JP2007511907A - 完全に量子井戸が空乏化した低出力のマルチチャネルcmosfet - Google Patents
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Abstract
Description
チャネル領域の導電率は、チャネル表面上にある、チャネルから絶縁された導電性のゲート上に電圧を印加することによって調整される。
MOSFETの電力消費を減少させるべく、MOSFETにおける速度および使用可能な駆動電流を改善するように、また、宇宙での使用を含んだより過酷なリモート環境下におけるMOSFETの信頼性および放射線耐性の改善するように、多くの大学および政府研究機関と同様に多くのMOS集積回路製造業会社において研究がなされている。
例えば、あるシリコン領域についての駆動電流が2倍になるデュアルゲートデバイスが生成されている。
あるシリコン領域についての駆動電流を最大限にするように、さらに改善することが必要とされている。
この駆動電流は、デバイスのサイズを大きくすることなく、またはレイアウト設計を変化することなく、増加すべきである。
この目的は、チャネル領域を基板から垂直方向に分離する絶縁膜を備える、基板上に形成されるマルチチャネル領域(multiple channel regions)を有するマルチチャネルデバイスの生成によって、その一部が達成される。
ゲート電極は、最上部のチャネル領域上に形成される。このゲート電極と最上部のチャネル領域との間には、絶縁膜が配置される。
ソースおよびドレイン領域は、マルチチャネル領域と接続するように垂直方向に形成される。
このように形成された半導体デバイスの垂直性は、半導体デバイスに必要とされるシリコン領域を増加させずに、マルチチャネルを通じて流れる駆動電流を増加させることができる。
図1のスタック10は、第1酸化層14a、低濃度にドープされたポリシリコン(以下、シリコンという。)層15、第2酸化層14b、第2の低濃度にドープされたポリシリコン層15、および第3酸化層14cを含んでいる。第3酸化層14cは、図1におけるゲート酸化層を形成する。このスタック10は、高濃度にドープされたポリシリコンチャネル16、および、例えば窒化シリコンまたは他のハードマスク材料からなるハードマスク18を含んでいる。
シリコン層15は、p導電型のような第1の導電型でドープされる。また、ゲート電極16は、n導電型のような第2の導電型でドープされる。
代わりに、ゲート電極16をp型ドーパントでドープし、チャネル領域15のシリコンをn型ドーパントでドープしてもよい。
さらに、シリコン領域15および16は、シリコンゲルマニウム(SiGe)のような他の半導体を含んでいてもよい。
特にサブ45nmのULSIデバイスのようなデバイスを適用した場合、ゲート電極16が酸化され過ぎないようにするために、熱酸化プロセスの厳密な制御が必要である。ゲート電極16におけるような高濃度にドープされたシリコンは、チャネル領域15におけるような低濃度にドープされたシリコン中よりも酸化物をずっと速く成長させることが可能であるので、ゲート16の過酸化は容易に生じ得る。
層22および24は、ゲート電極16におけるようなドーパントと同じ導電型ドーパントでドープされる。したがって、記載されている例示的な実施形態においては、このドーパントはn型ドーパントである。シリコン層22および24のたい積は、例えば化学蒸着法(CVD)によって実行することができる。
これらの層をたい積した後、イオン注入によってシリコン層をドーピングするよりも、ドープされたシリコン層をたい積する方が好ましい。低濃度にドープされた領域および高濃度にドープされた領域を形成するように注入プロセスを制御することは、この配置では難しいためである。
しかしながら、所望のドーピングをするために注入を実行することも可能であり、本発明のある実施形態の一例においてはそのような注入を実行する。
シリコンスペーサ26は、第1チャネル領域および第2チャネル領域15と接続するが、熱酸化膜20によってゲート電極16から電気的に分離される。
絶縁材料は、例えば酸化物、窒化物、またはその他の適切な材料であり得る。
ゲート電極16の一部は、シリサイド領域30を形成するようにシリサイド化される。このシリサイド化は、高融点金属(refractory metal)層のたい積と、ゲート電極16の一部をシリサイド化するアニーリングを含んだ従来のシリサイド技術によって実行される。
このように、半導体デバイスの幅を増加させていない一方で、マルチチャネル(図6の例では3つのチャネル)により、電子の流れおよび駆動電流を増加させることができる。さらに、ゲートリーク電流とゲート容量を低減する。
金属ゲートは、置換金属ゲートであってもよいし、または最初から形成されるようにしてもよい。
さらに、絶縁膜14aないし14cのうちの1つ以上は、比較的低誘電率(low-k)の酸化物またはその他の材料ではなく、高誘電率(high-k)のゲート絶縁材料からなるものであってもよい。
図7においては、図2の熱酸化ステップとソースおよびドレイン拡張部注入ステップの後、隆起した(raised)ソースおよびドレイン形成プロセスを提供する。
このプロセスは、例えば、公知の方法により基板12上にシリコンを成長させ、次に、隆起したソースおよびドレイン40を形成するようにシリコンをエッチングすることによって、実行される。
ゲート電極層56は、最上部の絶縁膜52上に形成される。ゲート電極層56上にはハードマスク層58が形成される。
上述した実施形態におけるように、ゲート電極層56は、高濃度にドープされたシリコンまたはシリコンゲルマニウム層から形成することができる。また、チャネル層54は、低濃度にドープされたシリコンまたはシリコンゲルマニウム材料から形成することができる。
ゲート電極層56およびチャネル層54中のドーパントの導電型は、反対の型である。
記載する例示的な実施形態においては、説明のため、チャネル層54は、p型ドーパントで低濃度にドープされる。また、ゲート電極層56は、n型ドーパントで高濃度にドープされる。
熱酸化物ライナー60を形成した後に、窒化物のような第2絶縁層を、例えばCVDによってたい積する。
スペーサ・ドライエッチングは、一番上の絶縁膜52上で停止する。
このドライエッチングにより、熱酸化物ライナー60にゲート電極スペーサ64が生成される。このステップにおいて従来のドライエッチングプロセスを使用することができる。
シリコン基板50への損傷を防止するように制御するために、このドライエッチングは、一番下の絶縁膜52上で停止する。
拡張領域インプラントの後、ゲート電極スペーサ64の下方のスタックを削る(リセッシング)、ウェットエッチング・プロセスを実行する。このウェットエッチング・プロセスはさらに、一番下の絶縁膜52の一部を除去する働きをする。
しかしながら、図14に示される構造を形成するために必要であれば、第2ウェットエッチングを実行して一番下の絶縁膜52をさらに除去してもよい。
チャネル領域54aおよび絶縁領域52aを含むスタック66をリセッシングすることで、拡張領域インプラントが拡散してゲート電極56aの下のチャネルに到達する。
ドーパント導電型は、ゲート電極56a、および拡張インプラント領域68中のものと同じ型である。この例においては、ドーパント導電型はn型ドーパントである。ポリシリコン層70、72のたい積は、化学蒸着法(CVD)または他の適切な方法で行うことができる。
このとき、ハードマスク58aを適切なエッチング技術によって除去すれば、その後、シリコンスペーサ76上、およびゲート電極56a中にシリサイドを形成することができる。
その後、ソースおよびドレインのインプラントを実行して、基板50中にソースおよびドレイン領域82を形成する。
したがって、異なる実施形態においてはチャネル領域の数が異なり得ることは、当業者に自明である。
Claims (10)
- 基板(12)上の第1絶縁膜(14a)と、
前記第1絶縁膜(14a)上の第1チャネル領域(15)と、
前記第1チャネル領域(15)上の第2絶縁膜(14a)と、
前記第2絶縁膜(14b)上の第2チャネル領域(15)と、
前記第2チャネル領域(15)上の第3絶縁膜(14c)と、
前記第3絶縁膜(14c)上のゲート電極(16)と、
を含む、
マルチチャネル半導体デバイス。 - 前記第1チャネル領域(15)および前記第2チャネル領域(15)は、第1の導電型のドーパントで低濃度にドープされ、前記ゲート電極(16)は、前記第1の導電型と異なる第2の導電型のドーパントで高濃度にドープされる、請求項1記載のデバイス。
- 前記第1チャネル領域および前記第2チャネル領域と接続する、前記基板(12)上の隆起したソースおよびドレイン領域(40)をさらに含む、請求項2記載のデバイス。
- 基板(50)上に、絶縁膜(52)によって互いおよび前記基板(50)から垂直方向に分離された、少なくとも2つの低濃度にドープされたチャネル領域(54)を含むスタックを形成し、絶縁膜(52)によって前記チャネル領域(54)から分離されたゲート電極(56a)を形成するステップと、
前記ゲート電極(56a)の側壁に酸化物ライナー(60)を形成するステップと、
前記チャネル領域(54)の側壁と接続する、ソースおよびドレイン領域(76)を形成するステップと、
前記ゲート電極(56a)上の前記酸化物ライナー(60)上に、ゲート電極スペーサ(64)を形成するステップと、
を含む、マルチチャネル半導体デバイスを形成する方法。 - 前記酸化物ライナー(60)を形成するステップは、前記ゲート電極の前記側壁上に、熱酸化物ライナー(60)を形成するステップを含む、請求項4記載の方法。
- 前記酸化物ライナー(60)上に、ゲート電極スペーサ(64)を形成するステップは、前記酸化物ライナー(60)および前記ゲート電極(56a)上に窒化物(62)をたい積するステップと、前記チャネル領域(54)から前記ゲート電極(56a)を分離する前記絶縁膜(52)上で停止するスペーサエッチングを実行するステップと、を含む、請求項5記載の方法。
- 前記スタックを形成するステップは、前記ゲート電極スペーサ(64)を形成した後、前記絶縁膜(52)および前記チャネル領域(54)をドライエッチングし、前記基板(54)から前記チャネル領域(54)を分離する前記絶縁膜(52)上で前記ドライエッチングを停止する、請求項6記載の方法。
- 前記ドライエッチングの後、前記基板(50)にソースおよびドレイン拡張領域(68)を注入するステップをさらに含む、請求項7記載の方法。
- 前記ソースおよびドレイン領域(76)を形成するステップは、前記ソースおよびドレイン拡張領域(68)を注入した後、前記スタックおよび前記ゲート電極スペーサ(64)上に低濃度にドープした半導体層(70)をたい積するステップと、
前記低濃度にドープした半導体層(70)上に高濃度にドープした半導体層(72)をたい積するステップと、を含む、請求項8記載の方法。 - 前記ソースおよびドレイン領域(76)を形成するステップは、前記チャネル領域(54b)の側壁上に半導体スペーサ(76)を形成するように、前記軽濃度にドープされた半導体層(70)および前記高濃度にドープした半導体層(72)をドライエッチングするステップをさらに含み、
前記半導体スペーサ(76)上にデバイススペーサ(80)を形成するステップと、
前記デバイススペーサ(80)で前記ソースおよびドレイン拡張領域(68)をマスキングした状態で、前記基板(50)にソースおよびドレイン注入を実行するステップと、をさらに含む、請求項9記載の方法。
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