JP2000323499A - 化合物半導体エピタキシャルウェハ - Google Patents
化合物半導体エピタキシャルウェハInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い耐圧のＦＥＴやＨＥＭＴが得られる化合
物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 【解決手段】 バッファ層３と半絶縁性ＧａＡｓ基板１
との間にＣＢｒ4 により高濃度の炭素をドープしたｐ型
ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層２が形成された化合物半
導体エピタキシャルウェハを用いることにより、ＦＥＴ
やＨＥＭＴの高耐圧化が実現できる。ＭＢＥウェハにお
いてはそのＦＥＴやＨＥＭＴの耐圧の制御性が改善さ
れ、ＭＯＶＰＥウェハにおいてはｎ型不純物を電気的に
補償することにより耐圧のみならずＦＥＴやＨＥＭＴの
デバイス特性を改善することができる。
物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 【解決手段】 バッファ層３と半絶縁性ＧａＡｓ基板１
との間にＣＢｒ4 により高濃度の炭素をドープしたｐ型
ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層２が形成された化合物半
導体エピタキシャルウェハを用いることにより、ＦＥＴ
やＨＥＭＴの高耐圧化が実現できる。ＭＢＥウェハにお
いてはそのＦＥＴやＨＥＭＴの耐圧の制御性が改善さ
れ、ＭＯＶＰＥウェハにおいてはｎ型不純物を電気的に
補償することにより耐圧のみならずＦＥＴやＨＥＭＴの
デバイス特性を改善することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相エピタキシャ
ル法によって形成されるＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）用あるいは、ＨＥＭＴ（高移動度トランジスタ）用
の化合物半導体エピタキシャルウェハに関する。
ル法によって形成されるＦＥＴ（電界効果トランジス
タ）用あるいは、ＨＥＭＴ（高移動度トランジスタ）用
の化合物半導体エピタキシャルウェハに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＢＥ（分子線結晶成長）ウェハにおい
てバッファ層と半絶縁性ＧａＡｓ基板との間にｐ型の不
純物が存在し、このｐ型の不純物がＦＥＴを形成したと
きに高耐圧を可能としていると考えられている。
てバッファ層と半絶縁性ＧａＡｓ基板との間にｐ型の不
純物が存在し、このｐ型の不純物がＦＥＴを形成したと
きに高耐圧を可能としていると考えられている。
【０００３】しかし、ＭＢＥエピタキシャルウェハにお
いて、このｐ型の不純物は意図的に制御されているもの
ではなく、このｐ型の不純物がＦＥＴの耐圧を含め、特
性の変動を招く要因であると考えられている。
いて、このｐ型の不純物は意図的に制御されているもの
ではなく、このｐ型の不純物がＦＥＴの耐圧を含め、特
性の変動を招く要因であると考えられている。
【０００４】ＭＯＶＰＥ（有機金属気相エピタキシャル
成長）ウェハにおいては、バッファ層とＧａＡｓ基板層
との間にむしろｎ型の不純物が発生し、このｎ型の不純
物がＦＥＴやＨＥＭＴの耐圧や他のデバイス特性を落と
す原因となるため、この不純物を減らす検討が行われて
いる。
成長）ウェハにおいては、バッファ層とＧａＡｓ基板層
との間にむしろｎ型の不純物が発生し、このｎ型の不純
物がＦＥＴやＨＥＭＴの耐圧や他のデバイス特性を落と
す原因となるため、この不純物を減らす検討が行われて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術ではＭＢＥウェハにおいては、バッファ層と半絶
縁性ＧａＡｓ基板との間にｐ型の不純物が存在すること
によってＭＯＶＰＥウェハに比べて高耐圧を実現しやす
いが、意図的に制御を行っているものではないため、Ｆ
ＥＴやＨＥＭＴの耐圧がバラツクという問題がある。Ｍ
ＯＶＰＥウェハにおいてはＭＢＥウェハに比べてＦＥＴ
やＨＥＭＴの耐圧が低くなりがちであるという問題があ
った。
来技術ではＭＢＥウェハにおいては、バッファ層と半絶
縁性ＧａＡｓ基板との間にｐ型の不純物が存在すること
によってＭＯＶＰＥウェハに比べて高耐圧を実現しやす
いが、意図的に制御を行っているものではないため、Ｆ
ＥＴやＨＥＭＴの耐圧がバラツクという問題がある。Ｍ
ＯＶＰＥウェハにおいてはＭＢＥウェハに比べてＦＥＴ
やＨＥＭＴの耐圧が低くなりがちであるという問題があ
った。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、高い耐圧のＦＥＴやＨＥＭＴが得られる化合物半導
体エピタキシャルウェハを提供することにある。
し、高い耐圧のＦＥＴやＨＥＭＴが得られる化合物半導
体エピタキシャルウェハを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハは、気相
エピタキシャル法によって形成される電界効果トランジ
スタ用あるいは高移動度トランジスタ用の化合物半導体
エピタキシャルウェハにおいて、ＧａＡｓ基板とエピタ
キシャルバッファ層との間に、高濃度の炭素がドープさ
れたＡｌＧａＡｓエピタキシャル層が形成されたもので
ある。
に本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハは、気相
エピタキシャル法によって形成される電界効果トランジ
スタ用あるいは高移動度トランジスタ用の化合物半導体
エピタキシャルウェハにおいて、ＧａＡｓ基板とエピタ
キシャルバッファ層との間に、高濃度の炭素がドープさ
れたＡｌＧａＡｓエピタキシャル層が形成されたもので
ある。
【０００８】上記構成に加え本発明の化合物半導体エピ
タキシャルウェハでは、ＣＢｒ4 を用いて高濃度の炭素
をドープされたＡｌＧａＡｓエピタキシャル層が成長す
るのが好ましい。
タキシャルウェハでは、ＣＢｒ4 を用いて高濃度の炭素
をドープされたＡｌＧａＡｓエピタキシャル層が成長す
るのが好ましい。
【０００９】上記構成に加え本発明の化合物半導体エピ
タキシャルウェハは、ＣＢｒ4 によりドーピングされる
炭素の濃度は２×１０19ｃｍ-3〜７×１０19ｃｍ-3の範
囲内であるのが好ましい。
タキシャルウェハは、ＣＢｒ4 によりドーピングされる
炭素の濃度は２×１０19ｃｍ-3〜７×１０19ｃｍ-3の範
囲内であるのが好ましい。
【００１０】上記構成に加え本発明の化合物半導体エピ
タキシャルウェハは、ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層の
Ａｌ組成比が０．２〜０．７の範囲内であり、ＡｌＧａ
Ａｓエピタキシャル層の厚さが１〜１０ｎｍの範囲内で
あるのが好ましい。
タキシャルウェハは、ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層の
Ａｌ組成比が０．２〜０．７の範囲内であり、ＡｌＧａ
Ａｓエピタキシャル層の厚さが１〜１０ｎｍの範囲内で
あるのが好ましい。
【００１１】本発明によれば、バッファ層と半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板との間に、ＣＢｒ4 により高濃度の炭素がド
ープされたｐ型ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層が形成さ
れた化合物半導体エピタキシャルウェハを用いることに
より、高耐圧のＦＥＴやＨＥＭＴが得られる。ＭＢＥウ
ェハにおいてはそのＦＥＴやＨＥＭＴの耐圧の制御性が
改善され、ＭＯＶＰＥウェハにおいてはｎ型不純物を電
気的に補償することにより耐圧のみならずＦＥＴやＨＥ
ＭＴのデバイス特性が改善される。
ａＡｓ基板との間に、ＣＢｒ4 により高濃度の炭素がド
ープされたｐ型ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層が形成さ
れた化合物半導体エピタキシャルウェハを用いることに
より、高耐圧のＦＥＴやＨＥＭＴが得られる。ＭＢＥウ
ェハにおいてはそのＦＥＴやＨＥＭＴの耐圧の制御性が
改善され、ＭＯＶＰＥウェハにおいてはｎ型不純物を電
気的に補償することにより耐圧のみならずＦＥＴやＨＥ
ＭＴのデバイス特性が改善される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１３】図１は本発明の化合物半導体エピタキシャ
ルウェハの一実施の形態を示す構造図である。
ルウェハの一実施の形態を示す構造図である。
【００１４】この化合物半導体エピタキシャルウェハ
は、ＦＥＴ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハであり、半
絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＣＢｒ4 により高濃度の炭素
ドープｐ型ＡｌＧａＡｓ層２を成長させ、さらにアンド
ープのＧａＡｓ層及びＡｌＧａＡｓ層からなるバッファ
層３を成長させた構造を有している。
は、ＦＥＴ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハであり、半
絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＣＢｒ4 により高濃度の炭素
ドープｐ型ＡｌＧａＡｓ層２を成長させ、さらにアンド
ープのＧａＡｓ層及びＡｌＧａＡｓ層からなるバッファ
層３を成長させた構造を有している。
【００１５】この化合物半導体エピタキシャルウェハ
は、チャネル層としてＳｉをドープしたｎ−ＧａＡｓチ
ャネル層４を成長させ、最後にキャップ層としてさらに
高濃度のＳｉをドープしたｎ−ＧａＡｓキャップ層５を
成長させたものである。
は、チャネル層としてＳｉをドープしたｎ−ＧａＡｓチ
ャネル層４を成長させ、最後にキャップ層としてさらに
高濃度のＳｉをドープしたｎ−ＧａＡｓキャップ層５を
成長させたものである。
【００１６】ＣＢｒ4 によりドーピングされる炭素の濃
度は２×１０19ｃｍ-3〜７×１０19ｃｍ-3の範囲内であ
るのが好ましい。またＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比は
０．２〜０．７の範囲内であり、ＡｌＧａＡｓ層の厚さ
は１〜１０ｎｍの範囲内であるのが好ましい。
度は２×１０19ｃｍ-3〜７×１０19ｃｍ-3の範囲内であ
るのが好ましい。またＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比は
０．２〜０．７の範囲内であり、ＡｌＧａＡｓ層の厚さ
は１〜１０ｎｍの範囲内であるのが好ましい。
【００１７】このように構成したエピタキシャルウェハ
を用いることで、高い耐圧のＦＥＴが得られる。
を用いることで、高い耐圧のＦＥＴが得られる。
【００１８】
【実施例】図２は本発明の化合物半導体エピタキシャル
ウェハとしてのｐ型ＡｌＧａＡｓ高濃度炭素ドープエピ
タキシャル層を半絶縁性ＧａＡｓ基板とバッファ層との
間に挿入したＦＥＴ構造エピタキシャルウェハを用いた
ＦＥＴの耐圧特性を示す図である。同図において横軸が
炭素濃度であり、縦軸がＦＥＴ耐圧である。
ウェハとしてのｐ型ＡｌＧａＡｓ高濃度炭素ドープエピ
タキシャル層を半絶縁性ＧａＡｓ基板とバッファ層との
間に挿入したＦＥＴ構造エピタキシャルウェハを用いた
ＦＥＴの耐圧特性を示す図である。同図において横軸が
炭素濃度であり、縦軸がＦＥＴ耐圧である。
【００１９】Ａｌ組成比は例えば０．５であり、厚さ約
３ｎｍのＡｌＧａＡｓ層の炭素濃度を変えて耐圧を評価
した。炭素濃度が約１×１０19ｃｍ-3で従来品の耐圧に
比較して約３５％向上した。炭素濃度を１×１０19ｃｍ
-3より増加させると耐圧が徐々に向上し、炭素濃度が７
×１０19ｃｍ-3付近で飽和する。
３ｎｍのＡｌＧａＡｓ層の炭素濃度を変えて耐圧を評価
した。炭素濃度が約１×１０19ｃｍ-3で従来品の耐圧に
比較して約３５％向上した。炭素濃度を１×１０19ｃｍ
-3より増加させると耐圧が徐々に向上し、炭素濃度が７
×１０19ｃｍ-3付近で飽和する。
【００２０】従来構造のＭＢＥ法で形成したエピタキシ
ャルウェハを用いて形成したＦＥＴの耐圧は２２Ｖであ
った。
ャルウェハを用いて形成したＦＥＴの耐圧は２２Ｖであ
った。
【００２１】従来構造の化合物半導体エピタキシャルウ
ェハに比べて本実施例の構造の化合物半導体エピタキシ
ャルウェハの耐圧は３０〜３５Ｖの範囲であり、従来構
造の化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて形成さ
れたＦＥＴの耐圧に比べて本構造の化合物半導体エピタ
キシャルウェハは十分高いことが確認できた。
ェハに比べて本実施例の構造の化合物半導体エピタキシ
ャルウェハの耐圧は３０〜３５Ｖの範囲であり、従来構
造の化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて形成さ
れたＦＥＴの耐圧に比べて本構造の化合物半導体エピタ
キシャルウェハは十分高いことが確認できた。
【００２２】Ａｌ組成比を高くすることで耐圧が徐々に
向上することも確認できたが、Ａｌ組成比が０．７前後
で耐圧が低下することが確認できた。厚さについては１
ｎｍ位でも十分な耐圧が得られ１０ｎｍ付近までわずか
ながら耐圧が向上するが、厚さ１０ｎｍを超えて厚くな
ると耐圧の低下する傾向が見られた。
向上することも確認できたが、Ａｌ組成比が０．７前後
で耐圧が低下することが確認できた。厚さについては１
ｎｍ位でも十分な耐圧が得られ１０ｎｍ付近までわずか
ながら耐圧が向上するが、厚さ１０ｎｍを超えて厚くな
ると耐圧の低下する傾向が見られた。
【００２３】ＭＯＶＰＥウェハについても同様にＦＥＴ
を形成して比較したが、ＭＢＥウェハと同等の耐圧を得
ることができた。
を形成して比較したが、ＭＢＥウェハと同等の耐圧を得
ることができた。
【００２４】以上本発明によれば、ＣＢｒ4 によりこの
高濃度のｐ型炭素ドープＡｌＧａＡｓエピタキシャル層
を半絶縁性ＧａＡｓ基板とバッファ層との間に形成する
ことにより、このエピタキシャルウェハを用いて形成し
たＦＥＴの耐圧を向上させることができる。
高濃度のｐ型炭素ドープＡｌＧａＡｓエピタキシャル層
を半絶縁性ＧａＡｓ基板とバッファ層との間に形成する
ことにより、このエピタキシャルウェハを用いて形成し
たＦＥＴの耐圧を向上させることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００２６】高い耐圧のＦＥＴやＨＥＭＴが得られる化
合物半導体エピタキシャルウェハの提供を実現すること
ができる。
合物半導体エピタキシャルウェハの提供を実現すること
ができる。
【図１】本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハの
一実施の形態を示す構造図である。
一実施の形態を示す構造図である。
【図２】本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハと
してのｐ型ＡｌＧａＡｓ高濃度炭素ドープエピタキシャ
ル層を半絶縁性ＧａＡｓ基板とバッファ層との間に挿入
したＦＥＴ構造エピタキシャルウェハを用いたＦＥＴの
耐圧特性を示す図である。
してのｐ型ＡｌＧａＡｓ高濃度炭素ドープエピタキシャ
ル層を半絶縁性ＧａＡｓ基板とバッファ層との間に挿入
したＦＥＴ構造エピタキシャルウェハを用いたＦＥＴの
耐圧特性を示す図である。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ 炭素ドープｐ型ＡｌＧａＡｓ層 ３ バッファ層 ４ ｎ−ＧａＡｓチャネル層 ５ ｎ−ＧａＡｓキャップ層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AB10 AB17 AC19 AF04 BB16 CA07 DA53 DA59 5F102 FA01 GB01 GC01 GD01 GJ05 GK06 GK08 GL05 GM05 GN05 GQ01 HC01 HC07
Claims (4)
- 【請求項１】 気相エピタキシャル法によって形成され
る電界効果トランジスタ用あるいは高移動度トランジス
タ用の化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、Ｇ
ａＡｓ基板とエピタキシャルバッファ層との間に、高濃
度のカーボンがドープされたＡｌＧａＡｓエピタキシャ
ル層が形成されたことを特徴とする化合物半導体エピタ
キシャルウェハ。 - 【請求項２】 ＣＢｒ4 を用いて高濃度の炭素がドープ
されたＡｌＧａＡｓエピタキシャル層が成長した請求項
１に記載の化合物半導体エピタキシャルウェハ。 - 【請求項３】 上記ＣＢｒ4 によりドーピングされる炭
素の濃度は２×１０19ｃｍ-3〜７×１０19ｃｍ-3の範囲
内である請求項２に記載の化合物半導体エピタキシャル
ウェハ。 - 【請求項４】 上記ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層はＡ
ｌ組成比が０．２〜０．７の範囲内であり、厚さが１〜
１０ｎｍの範囲内である請求項２または３に記載の化合
物半導体エピタキシャルウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11128812A JP2000323499A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 化合物半導体エピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11128812A JP2000323499A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 化合物半導体エピタキシャルウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323499A true JP2000323499A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14994038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11128812A Pending JP2000323499A (ja) | 1999-05-10 | 1999-05-10 | 化合物半導体エピタキシャルウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323499A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004106515A1 (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Scimedia Ltd. | 抗ｂａｍｂｉ抗体、及びそれを含有する大腸癌及び肝臓癌の診断剤又は治療剤 |
| WO2004112150A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 電界効果トランジスタ |
| JP2006245155A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Hitachi Cable Ltd | 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ及び電界効果トランジスタ |
| JP2011171549A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体薄膜の形成方法 |
| CN101118940B (zh) * | 2006-08-04 | 2011-10-12 | 信越半导体股份有限公司 | 外延基板及液相外延生长方法 |
-
1999
- 1999-05-10 JP JP11128812A patent/JP2000323499A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004106515A1 (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Scimedia Ltd. | 抗ｂａｍｂｉ抗体、及びそれを含有する大腸癌及び肝臓癌の診断剤又は治療剤 |
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| JPWO2004112150A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2006-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| US7321142B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-01-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Field effect transistor |
| JP4730097B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2011-07-20 | 住友電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP2006245155A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Hitachi Cable Ltd | 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ及び電界効果トランジスタ |
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| JP2011171549A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体薄膜の形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040406 |