JP2007500447A - 処理物体を加工するシステム - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (166)
- 処理物体を加工するシステムであって、前記処理物体は、当該処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる、処理物体温度での所与の放出スペクトルを有し、前記システムは、
前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる、熱源動作温度での熱源放出スペクトルを有する加熱構成放射エネルギーを用いて前記処理物体を加熱する加熱構成と、
処理チャンバ内で、前記加熱構成放射エネルギーの一部に前記処理物体を露出し、また、前記処理物体を支持するのに用いるチャンバ画定手段であって、前記加熱構成放射エネルギーの第1部分および前記処理物体放射エネルギーの第2部分が、前記チャンバ画定手段の一部を形成する壁構成に入射し、また、前記壁構成の少なくとも一部は、第1のやり方で前記壁構成の前記部分に入射する前記加熱構成放射エネルギーの前記第1部分の大部分に応答し、第2のやり方で前記壁構成の前記部分に入射する前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分の大部分に応答するようにするチャンバ画定手段と、
を具えたことを特徴とするシステム。 - 前記壁構成の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記処理物体放射エネルギーの前記大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記チャンバ画定手段は、前記熱源放射エネルギーの前記第1部分に対して第1反射度スペクトルを示し、前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分に対して第2の異なる反射度スペクトルを示すことを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記壁構成の前記部分は、前記熱源放射エネルギーのうち約75%よりも大きい部分を反射し、前記処理物体放射エネルギーのうち約75%よりも大きい部分を吸収することを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記壁構成の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの少なくとも60%を反射し、前記処理物体放射エネルギーの少なくとも60%を吸収することを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 少なくとも前記壁構成の前記部分は、少なくとも前記第2のやり方で応答する材料からなる内側の層を含むことを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記材料からなる内側の層の厚さは、1nmから1.5mmの範囲であることを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 前記壁構成は、前記材料からなる内側の層を支持する金属壁構成を含むことを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 前記金属壁はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項8に記載のシステム。
- 前記材料からなる内側の層は、酸化アルミニウムおよび二酸化チタンの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 前記材料からなる内側の層は、少なくとも1種の元素の酸化物を含むことを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 前記内側の層の厚さは、約1nmから1.5mmの範囲であることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記材料からなる内側の層は、ポリマーを含むことを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 前記ポリマーは、前記第1のやり方および前記第2のやり方の少なくとも一方で、前記壁構成の前記応答に少なくとも部分的に寄与することを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記内側の層は、前記ポリマーとともにフィラーを含むことを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記ポリマーは、選択反射率特性を有し、前記フィラーは、基部被覆材料としての前記ポリマーの前記選択反射率特性を改変することを特徴とする請求項15に記載のシステム。
- 前記フィラーは、酸化アルミニウム粒子、二酸化チタン粒子、ガラス粒子、およびガラスファイバの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項16に記載のシステム。
- 前記壁構成は、協働して内側周辺部を画定する1つまたは複数のチャンバ壁部材を含み、前記内側周辺部は、前記加熱構成放射エネルギーの前記第1部分を受け取り、かつ前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分を受け取る1つまたは複数のシート部材を支持し、その結果、前記シート部材は、その上に入射する前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分の前記大部分を吸収することによって少なくとも前記第2のやり方で応答することを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記壁構成は、協働して内側周辺部を画定する1つまたは複数のチャンバ壁部材を含み、前記内側周辺部は、前記加熱構成放射エネルギーの前記第1部分を受け取り、かつ前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分を受け取る1つまたは複数のシート部材を支持し、その結果、前記シート部材は、前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答することを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記壁構成は、前記熱源放射エネルギーおよび前記処理物体放射エネルギーに流動性材料を露出するやり方で前記流動性材料の層を支持するように構成され、その結果、前記流動性材料は、前記第1のやり方および前記第2のやり方の少なくとも一方で応答することを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記壁構成は、(i)協働して内側周辺部を画定する1つまたは複数のチャンバ壁部材と、(ii)前記内側周辺部の少なくとも一部と前記基板との間で支持される透明壁部材とを含み、それによって、前記流動性材料が、前記透明壁部材を介して前記熱源放射エネルギーおよび前記処理物体放射エネルギーに露出されるように、前記内側周辺部の前記部分と前記透明壁部材との間で通路が画定されることを特徴とする請求項20に記載のシステム。
- 前記流動性材料はさらに、前記チャンバ画定手段を冷却する働きをすることを特徴とする請求項20に記載のシステム。
- 前記流動性材料は液体であることを特徴とする請求項20に記載のシステム。
- 前記液体は水を含むことを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記液体は重水素で置換された水を含むことを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記液体は酸化重水素を含むことを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記流動性材料は気体状であることを特徴とする請求項20に記載のシステム。
- 前記壁構成は、前記処理物体に近づくように内向きに離間した外壁および内壁を含み、それによって、前記内壁と前記外壁の間で、前記流動性材料を受けるキャビティが画定され、前記流動性材料が前記キャビティ内で受けられることを特徴とする請求項20に記載のシステム。
- 前記内壁は、前記熱源放射エネルギーおよび前記処理物体放射エネルギーに実質的に透明であることを特徴とする請求項28に記載のシステム。
- 前記内壁は、前記熱源放射エネルギーに実質的に透明であり、前記処理物体放射エネルギーに実質的に不透明であることを特徴とする請求項28に記載のシステム。
- 前記壁構成は、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射する少なくとも前記第1のやり方で応答する単層薄膜被覆および薄膜スタックの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記壁構成は、内側の層が前記処理物体に最も近くなるように少なくとも2つの層で構成される積層構成を含むことを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 前記内側の層は、隣接する外向きの層に直接取り付けられることを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記隣接する層は、少なくとも前記加工中に前記処理物体に直接露出されることにより汚染物を生成し、前記内側の層は、前記汚染物が前記処理物体に到達することを妨げることを特徴とする請求項33に記載のシステム。
- 前記隣接する層は、前記第1のやり方および前記第2のやり方の両方で応答することを特徴とする請求項34に記載のシステム。
- 前記積層構成は、前記内側の層から外向きに離間した追加の層を含み、それによって、前記追加の層と前記内側の層の間に流体層を支持するキャビティが形成され、その結果、前記積層構成内で、前記流体層が第2層として働き、前記追加の層が第3層として働くことを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記追加の層は、少なくとも前記加工中に前記処理物体に直接露出されることにより汚染物を生成し、前記内側の層は、前記汚染物が前記処理物体に到達することを妨げることを特徴とする請求項36に記載のシステム。
- 前記流体層は、前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答することを特徴とする請求項36に記載のシステム。
- 前記追加の層は、前記第1のやり方で応答し、前記流体層は、少なくとも前記第2のやり方で応答することを特徴とする請求項36に記載のシステム。
- 前記流体層は、前記処理物体に直接露出されることにより汚染物を生成し、前記内側の層は、前記汚染物が前記処理物体に到達することを妨げることを特徴とする請求項36に記載のシステム。
- 前記積層構成は薄膜スタックを含むことを特徴とする請求項32に記載のシステム。
- 前記薄膜スタックは、前記積層構成内で前記処理物体に最も近い前記内側の層として働き、前記薄膜スタックと協働して前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答する隣接する層によって支持されることを特徴とする請求項41に記載のシステム。
- 前記壁構成の前記部分は、波長の増加に伴って少なくとも反射率の全体的な減少をもたらし、前記減少は、前記処理物体の前記所与の放出スペクトルおよび前記加熱構成の前記熱源放出スペクトルと協働して、前記壁構成の前記部分が前記第1および第2のやり方で応答することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記反射率の全体的な減少は主に、約1μmから10μmの範囲で生じることを特徴とする請求項43に記載のシステム。
- 前記反射率の全体的な減少は、少なくとも約2μmから3μmで生じることを特徴とする請求項43に記載のシステム。
- 前記壁構成は、1つまたは複数の壁部材を使用して形成され、各壁部材の全体的厚さは、前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記壁部材は、不透明な石英およびアルミナの少なくとも一方から形成されることを特徴とする請求項46に記載のシステム。
- 前記壁構成は、前記第1および第2のやり方で応答する前記チャンバに少なくとも寄与する表面粗さを有する内側の表面構成を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記チャンバ画定手段は、前記加熱構成と前記基板の間で支持されるウィンドウ構成を含み、その結果、前記加熱構成放射エネルギーの前記部分は、前記ウィンドウ構成を貫通して前記処理物体に到達し、前記処理物体放射エネルギーの一部は、前記ウィンドウ構成に入射することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記ウィンドウ構成は、波長の増加に伴って少なくとも透過率の全体的な減少をもたらすことを特徴とする請求項49に記載のシステム。
- 前記透過率の全体的な減少は主に、約1μmから10μmの範囲で生じることを特徴とする請求項50に記載のシステム。
- 前記透過率の全体的な減少は、少なくとも約2μmから3μmで生じることを特徴とする請求項50に記載のシステム。
- 前記ウィンドウ構成は、前記処理物体放射エネルギーの前記部分に、その大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように構成されることを特徴とする請求項49に記載のシステム。
- 前記ウィンドウ構成は、その上に入射する前記処理物体放射エネルギーの前記部分を吸収することに少なくとも部分的に応答して前記システムの動作中にピーク温度に達し、その結果、前記ピーク温度は、前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分を吸収する前記壁構成の前記部分によって下がり、そのため、前記処理物体放射エネルギーの前記部分の強度が小さくなることを特徴とする請求項53に記載のシステム。
- 前記ウィンドウ構成は、その上に入射する前記処理物体放射エネルギーの大部分に少なくとも前記第2のやり方で応答するように構成された薄膜スタックを含むことを特徴とする請求項53に記載のシステム。
- 前記ウィンドウ構成は、前記処理物体に向かう方向と、離れる方向のそれぞれ第1および第2の互いに反対側を向く主要表面を画定するウィンドウ層を含み、前記薄膜スタックは、前記第1および第2の主要表面の一方によって支持されることを特徴とする請求項55に記載のシステム。
- 前記ウィンドウ構成は、少なくとも2つの層を有する積層構成を含むことを特徴とする請求項53に記載のシステム。
- 前記ウィンドウ構成は、前記熱源放射エネルギーの前記部分および前記処理物体放射エネルギーの前記部分に流動性材料を露出するやり方で、隣接する1対の前記層間で前記流動性材料の層を支持するように構成され、その結果、前記流動性材料は、少なくとも概ね前記第2のやり方で、前記ウィンドウ構成に入射する前記処理物体放射エネルギーの大部分に応答することを特徴とする請求項57に記載のシステム。
- 前記流動性材料はさらに、前記チャンバ画定手段を冷却する働きをすることを特徴とする請求項58に記載のシステム。
- 前記壁構成の前記部分は、前記壁構成によって画定される全表面積の約20%以上の被処理表面積を覆うことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 処理物体を加工するシステムにおける方法であって、前記処理物体は、前記処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有し、前記方法は、
熱源動作温度において前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる熱源放出スペクトルを有する熱源放射エネルギーを利用して前記処理物体を加熱する加熱構成を提供することと、
チャンバ画定手段を使用して処理チャンバを画定することとを含み、前記チャンバ画定手段は、前記処理チャンバ内で、前記加熱構成の放射エネルギーの一部に前記処理物体を露出し、前記処理物体を支持するのに使用し、その結果、前記加熱構成放射エネルギーの第1部分および前記処理物体放射エネルギーの第2部分が、前記チャンバ画定手段の一部を形成する壁構成に入射し、前記方法はさらに、
前記壁構成の少なくとも一部を、第1のやり方で、前記壁構成の前記部分に入射する前記加熱構成放射エネルギーの前記第1部分の大部分に応答し、第2のやり方で、前記壁構成の前記部分に入射する前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分の大部分に応答するように構成することを含むことを特徴とする方法。 - 前記壁構成の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記処理物体放射エネルギーの前記大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように構成されることを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記チャンバ画定手段は、前記熱源放射エネルギーの前記第1部分に対して第1反射率スペクトルを示し、前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分に対して第2の異なる反射率プロフィールを示すように構成されることを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記壁構成の前記部分は、前記熱源放射エネルギーのうち約75%よりも大きい部分を反射し、前記処理物体放射エネルギーのうち約75%よりも大きい部分を吸収することを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記壁構成の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの少なくとも60%を反射し、前記処理物体放射エネルギーの少なくとも60%を吸収することを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 少なくとも前記壁構成の前記部分について、少なくとも前記第2のやり方で応答する材料からなる内側の層で前記処理チャンバを形成するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記材料からなる内側の層の厚さは、1nmから1.5mmの範囲であることを特徴とする請求項66に記載のシステム。
- 金属壁構成を使用して前記壁構成を形成するステップと、前記金属壁構成によって前記材料からなる内側の層を支持するステップとを含むことを特徴とする請求項66に記載の方法。
- 前記金属壁はアルミニウムを含んで形成されることを特徴とする請求項68に記載の方法。
- 前記材料からなる内側の層は、酸化アルミニウムおよび二酸化チタンの少なくとも一方を含んで形成されることを特徴とする請求項66に記載の方法。
- 前記材料からなる内側の層は、少なくとも1種の元素の酸化物を含むことを特徴とする請求項66に記載の方法。
- 前記内側の層は、約1nmから1.5mmの範囲の厚さで構成されることを特徴とする請求項70に記載の方法。
- 前記被覆材料からなる内側の層は、ポリマーを含むことを特徴とする請求項66に記載の方法。
- 前記ポリマーを使用して、前記第1のやり方および前記第2のやり方の少なくとも一方で、前記壁構成の前記応答に少なくとも部分的に寄与するステップを含むことを特徴とする請求項66に記載の方法。
- 前記ポリマーとともに前記内側の層の一部としてフィラーを使用するステップを含むことを特徴とする請求項73に記載の方法。
- 前記フィラーは、基部被覆材料としての前記ポリマーの選択反射率を改変することを特徴とする請求項75に記載の方法。
- 前記フィラー内に、酸化アルミニウム粒子、二酸化チタン粒子、ガラス粒子、およびガラスファイバの少なくとも1種を提供するステップを含むことを特徴とする請求項76に記載の方法。
- 前記壁構成は、協働して内側周辺部を画定する1つまたは複数のチャンバ壁部材を使用して形成され、前記方法は、前記内側周辺部によって1つまたは複数のシート部材を支持して前記チャンバ画定手段の内面を形成し、その結果、前記シート部材は、その上に入射する前記処理物体放射エネルギーの前記第1部分の前記大部分を吸収することによって、少なくとも前記第2のやり方で応答するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記壁構成は、協働して内側周辺部を画定する1つまたは複数のチャンバ壁部材を使用して構成され、前記方法は、前記内側周辺部を使用して、前記加熱構成放射エネルギーの前記第1部分を受け取り、かつ前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分を受け取る1つまたは複数のシート部材を支持し、その結果、前記シート部材は、前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記壁構成は、前記熱源放射エネルギーおよび前記処理物体放射エネルギーに流動性材料を露出するやり方で前記流動性材料の層を支持するように構成され、その結果、前記流動性材料は、前記第1のやり方および前記第2のやり方の少なくとも一方で応答することを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 前記壁構成は、協働して内側周辺部を画定する1つまたは複数のチャンバ壁部材を含み、前記方法は、前記内側周辺部の少なくとも一部と前記基板との間で透明壁部材を支持し、それによって、前記流動性材料が、前記透明壁部材を介して前記熱源放射エネルギーおよび前記処理物体放射エネルギーに露出されるように、前記内側周辺部の前記部分と前記透明壁部材の間とで通路が画定されるステップを含むことを特徴とする請求項80に記載の方法。
- 前記流動性材料の前記層を使用して、前記チャンバ画定手段を冷却するステップを含むことを特徴とする請求項80に記載の方法。
- 前記流動性材料として液体を使用するステップを含むことを特徴とする請求項80に記載の方法。
- 前記液体の少なくとも一部として水を使用するステップを含むことを特徴とする請求項83に記載の方法。
- 前記液体の少なくとも一部として重水素で置換された水を使用するステップを含むことを特徴とする請求項83に記載の方法。
- 前記液体中で酸化重水素を使用するステップを含むことを特徴とする請求項83に記載の方法。
- 前記流動性材料として気体を使用するステップを含むことを特徴とする請求項80に記載の方法。
- 前記処理物体に近づくように内向きに離間した外壁および内壁を含むように前記壁構成を形成し、それによって、前記内壁と前記外壁の間で、前記流動性材料を受けるキャビティが画定されるステップと、前記流動性材料が前記キャビティ内で受け取られるステップとを含むことを特徴とする請求項80に記載の方法。
- 前記熱源放射エネルギーおよび前記処理物体放射エネルギーに実質的に透明であるように前記内壁を選択するステップを含むことを特徴とする請求項88に記載の方法。
- 前記熱源放射エネルギーに実質的に透明であり、前記処理物体放射エネルギーに実質的に不透明であるように前記内壁を選択するステップを含むことを特徴とする請求項88に記載の方法。
- 前記壁構成の一部として、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射する少なくとも前記第1のやり方で応答する単層薄膜被覆および薄膜スタックの少なくとも一方を形成するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 内側の層が前記処理物体に最も近くなるように少なくとも2つの層で形成される積層構成を含むように前記チャンバ画定手段を形成するステップを含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。
- 隣接する外向きの層に前記内側の層を直接取り付けるステップを含むことを特徴とする請求項92に記載の方法。
- 前記隣接する層は、少なくとも前記加工中に前記処理物体に直接露出されることにより汚染物を生成し、前記内側の層は、前記汚染物が前記処理物体に到達することを妨げることを特徴とする請求項93に記載の方法。
- 前記第1のやり方および前記第2のやり方の両方で応答するように前記隣接する層を選択するステップを含むことを特徴とする請求項94に記載の方法。
- 前記積層構成の一部として、前記内側の層から外向きに離間した追加の層を設け、それによって、前記追加の層と前記内側の層の間に流体層を支持するキャビティが形成され、その結果、前記積層構成内で、前記流体層が第2層として働き、前記追加の層が第3層として働くステップを含むことを特徴とする請求項92に記載の方法。
- 前記追加の層は、少なくとも前記加工中に前記処理物体に直接露出されることにより汚染物を生成し、前記方法は、前記汚染物が前記処理物体に到達することを妨げるように前記内側の層を選択するステップを含むことを特徴とする請求項96に記載の方法システム。
- 前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答するように前記流体層を選択するステップを含むことを特徴とする請求項96に記載の方法。
- 前記追加の層は、前記第1のやり方で応答するように選択され、前記流体層は、少なくとも前記第2のやり方で応答するように選択されることを特徴とする請求項96に記載の方法。
- 前記流体層は、前記処理物体に直接露出されることにより汚染物を生成し、前記方法は、前記汚染物が前記処理物体に到達することを妨げるように前記内側の層を選択するステップを含むことを特徴とする請求項96に記載の方法。
- 前記積層構成の少なくとも一部として薄膜スタックを形成するステップ含むことを特徴とする請求項92に記載の方法。
- 前記積層構成内で前記処理物体に最も近い前記内側の層として働く前記薄膜スタックを形成するステップと、前記一連の薄膜被覆と協働して前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答する隣接する層を使用して前記薄膜スタックを支持するステップとを含むことを特徴とする請求項101に記載の方法。
- 前記チャンバ画定手段の前記部分は、波長の増加に伴って少なくとも反射率の全体的な減少をもたらすように構成され、前記減少は、前記処理物体の前記所与の放出スペクトルおよび前記加熱構成の前記熱源放出スペクトルと協働して、前記チャンバ手段が前記第1および第2のやり方で応答することを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記拡散反射率の全体的な減少は主に、約1μmから10μmの範囲で生じることを特徴とする請求項103に記載の方法。
- 前記拡散反射率の全体的な減少は、少なくとも約2μmから3μmで生じることを特徴とする請求項43に記載の方法。
- 1つまたは複数の壁部材を使用して前記壁構成を形成するステップを含み、各壁部材の全体的厚さは、前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答することを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 不透明な石英およびアルミナの少なくとも一方を使用して前記壁部材を形成するステップを含むことを特徴とする請求項106に記載の方法。
