JP2002050791A - 発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよびその製造方法Info
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- JP2002050791A JP2002050791A JP2000231138A JP2000231138A JP2002050791A JP 2002050791 A JP2002050791 A JP 2002050791A JP 2000231138 A JP2000231138 A JP 2000231138A JP 2000231138 A JP2000231138 A JP 2000231138A JP 2002050791 A JP2002050791 A JP 2002050791A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液相エピタキシャル成長により製造されるＡ
ｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構
造の発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにおい
て、サイリスタ現象による不良ウェーハの発生を防ぐこ
と。 【解決の手段】 ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、
ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。このようなエ
ピタキシャルウェーハは、ＡｌＧａＡｓ層の成長速度を
毎分０．０５ミクロン以上とすることにより製造され
る。
ｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構
造の発光ダイオード用エピタキシャルウェーハにおい
て、サイリスタ現象による不良ウェーハの発生を防ぐこ
と。 【解決の手段】 ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、
ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。このようなエ
ピタキシャルウェーハは、ＡｌＧａＡｓ層の成長速度を
毎分０．０５ミクロン以上とすることにより製造され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード用Ａ
ｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよびその製造方法
に関し、特に、部分的なサイリスタ現象を生じない発光
ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよ
びその製造方法に関する。
ｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよびその製造方法
に関し、特に、部分的なサイリスタ現象を生じない発光
ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光機能を有するＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ等の化合物半導体は、赤外線または可視光領域の発光
ダイオード（ＬＥＤ）その他の発光素子として広く利用
されている。これらの発光ダイオードを構成するエピタ
キシャルウェーハは、ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピ
タキシャル成長によりｎ型およびｐ型の、ＧａＡｓ層又
はＡｌＧａＡｓ層を形成させて製造される。
ｓ等の化合物半導体は、赤外線または可視光領域の発光
ダイオード（ＬＥＤ）その他の発光素子として広く利用
されている。これらの発光ダイオードを構成するエピタ
キシャルウェーハは、ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピ
タキシャル成長によりｎ型およびｐ型の、ＧａＡｓ層又
はＡｌＧａＡｓ層を形成させて製造される。
【０００３】液相エピタキシャル成長により製造される
ＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ（ＳＨ）構造またはダ
ブルヘテロ（ＤＨ）構造の発光ダイオード用エピタキシ
ャルウェーハは、しばしばウェーハ面内に、サイリスタ
現象を示す領域が部分的に発生する。サイリスタ現象
は、ｐ−ｎ接合近傍のｎ型ＡｌＧａＡｓ層にｐ型に反転
した部分が発生することにより起きる。エピタキシャル
ウェーハ面内でランダムに生じ、ウェーハ面積の数％を
占める。サイリスタ現象を示す領域が存在するＬＥＤチ
ップは不良品となるが、ウェーハの状態での検出は困難
である。
ＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ（ＳＨ）構造またはダ
ブルヘテロ（ＤＨ）構造の発光ダイオード用エピタキシ
ャルウェーハは、しばしばウェーハ面内に、サイリスタ
現象を示す領域が部分的に発生する。サイリスタ現象
は、ｐ−ｎ接合近傍のｎ型ＡｌＧａＡｓ層にｐ型に反転
した部分が発生することにより起きる。エピタキシャル
ウェーハ面内でランダムに生じ、ウェーハ面積の数％を
占める。サイリスタ現象を示す領域が存在するＬＥＤチ
ップは不良品となるが、ウェーハの状態での検出は困難
である。
【０００４】発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシ
ャルウェーハにはドーパントとして亜鉛が用いられてい
る。ｐ型反転部分が発生する主な原因は、ｎ型領域への
亜鉛の拡散にあると考えられてきた。
ャルウェーハにはドーパントとして亜鉛が用いられてい
る。ｐ型反転部分が発生する主な原因は、ｎ型領域への
亜鉛の拡散にあると考えられてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の発光ダ
イオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハの製造
方法によると、ｎ型領域への亜鉛の拡散の防止を図って
もサイリスタ現象による不良を防ぐことができない。
イオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハの製造
方法によると、ｎ型領域への亜鉛の拡散の防止を図って
もサイリスタ現象による不良を防ぐことができない。
【０００６】従って、本発明の目的は、液相エピタキシ
ャル成長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘ
テロ構造またはダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エ
ピタキシャルウェーハの、サイリスタ現象による不良を
防ぐことにある。
ャル成長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘ
テロ構造またはダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エ
ピタキシャルウェーハの、サイリスタ現象による不良を
防ぐことにある。
【０００７】本発明の目的はまた、ＡｌＧａＡｓ系のシ
ングルヘテロ構造またはダブルヘテロ構造の発光ダイオ
ード用エピタキシャルウェーハを液相エピタキシャル成
長により製造する方法において、サイリスタ現象による
不良ウェーハの発生を防ぐことにある。
ングルヘテロ構造またはダブルヘテロ構造の発光ダイオ
ード用エピタキシャルウェーハを液相エピタキシャル成
長により製造する方法において、サイリスタ現象による
不良ウェーハの発生を防ぐことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するため、ＧａＡｓ単結晶基板と、その上に液相エ
ピタキシャル法により成長させたｎ型及びｐ型のＡｌＧ
ａＡｓ層とから成る、シングルヘテロ構造またはダブル
ヘテロ構造を有する発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピ
タキシャルウェーハにおいて、ｎ型のＡｌＧａＡｓ層
は、ｐ型のＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍の領域に含有
する炭素の濃度がｐ型反転層を形成する濃度より低い
（例えば３×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 以下）ことを特徴と
する。
達成するため、ＧａＡｓ単結晶基板と、その上に液相エ
ピタキシャル法により成長させたｎ型及びｐ型のＡｌＧ
ａＡｓ層とから成る、シングルヘテロ構造またはダブル
ヘテロ構造を有する発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピ
タキシャルウェーハにおいて、ｎ型のＡｌＧａＡｓ層
は、ｐ型のＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍の領域に含有
する炭素の濃度がｐ型反転層を形成する濃度より低い
（例えば３×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 以下）ことを特徴と
する。
【０００９】また本発明では上記目的を、ＡｌＧａＡｓ
系のシングルヘテロ構造またはダブルヘテロ構造の発光
ダイオード用エピタキシャルウェーハを液相エピタキシ
ャル成長により製造する方法において、ＡｌＧａＡｓエ
ピタキシャル層の成長速度を毎分０．０５ミクロン以上
とすることを特徴とする方法により、達成した。
系のシングルヘテロ構造またはダブルヘテロ構造の発光
ダイオード用エピタキシャルウェーハを液相エピタキシ
ャル成長により製造する方法において、ＡｌＧａＡｓエ
ピタキシャル層の成長速度を毎分０．０５ミクロン以上
とすることを特徴とする方法により、達成した。
【００１０】
【実施の態様】以下に本発明による、液相エピタキシャ
ル成長により製造される発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓ
シングルヘテロ構造エピタキシャルウェーハおよびその
製造方法の実施の態様について、一例を説明する。本発
明は、この実施態様に限るものでないことはもちろんで
ある。
ル成長により製造される発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓ
シングルヘテロ構造エピタキシャルウェーハおよびその
製造方法の実施の態様について、一例を説明する。本発
明は、この実施態様に限るものでないことはもちろんで
ある。
【００１１】基板として亜鉛（Ｚｎ）をドープしたｐ型
ＧａＡｓ単結晶を、基板ホルダーに固定する。スライド
ボート内に、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）多結晶、アルミ
ニウム、及びｐ型ドーパントとして亜鉛を含む、ガリウ
ム含有ｐ型ＡｌＧａＡｓ層成長溶液と、ＧａＡｓ多結
晶、アルミニウム及びｎ型ドーパントとしてのテルルを
含む、ガリウム含有ｎ型ＡｌＧａＡｓ層成長溶液とを、
それぞれセットする。
ＧａＡｓ単結晶を、基板ホルダーに固定する。スライド
ボート内に、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）多結晶、アルミ
ニウム、及びｐ型ドーパントとして亜鉛を含む、ガリウ
ム含有ｐ型ＡｌＧａＡｓ層成長溶液と、ＧａＡｓ多結
晶、アルミニウム及びｎ型ドーパントとしてのテルルを
含む、ガリウム含有ｎ型ＡｌＧａＡｓ層成長溶液とを、
それぞれセットする。
【００１２】スライドボートを石英製反応管の中にセッ
トし、反応管内の空気を除き、水素を導入する。そして
石英製反応管を電気炉中で９６０℃まで加熱し、ガリウ
ム中に砒化ガリウム多結晶、アルミニウム及びドーパン
トを溶解して、各原料溶液を作る。その後、所定の冷却
速度で徐々に温度を低下させる。
トし、反応管内の空気を除き、水素を導入する。そして
石英製反応管を電気炉中で９６０℃まで加熱し、ガリウ
ム中に砒化ガリウム多結晶、アルミニウム及びドーパン
トを溶解して、各原料溶液を作る。その後、所定の冷却
速度で徐々に温度を低下させる。
【００１３】この冷却の間に基板ホルダーを移動させ
て、ｐ型ＧａＡｓ基板をｐ型ＡｌＧａＡｓ層成長溶液に
接触させ、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（第一層）を成長させ
る。基板ホルダーをさらに移動して、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
層成長溶液に接触させ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層（第二層）
を成長させる。本発明の方法においては冷却速度を、こ
のエピタキシャル成長の速度が毎分０．０５ミクロン以
上となるように調整する。このようにして、サイリスタ
現象による不良の生じない、赤色発光ダイオード用Ａｌ
ＧａＡｓシングルヘテロ構造エピタキシャルウェーハを
製造することができる。
て、ｐ型ＧａＡｓ基板をｐ型ＡｌＧａＡｓ層成長溶液に
接触させ、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（第一層）を成長させ
る。基板ホルダーをさらに移動して、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
層成長溶液に接触させ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層（第二層）
を成長させる。本発明の方法においては冷却速度を、こ
のエピタキシャル成長の速度が毎分０．０５ミクロン以
上となるように調整する。このようにして、サイリスタ
現象による不良の生じない、赤色発光ダイオード用Ａｌ
ＧａＡｓシングルヘテロ構造エピタキシャルウェーハを
製造することができる。
【００１４】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の実証的説明と
する。上記実施態様において、ＧａＡｓ多結晶を６６ｍ
ｇ／ｇＧａ、アルミニウム２ｍｇ／ｇＧａ及び亜鉛（ｐ
型ドーパント）を１ｍｇ／ｇＧａ含む、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ層成長溶液と、ＧａＡｓ多結晶を２８ｍｇ／ｇＧａ、
アルミニウムを５ｍｇ／ｇＧａおよびテルル（ｎ型ドー
パント）を０．００１ｍｇ／ｇＧａを含む、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ層成長溶液を用いた。
する。上記実施態様において、ＧａＡｓ多結晶を６６ｍ
ｇ／ｇＧａ、アルミニウム２ｍｇ／ｇＧａ及び亜鉛（ｐ
型ドーパント）を１ｍｇ／ｇＧａ含む、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ層成長溶液と、ＧａＡｓ多結晶を２８ｍｇ／ｇＧａ、
アルミニウムを５ｍｇ／ｇＧａおよびテルル（ｎ型ドー
パント）を０．００１ｍｇ／ｇＧａを含む、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ層成長溶液を用いた。
【００１５】ｐ型ＧａＡｓ基板上に第一層のｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ層を厚さ約２０ミクロン、第二層のｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ層を厚さ約４０ミクロンに成長させた。発光波長６
５５ｎｍのＡｌＧａＡｓシングルヘテロ構造エピタキシ
ャルウェーハが得られた。
ａＡｓ層を厚さ約２０ミクロン、第二層のｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ層を厚さ約４０ミクロンに成長させた。発光波長６
５５ｎｍのＡｌＧａＡｓシングルヘテロ構造エピタキシ
ャルウェーハが得られた。
【００１６】エピタキシャル成長中の冷却速度を調整
し、成長速度がそれぞれ毎分０．０４ミクロン、０．０
５ミクロン、０．０６ミクロンになるようにした。各々
の場合のウェーハ上の炭素を分析した。毎分０．０４ミ
クロンの成長は比較例である。
し、成長速度がそれぞれ毎分０．０４ミクロン、０．０
５ミクロン、０．０６ミクロンになるようにした。各々
の場合のウェーハ上の炭素を分析した。毎分０．０４ミ
クロンの成長は比較例である。
【００１７】図１（ａ）〜（ｃ）はウェーハ上のｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ層内の、位置による炭素濃度の変化を示す。
横軸はｐ−ｎ界面付近で特定方向のミクロン単位の座標
を、縦軸は炭素濃度（ａｔｍ／ｃｍ3 ）を示す。図１
（ａ）は成長速度が毎分０．０４ミクロン、図１（ｂ）
は毎分０．０５ミクロン、図１（ｃ）は毎分０．０６ミ
クロンの場合を、それぞれ示す。
ｌＧａＡｓ層内の、位置による炭素濃度の変化を示す。
横軸はｐ−ｎ界面付近で特定方向のミクロン単位の座標
を、縦軸は炭素濃度（ａｔｍ／ｃｍ3 ）を示す。図１
（ａ）は成長速度が毎分０．０４ミクロン、図１（ｂ）
は毎分０．０５ミクロン、図１（ｃ）は毎分０．０６ミ
クロンの場合を、それぞれ示す。
【００１８】図１（ａ）では炭素濃度の極大が３×１０
17ａｔｍ／ｃｍ3 を超えており、この場合ウェーハには
サイリスタ現象が認められた。図１（ｂ）では炭素濃度
の極大が２×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 未満であり、ウェー
ハにはサイリスタ現象が認められなかった。図１（ｃ）
には炭素濃度の極大が見られず、ウェーハはサイリスタ
現象を示さなかった。
17ａｔｍ／ｃｍ3 を超えており、この場合ウェーハには
サイリスタ現象が認められた。図１（ｂ）では炭素濃度
の極大が２×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 未満であり、ウェー
ハにはサイリスタ現象が認められなかった。図１（ｃ）
には炭素濃度の極大が見られず、ウェーハはサイリスタ
現象を示さなかった。
【００１９】図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示した条件、
すなわちエピタキシャル成長速度を毎分０．０５ミクロ
ン以上とすれば、赤色発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓシ
ングルヘテロ構造エピタキシャルウェーハにはサイリス
タ現象が現れない。この条件下では、ウェーハ上の炭素
濃度は極大の位置でも２×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 より小
であった。
すなわちエピタキシャル成長速度を毎分０．０５ミクロ
ン以上とすれば、赤色発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓシ
ングルヘテロ構造エピタキシャルウェーハにはサイリス
タ現象が現れない。この条件下では、ウェーハ上の炭素
濃度は極大の位置でも２×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 より小
であった。
【００２０】従来の技術についてすでに述べた通り、Ｓ
Ｈ又はＤＨ構造をもつ発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエ
ピタキシャルウェーハにおけるサイリスタ現象は、ｎ型
ＡｌＧａＡｓ層のｐ−ｎ接合の付近にｐ型に反転した部
分が発生することにより起きることが知られていた。ｐ
型反転部分が発生する主な原因を、従来は、ドーパント
として加えられている亜鉛のｎ型への拡散にあると考え
ていた。しかし本発明者は、サイリスタ現象の発生箇所
でエピタキシャルｎ型層中の炭素濃度が正常領域より高
いことを見出し、サイリスタ現象による不良を防止する
手段を探索した結果、本発明に至ったものである。
Ｈ又はＤＨ構造をもつ発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエ
ピタキシャルウェーハにおけるサイリスタ現象は、ｎ型
ＡｌＧａＡｓ層のｐ−ｎ接合の付近にｐ型に反転した部
分が発生することにより起きることが知られていた。ｐ
型反転部分が発生する主な原因を、従来は、ドーパント
として加えられている亜鉛のｎ型への拡散にあると考え
ていた。しかし本発明者は、サイリスタ現象の発生箇所
でエピタキシャルｎ型層中の炭素濃度が正常領域より高
いことを見出し、サイリスタ現象による不良を防止する
手段を探索した結果、本発明に至ったものである。
【００２１】図２は、従来の発光ダイオード用ＡｌＧａ
Ａｓエピタキシャルウェーハにおける、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層のｐ−ｎ接合付近のｐ型反転部分とその近傍でのエ
ピタキシャル層中の炭素濃度を示す。ｐ型反転領域は、
炭素濃度が３×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 を超えた部分に対
応している。液相エピタキシャル成長法で治具にグラフ
ァイトを用いていることが、炭素の混入の原因ではない
かと考えられる。
Ａｓエピタキシャルウェーハにおける、ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ層のｐ−ｎ接合付近のｐ型反転部分とその近傍でのエ
ピタキシャル層中の炭素濃度を示す。ｐ型反転領域は、
炭素濃度が３×１０17ａｔｍ／ｃｍ3 を超えた部分に対
応している。液相エピタキシャル成長法で治具にグラフ
ァイトを用いていることが、炭素の混入の原因ではない
かと考えられる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によると、液相エピタキシャル成
長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ
（ＳＨ）構造又はダブルヘテロ（ＤＨ）構造の発光ダイ
オード用エピタキシャルウェーハにおいて、ｎ型のＡｌ
ＧａＡｓ層とｐ型のＡｌＧａＡｓ層の界面から５ミクロ
ン以内の領域に含有する炭素の濃度を３×１０17ａｔｍ
／ｃｍ3 以下とすることにより、サイリスタ現象による
不良ウェーハの発生を防ぐことができる。
長により製造されるＡｌＧａＡｓ系のシングルヘテロ
（ＳＨ）構造又はダブルヘテロ（ＤＨ）構造の発光ダイ
オード用エピタキシャルウェーハにおいて、ｎ型のＡｌ
ＧａＡｓ層とｐ型のＡｌＧａＡｓ層の界面から５ミクロ
ン以内の領域に含有する炭素の濃度を３×１０17ａｔｍ
／ｃｍ3 以下とすることにより、サイリスタ現象による
不良ウェーハの発生を防ぐことができる。
【００２３】本発明によると、ＡｌＧａＡｓ系のＳＨ構
造またはＤＨ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウ
ェーハを液相エピタキシャル成長により製造する方法に
おいて、ＡｌＧａＡｓ層の成長速度を毎分０．０５ミク
ロン以上とすることにより、サイリスタ現象による不良
ウェーハの発生を防ぐことができる。
造またはＤＨ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウ
ェーハを液相エピタキシャル成長により製造する方法に
おいて、ＡｌＧａＡｓ層の成長速度を毎分０．０５ミク
ロン以上とすることにより、サイリスタ現象による不良
ウェーハの発生を防ぐことができる。
【図１】 本発明の実施例および比較例におけるｐ−ｎ
界面付近でのｎ型ＡｌＧａＡｓ層中の炭素濃度を示すグ
ラフ。
界面付近でのｎ型ＡｌＧａＡｓ層中の炭素濃度を示すグ
ラフ。
【図２】 従来の発光ダイオード用エピタキシャルウェ
ーハにおける、ｐ−ｎ界面付近でのｎ型ＡｌＧａＡｓ層
中の炭素濃度を示すグラフ。
ーハにおける、ｐ−ｎ界面付近でのｎ型ＡｌＧａＡｓ層
中の炭素濃度を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE41 CG01 EB01 ED06 EH09 HA02 5F041 AA41 CA03 CA04 CA35 CA36 CA53 CA57 CA63 5F053 AA01 AA25 BB42 DD05 FF01 GG01 HH04 JJ01 JJ03 KK04 KK08 LL02 RR20
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ単結晶基板と、その上に
液相エピタキシャル法により成長させたｎ型及びｐ型の
ＡｌＧａＡｓ層とから成る、シングルヘテロ構造又はダ
ブルヘテロ構造を有する発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓ
エピタキシャルウェーハにおいて、 前記ｎ型のＡｌＧａＡｓ層は、前記ｐ型のＡｌＧａＡｓ
層との界面の近傍の領域に含有する炭素の濃度がｐ型反
転層を形成する濃度より低いことを特徴とする発光ダイ
オード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハ。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ単結晶基板上に液相エピ
タキシャル法によりＡｌＧａＡｓ層を成長させ、シング
ルヘテロ構造またはダブルヘテロ構造を形成することか
ら成る発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウ
ェーハの製造方法において、 前記ＡｌＧａＡｓ層を毎分０．０５ミクロン以上の速度
で成長させることを特徴とする、発光ダイオード用Ａｌ
ＧａＡｓエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000231138A JP2002050791A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000231138A JP2002050791A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050791A true JP2002050791A (ja) | 2002-02-15 |
Family
ID=18724007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000231138A Pending JP2002050791A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 発光ダイオード用ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウェーハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002050791A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101118940B (zh) * | 2006-08-04 | 2011-10-12 | 信越半导体股份有限公司 | 外延基板及液相外延生长方法 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000231138A patent/JP2002050791A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101118940B (zh) * | 2006-08-04 | 2011-10-12 | 信越半导体股份有限公司 | 外延基板及液相外延生长方法 |
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