JP2007529014A5 - - Google Patents

Claims (35)

1. 多価カチオンの解離方法であって、
   多価カチオンをＲＦ電場イオン封じ込めデバイスに導入する工程と、
   前記イオン封じ込めデバイスに気相電子移動試薬アニオンを導入する工程と、
   解離生成物カチオンを得るために、試薬アニオンまたはその誘導体試薬イオンから多価カチオンまたはその誘導体多価カチオンへの電子移動を促進するために、導入された前記試薬アニオンまたはその誘導体試薬イオンおよび多価カチオンまたはその誘導体多価カチオンを混合する工程と、
   を含む方法。
2. 前記多価カチオンがポリペプチドである、請求項１に記載の方法。
3. 前記ＲＦ電場イオン封じ込めデバイスがＲＦイオンガイドである、請求項１に記載の方法。
4. 前記ＲＦ電場イオン封じ込めデバイスがＲＦイオントラップである、請求項１に記載の方法。
5. 前記ＲＦイオントラップがＲＦ線形多重極イオントラップである、請求項４に記載の方法。
6. 前記ＲＦイオントラップがＲＦ三次元多重極イオントラップである、請求項４に記載の方法。
7. 前記混合工程中、導入された前記試薬アニオンまたはその誘導体試薬イオンおよび多価カチオンまたはその誘導体多価カチオンの運動エネルギーが１電子ボルト未満である、請求項１に記載の方法。
8. 前記アニオンおよび前記多価カチオンの運動エネルギーを前記混合工程のための熱レベル付近に減少させるために、バックグラウンドガス分子との衝突を使用する、請求項１に記載の方法。
9. アニオンをＲＦ線形多重極イオントラップの線形軸に沿って注入する、請求項５に記載の方法。
10. 前記気相アニオンが、多環芳香族炭化水素または置換多環芳香族炭化水素から生成される、請求項１に記載の方法。
11. 前記気相アニオンが、アントラセン、９，１０ジフェニルアントラセン、ナフタレン、フルオレン、フェナントレン、ピレン、フルオランテン、クリセン、トリフェニレン、ペリレン、アクリジン、２，２’ジピリジル、２，２’ジキノリン、９−アントラセンカルボニトリル、ジベンゾチオフェン、１，１０’−フェナントロリン、９’アントラセンカルボニトリル、およびアントラキノンからなる群から選択される低電子親和力基質から生成される、請求項１に記載の方法。
12. 質量（ｍ／ｚ）を分析して、前記解離生成物カチオンに由来するイオンを検出する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
13. 前記イオントラップが、セグメント化された線形ＲＦ多重極イオントラップである、請求項５に記載の方法。
14. 前記気相アニオンが、多環芳香族炭化水素化合物または置換多環芳香族炭化水素化合物から生成されたラジカル気相アニオンである、請求項５に記載の方法。
15. 前記多価ポリペプチドおよび前記気相アニオンが、前記混合工程までイオントラップ内で空間的に分離されている、請求項１に記載の方法。
16. 前記多価ポリペプチドカチオンおよび前記気相アニオンが、前記混合工程までイオントラップ内で空間的に分離されている、請求項５に記載の方法。
17. 非解離電荷減少電子伝達生成物カチオンの電子移動型解離経路を介した解離を促進するように、十分なエネルギーを前記非解離電荷減少電子移動生成物カチオンに供給し、従来の衝突活性化解離生成物の生成は２０％未満である、さらなる活性化工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
18. 非解離電荷減少電子伝達生成物カチオンの電子移動型解離経路を介した解離を促進するように、十分なエネルギーを前記非解離電荷減少電子移動生成物カチオンに供給し、従来の衝突活性化解離生成物の生成は５％未満である、さらなる活性化工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
19. 前記さらなる活性化工程が、前記アニオンと前記正電荷の多価ポリペプチドイオンとを混合する前記工程後に行なわれる、請求項１７に記載の方法。
20. 前記さらなる活性化工程が、前記アニオンと前記正電荷の多価ポリペプチドイオンとを混合する前記工程後に行なわれる、請求項１８に記載の方法。
21. 前記さらなる活性化工程が、前記アニオンと前記正電荷の多価ポリペプチドイオンとを混合する前記工程中に行なわれる、請求項１８に記載の方法。
22. 前記活性化エネルギーを、光活性化形態または衝突活性化形態で供給する、請求項２１に記載の方法。
23. 線形イオントラップ内の電子移動生成物カチオンを保持しながらＲＦイオントラップ由来の残存アニオンを放出する工程と、
    従来の衝突活性化解離生成物の２０％未満が生成される衝突活性化を起こすために、電子移動生成物イオンを低エネルギーのオフ共鳴運動励起に供する工程と、
    をさらに含む、請求項４に記載の方法。
24. 第２のアニオン型を線形イオントラップに導入する工程と、
    前記第２のアニオン型をカチオンと混合して反応させる工程と、
    をさらに含み、
    前記第２のアニオン型がプロトンを実質的に排他的にカチオンに移動させる、請求項２に記載の方法。
25. 前記第２のアニオン型が、カルボン酸、フェノール酸、およびアルコキシドを含有する化合物からなる群から選択される化合物に由来する、請求項２に記載の方法。
26. 前記第２のアニオン型が、安息香酸、ＰＤＣＨ、ＳＦ_６、およびＰＦＴＢＡからなる群から選択される化合物のアニオンである、請求項２５に記載の方法。
27. 質量（ｍ／ｚ）を分析して、前記電子移動解離生成物イオン、または前記電子移動解離生成物イオンの誘導体イオンの検出する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
28. ポリペプチドのアミノ酸配列を分析する方法であって、
    多価ポリペプチドポリペプチドカチオンをＲＦイオントラップに導入する工程と、
    気相アニオンをＲＦイオントラップに導入する工程と、
    アニオンから多価ポリペプチドカチオンへの電子移動を促進するために前記気相アニオンと多価ポリペプチドカチオンとを混合し、それにより、電子移動解離生成物イオンの生成を誘導する工程と、
    前記電子移動生成物カチオンから残存する気相アニオンを物理的に分離することによって反応を停止させる工程と、
    前記トラップ中に残存するカチオンのｍ／ｚ分析を行う工程と、
    を含む方法。
29. 前記電子移動解離生成物カチオンが、前記ＲＦイオントラップからイオン検出器にｍ／ｚに応じて連続的に排出される、請求項２８に記載の方法。
30. 前記イオントラップが線形ＲＦ多価イオントラップである、請求項２９に記載の方法。
31. 前記気相アニオンを前記線形イオントラップの線形軸に沿って注入する、請求項３０に記載の方法。
32. 前記ラジカル気相アニオンが、アントラセン、９，１０ジフェニルアントラセン、ナフタレン、フルオレン、フェナントレン、ピレン、フルオランテン、クリセン、トリフェニレン、ペリレン、アクリジン、２，２’ジピリジル、２，２’ジキノリン、９−アントラセンカルボニトリル、ジベンゾチオフェン、１，１０’−フェナントロリン、９’アントラセンカルボニトリル、およびアントラキノンからなる群から選択される低電子親和力基質から生成される、請求項３１に記載の方法。
33. 電子移動解離によってポリペプチドを解離する方法であって、
    多価ポリペプチドアニオンをＲＦ電場イオン封じ込めデバイスに導入する工程と、
    気相カチオンをＲＦ電場イオン封じ込めデバイスに導入する工程と、
    アニオンからカチオンへの電子移動を促進するためにラジカル気相イオンとイオン化ポリペプチドとを混合し、それにより、陰電子移動解離生成物イオンの生成を誘導する工程と、
    を含む方法。
34. 前記カチオンが、不活性ガスカチオンからなる群から選択される、請求項２３に記載の方法。
35. 質量（ｍ／ｚ）を分析して、前記陰電子移動解離生成物イオンまたは前記陰電子移動解離生成物イオン由来のイオンを検出する工程をさらに含む、請求項３４に記載の方法。