JP2007538151A - ダイヤモンド被覆電極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、導電性ダイヤモンドで形成された被覆部を、少なくともその一方の面に有する基板(F)からなる電極で、該被覆部が、第1平均粒径を有する少なくとも1つの第1ダイヤモンド層(B、D)と、第2平均粒径を有する少なくとも1つの第2ダイヤモンド層(C、E)とからなり、該第1平均粒径が、第2平均粒径よりも大きく、第1ダイヤモンド層(B、D)が、第2ダイヤモンド層(C、E)で覆われている、電極に関する。
【選択図】図1
Description
B 第1ダイヤモンド層
C 第2ダイヤモンド層
D さらなる第1ダイヤモンド層
E さらなる第2ダイヤモンド層又は最表層
F 基板
S 外面
Claims (21)
- 導電性ダイヤモンドで形成された被覆部を、少なくともその一方の面に有する基板(F)からなる電極であって、
前記被覆部が、第1平均粒径を有する少なくとも1つの第1ダイヤモンド層(B、D)と、第2平均粒径を有する少なくとも1つの第2ダイヤモンド層(C、E)とからなり、
前記第1平均粒径が、前記第2平均粒径よりも大きく、
前記第1ダイヤモンド層(B、D)が、前記第2ダイヤモンド層(C、E)で覆われている、電極。 - 第1平均粒径が、0.5μm〜25μmの範囲である、請求項1に記載の電極。
- 第2平均粒径が、1.0μm未満、好ましくは50〜200nmの範囲である、前記請求項の1つに記載の電極。
- 第2ダイヤモンド層(C、E)の厚さが、第1ダイヤモンド層(B、D)の厚さよりも小さい、前記請求項の1つに記載の電極。
- 第1ダイヤモンド層(B、D)の厚さに対する第2ダイヤモンド層(C、E)の厚さの比が、0.05〜0.99の範囲である、前記請求項の1つに記載の電極。
- 第1ダイヤモンド層(B、D)と第2ダイヤモンド層(C、E)とが、交互配列構造を形成している、前記請求項の1つに記載の電極。
- 交互配列構造全体の厚さが、1〜200μmの範囲である、前記請求項の1つに記載の電極。
- 電極の外面(S)を形成している最表ダイヤモンド層(E)が、第2ダイヤモンド層である、前記請求項の1つに記載の電極。
- ダイヤモンドが、その導電性を向上させるドーピングを含んでいる、前記請求項の1つに記載の電極。
- ドーピングが、以下の物質:ホウ素及びチッ素の少なくとも1つからなる、前記請求項の1つに記載の電極。
- ダイヤモンドに含まれるドーピングの量が、10ppm〜3000ppmの範囲、好ましくは100ppm〜1000ppmの範囲である、前記請求項の1つに記載の電極。
- 第1ダイヤモンド層(B、D)に含まれるドーピングの第1平均量が、第2ダイヤモンド層(C、E)に含まれるドーピングの第2平均量と異なる、前記請求項の1つに記載の電極。
- ドーピングの第1平均量が、ドーピングの第2平均量よりも少ない、前記請求項の1つに記載の電極。
- 最表ダイヤモンド層(E)に含まれるドーピングの第3平均量が、該最表ダイヤモンド層(E)と基板(F)との間に設けられるダイヤモンド層(B、C、D)の平均量よりも多い、前記請求項の1つに記載の電極。
- ダイヤモンド及び/又は基板が、100Ωcm未満、好ましくは0.1Ωcm未満の電気抵抗を有する、前記請求項の1つに記載の電極。
- 最表ダイヤモンド層(E)のダイヤモンド結晶の、表面上の領域単位の少なくとも30容量%、好ましくは少なくとも50容量%が、双晶である、前記請求項の1つに記載の電極。
- 最表ダイヤモンド層(E)が、疎水性又は親水性の表面を有している、前記請求項の1つに記載の電極。
- 基板(F)が、金属、好ましくは自己保護金属である、前記請求項の1つに記載の電極。
- 金属が、以下の金属:チタン、ニオブ、タンタル、アルミニウム、ジルコニウム、鋼、及びチタンホウ素チッ化物又はクロム炭化物の層で被覆されている鋼から選ばれる、前記請求項の1つに記載の電極。
- 基板(F)が、0.1〜20.0mmの範囲の厚さを有する、前記請求項の1つに記載の電極。
- 基板(F)の対向面が、導電性ダイヤモンドで被覆されている、前記請求項の1つに記載の電極。
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