JP2008021863A - 半導体装置及び保護回路 - Google Patents
半導体装置及び保護回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008021863A JP2008021863A JP2006193012A JP2006193012A JP2008021863A JP 2008021863 A JP2008021863 A JP 2008021863A JP 2006193012 A JP2006193012 A JP 2006193012A JP 2006193012 A JP2006193012 A JP 2006193012A JP 2008021863 A JP2008021863 A JP 2008021863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- collector
- power supply
- potential power
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 142
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 20
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0259—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】入出力端子I/Oの保護回路において3種類のPNP型バイポーラトランジスタを備える。第1PNP型バイポーラトランジスタ10Aは、エミッタが入出力端子I/Oに接続され、ベースが高電位電源端子VDDに接続され、かつ、コレクタが低電位電源端子VSSに接続されている。第2PNP型バイポーラトランジスタ10Bは、エミッタが入出力端子I/Oに接続され、かつ、ベース及びコレクタが高電位電源端子VDDに接続されている。第3PNP型バイポーラトランジスタ10Cは、エミッタが低電位電源端子VSSに接続され、ベース及びコレクタが高電位電源端子VDDに接続されている。
【選択図】図1
Description
次に、従来の半導体装置について図面を用いて説明する。図5は、従来例1に係る半導体装置の静電破壊保護回路を模式的に示した等価回路図である。図6は、従来例1に係る半導体装置の静電破壊保護回路を模式的に示した(a)部分平面図、及び(b)A−A´間の断面図である。なお、従来例1は、特許文献1に関するものである。
図7は、従来例2に係る半導体装置の静電破壊保護回路を模式的に示した等価回路図である。図8は、従来例2に係る半導体装置の静電破壊保護回路を模式的に示した部分平面図である。図9は、従来例2に係る半導体装置の静電破壊保護回路を模式的に示した図8のB−B´間の断面図である。なお、従来例2は、特許文献2に記載の保護回路をNPN型バイポーラトランジスタからPNP型バイポーラトランジスタに変更したものであり、従来例1と比較しやすくしたものである。
次に、本発明の実施形態1に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の保護回路を模式的に示した等価回路図である。図2は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の保護回路の構成を示した平面図である。図3は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の保護回路の構成を示した図2のA−A´間の断面図である。図4は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の保護回路の構成を示した図2のB−B´間の断面図である。
10B 第2PNP型バイポーラトランジスタ
10C 第3PNP型バイポーラトランジスタ
11 寄生抵抗
12 内部回路
21 P型半導体基板
22 Nウェル
23 素子分離絶縁膜
24E P+拡散層(エミッタ、エミッタ拡散層)
24C1 P+拡散層(コレクタ、第1コレクタ拡散層)
24C2 P+拡散層(コレクタ、第2コレクタ拡散層)
24B N+拡散層(ベース、ベース拡散層)
25 層間絶縁膜
26 コンタクトプラグ
27a、27b、27c 配線
28 層間絶縁膜
29 コンタクトビア
30a、30b 配線
I/O 入出力端子
VDD 高電位電源端子
VSS 低電位電源端子
102 入出力端子
103 高電位電源端子
104 低電位電源端子
106 内部素子
107 寄生ダイオード(Nウェル−高濃度P型拡散層ダイオード)
108 寄生抵抗(寄生Nウェル抵抗)
110 PNP型バイポーラトランジスタ
201 P型半導体基板
202 入出力端子
203 高電位電源配線
204 低電位電源配線
205 素子分離酸化膜
206 層間絶縁膜
211 高濃度P型エミッタ
212 高濃度N型ベース
213 高濃度P型コレクタ
235 Nウェル
301 入出力端子
302 P+拡散層
302a エミッタ
302b コレクタ
303 P+コンタクト
304 高電位電源端子
305、305b 入力配線
306、306b 出力配線
307 内部回路
308 保護素子
311 Pサブストレート
311a Nウェル(ベース)
312 フィールド酸化膜
Claims (6)
- 入出力端子の保護回路が配設される領域に形成されたウェルと、
前記ウェル上に形成されるとともに前記ウェルと逆導電型の複数個のエミッタ拡散層と、
前記ウェル上に形成されるとともに前記ウェルと逆導電型の複数個の第1コレクタ拡散層と、
前記ウェル上に形成されるとともに前記ウェルと逆導電型の複数個の第2コレクタ拡散層と、
前記ウェル上に形成されるとともに前記ウェルと同導電型のベース拡散層と、
前記エミッタ拡散層、前記第1コレクタ拡散層、前記第2コレクタ拡散層および前記ベース拡散層のそれぞれを分離する絶縁層と、
を備え、
前記エミッタ拡散層、前記第1コレクタ拡散層、および前記ベース拡散層で第1バイポーラトランジスタを構成し、
前記エミッタ拡散層、前記第2コレクタ拡散層、および前記ベース拡散層で第2バイポーラトランジスタを構成し、
前記第1コレクタ拡散層、前記第2コレクタ拡散層、および前記ベース拡散層で第3バイポーラトランジスタを構成し、
前記エミッタ拡散層は、前記入出力端子に電気的に接続され、
前記第1コレクタ拡散層は、低電位電源端子に電気的に接続され、
前記第2コレクタ拡散層及び前記ベース拡散層は、高電位電源端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記エミッタ拡散層と前記第1コレクタ拡散層は、ドット状で行方向及び列方向において交互に配されており、
前記第2コレクタ拡散層は、ドット状で各行に1個存在し、第1の行では一端側に存在し、第2の行では他端側に存在し、かつ、所定の前記エミッタ拡散層と隣り合うように配されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記ベース拡散層は、前記エミッタ拡散層、前記第1コレクタ拡散層、及び前記第2コレクタ拡散層の外周にてストライプ状に配されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- コンタクトプラグを介して前記エミッタ拡散層と電気的に接続されるとともに前記入出力端子に電気的に接続される第1配線と、
コンタクトプラグを介して前記第1コレクタ拡散層と電気的に接続されるとともに前記低電位電源端子に電気的に接続される第2配線と、
コンタクトプラグを介して前記第2コレクタ拡散層及び前記ベース拡散層と電気的に接続されるとともに前記高電位電源端子に電気的に接続される第3配線と、
を備え、
前記第1配線、前記第2配線、前記第3配線は、同一配線層に形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置。 - コンタクトビアを介して前記第3配線と電気的に接続されるとともに前記高電位電源端子に電気的に接続される第4配線と、
コンタクトビアを介して前記第2配線と電気的に接続されるとともに前記低電位電源端子に電気的に接続される第5配線と、
を備え、
前記第4配線、前記第5配線は、同一配線層に形成されることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 3種類のPNP型バイポーラトランジスタを備え、
前記3種類のPNP型バイポーラトランジスタのうち第1PNP型バイポーラトランジスタは、エミッタが前記入出力端子に接続され、ベースが高電位電源端子に接続され、かつ、コレクタが低電位電源端子に接続されており、
前記3種類のPNP型バイポーラトランジスタのうち第2PNP型バイポーラトランジスタは、エミッタが入出力端子に接続され、かつ、ベース及びコレクタが高電位電源端子に接続されており、
前記3種類のPNP型バイポーラトランジスタのうち第3PNP型バイポーラトランジスタは、エミッタが低電位電源端子に接続され、ベース及びコレクタが高電位電源端子に接続されていることを特徴とする保護回路。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006193012A JP5041749B2 (ja) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 半導体装置 |
TW096124429A TWI355062B (en) | 2006-07-13 | 2007-07-05 | Semiconductor device and protection circuit |
US11/826,182 US7642621B2 (en) | 2006-07-13 | 2007-07-12 | Semicondutor device and protection circuit |
KR1020070070237A KR100885829B1 (ko) | 2006-07-13 | 2007-07-12 | 반도체 디바이스 및 보호 회로 |
CN2007101366072A CN101106128B (zh) | 2006-07-13 | 2007-07-13 | 半导体器件和保护电路 |
US12/588,485 US7875904B2 (en) | 2006-07-13 | 2009-10-16 | Protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006193012A JP5041749B2 (ja) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008021863A true JP2008021863A (ja) | 2008-01-31 |
JP5041749B2 JP5041749B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=38949011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006193012A Expired - Fee Related JP5041749B2 (ja) | 2006-07-13 | 2006-07-13 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7642621B2 (ja) |
JP (1) | JP5041749B2 (ja) |
KR (1) | KR100885829B1 (ja) |
CN (1) | CN101106128B (ja) |
TW (1) | TWI355062B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009239049A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
KR101043776B1 (ko) | 2009-04-30 | 2011-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 정전기 보호회로 |
JP2014179601A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Boeing Co | 回路のための過渡事象保護をもたらす方法および装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8818871B2 (en) * | 2001-06-21 | 2014-08-26 | Thomson Licensing | Method and system for electronic purchases using an intelligent data carrier medium, electronic coupon system, and interactive TV infrastructure |
US8378422B2 (en) * | 2009-02-06 | 2013-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrostatic discharge protection device comprising a plurality of highly doped areas within a well |
JP5595751B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2014-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Esd保護素子 |
DE102009015839B4 (de) * | 2009-04-01 | 2019-07-11 | Austriamicrosystems Ag | Integrierte ESD-Schutzschaltung |
TWI416697B (zh) * | 2009-10-21 | 2013-11-21 | Silicon Motion Inc | 靜電放電保護裝置 |
US9324845B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-04-26 | Infineon Technologies Ag | ESD protection structure, integrated circuit and semiconductor device |
EP3107122B1 (en) * | 2015-06-17 | 2019-06-12 | Nxp B.V. | An electrostatic discharge protection device |
CN109449202B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-10-22 | 广州工商学院 | 一种逆导双极型晶体管 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156181A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003163271A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体保護装置 |
JP2006005028A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Nec Electronics Corp | 半導体保護装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW289153B (ja) | 1994-09-26 | 1996-10-21 | Ibm | |
US6049119A (en) * | 1998-05-01 | 2000-04-11 | Motorola, Inc. | Protection circuit for a semiconductor device |
KR20010057940A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-05 | 박종섭 | 반도체장치의 정전기 방지회로 |
KR100313154B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2001-11-07 | 박종섭 | 정전기방전 보호회로 |
KR20010066333A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 박종섭 | 이에스디(esd) 보호회로 |
US6323523B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-11-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | N-type structure for n-type pull-up and down I/O protection circuit |
JP2001223277A (ja) | 2001-01-09 | 2001-08-17 | Nec Corp | 入出力保護回路 |
US6458632B1 (en) * | 2001-03-14 | 2002-10-01 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | UMOS-like gate-controlled thyristor structure for ESD protection |
US6800906B2 (en) * | 2002-10-18 | 2004-10-05 | United Microelectronics Corp. | Electrostatic discharge protection circuit |
KR100812604B1 (ko) * | 2004-10-30 | 2008-03-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 정전기 보호회로 |
US7291888B2 (en) * | 2005-06-14 | 2007-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection circuit using a transistor chain |
JP4524661B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2010-08-18 | 株式会社デンソー | 発電制御装置 |
KR100639221B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체회로용 정전기 보호소자 |
KR100835282B1 (ko) * | 2007-01-23 | 2008-06-05 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방전 보호 장치 |
-
2006
- 2006-07-13 JP JP2006193012A patent/JP5041749B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-05 TW TW096124429A patent/TWI355062B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-07-12 US US11/826,182 patent/US7642621B2/en active Active
- 2007-07-12 KR KR1020070070237A patent/KR100885829B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-07-13 CN CN2007101366072A patent/CN101106128B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-16 US US12/588,485 patent/US7875904B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156181A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003163271A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体保護装置 |
JP2006005028A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Nec Electronics Corp | 半導体保護装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009239049A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
KR101043776B1 (ko) | 2009-04-30 | 2011-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 정전기 보호회로 |
JP2014179601A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Boeing Co | 回路のための過渡事象保護をもたらす方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080007137A (ko) | 2008-01-17 |
CN101106128B (zh) | 2010-07-28 |
US20080013234A1 (en) | 2008-01-17 |
US7875904B2 (en) | 2011-01-25 |
TWI355062B (en) | 2011-12-21 |
US20100032714A1 (en) | 2010-02-11 |
TW200818447A (en) | 2008-04-16 |
CN101106128A (zh) | 2008-01-16 |
US7642621B2 (en) | 2010-01-05 |
KR100885829B1 (ko) | 2009-02-26 |
JP5041749B2 (ja) | 2012-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5041749B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8008723B2 (en) | Semiconductor device including a plurality of diffusion layers and diffusion resistance layer | |
JP4209432B2 (ja) | 静電破壊保護装置 | |
JP4854934B2 (ja) | 静電気放電保護素子 | |
JP5190913B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2006303110A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008218564A (ja) | 半導体装置 | |
JP4209433B2 (ja) | 静電破壊保護装置 | |
JP2006074012A (ja) | 双方向型静電気放電保護素子 | |
JP2010182727A (ja) | 半導体装置 | |
US20080169509A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2008078361A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US10700053B2 (en) | Electrostatic protection element | |
JP5156331B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3760945B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007019413A (ja) | 保護回路用半導体装置 | |
JP5297495B2 (ja) | 静電気放電保護素子 | |
JP6705726B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4205732B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2009164278A (ja) | Mosトランジスタ及びこれを用いた半導体集積回路装置 | |
JP4620387B2 (ja) | 半導体保護装置 | |
JP2004200486A (ja) | 半導体装置 | |
JP2012028380A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009146977A (ja) | 半導体装置 | |
JP5252830B2 (ja) | 半導体集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090612 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |