JP2007531200A - 加熱システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図4A
Description
本出願は、Valery Kaganにより、2003年7月2日に提出され、「誘導加熱装置及び方法」(Apparatus and Method for Inductive Heating)と題した米国特許出願第10/612,272号の一部継続出願であり、優先権を主張し、その全体を参照として本明細書に組み込む。
Dはシリンダーの直径であり、
Lはシリンダーの長さであり、
pはシリンダー材料の固有抵抗であり、
μはシリンダー材質の浸透性であり、
ωはシリンダー内の渦電流の角周波数である。
Lはコイル導体の長さであり、
pはコイル導体の周囲長さであり、
pは平板状プレート材料の固有抵抗であり、
μは平板状プレート材料の浸透性であり、
ωはプレート内の渦電流の角周波数である。
双方の場合(シリンダー及びプレート)とも、ω=2πfの場合、fは基本周波数であり、期間Tに関してf=1/Tである。
図1A〜1B及び図1C〜1Dは、被誘導加熱物(強磁性コア及びヨーク)に加熱コイルが埋設された2つの加熱システムの実施態様をそれぞれ示す。双方の実施態様とも、前記加熱コイル、コア及びヨークの間に緊密な物理的(熱)接触と磁気結合がある。
図1Eは、前述した種類の誘導加熱システム25を組み込んだ多温度区域バレル押出機12を示す。この押出機は複数の加熱区域Z1〜Z6があるバレル区域13と、追加加熱区域Z7〜Z9があるノズル区域14を含む。(被加熱)流動性材料は押出機の一端部から流入漏斗16を介してバレルに流入し、バレル及びノズルの種々の加熱区域15を通って進行する。区域Z2などの、加熱区域15の任意の1つ又は複数のものは、前述したように加熱システム25を利用してもよい。
図2は、図1A〜図1Dで示したのと類似した、加熱システム25'に対して電流パルスを供給する電源を示す。パルス発生器40は入力線43に、約60Hzのライン周波数正弦波形電流信号42を受け取り、出力線44にそのライン周波数の電流パルスIc、又はライン周波数の倍数の周波数を発生し、コイル20に伝える。コイル20に印加された電流パルスは、コア22に緊密に結合されていてコア22(及び最終的には経路26内にある物質)を誘導加熱する急速に変化する磁束を発生させる。溝孔30のためにかなりの渦電流がヨーク28'では回避され、従ってヨーク28'は大幅に誘導加熱されないようになっている。渦電流をコア22内に集中させたため、全体的な誘導加熱効率は顕著に向上する。
本明細書で説明される電流パルスにより動力を与えられる統合型誘導及び抵抗加熱システムの、60ヘルツの正弦波形信号電圧で動力を与えられる同じ加熱システムよりも改良された性能を例証する実験が行われた。図7は加熱装置を示す。図8は、加熱速度の比較である。図9は、本例で用いられる電流パルスの形状を示す。
Upsは電源のRMS電圧である。
ωは境界周波数より上の電源の周波数である。
Icは加熱コイル内の電流(RMS)である。
Reは渦電流等価抵抗である。
Rmは磁束回路の等価磁気抵抗である。
Nは加熱コイルのワイヤーの巻き数である。
Rcは加熱コイルの抵抗である。
Lcは加熱コイルのインダクタンスである。
Kc<1は加熱コイルと渦電流間の電磁結合の係数である。
j=sqrt(−1)は仮想ユニットであり、
境界周波数ωb=RmRc=2πfbである
ω=2πf=基本角周波数,
f=1/T=基本周波数
t=時間
T=この周期的関数の期間
Ao=定数、
A1、A2、A3...=第1、第2、第3...高調波の振幅
例えば、基本周波数ωの単一方形波関数Fsw(ωt)は、以下のフーリエ級数を有する:
Fsw(ωt)=4/π[sin(ωt)+1/3sin(3ωt)+1/5sin(5ωt)+1/7sin(7ωt)+....]
この場合には、Reへの6倍の増加は、パルスの約6分の5=83%が高調波であったことを意味する。このように予想をはるかに上回る渦電流抵抗は、各パルス内のこれらの高調波の存在によって説明できる。結果として、出力のきわめて大部分が、抵抗加熱よりは誘導加熱から、被加熱物(ここでは金属ディスク)に対して供給される。
a)抵抗加熱力
PR=IC2RC
b)誘導加熱力
Pi=Ic2Kc2N2Re
但しIcは前記加熱コイル内の電流であり(RMS)、Rcは加熱コイルの抵抗であり、Reは等価渦電流抵抗であり、Nはコイル巻数であり、Kcは加熱コイルと渦電流の間の電磁結合の係数である。本明細書に説明された統合型抵抗/誘導の実装では、前記加熱コイルを冷やしてこの抵抗成分の加熱力を失う従来技術のシステムに比べて、抵抗成分PRは、この熱が被加熱物に伝えられるとき全体的な加熱効率に寄与する。前記加熱コイルが被加熱物に埋設されている場合は、電磁結合係数はほぼKc=1まで増加し、それは同じコイル電流下で加熱力Piの誘導部分を増加させる。Ic(所与のコイルの最大許容電流)、N及びKcが固定されている場合、加熱力Piの誘導成分は、渦電流等価抵抗Reを増加させることにより増加される(等式1に関して前述した如く)。
図10は、炉90を別の加熱システムとして例示する。炉は椀状の(強磁性コアとしての)容器91を含み、底壁97及び上方に張り出した側壁98と、その側壁の外周に沿って巻回された立方体の溝に埋設されたコイル93を有している。スリーブ様のヨーク92がコア側壁98に直接接して覆い、磁気ループを閉じている。固定式又は取り外し可能な蓋94が容器91の頂部開口を覆っている。溶融されるかまたは特定の温度で保持されることが望まれる材料95は、コア91内に収容される。図10Aの詳細部分は絶縁層96に囲まれ、コア側壁91とヨーク92に緊密に接触しているコイル93を示す。
図11は、円筒形のコア101がその外側面に埋設コイルを有し、円筒形のヨーク102がそのコアを包囲しているがエアギャップ107によってそれから隔離されている、温水器又は化学反応器での実装を示す。ヨーク102と直接接触しているディスク型の下方ヨーク105が温水器/反応器の下端を閉じ、ヨーク102と直接接触しているディスク型の上方ヨーク104が温水器/反応器の上端を閉じており、こうして磁気ループを閉じている。前記上方強磁性ヨーク及び下方強磁性ヨーク104、105との強磁性コア101及び強磁性の側壁ヨーク102の緊密な物理的(直接)接触が、閉じた磁気ループの結合を増強する。被加熱流動性材料は温水器/反応器の中央経路109を通じて送られることができる。
図12は、薬品容器又は反応器112がその上にヒーターパッチを搭載している、更に別の加熱システム110を示す。2つの別の種類のヒーターパッチ、すなわち、右側に環状ディスク114及び左側に矩形又は方形プレート116が示されている。これらのヒーターパッチの構造は図7の構造と類似したものであってよい。
図13は、外側層122と、内側の強磁性層126と、前記外側層と内側層との間に配置された加熱要素124と、前記内側強磁性層に隣接した被加熱物128とを含む加熱装置120の模式断面図である。加熱要素は、導電体を内側強磁性層と外側層から隔離するために電気絶縁体125で包囲されている。外側層は、強磁性又は非強磁性材料、導電性材料又は非導電性材料、及び断熱材料又は非断熱材料を含む種々の材料のうち任意のものであってよい。外側層はまた全体的にあるいは部分的にエアギャップであってよい。
伝統的なノズル加熱構体では、抵抗加熱バンドが射出ノズルの外周上に配置されている。加熱バンド内で抵抗的に発生した熱は、次いでノズルの外側面からその内側面へと熱伝導され、その内側面では(被加熱)材料が中央ノズル経路を通って流動する。これは比較的効率が悪い加熱方法であり、均一温度も急速加熱も提供することは難しい。ノズルが急速に熱せられ過ぎると熱勾配が生じ、ノズルの構造的不具合(例えば亀裂)につながることがある。ノズル自体は押出機/バレル装置の延長部であり、典型的には例えば5〜10%の型締トン数である数トンの勢力にさらされる。過度の熱勾配によって誘発された小さな亀裂は進行して最終的な不具合につながる可能性がある。
図23〜図25は、多温度区域ノズル構体240に組み込まれた加熱装置の別の実施形態を示す。鋼鉄製ホットランナーノズル242は中央経路246がある長い円筒形の部分244を有している。加熱スリーブ構体247は、管又はスリーブ250上に配置されて外側層254に覆われた加熱コイル248を含む。導電性コイル248は内側スリーブ250の外側面252上に蛇行形態に配設されている。スリーブ構体247はノズル242のシリンダー244上を滑動する。内側スリーブ250と外側層254は、導電体248と強磁性鋼鉄ノズルシリンダー244の間の電気絶縁を提供する。強磁性鋼鉄ノズルの誘導加熱に主に基づく本実施形態では、加熱構体とノズルの間に緊密な物理的接触を持たせることは(導電体によって発生した抵抗熱の伝達に必要であるほどは)必要でない。
図26〜図30は、加熱装置が容器吹込成形装置300に組み込まれている別の実施例を示す。この例では、加熱要素は、主として金型の内側面に配設された強磁性材料(金型インサート)の薄膜を急速加熱するために誘導加熱を供給する。そうすると金型の外側はより低温度に保たれることができる。この薄い強磁性成形面層の急速な加熱及び冷却が、吹込成形及び/又は容器の温度状態調節の全体的なサイクルタイムの節減を可能にする。
図30〜36は、加熱装置が圧縮成形用金型400内に組み込まれている別の実施態様を図解する。閉じた状態の圧縮成形用金型が図30に示されている。図31は、圧縮成形用金型の種々の部品を示した分解断面図であり、上から下への番号順に、
コア402、
リング404、
金型インサート406、
上方誘電層408、
加熱要素410、
下方誘電層412、
ヒータープレート414、
冷却プレート416、
絶縁板418、
受け板420、
を含んでいる。
前記加熱コイルは、交流電流を供給されると交番磁界を発生させる目的で、導電性の(種々のレベルの固有抵抗を持った)任意の種類の材料又は要素であってよい。それは任意の特定の形態(例えば、ワイヤー、ストランド、コイル、厚膜又は薄膜、ペン印刷又はスクリーン印刷、溶射、化学気相蒸着又は物理気相蒸着、ウエハーその他)又は任意の特定の形状に限定されるものではない。
1=電流
N=巻き数
Q=電源の周波数
Preq=材料を加熱するのに必要な動力
加熱及び冷却経路の構成は、速度、均一性及び効率の所望の加熱プロファイル又は形態を得るために変動させてよい。
R=強磁性負荷の渦電流抵抗
jgen=コイル内の電流密度
d=コイル直径
Δ1=コイル間距離
μ=強磁性負荷の透磁率
p=強磁性負荷の固有抵抗
ω=負荷内の渦電流の角周波数
である。
13 バレル区域
14 ノズル区域
15 加熱区域
16 流入漏斗
19 磁束線
20 加熱コイル
22 強磁性コア
23 外径
24 内壁
25 加熱システム
25' 修正システム
26 中央中空経路
27 内径
28 外側部強磁性ヨーク
28' 修正ヨーク
29 中心線
30 溝孔
31 リブ
32 渦電流
34 溝
35 電流
36 電気絶縁体
40 パルス発生器
43 入力線
44 出力線
44A 電流パルス
44B 電流パルス
44C 方形波パルス
48A サイリスタ
48B GTOサイリスタ
48C IGBTデバイス
50 ドライバ
54 変圧器
60 制御式整流器
62 制御回路
67 3位相供給源
70 鋼鉄ディスク
71 鋼鉄ヨーク
72 加熱コイル
73 溝孔
74 頂面
75 絶縁材料
81、82、83、84 高勾配区分
85 遅延
90 炉
91 容器(強磁性コア)
92 ヨーク
93 コイル
94 蓋
95 材料
96 絶縁層
97 底壁
98 側壁
101 コア
102 ヨーク
104 上方ヨーク
105 下方ヨーク
109 中央経路
110 加熱システム
112 反応器
114 環状ディスク
116 矩形又は方形プレート
120 加熱装置
122 外側層
124 加熱要素
125 電気絶縁体
126 内側の強磁性層
128 被加熱物
130 装置
132 外側層
134 導電体
135 絶縁被覆
136 内側層
138 被加熱物
140 装置
142 外側層
144 導電体
145 絶縁被覆
146/149 内側の強磁性層
148 被加熱物
150 装置
152 外側層
154 導電体
155 絶縁被覆
156 内側の強磁性層
158 被加熱物
157 内部冷却経路
162 外側層
164 導電体
165 絶縁被覆
166 内側層
168 被加熱物
169 耐食性・熱伝導性層
172 外側層
174 導電コイル層
175A 外側誘電層
175B 内側誘電層
176 内側強磁性層
177 内部冷却経路
180 装置
182 金型ベース
184 加熱コイル層
185A 誘電絶縁溶射層
185B 内側の誘電溶射層
186 内側強磁性成形面層
188 被加熱物
200 ノズル構体
202 内側ノズル構成要素
204 外側構成要素
206 加熱要素
208 中央貫通経路
210 端部
212 端部
213 表面
214 強磁性管
216 加熱要素
220 中央孔
222 貫通中央経路
230 経路
240 多温度区域ノズル構体
242 ホットランナーノズル
244 ノズルシリンダー
246 中央経路
247 加熱スリーブ構体
248 導電体
250 内側スリーブ
254 外側層
256 上方形態
258 下方形態
260 リード線
262 電気コネクタ
290 プラスチックボトル
292 側壁
300 吹込成形装置
302 加熱コイル
304 強磁性金型インサート
306 外側金型
308 内側造形輪郭
310 蛇行溝
312 外側誘電コイル
314 内側誘電層
318 外側面
320 内側面
322 溝
340 吹込成形サイクル
342 破線
344 目盛り
400 圧縮成形用金型
402 コア
404 リング
406 金型インサート
408 上方誘電層
410 加熱要素
412 下方誘電層
414 ヒータープレート
416 冷却プレート
418 絶縁板
420 受け板
424 溝
502 らせんコイル
504 強磁性コア
506 コイル素子
508 磁束
510 上方部分
512 下方の組のコイル素子
514 磁界
516 下方部分
522 平板状らせんコイル
524 上方面
526 平板状強磁性物
530 左側の組
532 磁界
534 左側部分
536 右側の組
540 右側部分
550 平板状環状らせんコイル
552 上部表面
556 平板状強磁性物
570 平板状蛇行らせんコイル
572 上部表面
574 平板状強磁性物
582 上部表面
584 平板状強磁性物
580 平板状環状蛇行コイル
700 正弦波の波形
710 周波数分布帯
720 電流パルス信号(裁断波)
730 分布帯
781 制御回路
782 冷却剤供給及び調整器
783 パルス発生器
784 装置
Claims (76)
- 誘導加熱のための加熱コイルと、高調波を有した電流パルスを前記加熱コイルに供給する電源とを備え、前記加熱コイルが物の誘導加熱のための磁束を発生する装置。
- 前記高調波は、コイルの加熱力の抵抗部分よりも誘導部分を増加させる、請求項1に記載の装置。
- 前記電流パルスは、前記加熱コイルの電流制限を超えることなく、増量した誘導加熱を生じさせる、請求項2に記載の装置。
- 前記電流パルスは、同じルート周波数を有した正弦波形電流信号よりも増量した誘導加熱をもたらす、請求項1に記載の装置。
- 前記電流パルスは、前記加熱コイルの境界周波数より上に関連付けられたエネルギー成分を有している、請求項1に記載の装置。
- 前記電流パルスは、前記加熱コイル内の自乗平均平方根(RMS)電流を増加させずに加熱力の誘導部分を増加させる、請求項1に記載の装置。
- 前記電源はライン周波数正弦波形電流信号を入力として受け取る、請求項1に記載の装置。
- 前記加熱コイルは前記コイルに抵抗熱を発生させる電気抵抗導体を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記加熱コイルは前記物と熱交換している、請求項8に記載の装置。
- 前記加熱コイルは前記物を含む負荷と誘導的に結合している、請求項1に記載の装置。
- 前記負荷は強磁性基板又は強磁性物を含み、前記磁束は前記強磁性基板又は強磁性物内の渦電流を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記負荷は前記磁束のための強磁性構成要素の閉じたループ又は半ば閉じたループを含む、請求項10に記載の装置。
- 前記構成要素は実質的に閉じたループを形成する強磁性コア及び強磁性ヨークを含む、請求項12に記載の装置。
- 前記負荷は強磁性コアを含み、前記加熱コイルは少なくとも部分的に前記コアに埋設されている、請求項10に記載の装置。
- 前記負荷は強磁性コア及び強磁性ヨークを含み、加熱コイルは、前記コア及びヨークの間に配置されるか、それらのうち少なくとも一方の中に埋設されている、請求項10に記載の装置。
- 前記加熱コイルは物の表面に蛇行形態を形成する、請求項1に記載の装置。
- 前記加熱コイルは物に包回された円筒型形態を形成する、請求項1に記載の装置。
- 前記負荷は流動性材料のための経路を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記負荷は成形材料を成形するための成形面を含む、請求項10に記載の装置。
- 前記加熱コイルは、前記物の一部分の優先的加熱のために前記負荷に配置されている、請求項10に記載の装置。
- 前記物は、強磁性の第1の部分と強磁性の第2の部分とを含み、前記誘導加熱は前記第2の部分よりも前記第1の部分により集中している、請求項1に記載の装置。
- 前記第2の部分は渦電流の流れに断絶又は制限を生じさせる、請求項21に記載の装置。
- 前記第2の部分は、前記断絶又は制限を生じさせるための溝孔を有している、請求項22に記載の装置。
- 物に誘導的に結合された加熱コイルを配設することと、前記加熱コイルに対し高調波を有した電流パルスを供給して、前記物の誘導加熱のための磁束を発生させることと、を備えた方法。
- 被誘導加熱物と、前記物と少なくとも部分的に接触しているか又は前記物に埋設されて、前記物に誘導的に結合された加熱コイルと、磁束を発生させる加熱コイルに供給される高調波を有した電流パルス源と、を備えた装置。
- コイルによって生み出される誘導加熱力及び抵抗加熱力の間の割合を調節するために、加熱コイルに対して調節可能な調波エネルギー量を有した電流パルスを供給する可変電源を備えた装置。
- 物と誘導的に結合された加熱コイルを備え、前記物は加熱される流動性材料のための経路を有しており、前記物内に誘導的に発生した熱を前記経路で前記流動性材料に対して前記物内で伝達し、前記経路で前記流動性材料に対して誘導加熱の伝達を調節するために、前記加熱コイルに対して調節可能な調波エネルギー量を持つ電流パルスを伝達する加熱コイルに結合された電源を備えた装置。
- 物に誘導的且つ熱的に結合された加熱コイルを配設することと、
前記物の誘導加熱と抵抗加熱の割合を調節するために、前記加熱コイルに対して調節可能な調波エネルギー量を有した電流パルスを供給することを備えた方法。 - 表面部分と強磁性本体部分とを有した物の加熱方法であって、前記表面部分の近傍に、前記強磁性本体部分に誘導的に結合させて加熱コイルを配設することと、前記強磁性本体部分を加熱するために渦電流を誘導する加熱コイルに対し高調波を有した電流パルスを供給することと、を備えた方法。
- 電流パルス信号の誘導加熱動力を増加させるために、ルート周波数成分及びルート周波数より上の1つ又は複数の調波成分から電流パルス信号を構築することと、加熱コイルに誘導結合された物に渦電流を誘導する加熱コイルに電流パルス信号を供給することと、を備えた誘導加熱方法。
- 電流パルス信号の動力を増加させるために、前記1つ又は複数の調波成分のうち少なくとも1つの振幅を増加させることを更に備えた、請求項30に記載の方法。
- 電流パルス信号の誘導加熱力を増加させるために、ルート周波数成分及びルート周波数の上の1つ又は複数の調波成分から電流パルス信号を構築することと、誘導加熱システムに電力供給するために電流パルス信号を供給することと、を備えた誘導加熱システムへの電力供給方法。
- 1つのルート周波数と1つの振幅を有した第1の調波成分を選択し、ルート周波数の上の1つ又は複数の調波成分を選択して前記1つ又は複数の調波成分を前記第1の高調波成分と結合して所望の強さの誘導加熱を有した統合有効周波数を生成することにより電流パルス信号を構築することを備えた、誘導加熱の強さの調節方法。
- 強磁性基板に誘導的に結合された加熱コイルを配設することと、高調波を有した電流パルス信号を、前記強磁性基板を加熱するための渦電流を誘導する加熱コイルに対して供給することと、前記強磁性基板から被加熱物に対して前記熱を伝達することと、誘導加熱を低減するために、加熱コイルに供給される信号を低減して前記強磁性基板を間欠冷却することと、を備えた制御式加熱方法。
- 前記間欠冷却は、前記基板を冷却する冷却媒体を供給することと、前記基板から熱を取り去ることと、のうち1つまたは複数を含む、請求項34に記載の方法。
- 前記冷却媒体は前記基板内に供給されている請求項35に記載の方法。
- 前記加熱コイルは、前記強磁性基板と接触する電気絶縁カバーを有した導電性管であり、前記冷却媒体は、前記強磁性基板を冷却するために前記管の内径内に供給されている、請求項35に記載の方法。
- 前記パルス信号は主として誘導加熱力を発生させる、請求項34に記載の方法。
- 前記発生した動力は10%未満の抵抗力を含む、請求項35に記載の方法。
- 前記発生した動力は5%未満の抵抗力を含む、請求項34に記載の方法。
- 前記発生した動力は1%未満の抵抗力を含む、請求項40に記載の方法。
- 前記強磁性基板は、誘導された渦電流の浸透深さがδである場合、約3δ未満の膜厚を有している、請求項34に記載の方法。
- 前記基板の膜厚は約3δである、請求項42に記載の方法。
- 断熱性外側層を配設することと、前記基板から前記物へと熱を伝達する伝熱性の内側層を配設することを備え、前記強磁性基板は前記外側層と前記内側層の間にある、請求項34に記載の方法。
- 断熱性で強磁性の外側層を配設することと、基板から物へと熱を伝達する伝熱性の内側層を配設することとを備え、前記強磁性基板は前記内側層と前記外側層の間にある、請求項34に記載の方法。
- 流動経路が前記強磁性基板内又はその近傍に配設され、前記加熱コイルと前記強磁性基板は前記流動経路内の流動性材料の制御式加熱を提供する、請求項34に記載の方法。
- 前記強磁性基板はノズル又は溶融経路の一部である、請求項46に記載の方法。
- 前記強磁性基板は圧縮成形装置の一部である、請求項46に記載方法。
- 経路内の流動性材料の温度制御方法であって、
流動性材料のための経路を持つ強磁性基板と、前記強磁性基板に誘導的に結合された加熱コイルとを配設し、
前記経路に材料の流動率を生じさせるために強磁性物を加熱する渦電流を誘導する加熱コイルに対して高調波を有した電流パルス信号を印可することと、
前記加熱コイルに対する印加信号を低減すること、前記経路内の前記材料の流動を生じさせるために前記基板から熱を引き去ることのうち1つまたは複数を行うことによって前記強磁性基板を間欠冷却することと、
を備えた方法。 - 前記間欠冷却は、前記強磁性基板を冷却するために冷却媒体を供給することを含む、請求項49に記載の方法。
- 前記加熱コイルは、前記強磁性基板と接触する伝熱カバーを有し、その内部を冷却媒体が流動する冷却経路を含む、請求項50に記載の方法。
- 強磁性で伝熱性の基板と、前記強磁性基板に誘導結合された加熱コイルと、渦電流を誘導して前記強磁性基板を誘導加熱するために前記加熱コイルを駆動する高調波を有した電流パルス信号源と、前記強磁性基板を冷却する冷却媒体の源と、前記パルス信号と前記冷却媒体の間欠的な供給のための制御機構と、を備えた制御式誘導加熱装置。
- 外側の構成要素を備え、前記加熱コイルは前記外側の構成要素と前記強磁性基板の間に配置されている、請求項52に記載の装置。
- 前記外側の構成要素は強磁性である、請求項53に記載の装置。
- 前記外側の構成要素は断熱体である、請求項53に記載の装置。
- 前記外側の構成要素、前記強磁性基板、及び前記加熱コイルを包囲する電気絶縁性カバーのうち少なくとも1つに配設された、内部を前記冷却媒体が流動する冷却経路を含む、請求項53に記載の方法。
- 前記強磁性基板は、内部を前記冷却媒体が流動する冷却経路を含む、請求項52に記載の装置。
- 前記冷却媒体は液体又は気体の形状である、請求項52に記載の装置。
- 前記加熱コイルは前記基板に接触している、又は少なくとも部分的に前記基板に埋設されている、請求項52に記載の装置。
- 電気絶縁性のカバーが前記加熱コイルを包囲している、請求項52に記載の装置。
- 前記加熱コイルは、
a)前記基板にわたり交互の方向に磁界を生じさせる、前記基板の表面上又は近傍に配置された蛇行形態、又は、
b)前記コイル内部に同方向に磁界を生じさせる、前記基板に巻回された円筒形形態、
を形成する、請求項52に記載の装置。 - 前記加熱コイルは前記蛇行形態であり、らせん、蛇行、環状らせん又は環状蛇行の形状をしている、請求項61に記載の装置。
- 前記加熱コイルは前記円筒型形態であり、らせん、蛇行、環状らせん又は環状蛇行の形状をしている、請求項61に記載の装置。
- 前記加熱コイルは中実又は中空である、請求項52に記載の装置。
- 前記加熱コイルは中空管であり、冷却媒体は前記管に供給されている、請求項64に記載の装置。
- 前記中空管は誘電体絶縁により被覆されている、請求項64に記載の装置。
- 前記加熱コイルは、銅又は、銅よりも固有抵抗が高い導電体を備えている、請求項52に記載の装置。
- 前記加熱コイルはニッケル・クロム合金又はタングステン合金を備えている、請求項67に記載の装置。
- 前記加熱コイルは、圧縮力を吸収する前記装置の一構造部品の一部である、請求項52に記載の装置。
- 前記加熱コイルは、流動性材料のための経路またはノズルの一部、又は、成形材料の金型の一部である、請求項69に記載の装置。
- 前記装置はノズルと、スプルーバー(sprue bar)と、溶融経路と、水加熱器と、吹込成形用金型又は圧縮成形用金型を備えている、請求項69に記載の装置。
- 前記装置は成形面を備えている、請求項69に記載の装置。
- 前記加熱コイルは、溶射層及び薄膜層のうち1つまたは複数を備えている、請求項52に記載の装置。
- 前記層は少なくとも1つの導電層及び少なくとも1つの電気絶縁層を含む、請求項73に記載の装置。
- 前記層は前記冷却媒体のための冷却経路を形成する、請求項73に記載の装置。
- 前記パルス信号の動力及び/又は周波数分布帯は、異なる構成の前記加熱コイル及び強磁性基板に適合するために調整可能である、請求項52に記載の装置。
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