JP2008037688A - エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008037688A JP2008037688A JP2006213215A JP2006213215A JP2008037688A JP 2008037688 A JP2008037688 A JP 2008037688A JP 2006213215 A JP2006213215 A JP 2006213215A JP 2006213215 A JP2006213215 A JP 2006213215A JP 2008037688 A JP2008037688 A JP 2008037688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial
- substrate
- carbon
- layer
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±50%の濃度プロファイルと交差しているものであるエピタキシャル基板。
【選択図】図12
Description
また、AlGaAsエピタキシャル基板を作製する場合、溶媒として用いるGaにAlおよびGaAsを溶解させ、GaAs基板上に析出させれば、比較的簡便に三元系の混晶結晶のエピタキシーが可能である。
この従来のLED用エピタキシャル基板1’は、基板2’上に、順に、n型層4’、n型層5’、p型層6’からなるエピタキシャル層3’が積層されている。通常は、n型層4’、5’にはp型ドーパントとなるカーボンは不要なため、オートドープにより不必要にカーボンがエピタキシャル層に供給されないように、石英等の治具を用いてエピタキシャル成長が行われたものとなっている。カーボンが治具よりオートドープされていない場合は、エピタキシャル層でのカーボン濃度は5×1015atoms/cm3にとどいていない。p型不純物としては例えばZnが用いられる。
上記のような従来の液相エピタキシャル成長方法によるエピタキシャル基板のカーボン濃度プロファイルとは異なり、オートドープにより、エピタキシャル成長時の温度のみに依存したプロファイルから完全に逸脱したプロファイルを有するエピタキシャル基板とすることができる。
かつ、石英治具等のオートドープが発生しない治具を用いて成長されたエピタキシャル層のプロファイルとも異なり、5×1015atoms/cm3以上の部分を有するエピタキシャル基板にできる。
したがって、カーボン濃度プロファイルが固定されることがないし、それによって例えばサイリスタ構造などの意図しない濃度プロファイルが形成されるのを効果的に防ぐことができるエピタキシャル基板となる。
しかしながら、本発明のエピタキシャル基板では、そのような従来のカーボン濃度範囲に限定されることなく、1×1016atoms/cm3以上の高濃度で積層された部位を有するとともに、5×1015atoms/cm3以下の低濃度で積層された部位を有するものとすることができる。
このように、用途等に応じて、基板上に積層されたエピタキシャル層を複数の層が順次積層されたものとすることができる。
このように、エピタキシャル層における複数の層が、基板側からn型層、p型層、p型層であれば、例えば発光ダイオードを形成した時に、pn接合の形成位置が電極と比較的離れたものとすることができ、電極に吸収される割合を小さくし、発光出力が増加されたものとすることができる。
前述したように、液相エピタキシャル成長方法は化合物半導体をエピタキシャル成長させるのに広く用いられている。本発明のエピタキシャル基板のようにエピタキシャル層が化合物半導体からなる層のものであれば、カーボン濃度が制御された高品質のものとすることができ、市場の需要に対して応えることができるものとすることができる。
このように、前記化合物半導体がGaPであれば、カーボン濃度が制御された高品質のGaPのLED用エピタキシャル基板を得ることができる。
すなわち、エピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルは、エピタキシャル成長時の温度により一意的に決定され、エピタキシャル成長方向に徐々に減少する従来のカーボン濃度プロファイルから逸脱して、任意に制御されたプロファイルを本発明によって得ることができるし、それによって例えばサイリスタ構造等が意図せず形成されてしまうことも防ぐことができる。
このように、エピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させるときに溶媒を保持する治具を石英製のものとすれば、治具からのカーボンの供給はなく、エピタキシャル層にドープするカーボンの濃度は炭化水素ガスの供給条件によりほとんど決定されるため、エピタキシャル層において所望のカーボン濃度に精度よく簡便に制御しやすく好ましい。
このように、エピタキシャル層にドープするカーボンの濃度を、炭化水素ガスの流量を調節することにより制御すれば、ドープされるカーボン濃度と炭化水素ガスの流量の相関関係が良いため、所望のカーボン濃度に正確に制御することができる。
このように、エピタキシャル層を化合物半導体からなる層とすれば、市場の需要に応えることができる高品質のエピタキシャル基板に成長させることができる。
このように、前記化合物半導体をGaPとすることができ、カーボン濃度が制御された高品質のGaPのLED用エピタキシャル基板を得ることができる。
このように、炭化水素ガスをメタンとすれば、メタンは安価で入手しやすいため、比較的コストをかけずに所望のエピタキシャル基板に液相エピタキシャル成長させることができる。
従来では、基板上に溶媒を接触させてエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させるときに、カーボンをそのエピタキシャル層にドープする場合、溶媒を保持する治具をカーボン製のものとし、溶媒中にカーボンを溶け込ませることによりエピタキシャル層中にカーボンを導入するオートドープを利用していた。
しかしながら、図8に示すように、例えばGaP層をエピタキシャル成長させるとき、このようにしてp型ドーパントであるカーボンをドープする場合、例えばSiのn型ドーパントの濃度プロファイルによっては、p型エピタキシャル層中にn反転層が出現して、意図せずにサイリスタ構造が形成されてしまうという問題があった。
治具からのオートドープのみでは、エピタキシャル層へのカーボンのドープ量(濃度)は該治具の材質の溶媒への溶解度で決まる。したがって、ドープ量は温度の関数となっており、エピタキシャル成長時の温度によって決定され、エピタキシャル成長が進行するにつれてカーボン濃度が徐々に下がるパターンのプロファイルに固定されてしまう。
図1は、本発明のエピタキシャル基板の一例を示す概略構成図である。図1のように、本発明のエピタキシャル基板1では、基板2上にエピタキシャル層3が液相エピタキシャル成長方法により形成されている。
まず、液相エピタキシャル成長方法により成長させたものなので、気相エピタキシャル成長方法や分子線エピタキシャル成長方法等の他の方法によるものよりも、エピタキシャル層3における転位密度や点欠陥密度が比較的低いものとすることができる。
この例では、カーボン濃度は、エピタキシャル層3の基板2側からある一定の深さで急激に減少し、その深さからエピタキシャル基板1の表面まで低い値を維持したプロファイルC2となっている。
このように、カーボン製の治具から供給され得るカーボンの濃度のプロファイルLに対して±50%の濃度を表すプロファイルL’で囲まれた領域RL’からはずれた部分が存在し、かつ5×1015atoms/cm3以上の部分を有するプロファイルC2のエピタキシャル基板1は、従来のプロファイルLから完全に逸脱したものとなっており、また、石英治具を用いただけの従来の場合(図7参照)とも異なっており、従来法のものではありえず、本発明によるものといえる。
図4の本発明のエピタキシャル基板1でのカーボン濃度プロファイルC3は、エピタキシャル層3の基板2側からある一定の深さまでは徐々に減少しているが、その深さで急激に増加し、エピタキシャル基板1の表面まで、その増加した値のまま維持されたプロファイルとなっているものとすることができる。このように、特定の層にだけ、カーボンをドープすることができる。
このように、ある一積層部位(この場合、積層部位21)におけるカーボン濃度が、前に積層された部位(積層部位20)におけるカーボン濃度よりも高くなっている。
前述したように、従来のエピタキシャル基板では、カーボン濃度プロファイルはエピタキシャル成長時の温度により一意的に決まってしまい、カーボン濃度の上限や下限は限定されてしまう。
しかしながら、本発明のエピタキシャル基板1では、そのような範囲に特に限定されず、1×1016atoms/cm3以上の高濃度値と、5×1015atoms/cm3以下の低濃度値の両方が見られるプロファイルを有することが可能である。
なお、ここでは徐冷法による方法を例に挙げて述べるが、本発明はこれに限定されず、温度差法等により実施することも可能である。また、図6に示すようなGaPエピタキシャル基板を液相エピタキシャル成長させる例を挙げて説明するが、これに限らず、前述したプロファイルのものであれば良いし、基板やエピタキシャル層も化合物半導体、またGaPに限定されるものではない。得ようとするエピタキシャル基板の用途に応じて、適切な基板等を用意して実施すれば良い。
ここで、まず、上記本発明の方法を実施するのに使用することができる液相エピタキシャル成長装置について説明する。図9にその装置の一例を示す。
この液相エピタキシャル成長装置10では、石英チューブ17内にエピタキシャル成長を行うための石英治具14が配置されている。この石英治具14の底部に、n型GaP単結晶基板2が固定され、さらに石英治具14内にはGa溶液15が満たされている。また、石英治具14上部にはドーパントが通過できるよう加工された石英蓋16が設けられている。
このような液相エピタキシャル成長装置10によって、GaP単結晶基板2上にGaPエピタキシャル層3を積層させることができる。
ここでは、前述したように、図6のように、エピタキシャル層3中において、p型層5にカーボンがドープされたカーボン濃度プロファイルC5を有するエピタキシャル基板1を製造する手順について述べる。
まず、図10(a)に示すように、n型GaP単結晶基板2上にGa溶液15を配置する。このときの温度は、例えばヒーター11は600℃以下に、サブヒーター12はそれより十分低い温度に設定する。
このようにn型GaP単結晶基板2の上部の溶解を行った後、図10(c)以降の工程を行う。図10(c)以降の工程では、石英チューブ17内を降温していき、溶解したn型GaP単結晶基板2a上に、GaPエピタキシャル層3を液相エピタキシャル成長させる。
なお、上記では、CH4を供給する場合を挙げたが、カーボンを供給することができる炭化水素ガスであれば良く、特に限定されない。例えば芳香族炭化水素ガスとすることもでき、ガス状態で石英チューブ17内に供給することができれば良い。ただし、CH4であれば比較的安価で済むし、入手しやすいので簡便である。キャリアガスもArに限定されず、H2を用いても良い。
ここで、図11に、CH4の流量とエピタキシャル層中のカーボン濃度の相関関係を表すグラフを示す。このグラフは供給する気相中のCH4濃度(流量)を変化させて、各流量で成長したエピタキシャル層中のカーボン濃度(最大値および平均値)をプロットしたものである。このグラフ(平均値)から0.986の寄与率R2が得られ、CH4の流量とエピタキシャル層中のカーボン濃度の相関関係が良く、CH4の流量を調節することにより、成長するエピタキシャル層におけるカーボン濃度を十分に制御できることが確認できる。
(実施例1)
図9に示す液相エピタキシャル成長装置を用いて、n型GaP単結晶基板上にGa溶液を配置し、図1のエピタキシャル基板1のように、基板側からn型層、p型層、p型層の順に、GaPエピタキシャル層を本発明の液相エピタキシャル成長方法により成長させた。このときの工程時間・温度、ガスやドーパントの供給タイミング・供給量等の実施条件の概略を図18に示す。基板およびGa溶液を保持する治具は石英製のものとした。
最初に、n型ドーパントとなるSiをドープさせてn型層4を成長させた(厚さ:約10μm)。Siのドープ方法は、石英治具からのオートドープであり、8×1016atoms/cm3の濃度でドープされている。
また、同時にNH3を供給して2×1018atoms/cm3程度の濃度でNをドープした(流量:50sccm)。
サブヒーターの温度を700℃に昇温することにより、ZnをキャリアガスH2とともに石英チューブ内に流し、1×1018atoms/cm3程度の濃度でドープされるようにした。
なお、このp型層6を厚さ7μm成長させたときに、CH4を供給するのをやめた。
その後、エピタキシャル層が殆ど成長しなくなる800℃でH2、NH3、Znの供給をやめてさらに降温し、室温まで下げて本発明のエピタキシャル基板を得た。
また、領域RL’からはずれた部分を有し、かつ、5×1015atoms/cm3以上の部分を有するプロファイルとなっている。プロファイルL’と交差もしている。
また、1×1015atoms/cm3以上の濃度の部位を有するとともに、5×1015atoms/cm3以下の濃度の部位を有したプロファイルとなっている。
このように、本発明によって、従来方法でのカーボン製の治具から供給され得るカーボンの濃度のプロファイルLから大きく逸脱したプロファイルが得られ、所望のカーボン濃度プロファイルにすることができる。このようにして、カーボン濃度が制御された高品質のエピタキシャル基板を得ることができた。
図9に示す液相エピタキシャル成長装置を用いて、n型GaP単結晶基板上にGa溶液を配置し、基板側からn型層、p型層、p型層の順に、GaPエピタキシャル層を従来の液相エピタキシャル成長方法により成長させた。ただし、本発明を実施した上記実施例1とは異なりCH4の供給は行わなかった。また、基板およびGa溶液を保持する治具はカーボン製とし、従来法のようにオードドープによりカーボンをドープした。
最初に、n型ドーパントとなるSiをドープさせてn型層を成長させた(厚さ:22μm)。Siのドープ方法は、室温状態でGa中に高純度のSi結晶を予め混入させておく方法で行い、2×1017atoms/cm3の濃度でドープされるようSi量を調節した。
このとき、NH3を供給して1×1018atoms/cm3程度の濃度でドープした(流量:50sccm)。
サブヒーターの温度を700℃に昇温することにより、ZnをキャリアガスH2とともに石英チューブ内に流し、1×1018atoms/cm3程度の濃度でドープされるようにした。
この後、各ガス、Znの供給をやめ、室温まで下げて従来法によるエピタキシャル基板を得た。
図13から判るように、比較例1のエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルは、カーボン製の治具から供給され得るカーボンの濃度のプロファイルLに沿っており、領域RL’内に全ておさまったプロファイルとなっていることが確認できる。
このように、従来法では、本発明とは異なってカーボン濃度を任意に調整することができず、プロファイルLから大きく逸脱したカーボン濃度プロファイルを得ることはできない。
実施例1と同様の手順で、ただし図14に示すような構造および濃度プロファイルとなるようにガス流量、供給タイミング等を変更してエピタキシャル基板を33枚作製した。エピタキシャル層は、基板側から順にn型層、p型層、p型層とした(実施例2)。このエピタキシャル基板に電極を形成し、素子化して、LED用デバイスを製造した。
なお、いずれも反転層等は形成されず、全て所望の構造・濃度プロファイルを有するエピタキシャル基板、LED用デバイスを得ることができた。
図16から判るように、いずれのデータも、実施例2のほうが比較例2よりも良い値を示している。
これは、まず、図15に示すように、比較例2ではpn接合が表面から20μmの部分に形成される。一方、実施例2では、図14に示すように、pn接合は表面から40μmの部分に形成されている。LED用デバイスにおいて、発光した光が最も多く吸収されるのは、表面の電極である。簡単な幾何学計算では、pn接合中心から発光された光が電極に吸収される割合が、比較例2に対して実施例2では56%程度に抑えられ、光の取り出し効率が高くなることがわかる(図17参照)。また、p型層が2倍となるため、電流の拡散に対する効果も高くなる。
さらに、p型ドーパントとしてカーボンをドープしたことにより、実施例2はより優れた特性を有するものとなっている。
実施例3、4、7、8ではCH4の供給する流量およびタイミングの条件を変更し、実施例5、6ではCH4の供給する流量およびタイミングの条件を変更し、かつZnの供給は行わず、それぞれ、上記以外は実施例1と同様にして本発明の液相エピタキシャル成長方法を実施した。実施例3〜8におけるCH4の供給条件を表1に示す。
また、それにより、例えば反転層等が意図せず発生してしまうのを効果的に防止することもできる。
2、2a、2’、2”…基板(GaP)、
3、3’、3”…エピタキシャル層(GaP)、
4、4’、4”、5’…n型層、 5、5”、6、6’、6”…p型層、
7…発光デバイス、 8…電極、 10…液相エピタキシャル成長装置、
11…ヒーター、 12…サブヒーター、 13…坩堝、
14…石英治具、 15…Ga溶液、 15a…Ga(+GaP)溶液、
16…石英蓋、 17…石英チューブ、
20、21、22、23…積層部位。
Claims (14)
- 基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±50%の濃度プロファイルと交差しているものであることを特徴とするエピタキシャル基板。
- 基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±50%の濃度プロファイルで囲まれた領域からはずれた部分を有するとともに、5×1015atoms/cm3以上の部分を有するものであることを特徴とするエピタキシャル基板。
- 基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層の少なくとも一積層部位におけるカーボン濃度が、該積層部位より前に積層された部位におけるカーボン濃度よりも高いものであることを特徴とするエピタキシャル基板。
- 基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層は、カーボン濃度が1×1016atoms/cm3以上で積層された部位を有するとともに、カーボン濃度が5×1015atoms/cm3以下で積層された部位を有するものであることを特徴とするエピタキシャル基板。
- 前記基板上に積層されたエピタキシャル層は、複数の層が順次積層されたものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板。
- 前記複数の層は、基板側からn型層、p型層、p型層であることを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャル基板。
- 前記エピタキシャル層が化合物半導体からなる層であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のエピタキシャル基板。
- 前記化合物半導体がGaPであることを特徴とする請求項7に記載のエピタキシャル基板。
- 基板に溶媒を接触させてエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させる方法であって、前記基板上にエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させるとき、前記溶媒に炭化水素ガスを接触させることにより、前記成長するエピタキシャル層中にカーボンを供給して、該エピタキシャル層にカーボンをドープすることを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
- 前記エピタキシャル層を液相エピタキシャル成長させるときに前記溶媒を保持する治具を石英製のものとすることを特徴とする請求項9に記載の液相エピタキシャル成長方法。
- 前記エピタキシャル層にドープするカーボンの濃度を、前記炭化水素ガスの流量を調節することにより制御することを特徴とする請求項9または請求項10に記載の液相エピタキシャル成長方法。
- 前記エピタキシャル層を化合物半導体からなる層とすることを特徴とする請求項9から請求項11のいずれか一項に記載の液相エピタキシャル成長方法。
- 前記化合物半導体をGaPとすることを特徴とする請求項12に記載の液相エピタキシャル成長方法。
- 前記炭化水素ガスをメタンとすることを特徴とする請求項9から請求項13のいずれか一項に記載の液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006213215A JP4946247B2 (ja) | 2006-08-04 | 2006-08-04 | エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 |
