、このような構成により、3個以上の半導体集積チップを積層することも可能である。
図7には、5個の半導体集積チップを積層した半導体装置の断面を示す。図に示すように、各々の半導体集積チップ211、212、213、214、215は、隣接する半導体集積チップが180度の位置に配置されるように積層されている。具体的には、半導体集積チップ211における平面インダクタ231、半導体集積チップ212における平面インダクタ232、半導体集積チップ213における平面インダクタ233、半導体集積チップ214における平面インダクタ234、半導体集積チップ215における平面インダクタ235は、各々相互間で情報通信が可能となるよう位置あわせがなされて積層されている。
即ち、各々の半導体集積チップ211、212、213、214、215における平面インダクタ231、232、233、234、235の形成される領域は、各々の半導体集積チップ211、212、213、214、215の中心よりも、端子221、222、223、224、225の存在する方向とは、反対方向に偏心させて積層しているため、各々の半導体集積チップ211、212、213、214、215において重複しない領域が形成されるため、端子221、222、223、224、225列は、この領域に図面上左右交互に配置されることとなる。
このように配列されている端子221、222、223、224、225の各々について、ワイヤーボンド261、262、263、264、265による接続をすることにより半導体装置が構成される。半導体集積チップ211、212、213、214、215が交互に180度回転させた位置に配置されているため、これらの間隔が狭まったとしても、端子221、222、223、224、225において十分にワイヤーボンドによる接続を行うことができる。
〔第2の実施の形態〕
第2の実施の形態は、第1の実施形態における半導体集積チップと同様の半導体集積チップを積層する際、隣接する半導体集積チップが90度、180度、270度回転させた位置となるように積層形成したものである。
第2の実施の形態は、第1の実施形態における半導体集積チップと同様の半導体集積チップを積層する際、隣接する半導体集積チップが90度、180度、270度回転させた位置となるように積層形成したものである。
四回転対称となる位置において半導体集積チップを積層することにより、各々の端子におけるワイヤーボンド接続のためのスペースをより一層確保することができる。
図8に、本実施の形態における半導体装置の上面図を示す。
図8に示すように、4個の略同一形状の半導体集積チップ311、312、313、314において、各々の平面インダクタの形成される領域が重複するように、90度毎に回転させた位置に配置し積層している。具体的には、半導体集積チップ314の上において、90度回転させた位置に、半導体集積チップ313を積層し、更に、90度回転させた位置、即ち、半導体集積チップ314に対し、180度回転させた位置に、半導体集積チップ312を積層し、更に、90度回転させた位置、即ち、半導体集積チップ314に対し、270度回転させた位置に、半導体集積チップ311を積層したものである。
半導体集積チップ311は、その一方の端に端子321列が配置されている。また、平面インダクタ331の形成される領域の両側には、ロジック回路又はメモリ回路を構成する回路領域351が形成される。平面インダクタ331の形成される領域は、半導体集積チップ311の中心より、端子321の存在する方向と反対の方向に偏心させた位置を中心に形成されている。
各々の半導体集積チップ311、312、313、314も、略同様の構成からなるものであることから、各々の半導体集積チップ311、312、313、314を積層した場合に、端子321、322、323、324の形成される領域は、他の半導体集積チップと重複することはないため、半導体集積チップ間の間隔を狭めた場合であっても、ワイヤーボンド接続をするために十分な間隔を得ることができる。
このように半導体集積チップ311、312、313、314を積層した後、各々の端子321、322、323、324において、ワイヤーボンド接続を行うことにより、本実施の形態における半導体装置が形成される。
〔第3の実施の形態〕
第3の実施の形態は、第1の実施の形態、第2の実施の形態において、平面インダクタを形成する代わりに、スルーホールにより、各々の半導体集積チップの接続を行うものである。
第3の実施の形態は、第1の実施の形態、第2の実施の形態において、平面インダクタを形成する代わりに、スルーホールにより、各々の半導体集積チップの接続を行うものである。
本実施の形態を図9に示す。図9に示すように、各々の半導体集積チップ411、412、413には、スルーホール431、432、433が形成されており、各々のスルーホール431、432、433が、電極471により電気的に接続されている。このスルーホール431、432、433及び電極471を介し、半導体集積チップ411、412、413間における情報通信を行うことができる。各々の半導体集積チップ411、412、413は隣接する上下の半導体集積チップが180度回転した位置となるように積層されている。
このように積層することにより、各々の半導体集積チップ411、412、413には、それぞれ一方の端に、端子421、422、423列が設けられているが、この端子421、422、423列は、図面上、左右交互に形成される。
各々の端子421、422、423列はワイヤーボンド461、462、463により接続されているが、端子423、422上の空間が十分あるためワイヤーボンド接続を行うことができる。各々の半導体集積チップ411、412、413に供給される電源電力は、ワイヤーボンド461、462、463を介し、端子421、422、423列より供給される。
以上、実施の形態において本発明における半導体装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、これ以外の形態をとることが可能である。
111・・・半導体集積チップ(ロジックチップ)、 112、113・・・半導体集積チップ(メモリチップ)、 121、122、123・・・端子、 131、132、133・・・平面インダクタ、 161、162、163・・・ワイヤーボンド
Claims (5)
- 略四角形状の基板と、
前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、
前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域と、
を備え、
前記平面インダクタは、電磁結合により基板における情報の入出力を行うものであることを特徴とする半導体集積チップ。 - 略四角形状の基板と、
前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、
前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域と、
を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、
前記半導体集積チップ間において、他の半導体集積チップにおける平面インダクタを介し情報通信を行うため、平面インダクタの上下の位置があわされ、
隣接する前記半導体集積チップにおいて、前記端子列が交互に180度となるように上下に積層され、
各々の前記端子列が前記ワイヤーボンドにより接続され、前記ワイヤーボンドを介し各々の半導体集積チップを駆動するための電力を供給することを特徴とする半導体装置。 - 略四角形状の基板と、
前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、
前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域と、
を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、
前記半導体集積チップ間において、他の半導体集積チップにおける平面インダクタを介し情報通信を行うため、平面インダクタの上下の位置があわされ、
隣接する上下の半導体集積チップにおける前記端子列が重複しないよう、各々の半導体集積チップは、90度、180度又は270度回転させた位置に配置し積層され、
各々の前記端子列が前記ワイヤーボンドにより接続され、前記ワイヤーボンドを介し各々の半導体集積チップを駆動するための電力を供給することを特徴とする半導体装置。 - 略四角形状の基板と、
前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、
前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるように形成した複数のスルーホールからなる領域と、
を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、
各々の半導体集積チップ間において前記スルーホールの各々が電気的に接続され、
隣接する前記半導体集積チップにおいて、前記端子列が交互に180度となるように上下に積層され、
各々の前記端子列が前記ワイヤーボンドにより接続され、前記ワイヤーボンドを介し各々の半導体集積チップを駆動するための電力を供給することを特徴とする半導体装置。 - 前記複数の同一形状の半導体集積チップのうち、
少なくとも1つは論理回路を構成するものであり、
他はすべて情報を記憶するためのメモリ回路を構成するものであることを特徴とする請求項2から4に記載の半導体装置。
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Publication Number | Publication Date |
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JP2008091627A true JP2008091627A (ja) | 2008-04-17 |
Family
ID=39375481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006270917A Withdrawn JP2008091627A (ja) | 2006-10-02 | 2006-10-02 | 半導体集積チップ及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008091627A (ja) |
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