JPS6285480A - リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 - Google Patents
リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法Info
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- JPS6285480A JPS6285480A JP60225829A JP22582985A JPS6285480A JP S6285480 A JPS6285480 A JP S6285480A JP 60225829 A JP60225829 A JP 60225829A JP 22582985 A JP22582985 A JP 22582985A JP S6285480 A JPS6285480 A JP S6285480A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はリン化ガリウム緑色発光素子の製造方法に関す
るもので、特にはｎ型リン化ガリウム層を二層構造とし
、基板側ｎ型リン化ガリウム層の正味ドナー濃度を制御
することにより高輝度の発光素子を得る方法に係るもの
である。
るもので、特にはｎ型リン化ガリウム層を二層構造とし
、基板側ｎ型リン化ガリウム層の正味ドナー濃度を制御
することにより高輝度の発光素子を得る方法に係るもの
である。
（従来の技術）
近年半導体発光素子は種々の電光表示装置に巾広く利用
され、普及率も極めて大きい。この発光素子にはリン化
ガリウム（Ｇａｐ）あるいはリン化砒化ガリウム（Ｇａ
ＡｓＰ）などの化合物半導体結晶が用いられ、前者は緑
色から赤色発光素子の、後者は黄色から赤色発光素子の
素材として使用される。
され、普及率も極めて大きい。この発光素子にはリン化
ガリウム（Ｇａｐ）あるいはリン化砒化ガリウム（Ｇａ
ＡｓＰ）などの化合物半導体結晶が用いられ、前者は緑
色から赤色発光素子の、後者は黄色から赤色発光素子の
素材として使用される。
しかして緑色発光素子は、ｎ型ＧａＰ基板上に液相成長
法によってｎ型、Ｐ型ＧａＰ層を順次形成し、ｎ型Ｇａ
Ｐ層のｐｎ接合近傍に発光中心となる窒素をドープして
得た素材からつくられる。このＧａＰ緑色発光素子の発
光領域は前述のようにｎ型ＧａＰ層におけるｐｎ接合近
傍の部分であって、発光最適条件は発光中心濃度（ＮＴ
）が結晶性に影響しない範囲でできるだけ高いこと、お
よびｎ型ＧａＰ層のドナー濃度（ＮＤ）が電子の注入効
率ならびにライフタイムの向上という見地からできる限
り低いことである。通常ＮＴは２Ｘ］、０１８原子／ｃ
Ａ、ＮＩ）は１−２Ｘ１０”原子／ｃｒａが最適とさお
でいる。
法によってｎ型、Ｐ型ＧａＰ層を順次形成し、ｎ型Ｇａ
Ｐ層のｐｎ接合近傍に発光中心となる窒素をドープして
得た素材からつくられる。このＧａＰ緑色発光素子の発
光領域は前述のようにｎ型ＧａＰ層におけるｐｎ接合近
傍の部分であって、発光最適条件は発光中心濃度（ＮＴ
）が結晶性に影響しない範囲でできるだけ高いこと、お
よびｎ型ＧａＰ層のドナー濃度（ＮＤ）が電子の注入効
率ならびにライフタイムの向上という見地からできる限
り低いことである。通常ＮＴは２Ｘ］、０１８原子／ｃ
Ａ、ＮＩ）は１−２Ｘ１０”原子／ｃｒａが最適とさお
でいる。
他方、このｎ型ＧａＰ層を二層構造とし、各層の正味ド
ナー濃度および厚みをコントロールし、第１ｎ層と第２
ｎ層の階段状ドナー分布構造により基板からの結晶欠陥
を除去すると共に、第２ｎ層における結晶性を向上させ
た発光素子が知られている（特公昭６０−１．９６７５
号公報参照）。
ナー濃度および厚みをコントロールし、第１ｎ層と第２
ｎ層の階段状ドナー分布構造により基板からの結晶欠陥
を除去すると共に、第２ｎ層における結晶性を向上させ
た発光素子が知られている（特公昭６０−１．９６７５
号公報参照）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら前記公知の発光素子においては、第１ｎ層
の成長は水素の雰囲気下において行われるため、石英反
応管の表面が水素により還元されて溶液中に多くのＳｉ
が混入され、この際正味ドナー濃度（Ｎ］１ｌＩ）はｌ
Ｘｌ０”原子／ｄ以」二になる。
の成長は水素の雰囲気下において行われるため、石英反
応管の表面が水素により還元されて溶液中に多くのＳｉ
が混入され、この際正味ドナー濃度（Ｎ］１ｌＩ）はｌ
Ｘｌ０”原子／ｄ以」二になる。
このように高濃度になるとテラス様の異常成長を起し易
くなるばかりでなく、次いで行われる第２ｎ層の形成に
おける窒素ドープのためのＮＨ３供給量が過剰になり、
この結果Ｓｊ、、Ｎ、の成長量が増加し、これに起因す
る異常成長が発生して好ましくないという欠点がある。
くなるばかりでなく、次いで行われる第２ｎ層の形成に
おける窒素ドープのためのＮＨ３供給量が過剰になり、
この結果Ｓｊ、、Ｎ、の成長量が増加し、これに起因す
る異常成長が発生して好ましくないという欠点がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上述の如き欠点を除去したリン化ガリウ°ム緑
色発光素子の製造方法に関するもので、これはｎ型リン
化ガリウム基板」二に、ドーパント濃度を制御してｎ型
およびｎ型リン化ガリウム層を順次液相成長させる緑色
発光素子の製造方法において、ｎ型リン化ガリウム層を
基板側からｎ１層、０混合の二層で構成すると共に、ｎ
１層の形成をＡｒ、Ｈ，混合ガスの雰囲気下で、Ｈ２ガ
スの分圧比を調整して該層の正味ドナー濃度を２〜１ｏ
×１０１６Ｊｉ子／ｄのレベルに制御し、ついでｎ混合
の形成と窒素ドープを行うことを特徴とするリン化ガリ
ウム緑色発光素子の製造方法である。
色発光素子の製造方法に関するもので、これはｎ型リン
化ガリウム基板」二に、ドーパント濃度を制御してｎ型
およびｎ型リン化ガリウム層を順次液相成長させる緑色
発光素子の製造方法において、ｎ型リン化ガリウム層を
基板側からｎ１層、０混合の二層で構成すると共に、ｎ
１層の形成をＡｒ、Ｈ，混合ガスの雰囲気下で、Ｈ２ガ
スの分圧比を調整して該層の正味ドナー濃度を２〜１ｏ
×１０１６Ｊｉ子／ｄのレベルに制御し、ついでｎ混合
の形成と窒素ドープを行うことを特徴とするリン化ガリ
ウム緑色発光素子の製造方法である。
以下本発明をさらに詳細に説明する。
本発明者らは最適なｎ混合を得るための前段階として、
ｎ□層をどのように形成させればよいかについて種々研
究の結果、ｎ３層のドーパントとして石英容器内の反応
雰囲気から導入されるＳｉを利用するのが好ましいとい
うこと、およびこのｎ１層のドナー濃度を最適値に制御
するには、反応雰囲気ガスをＡｒとＨ２の混合ガスとし
、その組成（分圧比）を変化させて還元力を適当な値に
するのがよいということを確認した。
ｎ□層をどのように形成させればよいかについて種々研
究の結果、ｎ３層のドーパントとして石英容器内の反応
雰囲気から導入されるＳｉを利用するのが好ましいとい
うこと、およびこのｎ１層のドナー濃度を最適値に制御
するには、反応雰囲気ガスをＡｒとＨ２の混合ガスとし
、その組成（分圧比）を変化させて還元力を適当な値に
するのがよいということを確認した。
つぎに、０１層のドーパントとして上述のように反応雰
囲気から導入されるＳｉを利用する理由についてさらに
詳述する。
囲気から導入されるＳｉを利用する理由についてさらに
詳述する。
ドーパントには、その分配係数の温度依存性の違いから
、Ｔｅのように成長が進むに従ってドナー濃度が大きく
」１昇するタイプと、Ｓ、Ｓｉのように成長が進んでも
あまり変化しないタイプがある。したがってＴｅを主た
るドーパントとして使用する場合は、ｎ□層の初期濃度
をｌＸｌ０１６原子／ａｌ以下にしなくてはならないが
、少しでも反応系にｐ型不純物が存在すると、しばしば
、ｐ型反転領域がｎ１層の形成初期に生じやすいので、
Ｔｅを主たるｎ１層のドーパントとして用いるのは好ま
しくない。しかしＳｉをＴｅなどと組合せて用いるなら
