JP2008058313A - 漏れ電流測定方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の漏れ電流測定装置は一端が半導体素子の一端に接続できるように形成されているキャパシタと、ドレインノードと、前記半導体素子の一端に接続できるように形成されているゲートノードと、前記半導体素子の他端に接続できるように形成されて電源が印加されるソースノード及びバルクノードが含まれるMOSFETトランジスタとが備えられて構成される。
【選択図】図1
Description
Claims (13)
- 一端が半導体素子の一端に接続できるように形成されているキャパシタと、
ドレインノードと、前記半導体素子の一端に接続できるように形成されているゲートノードと、前記半導体素子の他端に接続できるように形成されて電源が印加されるソースノード及びバルクノードが含まれるMOSFETトランジスタと、が備えられて構成されることを特徴とする漏れ電流測定装置。 - 前記キャパシタの他端はグランドに接続されることを特徴とする請求項1に記載の漏れ電流測定装置。
- 前記ドレインノードはグランドに接続されることを特徴とする請求項1に記載の漏れ電流測定装置。
- 前記半導体素子は一端が前記キャパシタとゲートノードに接続され、他端がソースノードに接続されるダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の漏れ電流測定装置。
- 前記半導体素子は前記MOSFETトランジスタのフローティングゲートノード及びキャパシタと接続されているドレインノードと、前記MOSFETトランジスタのソースノードに接続されているゲートノード、ソースノード及びバルクウェルが形成されているMOSFETトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の漏れ電流測定装置。
- 前記半導体素子の他端には第1導電型の不純物イオンが注入され、前記半導体素子の一端及び前記ソースノードには第2導電型の不純物イオンが注入されていることを特徴とする請求項1に記載の漏れ電流測定装置。
- 一端が半導体素子の一端に接続できるように形成されているキャパシタと、ドレインノードと、前記半導体素子の一端に接続できるように形成されているゲートノードと、前記半導体素子の他端に接続できるように形成されて電源が印加されるソースノード及びバルクノードが含まれるMOSFETトランジスタとが備えられて構成されることを特徴とする漏れ電流測定装置の漏れ電流測定方法であって、
前記ソースノードに電流を印加する段階と、
前記ソースノードの時間の変化に応じた電圧を測定する段階と、
前記ソースノードの時間の変化に応じた電圧を用いて前記半導体素子の漏れ電流を測定する段階とが含まれることを特徴とする漏れ電流測定方法。 - 前記キャパシタの他端はグランドに接続されることを特徴とする請求項7に記載の漏れ電流測定方法。
- 前記ドレインノードはグランドに接続されることを特徴とする請求項7に記載の漏れ電流測定方法。
- 前記半導体素子の他端には第1導電型の不純物イオンが注入され、前記半導体素子の一端及び前記ソースノードには第2導電型の不純物イオンが注入されていることを特徴とする請求項7に記載の漏れ電流測定方法。
- 前記半導体素子は一端が前記キャパシタとゲートノードに接続され、他端がソースノードに接続されるダイオードであることを特徴とする請求項10に記載の漏れ電流測定方法。
- 前記半導体素子は前記MOSFETトランジスタのフローティングゲートノード及びキャパシタと接続されているドレインノードと、前記MOSFETトランジスタのソースノードに接続されているゲートノード、ソースノード及びバルクウェルが形成されているMOSFETトランジスタであることを特徴とする請求項10に記載の漏れ電流測定方法。
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