JP2008060781A - デジタルアンプ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、スイッチング回路部からのオーディオ信号でインピーダンスが小さいスピーカをダイレクトで駆動する場合にも、スピーカを駆動するスイッチング素子の発熱と、スピーカ自体の発熱を防止することができるデジタルアンプ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】インダクタンスを変更可能に構成されたインダクタンス変更回路12をスイッチング回路8からスピーカに至る出力ラインに設け、電圧検出部11によって接続されたスピーカ6のインダクタンスに応じて変化するMOSFET素子82の両端の電圧を検出し、制御部13は、電圧検出部11によって検出された電圧に応じてインダクタンス変更回路12のインダクタンスを変更させる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、スイッチング増幅、すなわちスイッチング素子のオンオフ処理によって増幅を行うデジタルアンプ装置に関し、特にスイッチング増幅したオーディオ信号でスピーカをダイレクトに駆動するデジタルアンプ装置に関する。
近年、入力されたアナログ信号をパルス幅変調(PWM)やパルス密度変調(PDM)等で1ビット変調処理してデジタル信号に変換し、変換したデジタル信号をスイッチング素子でスイッチング増幅を行うデジタルアンプ装置の採用が増加している。デジタルアンプ装置は、スイッチング素子のON/OFF処理によってアナログ信号の増幅を行うことができるため、理論的には100%の電力効率が得られ、消費電力や発熱量が低いと共に、高出力が得られるという利点があるため、省スペース化を実現でき、装置の薄型化が促進されている。
図4は、スイッチング回路部によって増幅された信号を用いてローパスフィルタ経由でスピーカを駆動させる従来のデジタルアンプ装置の回路構成を示す図であり、図5は、スイッチング回路部によって増幅された信号を用いてダイレクトにスピーカを駆動させる従来のデジタルアンプ装置の回路構成を示す図である。
従来のデジタルアンプ装置は、図4を参照すると、入力されたアナログ信号をHIGH/LOWの2値に高速に変化する信号で表現する1ビット信号S1に変換して出力すると共に、1ビット信号S1を位相反転した1ビット信号S2を出力する1ビット変調処理部1と、入力された1ビット信号S1、S2を振り分けるロジック部2と、入力された1ビット信号S1、S2を増幅するゲートドライバ3、7と、入力された1ビット信号S1、S2に基づくスイッチング素子のON/OFF処理によって増幅を行い、位相が反転したオーディオ信号をそれぞれ出力するスイッチング回路部4、8と、高域成分を除去してオーディオ信号成分を抽出するローパスフィルタ(LPF)5、9とで構成され、接続されたスピーカ6を位相が反転した2つのオーディオ信号によってバランス駆動する(例えば、特許文献1参照)。
このようなデジタルアンプ装置においては、帯域制限を行うLPF5、9を介してスピーカ6が駆動されるため、情報量が失われた状態のオーディオ信号がスピーカ6に供給され、音質が悪化してしまう。そこで、図5に示すように、LPF5、9の用いることなく、スイッチング回路部4、8から出力される情報量が失われていないオーディオ信号によってスピーカ6をダイレクトで駆動する技術が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、スイッチング回路部4、8からのオーディオ信号でスピーカ6をダイレクトで駆動する場合には、高周波のスイッチング電流も流れることになる。スピーカ6がLPF5、9と同様にインダクタンスが大きいフルレンジスピーカの場合には、スピーカ6によって高周波がカットされてオーディオ帯のみの電流が流れることになるが、インダクタンスが小さいツィータ等のスピーカ6の場合には、高周波電流をカットできずに無効な電流が流れてしまい、スピーカ6を駆動するスイッチング素子の発熱と、スピーカ6自体の発熱を招いてしまうという問題点があった。
特開2002−319830号公報 特開2001−292040号公報
本発明は斯かる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スイッチング回路部からのオーディオ信号でインピーダンスが小さいスピーカをダイレクトで駆動する場合にも、スピーカを駆動するスイッチング素子の発熱と、スピーカ自体の発熱を防止することができるデジタルアンプ装置を提供する点にある。
本発明は上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明のデジタルアンプ装置は、スイッチング素子のオンオフ処理によって増幅を行うスイッチング回路によって増幅したオーディオ信号で接続されたスピーカをダイレクトに駆動するデジタルアンプ装置であって、前記スイッチング回路から前記スピーカに至る出力ラインに設けられ、インダクタンスを変更可能に構成されたインダクタンス変更回路と、接続された前記スピーカに応じて前記インダクタンス変更回路のインダクタンスを変更させる制御手段とを具備することを特徴とする。
さらに、本発明のデジタルアンプ装置は、前記インダクタンス変更回路は、前記出力ライン上に直列に設けられた複数のコイルと、複数の前記コイルのそれぞれに対応して設けられ、前記制御手段によって開閉を制御される迂回路とからなることを特徴とする。
さらに、本発明のデジタルアンプ装置は、接続された前記スピーカのインダクタンスに応じて変化する前記スイッチング素子の両端の電圧を検出する電圧検出手段を具備し、
前記制御手段は、前記電圧検出手段によって検出された電圧に応じて前記インダクタンス変更回路のインダクタンスを変更させることを特徴とする。
さらに、本発明のデジタルアンプ装置は、前記電圧検出手段は、前記スイッチング回路を無音状態で駆動させた際の、前記スイッチング素子の両端の電圧を検出することを特徴とする。
本発明のデジタルアンプ装置は、インダクタンスを変更可能に構成されたインダクタンス変更回路をスイッチング回路からスピーカに至る出力ラインに設け、スピーカに応じてインダクタンス変更回路のインダクタンスを変更させるように構成することにより、スイッチング回路部からのオーディオ信号でインピーダンスが小さいスピーカをダイレクトで駆動する場合にも、スイッチング回路部からみたスピーカのインダクタンスを適正な値にすることができるため、スピーカを駆動するスイッチング素子の発熱と、スピーカ自体の発熱を防止することができ、電源に負担かけることもなく、ユーザがインダクタンスを意識することなくスピーカを接続することができるという効果を奏する。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明に係るデジタルアンプ装置の実施の形態の構成を示す概略構成図であり、図2は、図1に示すインダクタンス変更回路の構成を示す回路図である。
本実施の形態のデジタルアンプ装置は、図1を参照すると、1ビット変調処理部1と、ロジック部2と、ゲートドライバ3、7と、スイッチング回路部4、8と、電圧検出部11と、インダクタンス変更回路12と、制御部13とからなり、スイッチング回路部4およびスイッチング回路部8からのオーディオ信号が出力される出力端子10にスピーカ6が接続されるように構成されている。
1ビット変調処理部1は、入力されたアナログ信号を、HIGH/LOWの2値に高速に変化する信号で表現する1ビット信号S1に変換してロジック部2に出力すると共に、1ビット信号S1を位相反転した1ビット信号S2をロジック部2に出力する。ロジック部2は、1ビット変調処理部1からの1ビット信号S1、S2をゲートドライバ3、7に振り分け、ゲートドライバ3、7は、ロジック部2からの1ビット信号S1、S2をスイッチング回路部4およびスイッチング回路部8を駆動できる程度に増幅する。
スイッチング回路部4およびスイッチング回路部8は、入力された1ビット信号S1、S2に基づくスイッチング素子(MOSFET素子41、42、81、82)のON/OFF処理によって増幅を行い、位相が反転したオーディオ信号をそれぞれ出力する。スイッチング回路部4は、1ビット信号S1によって駆動されるNチャンネルのMOSFET素子41および1ビット信号S2によって駆動されるNチャンネルのMOSFET素子42を有し、MOSFET素子41のソースとMOSFET素子42のドレインの間が直列に接続され、MOSFET素子41のドレイン側が出力用電源に接続され、MOSFET素子42のソース側が接地されている。同様に、スイッチング回路部8は、1ビット信号S2によって駆動されるNチャンネルのMOSFET素子81および1ビット信号S1によって駆動されるNチャンネルのMOSFET素子82を有し、MOSFET素子81のソースとMOSFET素子82のドレインの間が直列に接続され、MOSFET素子81のドレイン側が出力用電源に接続され、MOSFET素子82のソース側が接地されている。