KR1020070076979A KR101369201B1 (ko) | 2006-08-04 | 2007-07-31 | 에피택셜 기판 및 액상 에피택셜 성장방법 |
CN 200710139910 CN101118940B (zh) | 2006-08-04 | 2007-08-03 | 外延基板及液相外延生长方法 |
TW96128744A TWI405880B (zh) | 2006-08-04 | 2007-08-03 | Epitaxial substrate and liquid - phase epitaxy growth method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006213215A JP4946247B2 (ja) | 2006-08-04 | 2006-08-04 | エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008037688A true JP2008037688A (ja) | 2008-02-21 |
JP4946247B2 JP4946247B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=39054950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006213215A Expired - Fee Related JP4946247B2 (ja) | 2006-08-04 | 2006-08-04 | エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4946247B2 (ja) |
KR (1) | KR101369201B1 (ja) |
CN (1) | CN101118940B (ja) |
TW (1) | TWI405880B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101772511B1 (ko) * | 2010-06-22 | 2017-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
JP6741179B1 (ja) * | 2020-02-18 | 2020-08-19 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4933899A (ja) * | 1972-07-31 | 1974-03-28 | ||
JPS5577184A (en) * | 1978-12-06 | 1980-06-10 | Toshiba Corp | Semiconductor luminescent device |
WO2001033642A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif luminescent au phosphure de gallium |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2701113B2 (ja) * | 1992-07-31 | 1998-01-21 | 信越半導体株式会社 | GaP系発光素子基板及びその製造方法 |
JPH0769792A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-14 | Canon Inc | ダイヤモンド結晶のエピタキシャル成長法及び選択エピタキシャル成長法 |
TW344100B (en) * | 1996-05-31 | 1998-11-01 | Toshiba Co Ltd | Semiconductor liquid phase epitaxial growth method and apparatus |
JP2000323499A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体エピタキシャルウェハ |
JP2001085340A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Hitachi Cable Ltd | カーボン治具 |
WO2002001624A1 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor component and method of manufacturing |
JP2002050791A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用AlGaAsエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-08-04 JP JP2006213215A patent/JP4946247B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-31 KR KR1020070076979A patent/KR101369201B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-08-03 TW TW96128744A patent/TWI405880B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-03 CN CN 200710139910 patent/CN101118940B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4933899A (ja) * | 1972-07-31 | 1974-03-28 | ||