ば、０混合形成時に窒素をドープするためＮＨ３を流入
させたとき、Ｓｉは５ｊ３Ｎ４を形成して結晶に取り込
まれないようになるので、ｎ混合のドナー濃度を低い濃
度にすることができ、Ｔｅなどのドーパントレベルをた
とえば基板の段階で適当に制御しておけば、ｎ混合の正
味ドナーレベルを窒素ドープと同時に所期の値たとえば
１〜２×１０１″′原子／ｄに選択することができる。
、Ｔｅのように成長が進むに従ってドナー濃度が大きく
」１昇するタイプと、Ｓ、Ｓｉのように成長が進んでも
あまり変化しないタイプがある。したがってＴｅを主た
るドーパントとして使用する場合は、ｎ□層の初期濃度
をｌＸｌ０１６原子／ａｌ以下にしなくてはならないが
、少しでも反応系にｐ型不純物が存在すると、しばしば
、ｐ型反転領域がｎ１層の形成初期に生じやすいので、
Ｔｅを主たるｎ１層のドーパントとして用いるのは好ま
しくない。しかしＳｉをＴｅなどと組合せて用いるなら
ば、０混合形成時に窒素をドープするためＮＨ３を流入
させたとき、Ｓｉは５ｊ３Ｎ４を形成して結晶に取り込
まれないようになるので、ｎ混合のドナー濃度を低い濃
度にすることができ、Ｔｅなどのドーパントレベルをた
とえば基板の段階で適当に制御しておけば、ｎ混合の正
味ドナーレベルを窒素ドープと同時に所期の値たとえば
１〜２×１０１″′原子／ｄに選択することができる。
このＳｉは故意にドープすることも可能であるが、反応
系が還元雰囲気である場合には、故意にドープしなくて
も石英反応管などが還元されて融液中に供給され、反応
雰囲気の還元力すなわちＡｒとＨ２の混合ガス中のＨ２
ガスの濃度のコントロールのみでｎ□層の適正なＳｉ濃
度を選択することが可能である。
系が還元雰囲気である場合には、故意にドープしなくて
も石英反応管などが還元されて融液中に供給され、反応
雰囲気の還元力すなわちＡｒとＨ２の混合ガス中のＨ２
ガスの濃度のコントロールのみでｎ□層の適正なＳｉ濃
度を選択することが可能である。
本発明者らは、ｎ１層の形成にＡｒ、］Ｈ２混合ガ混合
用い、この分圧比を変化させて還元力を調べた結果、第
２図に示すような結果を得た。これから判るように、Ｈ
２１００％の場合には前述のように正味ドナー濃度（Ｎ
））Ｉ）は１×１０１７原子／ｄ以上になるが、テラス
様の異常成長や５１３Ｎ４の生成量が多くなり、これに
起因する異常成長が起るので好ましくない。他方Ａ ｒ
＋００％の場合には正味ドナー濃度は】０１６原子／ｄ
台となるが、このように低濃度になると単に順方向電圧
降下を増大させるばかりでなく、しばしば、ｎ□層形成
の初期にｐ型反転領域を形成しやすくなって好ましくな
い。
用い、この分圧比を変化させて還元力を調べた結果、第
２図に示すような結果を得た。これから判るように、Ｈ
２１００％の場合には前述のように正味ドナー濃度（Ｎ
））Ｉ）は１×１０１７原子／ｄ以上になるが、テラス
様の異常成長や５１３Ｎ４の生成量が多くなり、これに
起因する異常成長が起るので好ましくない。他方Ａ ｒ
＋００％の場合には正味ドナー濃度は】０１６原子／ｄ
台となるが、このように低濃度になると単に順方向電圧
降下を増大させるばかりでなく、しばしば、ｎ□層形成
の初期にｐ型反転領域を形成しやすくなって好ましくな
い。
これらの結果から、本発明ではＨ２とＡｒの分圧比を１
０〜９０％好ましくは２０〜８０％とすることによって
、最適なｎ１層を得ることができた。
０〜９０％好ましくは２０〜８０％とすることによって
、最適なｎ１層を得ることができた。
次に、ｎ混合の正味ドナー濃度は１〜２Ｘ１．Ｏ”原子
／ｄ程度が最適値であるが、このようなドナー濃度とす
るためには、ｎ□層は２〜ｌ０ＸＩＯ”原子／ｄとする
必要がある。ｎ□層のドナー濃度がこの値より低いと順
方向の電圧降下が大きくなり、発光素子としての特性上
好ましくなく、一方】０１７原子／ｄ以上になると、１
混合の正味ドナー濃度の適正値（１〜２Ｘ１０”原子／
ｄ）を得ることが難しくなる。
／ｄ程度が最適値であるが、このようなドナー濃度とす
るためには、ｎ□層は２〜ｌ０ＸＩＯ”原子／ｄとする