スイッチング回路部4およびスイッチング回路部8からそれぞれ出力される位相が反転したオーディオ信号は、出力端子10に接続されたスピーカ6に供給され、スイッチング回路部4およびスイッチング回路部8からのオーディオ信号によってスピーカ6がダイレクトにバランス駆動される。
電圧検出部11は、MOSFET素子82の両端(ソース−ドレイン間)の電圧を検出し、検出した電圧を制御部13に出力する。なお、本実施の形態では、電圧検出部11によってMOSFET素子82の両端の電圧を検出するように構成したが、MOSFET素子41、MOSFET素子42もしくはMOSFET素子81の両端の電圧を検出するようにしても良い。
インダクタンス変更回路12は、図2を参照すると、スイッチング回路部8から出力端子10に至る出力ライン上に直列に設けられたコイル14a〜14dと、コイル14a〜14dのそれぞれに対応して設けられた迂回路と、当該迂回路をそれぞれ開閉するNチャンネルのMOSFET素子15a〜15dとからなる。MOSFET素子15a〜15dのオンオフは、制御部13によって制御され、MOSFET素子15a〜15dがオンされると、オンされたMOSFET素子15a〜15dに対応するコイル14a〜14dが短絡されるため、オフされたMOSFET素子15a〜15dに対応するコイル14a〜14dのインダクタンスの合計がインダクタンス変更回路12のインダクタンスになる。従って、コイル14a〜14dのインダクタンスをそれぞれLa〜Ld(H)とすると、インダクタンス変更回路12のインダクタンスは、全てのMOSFET素子15a〜15dがオンされると、0(H)に、全てのMOSFET素子15a〜15dがオンされると、La+Lb+Lc+Ld(H)にそれぞれなり、MOSFET素子15a〜15dのオンオフの組み合わせを制御することによって、0(H)〜La+Lb+Lc+Ld(H)の範囲で変更されることになる。また、本実施の形態では、4個のコイル14a〜14dを設けるように構成したが、コイルの数は、個々のコイルのインダクタンスやインダクタンスを変更する範囲に応じて適宜選択することができる。
制御部13は、出力端子10に接続されたスピーカ6に応じて、スピーカ6の疑似インダクタンスを調整するイニシャライズ動作を実行する手段であり、電圧検出部11から入力されたMOSFET素子82の両端の電圧に基づいて、スイッチング回路部8から出力端子10に至る出力ライン上に設けられたインダクタンス変更回路12のインダクタンスを変更する。
次に、本実施の形態の動作について図3を参照して詳細に説明する。
図3は、本発明に係るデジタルアンプ装置の実施の形態におけるイニシャライズ動作を説明するためのフローチャートである。
図示しない入力手段によってイニシャライズ動作の実行が指示されると、制御部13は、インダクタンス変更回路12のMOSFET素子15a〜15dを全てオンさせてインダクタンス変更回路12のインダクタンスを0(H)の状態に設定すると共に(ステップA1)、無信号状態でスイッチング回路部4、8を駆動(ステップA2)、すなわち1ビット変調処理部1を制御して50%DUTYの1ビット信号S1、S2を出力させて、50%DUTYの1ビット信号S1、S2によってスイッチング回路部4、8を駆動させる。なお、イニシャライズ動作の実行指示は、出力端子10へのスピーカ6の接続を検出するスピーカ手段を設け、当該スピーカ検出手段によって新たなスピーカが検出された場合や、電源投入時に行われるようにして良い。
次に、電圧検出部11は、MOSFET素子82の両端(ソース−ドレイン間)の電圧を検出し(ステップA3)、検出した電圧を制御部13に出力する。制御部13は、電圧検出部11から入力されたMOSFET素子82の両端の電圧を電流値に変換し(ステップA4)、変換した電流値が予め設定されている基準電流値以上か否かを判断する(ステップA5)。
ステップA5で電流値が基準電流値以上である場合には、出力端子10にツィータ等のインダクタンスが小さいスピーカ6が接続されていると判断されるため、制御部13は、電流値が基準電流値未満になるようにインダクタンス変更回路12のインダクタンスの変更するインダクタンス変更処理を行い(ステップA6)、イニシャライズ動作を終了させる。なお、インダクタンス変更処理としては、MOSFET素子15a〜15dのオンオフの組み合わせを制御することによって、電流値が基準電流値未満になるまでインダクタンス変更回路12のインダクタンスを徐々に大きくすると良い。
ステップA5で電流値が基準電流値未満である場合には、出力端子10にフルレンジスピーカ等のインダクタンスが大きいスピーカ6が接続されていると判断されるため、制御部13は、ステップA6のインダクタンス変更処理を行うことなく、すなわちインダクタンス変更回路12のインダクタンスが0の状態でイニシャライズ動作を終了させる。
上述のイニシャライズ動作によって設定されたインダクタンス変更回路12のインダクタンスは、次回のイニシャライズ動作の開始まで保持され、出力端子10にインピーダンスが異なるスピーカ6が接続された場合にも、スイッチング回路部4、8からみたインダクタンスをほぼ一定にすることができる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、インダクタンスを変更可能に構成されたインダクタンス変更回路12をスイッチング回路8からスピーカに至る出力ラインに設け、スピーカ6に応じてインダクタンス変更回路12のインダクタンスを変更させるように構成することにより、スイッチング回路部4、8からのオーディオ信号でインピーダンスが小さいスピーカ6をダイレクトで駆動する場合にも、スイッチング回路部4、8からみたスピーカ6のインダクタンスを適正な値にすることができるため、スピーカ6を駆動するスイッチング素子の発熱と、スピーカ6自体の発熱を防止することができ、電源に負担かけることもなく、ユーザがインダクタンスを意識することなくスピーカ6を接続することができるという効果を奏する。
なお、本発明が上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。なお、各図において、同一構成要素には同一符号を付している。
本発明に係るデジタルアンプ装置の実施の形態の構成を示す概略構成図である。 図1に示すインダクタンス変更回路の構成を示す回路図である。 本発明に係るデジタルアンプ装置の実施の形態におけるイニシャライズ動作を説明するためのフローチャートである。 スイッチング回路部によって増幅された信号を用いてローパスフィルタ経由でスピーカを駆動させる従来のデジタルアンプ装置の回路構成を示す図である。 スイッチング回路部によって増幅された信号を用いてダイレクトにスピーカを駆動させる従来のデジタルアンプ装置の回路構成を示す図である。
符号の説明
1 1ビット変調処理部
2 ロジック部
3 ゲートドライバ
4 スイッチング回路部
5 ローパスフィルタ(LPF)
6 スピーカ
7 ゲートドライバ
8 スイッチング回路部
9 ローパスフィルタ(LPF)
10 出力端子
11 電圧検出部
12 インダクタンス変更回路
13 制御部
14a コイル
14b コイル
14c コイル
14d コイル
15a MOSFET素子
15b MOSFET素子
15c MOSFET素子
15d MOSFET素子
41 MOSFET素子
42 MOSFET素子
81 MOSFET素子
82 MOSFET素子

Claims (4)

  1. スイッチング素子のオンオフ処理によって増幅を行うスイッチング回路によって増幅したオーディオ信号で接続されたスピーカをダイレクトに駆動するデジタルアンプ装置であって、
    前記スイッチング回路から前記スピーカに至る出力ラインに設けられ、インダクタンスを変更可能に構成されたインダクタンス変更回路と、
    接続された前記スピーカに応じて前記インダクタンス変更回路のインダクタンスを変更させる制御手段とを具備することを特徴とするデジタルアンプ装置。
  2. 前記インダクタンス変更回路は、前記出力ライン上に直列に設けられた複数のコイルと、複数の前記コイルのそれぞれに対応して設けられ、前記制御手段によって開閉を制御される迂回路とからなることを特徴とする請求項1記載のデジタルアンプ装置。
  3. 接続された前記スピーカのインダクタンスに応じて変化する前記スイッチング素子の両端の電圧を検出する電圧検出手段を具備し、
    前記制御手段は、前記電圧検出手段によって検出された電圧に応じて前記インダクタンス変更回路のインダクタンスを変更させることを特徴とする請求項1又は2記載のデジタルアンプ装置。
  4. 前記電圧検出手段は、前記スイッチング回路を無音状態で駆動させた際の、前記スイッチング素子の両端の電圧を検出することを特徴とする請求項3記載のデジタルアンプ装置。
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