JPS5577184A (en) * | 1978-12-06 | 1980-06-10 | Toshiba Corp | Semiconductor luminescent device |
WO2001033642A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif luminescent au phosphure de gallium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101118940B (zh) | 2011-10-12 |
KR20080012767A (ko) | 2008-02-12 |
CN101118940A (zh) | 2008-02-06 |
KR101369201B1 (ko) | 2014-03-04 |
TW200809020A (en) | 2008-02-16 |
TWI405880B (zh) | 2013-08-21 |
JP4946247B2 (ja) | 2012-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7637998B2 (en) | Method for producing single crystal silicon carbide | |
JP2016145144A (ja) | ダイヤモンド積層構造、ダイヤモンド半導体形成用基板、ダイヤモンド半導体装置およびダイヤモンド積層構造の製造方法 | |
JP2016166101A (ja) | 炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法 | |
US20210399175A1 (en) | Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP4946247B2 (ja) | エピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法 | |
JPH07326792A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
JP2006019648A (ja) | 鉄シリサイド発光素子及びその製造方法 | |
JP3436379B2 (ja) | りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ | |
CN105513951B (zh) | 低电阻率p型氮化镓材料及其制备方法 | |
JP3104218B2 (ja) | 窒素ドープGaPエピタキシャル層の成長方法 | |
JP7133786B2 (ja) | Iii族窒化物半導体およびその製造方法 | |
JPH04328878A (ja) | 発光ダイオ−ド用エピタキシャルウエハの製造方法 | |
JP2009212112A (ja) | エピタキシャルウェーハ | |
JPH01234400A (ja) | 半導体結晶 | |
JP3326261B2 (ja) | 燐化ガリウム緑色発光ダイオードおよびその製造方法 | |
JPH04328823A (ja) | 発光ダイオ−ド用エピタキシャルウエハの製造方法 | |
JPH03161981A (ja) | 半導体装置と2―6族化合物半導体結晶層の製造方法 | |
JPS58115818A (ja) | 炭火珪素エピタキシヤル膜の成長方法 | |
JP2004103930A (ja) | p型GaN系化合物半導体の製造方法 | |
JPS6285480A (ja) | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 | |
JPS599983A (ja) | 燐化ガリウム緑色発光ダイオ−ドの製造方法 | |
JP2019004098A (ja) | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
JPS59214277A (ja) | リン化ガリウム純緑色発光素子 | |
JPH04266074A (ja) | りん化ガリウム緑色発光素子の製造方法 | |
JP2010206220A (ja) | エピタキシャルウェーハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120220 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4946247 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |