JP2008010511A - 磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008010511A JP2008010511A JP2006177122A JP2006177122A JP2008010511A JP 2008010511 A JP2008010511 A JP 2008010511A JP 2006177122 A JP2006177122 A JP 2006177122A JP 2006177122 A JP2006177122 A JP 2006177122A JP 2008010511 A JP2008010511 A JP 2008010511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- wiring
- yoke
- write
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】任意方向に延在する配線5の一部を覆うようにヨーク20を配置し、配線の近傍には、配線5から生じる磁界によって情報の書込みが可能な磁気抵抗効果素子4を配置し、更に、ヨーク20の磁気抵抗をR、配線5に必要な書込み電流値をIwとした場合に、Iw≦a・R+b 但し、a(mA・H)=7.5E−11、b(mA)=0.1を満たすようにした。
【選択図】図5
Description
4 ・・・磁気抵抗効果素子
4A ・・・第1磁性層
4B ・・・第2磁性層
4C ・・・非磁性絶縁層
4D ・・・反強磁性層
5 ・・・読み書き兼用配線
13、14 ・・・ビット配線
15、16 ・・・ワード配線
20 ・・・強磁性ヨーク
20A ・・・素子側ヨーク
20B ・・・反素子側ヨーク
20C ・・・ヨーク接合部
20E ・・・隙間
20S ・・・傾斜領域
20T ・・・トップ領域
Claims (6)
- 任意方向に延在する配線と
前記配線の一部を覆う磁性層から成るヨークと、
前記配線の近傍に配置され、前記配線から生じる磁界によって情報の書込みが可能な磁気抵抗効果素子と、を備え、
前記ヨークの磁気抵抗をR(1/H)、前記配線に必要な書込み電流値をIw(mA)とした場合に、
Iw≦a・R+b 但し、a(mA・H)=7.5E−11、b(mA)=0.1
を満たす事を特徴とする磁気記憶装置。 - 前記ヨークの磁気抵抗をR(1/H)、前記配線に必要な書込み電流値をIw(mA)とした場合に、更に、
Iw≦a・R+b 但し、a(mA・H)=6.0E−11、b(mA)=0
を満たす事を特徴とする請求項1記載の磁気記憶装置。 - 前記ヨークの断面積Sが、2E+5nm2以下に設定されていることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気記憶装置。
- 前記ヨークにおける周方向の一部に空隙が形成されており、前記空隙内又は前記空隙間に前記磁気抵抗効果素子が配置されていることを特徴とする請求項1、2又は3記載の磁気記憶装置。
- 前記空隙を形成する前記ヨークの端部と、前記空隙に収容される前記磁気抵抗効果素子の間の距離が、30nm以下に設定されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の磁気記憶装置。
- 前記磁気抵抗効果素子の前記磁界方向の長さが、800nm以下に設定されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177122A JP5076373B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 磁気記憶装置、磁気記憶方法 |
US11/823,063 US7697323B2 (en) | 2006-06-27 | 2007-06-25 | Magnetic storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177122A JP5076373B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 磁気記憶装置、磁気記憶方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010511A true JP2008010511A (ja) | 2008-01-17 |
JP5076373B2 JP5076373B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=38985990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006177122A Expired - Fee Related JP5076373B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 磁気記憶装置、磁気記憶方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7697323B2 (ja) |
JP (1) | JP5076373B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009122519A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社 東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2964248B1 (fr) * | 2010-09-01 | 2013-07-19 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique et procede de lecture et d’ecriture dans un tel dispositif magnetique |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004235510A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sony Corp | 磁気記憶装置およびその製造方法 |
JP2005203535A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3466470B2 (ja) | 1998-03-18 | 2003-11-10 | 財団法人電気磁気材料研究所 | 薄膜磁気抵抗素子 |
JP2000090658A (ja) | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気メモリ素子 |
US6559511B1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-06 | Motorola, Inc. | Narrow gap cladding field enhancement for low power programming of a MRAM device |
JP3959335B2 (ja) | 2002-07-30 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
JP4438375B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2010-03-24 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイス |
-
2006
- 2006-06-27 JP JP2006177122A patent/JP5076373B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-25 US US11/823,063 patent/US7697323B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004235510A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sony Corp | 磁気記憶装置およびその製造方法 |
JP2005203535A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Toshiba Corp | 磁気メモリ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009122519A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 株式会社 東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
US7969768B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic random access memory |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080024935A1 (en) | 2008-01-31 |
JP5076373B2 (ja) | 2012-11-21 |
US7697323B2 (en) | 2010-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6304697B2 (ja) | 磁気メモリ素子および磁気メモリ | |
JP5702177B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5146836B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 | |
JP2010114143A (ja) | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法 | |
JP5076387B2 (ja) | 磁気記憶装置 | |
JP2007059865A (ja) | 磁気記憶装置 | |
JP2004111887A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法 | |
JP4729836B2 (ja) | 磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 | |
JP2007165449A (ja) | 磁気記憶装置 | |
JP5076373B2 (ja) | 磁気記憶装置、磁気記憶方法 | |
US20080037185A1 (en) | Magnetic memory and method for reading-writing information from-to magnetic storage element | |
JP5092384B2 (ja) | 磁気記憶装置、磁気記憶方法 | |
JP4720067B2 (ja) | 磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 | |
JP2005116982A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイス | |
JP2006339286A (ja) | 磁気メモリ及びその製造方法 | |
US7903453B2 (en) | Magnetic memory | |
JP4952053B2 (ja) | 磁気記憶装置 | |
JP2008218736A (ja) | 磁気記憶装置 | |
JP2006156893A (ja) | 磁気メモリ | |
JP2008235659A (ja) | ヨーク型磁気記憶装置の製造方法、ヨーク型磁気記憶装置 | |
JP2007123512A (ja) | 磁気記憶装置 | |
JP2006196683A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
EP1635356A1 (en) | Magnetic memory with magnetic yoke | |
JP2006100736A (ja) | 磁気メモリ | |
JP2006128220A (ja) | 磁気メモリ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120813 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |