JP2008034507A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コスト増を招くことなく高いインダクタンス値を得る。
【解決手段】半導体基板１０にインダクタ素子４０が形成される。粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、インダクタ素子４０を覆う磁性樹脂体３０、６６を備える。また、巻き線４１における配線間の隙間を埋めるように、透磁率の低い材料として非磁性の樹脂層４２が製膜されている。樹脂剤４２は磁性樹脂層３０を形成する材料の中、磁性体が添加されない樹脂で形成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置とその製造方法に関するものである。

近年、携帯情報端末をはじめ、各種の携帯型電子機器の普及が著しい。このような電子機器においては、携帯性の向上や高機能化が強く求められる技術傾向にあることから、電子機器に実装される半導体装置においても、一層の小型、軽量、薄型化が要望されている。このような傾向、要望に対応するための半導体装置のパッケージ構造（封止構造）として、パッケージの外形寸法を集積回路が形成された半導体基板（半導体チップ）の寸法とほぼ等しくすることができるチップサイズパッケージ（Chip Size Package）が知られている。

このように、電子機器の小型化が進む中で、半導体装置に高性能なコンデンサ及びインダクタを集積化することが求められている。半導体基板上に形成されるインダクタの多くはスパイラル形状をなしている。また、このインダクタの特性を現すパラメータとしては、Ｑ値（インダクタンスと抵抗値との比）がある。

半導体装置に複数回周回された、例えば、スパイラル状のインダクタを用いるとＱ値が低下してしまうため、従来から種々の構造上の工夫がなされている。例えば、特許文献１には、強磁性金属と絶縁性化合物とを交互に積層して磁性膜層を形成する技術が開示され、特許文献２には磁性膜の下に積層された無機絶縁膜の下面がコイルの上面のみで保持される技術が開示されている。また、特許文献３には、導電性金属膜が絶縁膜を挟んで積層され、積層された導電性金属膜の両端がそれぞれ互いに接続される技術が開示されている。さらに、特許文献４には、積層磁性膜層の構成が開示されている。
特開２００３−２４９４０８号公報 特開平７−２４９５２３号公報 特許第３５８００５４号公報 特許第３７３０３６６号公報

しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
特許文献１記載の磁性薄膜インダクタでは、強磁性金属と絶縁性化合物とを積層する構造であるため、加工プロセスが長くコストがかかるという問題が生じ、また特許文献４記載の磁気素子では構造が繁雑であり、やはり製造コストが大きくなってしまうという問題が生じる。
一方、特許文献２記載の薄膜磁気素子では、コイルの上側にのみ磁性膜が形成されるため、インダクタンス値の向上を多く望めないという問題がある。また、特許文献３記載の薄膜磁気素子では、磁性膜形成にスパッタ等を用いるため、生産性が悪くコスト的に不利である。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、コスト増を招くことなく高いインダクタンス値が得られる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の半導体装置は、半導体基板にインダクタ素子が形成された半導体装置であって、粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、前記インダクタ素子を覆う磁性樹脂体を備えることを特徴とするものである。
従って、本発明の半導体装置では、インダクタ素子から発生する磁力線の磁路が磁性樹脂体内で閉じることになるため、磁束密度を大きくすることが可能になり、高いインダクタンス値（Ｌ値）を得ることができる。また、本発明では、粉末状の磁性体が分散された樹脂材を印刷法、スピンコート法、液滴吐出法等により塗布するという簡単な工法で磁性樹脂体を形成できるため、コストの増加を回避することができる。

前記磁性樹脂体としては、前記インダクタ素子の一方の面側に配置された第１磁性樹脂層と、前記インダクタ素子の他方の面側に配置され前記第１磁性樹脂層との間で前記インダクタ素子を挟持する第２磁性樹脂層と、少なくとも一箇所で前記第１磁性樹脂層及び前記第２磁性樹脂層とを接続する接続部とを有する構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、インダクタ素子から発生する磁力線が閉ループを形成して集中させやすくなるため、磁束密度が向上し、より高いインダクタンス値（Ｌ値）を得ることができる。

前記インダクタ素子としては、スパイラル状にパターニングされた配線を有し、前記接続部を除く前記配線間の隙間には、非磁性樹脂が装填される構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、前記第１磁性樹脂層と前記第２磁性樹脂層との間で磁束線の短絡を抑制することが可能になり、より磁力線を集中させることができる。

また、上記においては、前記配線が前記非磁性樹脂を間に挟んで複数層に亘って積層される構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、各層でインダクタ素子から発生する磁力線の短絡を抑制しつつ、インダクタ素子を複数設けることにより、インダクタンス値を大幅に向上させることが可能になる。

また、前記非磁性樹脂としては、前記磁性樹脂体を形成する前記樹脂材と同一材料である構成を好適に採用できる。
従って、本発明では、磁性樹脂体と非磁性樹脂とで同一の樹脂材を用いることができるため、コストダウンに寄与できる。

一方、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板にインダクタ素子が形成された半導体装置の製造方法であって、粉末状の磁性体が分散された樹脂材により、前記インダクタ素子を覆う磁性樹脂体を形成する工程を有することを特徴とするものである。
これにより、本発明では、インダクタ素子から発生する磁力線の磁路が磁性樹脂体内で閉じることになるため、磁束密度を大きくすることが可能になり、高いインダクタンス値（Ｌ値）を得ることができる。また、本発明では、粉末状の磁性体が分散された樹脂材を印刷法、スピンコート法、液滴吐出法等により塗布するという簡単な工法で磁性樹脂体を形成できるため、コストの増加を回避することができる。

また、本発明では、前記インダクタ素子の一方の面側に第１磁性樹脂層を形成する工程と、前記インダクタ素子の他方の面側に、前記第１磁性樹脂層との間で前記インダクタ素子を挟持する第２磁性樹脂層を形成する工程と、少なくとも一箇所で前記第１磁性樹脂層及び前記第２磁性樹脂層とを接続する接続部を形成する工程とを有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、インダクタ素子から発生する磁力線が閉ループを形成して集中させやすくなるため、磁束密度が向上し、より高いインダクタンス値（Ｌ値）を得ることができる。

また、本発明では、スパイラル状に配線をパターニングして、前記インダクタ素子を形成する工程と、前記接続部を除く前記配線間の隙間に非磁性樹脂を装填する工程とを有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、前記第１磁性樹脂層と前記第２磁性樹脂層との間で磁束線の短絡を抑制することが可能になり、より磁力線を集中させることができる。

また、本発明では、前記配線を、前記非磁性樹脂を間に挟んで複数層に亘って積層する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、各層でインダクタ素子から発生する磁力線の短絡を抑制しつつ、インダクタ素子を複数設けることにより、インダクタンス値を大幅に向上させることが可能になる。

そして、本発明では、前記非磁性樹脂が前記磁性樹脂体を形成する前記樹脂材と同一材料である構成を採用できる。
従って、本発明では、磁性樹脂体と非磁性樹脂とで同一の樹脂材を用いることができるため、コストダウンに寄与できる。

以下、本発明の半導体装置とその製造方法の実施の形態を、図１ないし図６を参照して説明する。
ここでは、Ｗ−ＣＳＰ（Wafer level Chip Scale Package）技術により半導体基板上にインダクタ素子が形成された電子基板について説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

（第１実施形態）
図１（ａ）は第１実施形態に係る半導体装置としての電子基板１の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＥ−Ｅ線における断面図である。
電子基板１は、シリコンやガラス、石英、水晶等からなる基体（半導体基板）１０を備えている。その基体１０の能動面には、電子回路（不図示）が形成されている。その電子回路は、少なくとも配線パターンが形成されたものであり、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）等の半導体素子や、複数のパッシブコンポーネント（部品）、それらを相互に接続する配線等によって構成されている。

基体１０の能動面の中央部には、後述する磁性樹脂層（第１磁性樹脂層）３０が形成されている。この磁性樹脂層３０は、能動面の全体に形成されていても良い。また基体１０の能動面の周縁部には、電子回路を外部に電気的接続するための電極１１，２１（図１（ａ）では左側の電極１１、２１のみ図示）と、外部から電力供給を受けるための複数の電極６２とが整列配置されている。

電極１１，２１から、磁性樹脂層３０の表面にかけて、複数のインダクタ素子４０，８０が形成されている。なお、インダクタ素子８０は、インダクタ素子４０と同様の構成であるため、以下においては、インダクタ素子４０についてのみ説明する。
図２はインダクタ素子の説明図であり、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。図２（ｂ）に示すように、基体１０の能動面には、電子回路を保護するため、ＳｉＮ等の電気絶縁性材料からなるパッシベーション膜８が形成されている。また基体１０の能動面の周縁部には、電子回路を外部に電気的接続するための電極１１が形成されている。その電極１１の表面には、パッシベーション膜８の開口部が形成されている。

その開口部からパッシベーション膜８の表面にかけて、連結配線１２ａが形成されている。この連結配線１２ａは、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）等の導電性材料の単体または複合材料により、単層もしくは複数層に形成されている。なお電解メッキ法により連結配線１２ａを形成する場合には、連結配線１２ａは下地層の表面に形成されることが多いが、図２（ｂ）では下地層の記載を省略している。

その連結配線１２ａを覆うように、磁性樹脂層３０が形成されている。この磁性樹脂層３０は、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の非磁性樹脂材にアモルファス磁石やフェライト等の粉末状の磁性体が、導電性を有さない程度の量で添加され分散されたものであり、この磁性樹脂層３０には連結配線１２ａの端部を露出させる貫通孔３１ａが形成されている。なお、磁性樹脂層３０は、便宜上、図１（ａ）及び図２（ａ）では、図示を省略している。

その誘電体層３１の表面に、インダクタ素子４０の巻き線（配線）４１がパターニングして形成されている。巻き線４１の構成材料は、連結配線１２ａと同様であるが、巻き線４１として必要な抵抗レンジや耐許容電流値等の特性に応じて適宜選択することができる。

図２（ａ）に示すように、巻き線４１は平面視において略矩形の渦巻状（スパイラル状）に形成されているが、略円形や略多角形の渦巻状に形成されていてもよい。また図２（ｂ）に示すように、巻き線４１は側面視において同一平面状に形成されている。すなわち、本実施形態のインダクタ素子４０として、平面型インダクタ素子（スパイラルインダクタ素子）が採用されている。

図２（ａ）に示すように、巻き線４１の外側端部は、連結配線２２ａを介して電極２１に連結されている。また巻き線４１の内側端部は、貫通孔３１ａを通って連結配線１２ａの一方端部に連結されている。この連結配線１２ａの他方端部は、巻き線４１の外側に引き出されて、電極１１に連結されている。連結配線１２ａを外側に引き出す際、磁性樹脂層３０により連結配線１２ａと巻き線４１との短絡が防止されている。そして、電極１１，２１からインダクタ素子４０に通電することにより、インダクタ素子４０が例えばアンテナとして機能し、適用可能周波数の電磁波が出力されるようになっている。

また、巻き線４１における配線間の隙間を埋めるように、インダクタ素子４０が通電されたときに発生する磁力線の短絡を抑制するために、透磁率の低い材料として非磁性の樹脂材４２が成膜されている。樹脂材４２は、磁性樹脂層３０を形成する材料の中、磁性体が添加されないポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等で形成される。

電極６２には、電極６２間のピッチを広げことを主たる目的として、再配置配線６４が接続されている。具体的には、電子基板１の表面中央部に、接続端子６３を構成する複数のパッドが形成されている。その接続端子６３に対して、電極６２から引き出された再配置配線６４が連結されている。これにより、狭ピッチの電極６２が中央部に引き出されて広ピッチ化されている。

図１（ｂ）に示すように、接続端子６３の表面にはバンプ７８が形成されている。このバンプ７８は、例えばハンダバンプであり、印刷法等によって形成されている。このバンプ７８がリフロー等により溶解されて、相手側部材の接続端子に連結されるようになっている。

また、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、磁性樹脂層３０上にはバンプ７８の周囲を囲み接続端子６３等を覆うとともに、インダクタ素子４０の上面（他方の面）を覆う磁性樹脂層（第２磁性樹脂層）６６が形成されている。この磁性樹脂層６６は、磁性樹脂層３０との間でインダクタ素子４０を挟持した状態で配置されており、この磁性樹脂層３０と同一の材料で形成されている。なお、磁性樹脂層６６は、便宜上、図１（ａ）及び図２（ａ）では、図示を省略している。

また、磁性樹脂層６６は、電子基板１を相手側部材に実装する際にハンダバンプ７８の隔壁としても機能している。この磁性樹脂層６６により、電子基板１の表面全体が覆われている。
これら磁性樹脂層３０、６６は、インダクタ素子４０の外側、及びインダクタ素子４０の中央部に位置する貫通孔３１ａにおいて連結配線１２ａの周囲で接続する接続部４３を形成している。これら磁性樹脂層３０、６６及び接続部４３により、本発明に係る磁性樹脂体が構成される。

（電子基板の製造方法）
次に、電子基板の製造方法について説明する。
図３および図４は、電子基板の製造方法の工程図であり、図１のＦ−Ｆ線に相当する部分における断面図である。なお電子基板の製造には、Ｗ−ＣＳＰ技術を利用する。すなわち、ウエハに対し一括して以下の各工程を行い、最後に個々の電子基板に分離する。

まず図３（ａ）に示すように、ウエハ１０ａのパッシベーション膜８の表面に連結配線１２ａを形成する。その前提として、パッシベーション膜８の表面全体に下地膜（不図示）を形成する。この下地膜は、下層のバリア層と上層のシード層とで構成される。バリア層は、連結配線１２ａを構成するＣｕの拡散を防止するものであり、ＴｉＷやＴｉＮ等により厚さ１００ｎｍ程度に形成する。シード層は、連結配線１２ａを電解メッキ法で形成する際の電極として機能するものであり、Ｃｕ等により厚さ数１００ｎｍ程度に続けて形成する。それらはスパッタ法、ＣＶＤ法、無電解メッキ法などで形成されることが多い。次に、連結配線１２ａの形成領域に開口部を有するマスクを形成する。次に、下地膜のシード層を電極として電解Ｃｕメッキを行い、マスクの開口部にＣｕを埋め込んで連結配線１２ａを形成する。これは、無電解メッキ法などで形成しても良い。マスクを除去した後に、連結配線１２ａをマスクとして下地膜をエッチングする。

次に図３（ｂ）に示すように、ウエハ１０ａの表面に磁性樹脂層３０を形成する。また連結配線１２ａの一方端部が露出するように、磁性樹脂層３０の貫通孔３１ａを形成する。この磁性樹脂層３０の形成は、印刷法やスピンコート法、液滴吐出法、フォトリソグラフィ等を用いて行うことが可能である。特に、磁性樹脂層３０の構成材料として感光性を有する樹脂材料を採用すれば、フォトリソグラフィを用いて簡単かつ正確に磁性樹脂層３０をパターニングすることができる。この後、磁性樹脂層３０を乾燥・焼成して硬化させる。

次に、図３（ｃ）に示すように、磁性樹脂層３０の表面に、再配置配線および接続端子６３（以下「接続端子６３等」という。）を形成する。この接続端子６３等の形成工程において、接続端子６３等と同時に、磁性樹脂層３０の表面に巻き線４１を形成する。その具体的な方法は、上述した連結配線１２ａの形成方法と同様である。このように、接続端子６３等と同時に巻き線４１を形成することにより、製造工程を簡略化して製造コストを低減することができる。また、メッキやフォトリソグラフィ等を利用して正確に巻き線４１を形成することが可能になり、所望の特性を備えたインダクタ素子を形成することができる。なお、磁性樹脂層３０の表面に形成された巻き線４１をレーザ等でトリミングすることにより、インダクタ素子４０の特性のチューニング（特性調整）を行うことも可能である。

次に、図４（ａ）に示すように、磁性樹脂層３０上にポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等を塗布し、フォトリソグラフィ等によりパターニングすることにより、図２（ａ）に示したように、接続部４３を除く巻き線４１の配線間に非磁性樹脂材４２を形成する。

続いて、図４（ｂ）に示すように、ウエハ１０ａの表面全体に、磁性樹脂層３０の形成材料と同一材料（非磁性樹脂に粉末状の磁性体を分散させた材料）を塗布することにより磁性樹脂層６６を形成する。これにより、磁性樹脂層３０、６６が、インダクタ素子４０（巻き線４１）の外側及び中心部において接続する接続部４３が形成される。
続いて、接続端子６３の上方に、磁性樹脂層６６の開口部６７を形成する。

そして、図４（ｃ）に示すように、その開口部６７の内側における接続端子６３の表面に、バンプ７８を形成する。
その後、ウエハから個々の基体１０を分離する。基体１０の分離は、ダイシング等によって行うことができる。以上により、本実施形態に係る電子基板１が完成する。

上記の構成の電子基板１においては、インダクタ素子４０の両面に配置された磁性樹脂層３０、６６に磁性体が分散されて磁性層として機能するため、インダクタ素子４０が通電されたときに発生する、図２（ｂ）に二点鎖線で示す磁力線が磁性樹脂層３０、６６で閉磁路を形成することになる。特に、上記実施形態では、インダクタ素子４０の外側及び中心部に磁性樹脂層３０、６６を接続する接続部４３が形成されることから、磁力線が集中する閉ループを形成しやすくなる。

従って、本実施形態では、磁束密度を大きくすることが可能になり、高いインダクタンス値（Ｌ値）を得ることができる。加えて、本実施形態では、巻き線４１の配線間に透磁率が低い非磁性樹脂４２を装填しているため、当該配線間で磁力線が短絡することを抑制でき、より磁力線を集中させることが可能になることから、より高いインダクタンス値を得ることができる。

また、本実施形態では、磁性体が分散された樹脂材を塗布するという簡単な工法で磁性樹脂層３０、６６（及び接続部４３）を形成できるため、コストの増加を回避することができるとともに、厚さの大きい磁性層を容易、且つ短時間に形成することが可能になり、高いインダクタ特性が得られるとともに、生産性の向上に寄与できる。
加えて、本実施形態では、磁性樹脂層３０、６６の基材及び非磁性樹脂４２が同一材料であるため、塗布条件等の設定が容易になるとともに、使用する材料の種類を減らすことが可能になり、生産性の向上を一層図ることができる。

さらに、本実施形態では、上記のように磁力線が磁性樹脂層３０、６６内で閉じてシールドされることから、基体１０に含まれるトランジスタ回路等の電子回路に悪影響を及ぼすことを防止でき、高品質の電子基板１を得ることが可能になる。

（第２実施形態）
続いて、電子基板１の第２実施形態について、図５を参照して説明する。
本実施形態では、インダクタ素子４０を複数層に亘って設けている点で第１実施形態と相違している。
なお、この図において、図１乃至図４に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。

図５に示すように、本実施形態のインダクタ素子４０は、下面が磁性樹脂層３０に対向して形成された巻き線（配線）４１Ａと、非磁性樹脂４２を介して巻き線４１Ａ上に積層された巻き線４１Ｂとから構成されている。巻き線４１Ａ、４１Ｂは、平面視で重なるように形成されている。また、巻き線４１Ｂは、図示しない電極により、基体１０の電子回路に接続されている。
これら巻き線４１Ａ、４１Ｂの間には、磁性樹脂層３０、６６が接続される接続部４３を除いた領域に上記非磁性樹脂４２が装填される。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。

本実施の形態では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、非磁性樹脂４２により各巻き線４１Ａ、４１Ｂから発生する磁力線の短絡を抑制しつつ、インダクタンス値を大幅に向上させることが可能になる。

（電子機器）
次に、上述した電子基板を備えた電子機器の例について説明する。
図６は、携帯電話の斜視図である。上述した電子基板は、携帯電話１３００の筐体内部に配置されている。この構成によれば、高いインダクタンス値を有し、またコスト増が抑制された電子基板を備えているので、低コストで高品質の携帯電話を提供することができる。

なお、上述した電子基板は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。いずれの場合でも、低コスト、高品質の電子機器を提供することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態では、応力緩和層として機能させるために、磁性樹脂層３０を必要領域にパターニングして形成する構成としたが、これに限定されるものではなく、基体１０上に全面的に成膜する構成としてもよい。
また、上記実施形態では、巻き線４１Ａ、４１Ｂの二層を積層する構成を例示したが、三層以上に積層する構成としてもよいことは言うまでもない。

第１実施形態に係る電子基板を示す図である。 インダクタ素子の説明図である。 電子基板の製造方法の工程図である。 電子基板の製造方法の工程図である。 第２実施形態に係る電子基板を示す図である。 携帯電話の斜視図である。

符号の説明

１…電子基板（半導体装置）、 １０…基体（半導体基板）、 ３０…磁性樹脂層（第１磁性樹脂層）、 ４０、８０…インダクタ素子、 ４１、４１Ａ、４１Ｂ…巻き線（配線）、 ４２…非磁性樹脂、 ４３…接続部、 ６６…磁性樹脂層（第２磁性樹脂層）

Claims (10)

1. 半導体基板にインダクタ素子が形成された半導体装置であって、
   粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、前記インダクタ素子を覆う磁性樹脂体を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記磁性樹脂体は、前記インダクタ素子の一方の面側に配置された第１磁性樹脂層と、前記インダクタ素子の他方の面側に配置され前記第１磁性樹脂層との間で前記インダクタ素子を挟持する第２磁性樹脂層と、少なくとも一箇所で前記第１磁性樹脂層及び前記第２磁性樹脂層とを接続する接続部とを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２記載の半導体装置において、
   前記インダクタ素子は、スパイラル状にパターニングされた配線を有し、
   前記接続部を除く前記配線間の隙間には、非磁性樹脂が装填されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３記載の半導体装置において、
   前記配線は、前記非磁性樹脂を間に挟んで複数層に亘って積層されることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３または４記載の半導体装置において、
   前記非磁性樹脂は、前記磁性樹脂体を形成する前記樹脂材と同一材料であることを特徴とする半導体装置。
6. 半導体基板にインダクタ素子が形成された半導体装置の製造方法であって、
   粉末状の磁性体が分散された樹脂材により、前記インダクタ素子を覆う磁性樹脂体を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
   前記インダクタ素子の一方の面側に第１磁性樹脂層を形成する工程と、
   前記インダクタ素子の他方の面側に、前記第１磁性樹脂層との間で前記インダクタ素子を挟持する第２磁性樹脂層を形成する工程と、
   少なくとも一箇所で前記第１磁性樹脂層及び前記第２磁性樹脂層とを接続する接続部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
   スパイラル状に配線をパターニングして、前記インダクタ素子を形成する工程と、
   前記接続部を除く前記配線間の隙間に非磁性樹脂を装填する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
   前記配線を、前記非磁性樹脂を間に挟んで複数層に亘って積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項８または９記載の半導体装置の製造方法において、
    前記非磁性樹脂は、前記磁性樹脂体を形成する前記樹脂材と同一材料であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
    

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