必要がある。ｎ□層のドナー濃度がこの値より低いと順
方向の電圧降下が大きくなり、発光素子としての特性上
好ましくなく、一方】０１７原子／ｄ以上になると、１
混合の正味ドナー濃度の適正値（１〜２Ｘ１０”原子／
ｄ）を得ることが難しくなる。
本発明では前記の如（Ｔ（２、Ａｒの分圧比を制御する
ことにより、上述の如きｎ１層の正味ドナー濃度範囲を
容易にコントロールできる。
ことにより、上述の如きｎ１層の正味ドナー濃度範囲を
容易にコントロールできる。
なお、本発明では前記ｎ３層のドナー濃度を前記の値と
するために、基板のＴｅまたはＳのドーパントレベルを
およそ１〜２Ｘ１０”原子／ｄとし、基板の正味総ドナ
ー濃度を１〜３Ｘ１０１７原子／ｄとするのがよい。こ
こにおける他のドーパントは主として反応管より由来す
るＳｊであり、その濃度は約ＬＸ］０”原子／ａ＋？で
ある。このようにｎ□層の正味ドナー濃度を低い値にコ
ントロールするのは、基板の熱劣化層を除去するためｎ
、層形成前に基板の一部を溶融（メルトバック）する工
程の際に、基板に含まれているｎ型不純物による反応溶
液の汚染を回避するためである。
するために、基板のＴｅまたはＳのドーパントレベルを
およそ１〜２Ｘ１０”原子／ｄとし、基板の正味総ドナ
ー濃度を１〜３Ｘ１０１７原子／ｄとするのがよい。こ
こにおける他のドーパントは主として反応管より由来す
るＳｊであり、その濃度は約ＬＸ］０”原子／ａ＋？で
ある。このようにｎ□層の正味ドナー濃度を低い値にコ
ントロールするのは、基板の熱劣化層を除去するためｎ
、層形成前に基板の一部を溶融（メルトバック）する工
程の際に、基板に含まれているｎ型不純物による反応溶
液の汚染を回避するためである。
つぎに図面を参照し本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）に示すように、ボー１一本体１に四部２が
形成されていて、左右に摺動する溶液溜３が前記ボート
本体１」二に載置されて本発明を行う液相成長装置が構
成される。この装置は、反応時に石英反応管中に入れら
れる。緑色発光素子を成長させるときは、前記凹部２に
、ｎ型ＧａＰ基板４を載置し、前記溶液溜３の中にＧａ
溶液５を入れる。この装置を反応管に入れ、雰囲気ガス
としてＨ２、Ａｒの混合ガスを２α／！ｌ１ｉｎの割合
で流し、加熱して所定温度たとえば９７０℃に達したら
、溶液溜３を凹部２上に摺動させ、基板４上に溶液６を
、たとえば厚さ２ｍｎに均一に満たした後、第１図（ｂ
）に示すように、溶液溜３をボート本体１上を摺動させ
て元の位置に戻す。次に反応管内を１０００℃まで昇温
しで３０分間保持し、基板の一部を溶融する。次いで、
９６０℃まで徐々に冷却すると、石英反応管とＨ２が反
応して遊離したＳｉが主たるドーパントとなり、平坦な
ドナー分布のｎ０層が基板上に成長する。この際工１□
とＡｒの雰囲気ガスは、Ｈ２の分圧比が２０％を保つよ
う維持する。ｎ１層が成長したところで、窒素をドープ
するために５％のＡｒ希釈ＮＨ，ガスを５０ｃｃ／ｍｊ
ｎの割合で流し、６０分間保持した後、再び徐々に冷却
すると、窒素をドープされたｎ混合が成長する。基板の
一部を溶融したときに導入されるドーパントはＳまたは
Ｔｅであり、正味総ドナー濃度（Ｎ、２）は２Ｘ１０１
″′原子／ｄまで低下する。そしてこの中に共存するシ
リコン濃度も０．５〜１．５ Ｘ １０”原子／ｄにま
で低下する。９００℃になったら再び降温を止め、６０
分間保持し、Ｚｎの蒸気を送り、溶液を高濃度のｐ型に
して再び冷却を初め、混合を成長させる。
形成されていて、左右に摺動する溶液溜３が前記ボート
本体１」二に載置されて本発明を行う液相成長装置が構
成される。この装置は、反応時に石英反応管中に入れら
れる。緑色発光素子を成長させるときは、前記凹部２に
、ｎ型ＧａＰ基板４を載置し、前記溶液溜３の中にＧａ
溶液５を入れる。この装置を反応管に入れ、雰囲気ガス
としてＨ２、Ａｒの混合ガスを２α／！ｌ１ｉｎの割合
で流し、加熱して所定温度たとえば９７０℃に達したら
、溶液溜３を凹部２上に摺動させ、基板４上に溶液６を
、たとえば厚さ２ｍｎに均一に満たした後、第１図（ｂ
）に示すように、溶液溜３をボート本体１上を摺動させ
て元の位置に戻す。次に反応管内を１０００℃まで昇温
しで３０分間保持し、基板の一部を溶融する。次いで、
９６０℃まで徐々に冷却すると、石英反応管とＨ２が反
応して遊離したＳｉが主たるドーパントとなり、平坦な
ドナー分布のｎ０層が基板上に成長する。この際工１□
とＡｒの雰囲気ガスは、Ｈ２の分圧比が２０％を保つよ
う維持する。ｎ１層が成長したところで、窒素をドープ
するために５％のＡｒ希釈ＮＨ，ガスを５０ｃｃ／ｍｊ
ｎの割合で流し、６０分間保持した後、再び徐々に冷却
すると、窒素をドープされたｎ混合が成長する。基板の
一部を溶融したときに導入されるドーパントはＳまたは
Ｔｅであり、正味総ドナー濃度（Ｎ、２）は２Ｘ１０１
″′原子／ｄまで低下する。そしてこの中に共存するシ
リコン濃度も０．５〜１．５ Ｘ １０”原子／ｄにま
で低下する。９００℃になったら再び降温を止め、６０
分間保持し、Ｚｎの蒸気を送り、溶液を高濃度のｐ型に
して再び冷却を初め、混合を成長させる。
このときの主たるドーパントはＺｎである。６００℃に
なったらＡｒのみを流し、他は止めて室温まで冷却し結
晶を取り出す。
なったらＡｒのみを流し、他は止めて室温まで冷却し結
晶を取り出す。
このようにしてｎｌ、ｎ混合およびｐ型ＧａＰＭを成長
させた結晶の一部を襞間して、襞間面をＲ・Ｃ液でエツ
チングし成長層の厚さを測定した。
させた結晶の一部を襞間して、襞間面をＲ・Ｃ液でエツ
チングし成長層の厚さを測定した。
ｎ、層＋ｎ混合、ｐ型ＧａＰ層ともに約２０７ｚｍ＋ｔ
Ｆあり、またこれを約１００倍に角度研磨して、ショッ
トキ法により不純物濃度を測定した結果を第３図に示す
。第３図の縦軸は不純物濃度を、横軸は各層の厚みを示
す。参考のために）５１００％、Ａｒ１０Ｏ％の好まし
くない実施例も併記した。第４図は、従来法による発光
素子の輝度を１としたときの、各実施例の相対輝度であ
る（ｎ＋層のドーパントはＴｅ）。
Ｆあり、またこれを約１００倍に角度研磨して、ショッ
トキ法により不純物濃度を測定した結果を第３図に示す
。第３図の縦軸は不純物濃度を、横軸は各層の厚みを示
す。参考のために）５１００％、Ａｒ１０Ｏ％の好まし
くない実施例も併記した。第４図は、従来法による発光
素子の輝度を１としたときの、各実施例の相対輝度であ
る（ｎ＋層のドーパントはＴｅ）。
（発明の効果）
本発明によれば、ｎ型ＧａＰ層における異常成長が避け
られるため結晶欠陥の発生がなく、高輝度の発光素子を
効率良く得ることができる。
られるため結晶欠陥の発生がなく、高輝度の発光素子を
効率良く得ることができる。
第１図（ａ）は本発明を行う装置の昇温時の断面図を、
第１図（ｂ）は降温時の断面図を、第２図はＡｒ、Ｈ２
の組成を変化させたときの０１層のドナー濃度の変化図
を、第３図は本発明によりつくった緑色発光素子の各層
の不純物濃度図を、第４図は本発明の発光素子と従来法
によるものとの輝度比較図を示す。 １・・・ボート本体、 ２・・・凹部、 ３・・・溶液溜、 ４・・・基板、 ５・・・溶液、 ６・・・溶液。 特許出願人 信越半導体株式会社 ＝１１− 第２図
第１図（ｂ）は降温時の断面図を、第２図はＡｒ、Ｈ２
の組成を変化させたときの０１層のドナー濃度の変化図
を、第３図は本発明によりつくった緑色発光素子の各層
の不純物濃度図を、第４図は本発明の発光素子と従来法
によるものとの輝度比較図を示す。 １・・・ボート本体、 ２・・・凹部、 ３・・・溶液溜、 ４・・・基板、 ５・・・溶液、 ６・・・溶液。 特許出願人 信越半導体株式会社 ＝１１− 第２図
Claims (1)
- ｎ型リン化ガリウム基板上に、ドーパント濃度を制御し
てｎ型およびｐ型リン化ガリウム層を順次液相成長させ
る緑色発光素子の製造方法において、ｎ型リン化ガリウ
ム層を基板側からｎ＿１層、ｎ＿２層の二層で構成する
と共に、ｎ＿１層の形成をＡｒ、Ｈ＿２混合ガスの雰囲
気下で、Ｈ＿２ガスの分圧比を調整して該層の正味ドナ
ー濃度を２〜１０×１０＾１＾６原子／ｃｍ＾３のレベ
ルに制御し、ついでｎ＿２層の形成と窒素ドープを行う
ことを特徴とするリン化ガリウム緑色発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22582985A JPH0693522B2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22582985A JPH0693522B2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285480A true JPS6285480A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0693522B2 JPH0693522B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=16835456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22582985A Expired - Lifetime JPH0693522B2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693522B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537018A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体単結晶 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214276A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Showa Denko Kk | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 |
| JPS59214277A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Showa Denko Kk | リン化ガリウム純緑色発光素子 |
| JPS6019675A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | 三菱電機株式会社 | 巻胴式エレベ−タの起動装置 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP22582985A patent/JPH0693522B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214276A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Showa Denko Kk | リン化ガリウム緑色発光素子の製造方法 |
| JPS59214277A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Showa Denko Kk | リン化ガリウム純緑色発光素子 |
| JPS6019675A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | 三菱電機株式会社 | 巻胴式エレベ−タの起動装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537018A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体単結晶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0693522B2 (ja) | 1994-11-16 |
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