JP2008085225A - 太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2008085225A
JP2008085225A JP2006265871A JP2006265871A JP2008085225A JP 2008085225 A JP2008085225 A JP 2008085225A JP 2006265871 A JP2006265871 A JP 2006265871A JP 2006265871 A JP2006265871 A JP 2006265871A JP 2008085225 A JP2008085225 A JP 2008085225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tab
resin
electrode
bus bar
bar electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006265871A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5230089B2 (ja
JP2008085225A5 (ja
Inventor
Yasushi Tsunomura
泰史 角村
Yukihiro Yoshimine
幸弘 吉嶺
Shigeyuki Okamoto
重之 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2006265871A priority Critical patent/JP5230089B2/ja
Priority to TW096134388A priority patent/TWI429093B/zh
Priority to CN2007800360876A priority patent/CN101523617B/zh
Priority to EP07807570.2A priority patent/EP2068372B1/en
Priority to TR2018/15209T priority patent/TR201815209T4/tr
Priority to PCT/JP2007/068201 priority patent/WO2008041487A1/ja
Priority to CN201110027034.6A priority patent/CN102157583B/zh
Priority to KR1020097008558A priority patent/KR101568048B1/ko
Priority to ES07807570T priority patent/ES2698120T3/es
Priority to US12/442,720 priority patent/US9748413B2/en
Priority to CN201010264486.1A priority patent/CN101937942B/zh
Publication of JP2008085225A publication Critical patent/JP2008085225A/ja
Publication of JP2008085225A5 publication Critical patent/JP2008085225A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5230089B2 publication Critical patent/JP5230089B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】モジュール出力の低下を抑制し、信頼性を向上させる太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュールは、表面保護材と裏面保護材との間に、複数の太陽電池セルが配設され、太陽電池セルのバスバー電極２０同士をタブにより互いに電気的に接続して構成される。太陽電池モジュールは、バスバー電極２０とタブ４０との間に、複数の導電性粒子７０を含む樹脂６０からなる接着層を備え、バスバー電極２０とタブ４０は、導電性粒子７０を介して電気的に接続し、樹脂６０は、バスバー電極２０の側面まで覆い、タブ４０と光電変換部１０の表面を接着する。
【選択図】図３

Description

本発明は、表面保護材と裏面保護材との間に、複数の太陽電池セルが配設され、太陽電池セルの接続用電極同士をタブにより互いに電気的に接続してなる太陽電池モジュールに関する。
従来、ＨＩＴ太陽電池モジュールは、図１８に示すように、複数の太陽電池セルのバスバー電極２０同士が互いに銅箔等の導電材からなるタブ４０により電気的に接続され、ガラス、透光性プラスチックのなどの透光性を有する表面保護材と、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ）等のフィルムからなる裏面保護材との間に、ＥＶＡ等の透光性を有する封止材により封止されている。
太陽電池セルは、導電性ペーストにより、光電変換部１０表面に、バスバー電極２０及びフィンガー電極３０を形成することによって作製される。そして、バスバー電極２０上にタブ４０をハンダにより接着することで、太陽電池セルを直列に接続することが一般的である（例えば、特許文献１参照。）。
このハンダ付けの様子について、図１９を用いて説明する。図１９は、図１８におけるＡ−Ａ断面図である。
タブ４０は、銅箔等の金属製の材料からなり、この周囲に予めハンダメッキ９０がコーティングされている。銀ペーストからなるバスバー電極２０にタブ４０をハンダ付けする場合、バスバー電極２０の表面、もしくはタブ４０の太陽電池セル側表面にフラックスを塗布し、タブ４０をバスバー電極２０表面に配置し、加熱する。このとき、バスバー電極２０表面の酸化層を除去しながら、タブ４０のハンダ部分と銀ペーストを合金化させた合金層５０によってハンダ付けを行い、タブ４０をバスバー電極２０に固定している。
特開２００５−２１７１８４号公報
しかしながら、上記の従来技術においては、信頼性試験の一つである温度サイクル試験（ＪＩＳ Ｃ８９１７）において、出力が低下するという問題があった。出力低下の一因として、導電性ペースト（バスバー電極）の破壊、導電性ペーストと光電変換部の界面の剥離、及び導電性ペーストと合金層の界面の剥離といった、導電性ペースト部の破壊による接触抵抗の増加がある。
この現象が起こる理由としては、次のような要因が考えられる。図１９に示す従来構造の太陽電池モジュールでは、タブの熱膨張係数が、約1.7×10-5／℃（Ｃｕ）であり、光電変換部の熱膨張係数が、約3.6×10-6／℃（Ｓｉ）であり、これらの熱膨張係数は、約５倍の差がある。このため、温度サイクルが加えられた場合、その中間に位置する導電性ペーストにストレスが加えられる。更に、温度サイクルが継続されることにより、導電性ペースト部にダメージが蓄積され、破壊されることにより接触抵抗の増加に至ると考えられる。このように導電性ペーストがストレスにより破壊されることは、導電性ペーストの電気抵抗を極力小さくするため、含まれる金属粒子の割合を大きくしているので、導電性ペースト中の金属粒子同士の接着力や、導電性ペーストと合金部の接着力、導電性ペーストと光電変換部の接着力が弱くなっているためと考えられる。
このような課題は、ＨＩＴ構造の太陽電池モジュールに限らず、光電変換部の基材の熱膨張係数と、タブの芯材の熱膨張係数との差が大きい場合に生じると考えられる。
そこで、本発明は、上記の問題に鑑み、モジュール出力の低下を抑制し、信頼性を向上させる太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
本発明の特徴は、表面保護材と裏面保護材との間に、複数の太陽電池セルが配設され、太陽電池セルの接続用電極同士をタブにより互いに電気的に接続してなる太陽電池モジュールであって、接続用電極とタブとの間に、複数の導電性粒子を含む樹脂からなる接着層を備え、接続用電極とタブとは、導電性粒子を介して電気的に接続され、樹脂は、接続用電極の側面まで覆い、タブと太陽電池セルの表面を接着する太陽電池モジュールであることを要旨とする。
本発明の特徴に係る太陽電池モジュールによると、柔軟性の高い樹脂によって接続用電極とタブを接着し、太陽電池セルとタブまでも接着しているので、モジュール出力の低下を抑制し、信頼性を向上させることができる。
又、本発明の特徴に係る太陽電池モジュールにおいて、接続用電極は、バスバー電極であり、接着層は、バスバー電極に接続されたフィンガー電極の当該バスバー電極との接続部分とタブとの間に配置されてもよい。
この太陽電池モジュールによると、フィンガー電極とタブを接着することができ、更に接着力を高めることができる。
又、上記の太陽電池モジュールにおいて、フィンガー電極とタブは、導電性粒子を介して電気的に接続してもよい。
この太陽電池モジュールによると、バスバー電極とフィンガー電極の接続が切れた場合でも、フィンガー電極からタブへ電気的に接続することができる。
又、本発明の特徴に係る太陽電池モジュールにおいて、導電性粒子は、接続用電極の側面に配置された樹脂中において、体積率３〜２０％の割合で含有されてもよい。
この太陽電池モジュールによると、側面の領域において、内部応力を緩和させることができる。
又、本発明の特徴に係る太陽電池モジュールにおいて、接続用電極の表面は、凹凸形状を有し、凸形状の部分は、タブに接してもよい。
この太陽電池モジュールによると、接続用電極の一部がタブに接しているため、接続用電極とタブの電気的接続を良好にすることができる。
又、本発明の特徴に係る太陽電池モジュールにおいて、接着層に含まれる樹脂は、接続用電極に使用されている樹脂材料と同種の樹脂であってもよい。
この太陽電池モジュールによると、接続用電極と接着層の接着相性が良くなり、更に接着力を強化することができる。
本発明によると、モジュール出力の低下を抑制し、信頼性を向上させる太陽電池モジュールを提供することができる。
次に、図面を用いて、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
（太陽電池モジュール）
本実施形態に係る太陽電池セルとして、ＨＩＴ構造を有する太陽電池セルを例に挙げ、以下について説明する。図１は、本実施形態に係る太陽電池セルの断面図であり、図２は、上面図である。
本実施形態に係る太陽電池セルは、図１に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄの上面側には、ｉ型非晶質シリコン層１０ｃを介してｐ型非晶質シリコン層１０ｂが形成され、更にその上面にＩＴＯ膜１０ａが形成されている。一方、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄの下面側には、ｉ型非晶質シリコン層１０ｅを介してｎ型非晶質シリコン層１０ｆが形成され、更にその上面にＩＴＯ膜１０ｇが形成されている。ＩＴＯ膜１０ａ、１０ｇ上には、図１及び図２に示すように、バスバー電極２０及びフィンガー電極３０からなる集電極が形成されている。集電極は、エポキシ樹脂をバインダー、銀粒子をフィラーとした熱硬化型導電性ペーストより形成されている。このように、太陽電池セルは、光電変換部１０と、光電変換部１０上に形成されたバスバー電極２０及びフィンガー電極３０からなる集電極とを備える。
又、本実施形態に係る太陽電池モジュールは、複数の太陽電池セルのバスバー電極２０同士が互いに銅箔等の導電材からなるタブにより電気的に接続され、ガラス、透光性プラスチックのなどの透光性を有する表面保護材と、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ）等のフィルムからなる裏面保護材との間に、ＥＶＡ等の透光性を有する封止材により封止されている。
次に、本実施形態に係る太陽電池モジュールにおいて、バスバー電極２０とタブ４０との接着について、詳細に説明する。
本実施形態に係る太陽電池モジュールは、図３に示すように、バスバー電極２０とタブ４０との間に、複数の導電性粒子７０を含む樹脂６０からなる接着層を備える。バスバー電極２０とタブ４０とは、導電性粒子７０を介して電気的に接続される。又、樹脂６０は、バスバー電極２０の側面まで覆い、タブ４０と光電変換部１０の表面を接着する。尚、タブ４０は、銅箔等の金属製の材料からなり、この周囲に錫メッキが施されている。
樹脂６０は、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂であり、導電性粒子７０は、例えば、ニッケルである。図３では、バスバー電極２０とタブ４０の間には、１のニッケル粒子が挟まれており、ニッケル粒子を介して電気的に接続されている。尚、図３では、１のニッケル粒子がバスバー電極２０とタブ４０とを電気的に接続しているが、複数のニッケル粒子が接触し、連なることにより、バスバー電極２０とタブ４０が接続されてもよい。
又、導電性粒子７０の組成としては、電気伝導性を得ることを目的としており、銅、銀、アルミニウム、ニッケル、錫、金などから選ばれる少なくとも１種の金属粒子、もしくはこれらの合金、混合などが適用できる。又、アルミナ、シリカ、酸化チタン、ガラスなどから選ばれる少なくとも１種の無機酸化物に金属コーディングを施したものであってもよく、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂などから選ばれる少なくとも一種、あるいは、これらの樹脂の共重合体、混合体などに金属コーティングを施したものであってもよい。更には、導電性粒子７０の形状としては、フレーク状のものと球状のものを混合したり、サイズの異なるものを混合したり、あるいは表面に凹凸形状を設けたりすることにより、電気伝導性を高める工夫を施すこともできる。
又、バスバー電極２０の周囲をコーティングする樹脂６０は、タブ４０の温度サイクルによる伸縮によるストレスを緩和する目的から、タブ４０に使用している材料よりも柔軟性の高い材料であることが好ましく、タブ４０の接着を同時に行うことも考慮すると、熱硬化型の樹脂材料を使用することが好ましい。又、樹脂６０は、信頼性を維持するためには、耐湿性や耐熱性に優れていることが要求される。これらを満たす樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられ、これらから選ばれる少なくとも一種、あるいは、これらの樹脂の混合、共重合などを適用することができる。
更に、バスバー電極２０との接着相性を考慮すると、樹脂６０は、バスバー電極２０に使用されている樹脂材料と同種の樹脂であることが好ましい。又、低温かつ短時間で硬化できるという点から、エポキシ樹脂やアクリル樹脂を用いることが、製造上、好ましい。更には、これらの樹脂６０がフィルム状で、加熱により溶着できるものであってもよい。
又、樹脂６０と導電性粒子７０の割合は、電気伝導性を考慮し、導電性粒子７０が樹脂６０の７０重量％以上であることが好ましい。又、導電性粒子７０は、図４に示すように、バスバー電極２０の側面に配置された樹脂中（図４におけるＸ部分）において、体積率３〜２０％の割合で含有されていることが好ましい。この体積率は、断面ＳＥＭによって観察される、樹脂中の導電性粒子７０の面積率によって測定することができる。
又、本実施形態に係る太陽電池セルは、図５に示すように、接着層は、２０バスバー電極に接続されたフィンガー電極３０の当該バスバー電極２０との接続部分とタブ４０との間に配置されてもよい。更に、図６に示すように、フィンガー電極３０とタブ４０は、導電性粒子７０を介して電気的に接続してもよい。
又、本実施形態に係る太陽電池セルは、図７に示すように、バスバー電極２０の表面は、凹凸形状を有し、凸形状の部分は、タブ４０に接してもよい。
（作用及び効果）
本実施形態に係る太陽電池モジュールによると、柔軟性の高い樹脂６０によってバスバー電極２０とタブ４０を接着し、光電変換部１０とタブ４０までも接着しているので、タブ４０と光電変換部１０との線膨張係数の違いから生じていたストレスを樹脂６０により緩和することができる。このため、導電性ペースト（バスバー電極）の破壊、導電性ペーストと光電変換部の界面の剥離、及び導電性ペーストと合金層の界面の剥離を抑制することができる。このため、導電性ペースト部の破壊による接触抵抗の増加を防止し、モジュール出力の低下を抑制することができる。この結果、太陽電池モジュールの信頼性を向上させることができる。
又、従来、バスバー電極２０とフィンガー電極３０との長手方向が直交することから、これらの交点にもストレスが加えられ、この交点部分が破壊されることによって、バスバー電極２０とフィンガー電極３０の接触不良が発生し、モジュール出力の低下を引き起こしていた。本実施形態においては、接着層は、バスバー電極２０に接続されたフィンガー電極３０の当該バスバー電極２０との接続部分とタブ４０との間に配置される。このため、フィンガー電極３０とタブ４０を接着することができ、更に接着力を高めることができる。
又、フィンガー電極３０とタブ４０は、導電性粒子７０を介して電気的に接続される。このため、バスバー電極２０とフィンガー電極３０の接続が切れた場合でも、フィンガー電極３０からタブ４０へ電気的に接続することができる。
又、バスバー電極２０の側壁に配した樹脂領域においては、樹脂が硬化する際に収縮することにより残留する内部応力が存在するので、タブ４０と樹脂６０との界面の剥離の要因となりやすい。本実施形態では、導電性粒子７０は、バスバー電極２０の側面に配置された樹脂中において、体積率３〜２０％の割合で含有される。このため、側面の領域において、樹脂中の内部応力を緩和させることができる。即ち、導電性粒子７０が、樹脂６０同士の分子の結合を分断することにより、樹脂の硬化による収縮を小さくし、残留する応力を小さくすることができる。
又、本実施形態では、バスバー電極２０の表面は、凹凸形状を有し、凸形状の部分は、タブ４０に接してもよい。このように、バスバー電極２０の一部がタブ４０に接しているため、バスバー電極２０とタブ４０の電気的接続を良好にすることができる。
又、バスバー電極２０とタブ４０との間に配置される接着層に含まれる樹脂は、バスバー電極２０に使用されている樹脂材料と同種の樹脂であることが好ましい。このような樹脂構成にすることにより、バスバー電極２０と接着層の接着相性が良くなり、更に接着力を強化することができる。
（太陽電池モジュールの製造方法）
次に、本実施形態に係る太陽電池モジュールの製造方法について説明する。
まず、光電変換部１０の製造方法は、従来と同様であるので、ここでは説明を省略する。次に、図１に示すように、光電変換部１０上に、エポキシ系熱硬化型銀ペーストでバスバー電極２０及びフィンガー電極３０を形成する。具体的には、光電変換部１０の受光面側に、銀ペーストをスクリーン印刷し、１５０℃で５分間加熱し、仮硬化させる。その後、光電変換部１０の裏面側に、銀ペーストをスクリーン印刷し、１５０℃で５分間加熱し、仮硬化させる。その後、２００℃で１時間加熱することにより、銀ペーストを完全に硬化させ、太陽電池セルを形成する。
次に、ディスペンサーを用い、図３に示すように、ニッケル粒子を約５体積％含んだエポキシ樹脂を、バスバー電極２０上に、約３０μｍの厚みになるように塗布するとともに、バスバー電極２０側面を約１００μｍずつ覆うように塗布する。
複数の太陽電池セルについて、受光面側及び裏面側の両面に樹脂を塗布した後、それぞれ塗布された樹脂上に、タブ４０を配置し、約２ＭＰａで加圧しながら、２００℃で１時間加熱することにより、ストリングを形成する。
次に、複数本のストリングを接続し、ガラス、封止シート、ストリング、封止シート、裏面シートの順で積層し、真空にした後１５０℃で１時間加熱することで、完全に硬化させる。その後、端子ボックス、金属フレームをとりつけ、太陽電池モジュールとする。
尚、上記では、エポキシ樹脂をバスバー電極２０に塗布し、その上にタブ４０を配置したが、金属粒子を含む樹脂フィルムをバスバー電極２０上に配置し、その上にタブ４０を配置することでストリングを形成してもよい。
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、本発明は、光電変換部１０の基材と、複数の太陽電池セルを接続するタブ４０の芯材との線膨張係数の違いが存在する場合に起こる問題を解決するため、上記の実施形態に記載した構造に限らないことはもちろんである。例えば、光電変換部１０の基板として単結晶Ｓｉ、多結晶ＳｉなどのＳｉ基板、あるいは、ステンレス基板やガラス基板といった比較的線膨張係数の小さな材料を用い、当該基板上に熱拡散やプラズマＣＶＤ法等の方法によって、各種の光電変換層を形成し、光電変換部に導電性ペーストによって電力取り出し機構を形成し、導電性ペースト上に、銅、銀、アルミニウム、ニッケル、錫、金、もしくはこれらの合金といった比較的線膨張係数の大きな材料を芯材としたリード線が接着されている場合にも適用できる。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
以下、本発明に係る薄膜系太陽電池モジュールについて、実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。
（実施例１）
本発明の実施例１に係る太陽電池セルとして、図１、図２及び図４に示す太陽電池セルを以下のように作製した。以下の作製方法では、工程を工程１〜４に分けて説明する。
＜工程１＞光電変換部形成
まず、図１に示すように、洗浄することにより、不純物が除去された約１Ω・ｃｍの抵抗率と約３００μｍの厚みとを有するｎ型単結晶シリコン基板１０ｄを準備した。次に、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄの上面上に、約５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層１０ｃと、約５ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質シリコン層１０ｂとをこの順番で形成した。尚、ＲＦプラズマＣＶＤ法によるｉ型非晶質シリコン層１０ｃ及びｐ型非晶質シリコン層１０ｂの具体的な形成条件は、周波数：約１３．６５ＭＨｚ、形成温度：約１００〜２５０℃、反応圧力：約２６・６〜８０．０Ｐａ、ＲＦパワー：約１０〜１００Ｗであった。
次に、ｎ型単結晶シリコン基板１０ｄの下面上に、約５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層１０ｅと、約５ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質シリコン層１０ｆとをこの順番で形成した。尚、このｉ型非晶質シリコン層１０ｅ及びｎ型非晶質シリコン層１０ｆは、それぞれ上記したｉ型非晶質シリコン層１０ｃ及びｐ型非晶質シリコン層１０ｂと同様のプロセスにより形成した。
次に、マグネトロンスパッタ法を用いて、ｐ型非晶質シリコン層１０ｂ及びｎ型非晶質シリコン層１０ｆの各々の上に、約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ膜１０ａ、１０ｇをそれぞれ形成した。このＩＴＯ膜１０ａ、１０ｇの具体的な形成条件は、形成温度：約５０〜２５０℃、Ａｒガス流量：約２００ｓｃｃｍ、Ｏ2ガス流量：約５０ｓｃｃｍ、パワー：約０．５〜３ｋＷ、磁場強度：約５００〜３０００Ｇａｕｓｓであった。
＜工程２＞集電極形成
スクリーン印刷法を用いて、エポキシ系熱硬化型の銀ペーストを受光面側の透明導電膜の所定領域上に転写した後、１５０℃で５分間加熱し、仮硬化させ、２００℃で１時間加熱することにより、完全に硬化させることで、集電極を形成した。これにより、図２に示すように、透明導電膜の上面上に、所定の間隔を隔てて互いに平行に延びるように形成された複数のフィンガー電極３０と、フィンガー電極３０により収集された電流を集合させるバスバー電極２０とからなる集電極を形成した。ここでは、バスバー電極２０の幅が約１．０ｍｍ、高さが約５０μｍであった。
＜工程３＞ストリング形成
まず、バスバー電極２０上に、ディスペンサーで、エポキシ系熱硬化型のニッケルペーストを塗布した。具体的には、図８に示すように、バスバー電極２０上に、約３０μｍの厚みとなるように塗布するとともに、バスバー電極２０の側面外側を約１００μｍずつ覆うように塗布した。又、図９に示すように、フィンガー電極３０の根元の部分も同時に覆うように塗布した。尚、ニッケルペースト中のニッケル粒子の含有量は、体積率約５％のものを使用した。
受光面側、裏面側の両方にニッケルペーストを塗布した後、バスバー電極２０上に、タブ４０となる幅約１．５ｍｍの錫メッキ銅箔を配置した。そして、図１０に示すように、複数の太陽電池セルが接続されるように配列し、１枚の太陽電池セルごとに上下から加熱部８０を挟み、２ＭＰａの圧力をかけながら、約２００℃で１時間加熱することによりニッケルペーストを硬化させ、ストリングを形成した。このように圧力をかけながら硬化することにより、ニッケル粒子を錫メッキ銅箔とバスバー電極２０の間に挟むことができるので、良好な電気伝導性が得られた。又、ニッケルペーストが押し伸ばされ、タブ４０とほぼ同等の幅に広がった。又、図１１に示すように、フィンガー電極３０の根元部分が約２００μｍに渡り、厚さ約２０μｍのニッケルペーストで覆われた構造となった。
＜工程４＞モジュール化
ガラス基板からなる表面保護材の上に、ＥＶＡシートからなる充填材を載せた後、タブにより接続した複数の太陽電池セルを配置した。そして、その上に、更にＥＶＡシートからなる充填材を載せた後、ＰＥＴ／アルミニウム箔／ＰＥＴの３層構造を有する裏面保護材を配置した。これらを、真空にした後、１５０℃で１０分間加熱圧着することで駆り圧着した後、１５０℃で１時間加熱することで、完全に硬化させた。これに、端子ボックス、金属フレームを取り付け、実施例１に係る太陽電池モジュールを作製した。
（比較例１）
比較例１に係る太陽電池セルとして、図１２に示す太陽電池セルを以下のように作製した。
＜工程１＞実施例１と同様の方法で形成した。
＜工程２＞実施例１と同様の方法で形成し、バスバー電極２０の幅が約１．５ｍｍになるように形成した。
＜工程３＞比較例１では、接着層がバスバー電極２０からはみ出さないように形成した。
まず、バスバー電極２０上に、ディスペンサーで、エポキシ系熱硬化型のニッケルペーストを塗布した。具体的には、図１３に示すように、バスバー電極２０上に、幅約１．２ｍｍ、厚み約３０μｍとなるように塗布した。尚、ニッケルペースト中のニッケル粒子の含有量は、体積率約５％のものを使用した。
受光面側、裏面側の両方にニッケルペーストを塗布した後、バスバー電極２０上に、タブ４０となる幅約１．５ｍｍの錫メッキ銅箔を配置した。そして、図１０に示すように、複数の太陽電池セルが接続されるように配列し、１枚の太陽電池セルごとに上下から加熱部８０を挟み、２ＭＰａの圧力をかけながら、約２００℃で１時間加熱することによりニッケルペーストを硬化させ、ストリングを形成した。このように圧力をかけながら硬化することにより、ニッケル粒子を錫メッキ銅箔とバスバー電極２０の間に挟むことができるので、良好な電気伝導性が得られた。又、ニッケルペーストが押し伸ばされ、タブ４０とほぼ同等の幅に広がった。
＜工程４＞実施例１と同様の方法で形成した。
（比較例２）
比較例２に係る太陽電池セルとして、従来のハンダ付けによる接着を行った太陽電池セルを以下のように作製した。
＜工程１＞実施例１と同様の方法で形成した。
＜工程２＞実施例１と同様の方法で形成し、バスバー電極２０の幅が約１．５ｍｍになるように形成した。
＜工程３＞バスバー電極２０上に、タブ４０となる幅約１．５ｍｍのＳｎ−Ａｇ−Ｃｕハンダメッキ銅箔を配置し、図１０に示すように、複数の太陽電池セルが接続されるように配置した。そして、バスバー電極２０とタブ４０とをハンダ接続することにより、ストリングを形成した。
＜工程４＞実施例１と同様の方法で形成した。
（評価方法）
実施例１及び比較例１、２に係る太陽電池モジュールについて、それぞれ温度サイクル試験（ＪＩＳ Ｃ８９１７）を行い、試験前後の太陽電池モジュールの出力を比較し、タブ接続部の断面観察、エレクトロルミネッセンス法による発光比較を行った。ＪＩＳ規格では、２００サイクル後の出力変化率にて規定されているが、今回は、更に長期の耐久性を評価するため、４００サイクルの試験を行った。太陽電池モジュールの出力は、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の光照射下で測定した。
断面観察は、図１４に示す矢印の面で断面を切り出し、ＳＥＭ観察を行った。１つのサンプルにつき、１０ヶ所ずつ観察を行った。
エレクトロルミネッセンス法は、Characterization of Ploycrystalline Silicon Solar Cells by Electroluminescence (PVSEC-15, Shanghai, China : Oct. 2005.)を参考に、太陽電池モジュールは約２Ａの電流を注入し、ＣＣＤカメラにより、そのときの赤外発光を観察した。この方法によると、電流の抵抗が大きく、電流が流れにくい領域や、少数キャリアの拡散長が短い領域において、発光が弱くなるため暗い部分として表示される。
（実験結果）
表１に、温度サイクル試験による規格化出力低下率を示す。
Figure 2008085225
出力低下率は、（１−試験後出力／試験前出力）×１００（％）の式より算出し、比較例２における出力低下率を１．００として規格化した。表１に示すように、実施例１における規格化出力低下率は、比較例１及び２に対して小さいことが分かる。
又、断面ＳＥＭ観察をした結果、温度サイクル試験前のサンプルでは、特に異常は見られなかったが、温度サイクル試験後のサンプルでは、比較例１及び２において、図１５に示すような亀裂が観察された。一方、実施例１において、亀裂は観察されなかった。表１では、亀裂が観察されなかったサンプルは○印で、亀裂が観察されたサンプルは×印で表示した。
又、エレクトロルミネッセンス法による発光を見た結果、温度サイクル試験前のサンプルでは、特に異常は見られなかったが、温度サイクル試験後のサンプルでは、比較例１及び２において、図１６に示すような暗部が見られた。一方、実施例１においては、温度サイクル試験後もこのような暗部は現れなかった。表１では、暗部が現れなかったサンプルは○印で、暗部が現れたサンプルは×印で表示した。
（考察）
比較例１及び２においては、温度サイクル試験後にバスバー電極２０内の亀裂が観察され、又、温度サイクル試験後のエレクトロルミネッセンス法による発光試験で暗部が見られている。この暗部について、図１６のＡ部に示すようなフィンガー電極３０に沿って見られる暗部は、フィンガー電極３０の根元（バスバー電極との接続部）で断線が生じたため、根元から先まで電流が流れにくいことにより、エレクトロルミネッセンス法による発光が弱いものと考えられる。又、Ｂ部に示すようなバスバー電極２０に沿って見られる暗部は、断面ＳＥＭでも観察されたバスバー電極２０内の亀裂によるものと考えられる。このような亀裂は、温度サイクル試験が繰り返されたことにより、線膨張係数の大きく異なるタブとシリコン基板の間に位置するバスバー電極にダメージが蓄積されたために生じたものと考えられる。即ち、比較例１及び２において、温度サイクル試験により、上述した２種類の集電極損傷が起こっているものと考えられ、このような集電極の損傷により、出力の低下を招いていると考えられる。
一方、実施例１においては、バスバー電極２０内の亀裂が観察されず、エレクトロルミネッセンス法で暗部が見られておらず、温度サイクル試験での出力低下が大幅に軽減されている。即ち、実施例１では、バスバー電極２０が樹脂部により覆われ、補強されていることにより、温度サイクルにより引き起こされるバスバー電極２０内の亀裂が抑制され、又、フィンガー電極３０の根元の部分が樹脂部に覆われていることにより、温度サイクルにより引き起こされるフィンガー電極根元部分の断線が抑制されたことにより、温度サイクル試験による出力低下が大幅に軽減されたものと考えられる。
（導電性粒子の密度に関する実験）
次に、導電性粒子の粒子量を変化させた場合の影響について調査した。
実施例１と同様の方法で作製し、樹脂領域中の導電性粒子の種類と、導電性粒子の密度を変化させたサンプルを準備した。
導電性粒子としては、銀、ニッケルの２種類を準備し、平均粒径を１０μｍとした。粒子量は、樹脂中の体積率０〜５０％の間で調整した。粒子の体積率が５０％を超えてくると、樹脂の接着性能が著しく落ちるため、０〜５０％という範囲とした。
上記のように作製した太陽電池モジュールについて、それぞれ温度サイクル試験（ＪＩＳ Ｃ８９１７）を行い、試験前後の太陽電池モジュールの出力を測定し、出力低下率を比較した。太陽電池モジュールの出力は、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の光照射下で測定した。
（実験結果及び考察）
図１７に、横軸を樹脂成分の断面ＳＥＭから観察される導電性粒子の面積率、縦軸を規格化出力低下率とし、表示したグラフを示す。導電性粒子の面積率は、断面ＳＥＭから観察されるバスバー電極の側面外側領域（図４のＸ部分）における、導電性粒子断面の占める割合を算出した。出力低下率は、（１−試験後出力／試験前出力）×１００（％）の式より算出し、比較例２における出力低下率を１．００として規格化した。
図１７に示すように、樹脂領域の粒子面積率が３０％以上の場合においては、温度サイクルによる規格化出力低下率が、比較例２と同程度となっているが、樹脂領域の粒子面積率が２５％以下の場合においては、温度サイクルによる規格化出力低下率が比較例２に対し、小さいことが分かる。これは、樹脂領域の粒子面積率が３０％以上の場合は、導電性粒子が蜜に存在するバスバー電極領域同様、バルクの結合力が比較的弱く、温度サイクルによるストレスにより亀裂が生じやすいものと考えられる。このような結合力の強い樹脂によりバスバー電極をコーティングすることにより、バスバー電極を補強する効果が得られたと考えられる。
又、樹脂領域の粒子面積率が３〜２０％の範囲においては、温度サイクルによる出力低下を抑制する効果が更に高くなっていることが分かる。これは、樹脂領域の粒子面積率が大きい場合（２５％以上）には、前述したように、バルクの結合力が弱くなるために、温度サイクルによるストレスにより亀裂が生じやすいものと考えられ、温度サイクル試験による出力低下を招きやすい傾向が見られていると考えられる。又、逆に、樹脂領域の粒子面積率が小さい場合（０％）には、硬化時に生じた収縮応力が大きいため、タブや光電変換部との界面の剥離が生じやすくなっていると考えられ、温度サイクル試験による出力低下を招きやすい傾向が見られていると考えられる。即ち、樹脂中に適度な粒子を含むことにより、樹脂中の分子の結合を分断することができるため、樹脂中に内在する内部応力を緩和できる。この結果、樹脂領域と光電変換部あるいは樹脂領域とタブの界面での剥離を抑制することができるので、より温度サイクル耐性に優れた太陽電池モジュールを得ることができる。
本実施形態に係る太陽電池セルの断面図である。 本実施形態に係る太陽電池セルの上面図である。 本実施形態に係る太陽電池セルの拡大断面図である（その１）。 本実施形態に係る太陽電池セルの拡大断面図である（その２）。 本実施形態に係る太陽電池セルの拡大断面図である（その３）。 本実施形態に係る太陽電池セルの拡大断面図である（その４）。 本実施形態に係る太陽電池セルの拡大断面図である（その５）。 実施例１に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す断面図である（その１）。 実施例１に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す断面図である（その２）。 実施例１に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す断面図である（その３）。 実施例１に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す断面図である（その４）。 比較例１に係る太陽電池セルの拡大断面図である。 比較例１に係る太陽電池モジュールの製造方法を示す断面図である。 実施例１に係る太陽電池セルの上面図である。 温度サイクル試験後の比較例１及び２に係る太陽電池セルの拡大断面図である。 温度サイクル試験後の比較例１及び２に係る太陽電池セルの上面図である。 実施例１に係る太陽電池セルにおいて、導電性粒子の種類及び密度を変化させた際の実験結果を示すグラフである。 従来の太陽電池セルの断面図である。 従来の太陽電池セルの拡大断面図である。
符号の説明
１０…光電変換部
１０ａ…ＩＴＯ膜
１０ｂ…ｐ型非晶質シリコン層
１０ｃ…ｉ型非晶質シリコン層
１０ｄ…ｎ型単結晶シリコン基板
１０ｅ…ｉ型非晶質シリコン層
１０ｆ…ｎ型非晶質シリコン層
１０ｇ…ＩＴＯ膜
２０…バスバー電極
３０…フィンガー電極
４０…タブ
５０…合金部
６０…樹脂
７０…導電性粒子
８０…加熱部
９０…メッキ

Claims (6)

  1. 表面保護材と裏面保護材との間に、複数の太陽電池セルが配設され、前記太陽電池セルの接続用電極同士をタブにより互いに電気的に接続してなる太陽電池モジュールであって、
    前記接続用電極と前記タブとの間に、複数の導電性粒子を含む樹脂からなる接着層を備え、
    前記接続用電極と前記タブとは、前記導電性粒子を介して電気的に接続され、
    前記樹脂は、前記接続用電極の側面まで覆い、前記タブと前記太陽電池セルの表面を接着することを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 前記接続用電極は、バスバー電極であり、
    前記接着層は、前記バスバー電極に接続されたフィンガー電極の当該バスバー電極との接続部分と前記タブとの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記フィンガー電極と前記タブは、前記導電性粒子を介して電気的に接続することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池モジュール。
  4. 前記導電性粒子は、前記接続用電極の側面に配置された樹脂中において、体積率３〜２０％の割合で含有されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
  5. 前記接続用電極の表面は、凹凸形状を有し、凸形状の部分は、前記タブに接することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
  6. 前記接着層に含まれる樹脂は、前記接続用電極に使用されている樹脂材料と同種の樹脂であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
JP2006265871A 2006-09-28 2006-09-28 太陽電池モジュール Active JP5230089B2 (ja)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006265871A JP5230089B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 太陽電池モジュール
TW096134388A TWI429093B (zh) 2006-09-28 2007-09-14 太陽電池模組
US12/442,720 US9748413B2 (en) 2006-09-28 2007-09-19 Solar cell module
TR2018/15209T TR201815209T4 (tr) 2006-09-28 2007-09-19 Güneş pili modülü.
PCT/JP2007/068201 WO2008041487A1 (en) 2006-09-28 2007-09-19 Solar battery module
CN201110027034.6A CN102157583B (zh) 2006-09-28 2007-09-19 太阳能电池模块
CN2007800360876A CN101523617B (zh) 2006-09-28 2007-09-19 太阳能电池模块
ES07807570T ES2698120T3 (es) 2006-09-28 2007-09-19 Módulo de batería solar
EP07807570.2A EP2068372B1 (en) 2006-09-28 2007-09-19 Solar battery module
CN201010264486.1A CN101937942B (zh) 2006-09-28 2007-09-19 太阳能电池模块的制造方法
KR1020097008558A KR101568048B1 (ko) 2006-09-28 2007-09-19 태양 전지 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006265871A JP5230089B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 太陽電池モジュール

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012048651A Division JP5617857B2 (ja) 2012-03-06 2012-03-06 太陽電池モジュールの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008085225A true JP2008085225A (ja) 2008-04-10
JP2008085225A5 JP2008085225A5 (ja) 2009-11-12
JP5230089B2 JP5230089B2 (ja) 2013-07-10

Family

ID=39268349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006265871A Active JP5230089B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 太陽電池モジュール

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9748413B2 (ja)
EP (1) EP2068372B1 (ja)
JP (1) JP5230089B2 (ja)
KR (1) KR101568048B1 (ja)
CN (3) CN101937942B (ja)
ES (1) ES2698120T3 (ja)
TR (1) TR201815209T4 (ja)
TW (1) TWI429093B (ja)
WO (1) WO2008041487A1 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010071123A1 (ja) * 2008-12-17 2010-06-24 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2010122863A1 (ja) * 2009-04-21 2010-10-28 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101065383B1 (ko) 2009-12-25 2011-09-16 삼성에스디아이 주식회사 전극 기판 및 광전 변환 소자
KR101197781B1 (ko) 2011-04-04 2012-11-06 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈용 접속부재 및 그 제조방법
JP2012253279A (ja) * 2011-06-06 2012-12-20 Mitsubishi Electric Corp 太陽光発電モジュールおよびその製造方法
WO2013014810A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2014041650A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2014112684A (ja) * 2013-12-17 2014-06-19 Dexerials Corp 導電接着剤
WO2014132282A1 (ja) * 2013-02-26 2014-09-04 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP5879512B2 (ja) * 2010-06-30 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
US9455359B2 (en) 2011-05-31 2016-09-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Solar battery cell, solar battery module and method of making solar battery module
JP6040931B2 (ja) * 2011-03-08 2016-12-07 日立化成株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
KR101798148B1 (ko) * 2011-06-14 2017-11-15 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
US9837560B2 (en) 2011-03-08 2017-12-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Solar battery cell, solar battery module, method of making solar battery cell and method of making solar battery module
JP2018531505A (ja) * 2015-10-20 2018-10-25 アルタ デバイセズ, インコーポレイテッドAlta Devices, Inc. ストレス耐性が強化された太陽電池におけるフロントメタルコンタクトの形成
KR101925233B1 (ko) * 2015-01-05 2018-12-04 졸리우드 (수조우) 선왓트 컴퍼니 리미티드 메인 게이트가 없고 고효율적인 백 콘택 태양 전지, 어셈블리 및 그 제조공법
JP7514233B2 (ja) 2019-06-21 2024-07-10 株式会社カネカ 太陽電池モジュール

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008135654A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US20180234050A1 (en) * 2007-10-04 2018-08-16 Rg Resource Technologies, Inc. Power panel assembly including solar panel and solar thermal heat exchanger, and method for making the power panel assembly
TWI438915B (zh) * 2008-02-21 2014-05-21 Sanyo Electric Co 太陽能電池模組
EP2291864A1 (en) * 2008-06-17 2011-03-09 National University of Singapore Thin-film solar cell interconnection
CN102217089B (zh) * 2008-11-19 2014-12-17 凸版印刷株式会社 光再利用片和太阳能电池模块
KR100997738B1 (ko) 2009-03-23 2010-12-01 이광석 태양전지 모듈의 제조방법 및 그에 따라 제조된 태양전지 모듈
US8897023B2 (en) * 2009-05-15 2014-11-25 Hamilton Sundstrand Corporation Motor controller assembly with capacitor thermal isolation
JP5159725B2 (ja) * 2009-08-27 2013-03-13 三洋電機株式会社 太陽電池ストリング及びそれを用いた太陽電池モジュール
US20110168253A1 (en) * 2009-12-25 2011-07-14 Samsung Sdi Co., Ltd. Electrode substrate and photoelectric transformation device
CN102142470B (zh) * 2010-01-28 2014-09-24 晶元光电股份有限公司 太阳能光电元件
EP2553733A2 (de) * 2010-04-01 2013-02-06 Somont GmbH Solarzellen und herstellungsverfahren dafür
TWI495121B (zh) 2010-07-09 2015-08-01 Sakamoto Jun A panel, a panel manufacturing method, a solar cell module, a printing apparatus, and a printing method
KR101044606B1 (ko) * 2010-07-29 2011-06-29 엘지전자 주식회사 태양전지 패널
KR101123273B1 (ko) * 2010-08-09 2012-03-20 엘지전자 주식회사 태양전지 패널
KR101045860B1 (ko) * 2010-08-11 2011-07-01 엘지전자 주식회사 태양전지 패널
KR101642152B1 (ko) * 2010-08-20 2016-07-22 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
JP5631661B2 (ja) * 2010-08-27 2014-11-26 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP5415396B2 (ja) * 2010-12-22 2014-02-12 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール
KR20120097450A (ko) * 2011-02-22 2012-09-04 엘지전자 주식회사 박막 태양 전지 모듈
GB2489401B (en) 2011-03-21 2014-04-23 Naked Energy Ltd Solar energy converter
JP2012204388A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Sony Chemical & Information Device Corp 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、タブ線が巻装されたリール巻装体
KR101211730B1 (ko) 2011-04-04 2012-12-12 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
KR101732633B1 (ko) * 2011-05-26 2017-05-04 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
KR101714780B1 (ko) * 2011-06-08 2017-03-09 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
KR101816163B1 (ko) * 2011-06-14 2018-01-08 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
JP5909667B2 (ja) * 2011-06-30 2016-04-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
EP2541623B1 (de) * 2011-06-30 2016-12-14 AZURSPACE Solar Power GmbH Lichtkonverter
JP6145884B2 (ja) * 2011-07-04 2017-06-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
JP2013033819A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Jx Nippon Oil & Energy Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN103930499A (zh) * 2011-08-22 2014-07-16 粘合剂研究股份有限公司 用于光伏系统的聚合物涂覆的母线带
JP5840418B2 (ja) * 2011-08-23 2016-01-06 デクセリアルズ株式会社 導電性接着剤及び太陽電池モジュール
DE102011055912A1 (de) * 2011-12-01 2013-06-06 Roth & Rau Ag Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
CN102522445B (zh) * 2011-12-08 2014-08-06 常州天合光能有限公司 基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺
KR101923658B1 (ko) * 2011-12-13 2018-11-30 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 태양전지 모듈
JP5617857B2 (ja) * 2012-03-06 2014-11-05 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
CN104221160B (zh) * 2012-03-23 2016-10-26 松下知识产权经营株式会社 太阳电池组件及其制造方法
JP2015524624A (ja) * 2012-08-06 2015-08-24 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 高信頼性光起電デバイス
CN104854176B (zh) 2012-12-20 2017-06-06 道康宁公司 可固化有机硅组合物、导电有机硅粘合剂、制备及使用它们的方法以及包含它们的电气装置
TWI489642B (zh) 2012-12-26 2015-06-21 Ind Tech Res Inst 太陽能電池封裝模組及其製造方法
JPWO2014119252A1 (ja) * 2013-02-01 2017-01-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュールの製造装置
WO2014132573A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
WO2014150302A1 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Dow Corning Corporation Conductive silicone materials and uses
EP2970728A1 (en) 2013-03-14 2016-01-20 Dow Corning Corporation Curable silicone compositions, electrically conductive silicone adhesives, methods of making and using same, and electrical devices containing same
CN106571412B (zh) * 2015-10-12 2018-05-01 Lg电子株式会社 用于附接太阳能电池板的互连器的设备和方法
KR102137547B1 (ko) * 2016-08-12 2020-07-24 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 전면 전극 및 이를 포함하는 태양전지
KR102618842B1 (ko) 2016-12-01 2023-12-28 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고광전변환효율 태양전지셀 및 고광전변환효율 태양전지셀의 제조방법
KR102071345B1 (ko) * 2018-04-24 2020-01-31 한국에너지기술연구원 태양 전지 셀 어레이, 태양 전지 모듈, 그리고 이의 제조 방법
CN109585580A (zh) * 2018-11-08 2019-04-05 晋能光伏技术有限责任公司 一种基于层叠结构的异质结高效太阳能电池生产方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204567A (ja) * 1997-10-28 1999-07-30 Seiko Epson Corp 異方性導電接着剤およびその基板への形設方法ならびに半導体チップ実装方法ならびに半導体装置
JP2000261012A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池
JP2001343903A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Canon Inc 電極の相互接続構造、電極の相互接続方法、画像表示装置及びその製造方法
JP2002124754A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板及びその製造方法並びに該回路基板を用いた電子部品の実装体
JP2005101519A (ja) * 2003-09-05 2005-04-14 Hitachi Chem Co Ltd 太陽電池ユニット及び太陽電池モジュール
JP2005252062A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池装置
JP2005268254A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sharp Corp 太陽電池、その製造方法および太陽電池モジュール
JP2005317904A (ja) * 2003-11-27 2005-11-10 Kyocera Corp 太陽電池モジュール

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590327A (en) * 1984-09-24 1986-05-20 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device and method
CN1031157A (zh) * 1987-08-07 1989-02-15 赖志勤 高效太阳能电池
JPH036867A (ja) 1989-06-05 1991-01-14 Mitsubishi Electric Corp 光発電素子の電極構造、形成方法、及びその製造装置
JP2939075B2 (ja) * 1992-12-24 1999-08-25 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
JP3352252B2 (ja) 1994-11-04 2002-12-03 キヤノン株式会社 太陽電池素子群並びに太陽電池モジュール及びその製造方法
CN1103124C (zh) * 1996-05-17 2003-03-12 佳能株式会社 光电装置及其制造方法和太阳能电池组件
US6586270B2 (en) * 2000-06-01 2003-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing a photovoltaic element
JP3672840B2 (ja) 2001-04-26 2005-07-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 異方導電性組成物
CN100481524C (zh) * 2003-09-10 2009-04-22 大日本印刷株式会社 太阳能电池组件用填充材料层、太阳能电池组件
US20070095387A1 (en) * 2003-11-27 2007-05-03 Shuichi Fujii Solar cell module
US20050115602A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-02 Kyocera Corporation Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system
JP4266840B2 (ja) 2004-01-29 2009-05-20 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
EP1560272B1 (en) * 2004-01-29 2016-04-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module
JP4581106B2 (ja) 2005-03-22 2010-11-17 コクヨ株式会社 枢着機構及び什器
US7476800B2 (en) * 2005-06-01 2009-01-13 Outokumpu Copper Neumayer Gmbh Electric connection element
JP3123842U (ja) * 2006-05-18 2006-07-27 京セラケミカル株式会社 太陽電池モジュール
JP5121181B2 (ja) * 2006-07-28 2013-01-16 三洋電機株式会社 光起電力素子及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204567A (ja) * 1997-10-28 1999-07-30 Seiko Epson Corp 異方性導電接着剤およびその基板への形設方法ならびに半導体チップ実装方法ならびに半導体装置
JP2000261012A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池
JP2001343903A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Canon Inc 電極の相互接続構造、電極の相互接続方法、画像表示装置及びその製造方法
JP2002124754A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板及びその製造方法並びに該回路基板を用いた電子部品の実装体
JP2005101519A (ja) * 2003-09-05 2005-04-14 Hitachi Chem Co Ltd 太陽電池ユニット及び太陽電池モジュール
JP2005317904A (ja) * 2003-11-27 2005-11-10 Kyocera Corp 太陽電池モジュール
JP2005252062A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池装置
JP2005268254A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sharp Corp 太陽電池、その製造方法および太陽電池モジュール

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147194A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール及びその製造方法
WO2010071123A1 (ja) * 2008-12-17 2010-06-24 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101605132B1 (ko) 2008-12-17 2016-03-21 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
WO2010122863A1 (ja) * 2009-04-21 2010-10-28 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2010258006A (ja) * 2009-04-21 2010-11-11 Sony Chemical & Information Device Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101403077B1 (ko) * 2009-04-21 2014-06-03 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
KR101065383B1 (ko) 2009-12-25 2011-09-16 삼성에스디아이 주식회사 전극 기판 및 광전 변환 소자
JP5879512B2 (ja) * 2010-06-30 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
US9837560B2 (en) 2011-03-08 2017-12-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Solar battery cell, solar battery module, method of making solar battery cell and method of making solar battery module
JP6040931B2 (ja) * 2011-03-08 2016-12-07 日立化成株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
KR101197781B1 (ko) 2011-04-04 2012-11-06 엘지이노텍 주식회사 태양전지 모듈용 접속부재 및 그 제조방법
US9455359B2 (en) 2011-05-31 2016-09-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Solar battery cell, solar battery module and method of making solar battery module
JP2012253279A (ja) * 2011-06-06 2012-12-20 Mitsubishi Electric Corp 太陽光発電モジュールおよびその製造方法
KR101798148B1 (ko) * 2011-06-14 2017-11-15 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
WO2013014810A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JPWO2014041650A1 (ja) * 2012-09-13 2016-08-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
WO2014041650A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US9911876B2 (en) 2012-09-13 2018-03-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module
WO2014132282A1 (ja) * 2013-02-26 2014-09-04 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2014112684A (ja) * 2013-12-17 2014-06-19 Dexerials Corp 導電接着剤
KR101925233B1 (ko) * 2015-01-05 2018-12-04 졸리우드 (수조우) 선왓트 컴퍼니 리미티드 메인 게이트가 없고 고효율적인 백 콘택 태양 전지, 어셈블리 및 그 제조공법
JP2018531505A (ja) * 2015-10-20 2018-10-25 アルタ デバイセズ, インコーポレイテッドAlta Devices, Inc. ストレス耐性が強化された太陽電池におけるフロントメタルコンタクトの形成
JP7514233B2 (ja) 2019-06-21 2024-07-10 株式会社カネカ 太陽電池モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20100084001A1 (en) 2010-04-08
TW200816502A (en) 2008-04-01
KR101568048B1 (ko) 2015-11-10
KR20090079909A (ko) 2009-07-22
ES2698120T3 (es) 2019-01-31
CN101523617A (zh) 2009-09-02
US9748413B2 (en) 2017-08-29
CN102157583A (zh) 2011-08-17
CN101937942A (zh) 2011-01-05
WO2008041487A1 (en) 2008-04-10
TWI429093B (zh) 2014-03-01
EP2068372A1 (en) 2009-06-10
TR201815209T4 (tr) 2018-11-21
EP2068372B1 (en) 2018-08-08
JP5230089B2 (ja) 2013-07-10
CN101523617B (zh) 2011-03-30
CN102157583B (zh) 2016-08-03
EP2068372A4 (en) 2012-12-19
CN101937942B (zh) 2014-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5230089B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP5063099B2 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
JP5380810B2 (ja) 太陽電池モジュール
KR101535297B1 (ko) 태양 전지 모듈
CN1082727C (zh) 太阳能电池组件及其制造方法
TWI487124B (zh) 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法
JP2008135655A (ja) 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル
JP5446420B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5014503B2 (ja) 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US20090250109A1 (en) Acrylic pressure sensitive adhesive composition, double coated adhesive sheet, and photovoltaic device
EP1542290B1 (en) Photovoltaic device
EP2950352A2 (en) Photovoltaic cell interconnect
JPWO2008152865A1 (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2010239167A (ja) 太陽電池モジュール
JP2008288333A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5183257B2 (ja) 太陽電池モジュール
WO2008041486A1 (en) Solar battery module
JP5014502B2 (ja) 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法
JP5617857B2 (ja) 太陽電池モジュールの製造方法
JPH0982865A (ja) リード端子付きチップダイオード及びこれを用いた太陽電池モジュール
JP6455099B2 (ja) 太陽電池ユニット及び太陽電池ユニットの製造方法
JP2010021594A (ja) 太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080118

RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

Effective date: 20080201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120306

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120312

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130125

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130319

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5230089

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151