- 前記壁構成は内側の表面構成を含み、前記方法は、前記第1および第2のやり方で応答する前記チャンバに少なくとも寄与する表面粗さを形成するステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記加熱構成と前記基板の間でウィンドウ構成を支持し、その結果、前記加熱構成放射エネルギーの前記部分は、前記ウィンドウ構成を貫通して前記処理物体に到達し、前記処理物体放射エネルギーの一部は、前記ウィンドウ構成に入射するステップを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記ウィンドウ構成は、その上に入射する前記処理物体放射エネルギーの前記部分を吸収することに少なくとも部分的に応答して前記システムの動作中にピーク温度に達し、その結果、前記ピーク温度は、前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分を吸収する前記壁構成の前記部分によって下がり、そのため、前記処理物体放射エネルギーの前記部分の強度が小さくなることを特徴とする請求項109に記載の方法。
- 前記ウィンドウ構成は、波長の増加に伴って少なくとも反射率の全体的な減少をもたらすように構成されることを特徴とする請求項109に記載の方法。
- 前記ウィンドウ構成は、波長の増加に伴って少なくとも透過率の全体的な減少をもたらすように選択されることを特徴とする請求項109に記載の方法。
- 前記透過率の全体的な減少は主に、約1μmから10μmの範囲で生じることを特徴とする請求項112に記載の方法。
- 前記透過率の全体的な減少は、少なくとも約2μmから3μmで生じることを特徴とする請求項112に記載の方法。
- 前記処理物体放射エネルギーの前記部分に、その大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように前記ウィンドウ構成を構成することを含むことを特徴とする請求項109に記載の方法。
- 前記ウィンドウ構成の一部として、前記ウィンドウ構成に入射する前記処理物体放射エネルギーの大部分に少なくとも前記第2のやり方で応答するように構成された薄膜スタックを形成することを含むことを特徴とする請求項115に記載の方法。
- 前記ウィンドウ構成は、前記処理物体に向かう方向と、離れる方向のそれぞれ第1および第2の互いに反対側を向く主要表面を画定するウィンドウ層で構成され、前記方法は、前記第1および第2の主要表面の一方を使用して前記薄膜スタックを支持することを含むことを特徴とする請求項116に記載のシステムの方法。
- 積層構成を使用して、少なくとも2つの層を有する前記ウィンドウ構成を形成するステップを含むことを特徴とする請求項53に記載の方法。
- 前記ウィンドウ構成は、前記熱源放射エネルギーおよび前記処理物体放射エネルギーに流動性材料を露出するやり方で、隣接する1対の前記層間で前記流動性材料の層を支持するように構成され、その結果、前記流動性材料は、少なくとも概ね前記第2のやり方で、前記ウィンドウ構成に入射する前記処理物体放射エネルギーの大部分に応答することを特徴とする請求項118に記載の方法。
- 前記流動性材料はさらに、前記チャンバ画定手段を冷却する働きをすることを特徴とする請求項119に記載の方法。
- 前記壁構成の前記部分は、前記壁構成によって画定される全表面積の約20%以上の被処理表面積を覆うことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 処理物体を加工するシステムで使用するために、前記システムは、前記処理物体を受け取り、加工中に前記処理物体を支持するための未改変チャンバ構成とともに使用可能であり、前記未改変チャンバ構成では、その中で加熱された後で、前記処理物体の所与の最大冷却速度が得られ、前記未改変チャンバ構成の代替形態として、前記システム内で使用可能な改変チャンバ構成であって、
チャンバ画定手段を備え、前記チャンバ画定手段は、その中で前記処理物体を支持し、前記所与の最大冷却速度よりも速い改変された最大冷却速度を提供するのに使用されるように構成されることを特徴とする改変チャンバ構成。 - 前記所与の加熱構成は、動作温度で加熱構成放出スペクトルを示し、前記処理物体は、処理物体温度に加熱されて、前記加熱構成放出スペクトルと異なる処理物体放出スペクトルを示し、前記チャンバ画定手段は、第1のやり方で前記加熱構放出スペクトルに応答し、第2のやり方で前記処理物体放出スペクトルに応答し、それによって前記改変された最大冷却速度が得られるように構成されることを特徴とする請求項122に記載の改変チャンバ構成。
- 前記チャンバ画定手段は、前記第1および第2のやり方で応答する選択反射率で構成された内側周辺部を含むことを特徴とする請求項123に記載の改変チャンバ構成。
- 前記内側周辺部は、少なくとも1種の元素の酸化物を含む内側の層で画定されることを特徴とする請求項124に記載の改変チャンバ構成。
- 前記内側の層は、酸化アルミニウムおよび二酸化チタンの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項125に記載の改変チャンバ構成。
- 前記内側の層の厚さは、約1nmから1.5mmの範囲であることを特徴とする請求項125に記載の改変チャンバ構成。
- 前記未改変チャンバ構成は、前記処理物体と協働して、前記処理物体からの所与の熱損失効率を生成し、前記チャンバ画定手段は、前記処理物体とともに使用されると、前記改変されていない熱損失効率よりも大きい改変された熱損失効率を生成することを特徴とする請求項122に記載の改変チャンバ構成。
- 処理物体を加工するシステムで使用するために、前記システムは、前記処理物体を受け取り、加工中に前記処理物体を支持するための未改変チャンバ構成とともに使用可能であり、前記未改変チャンバ構成では、その中で加熱された後で、前記処理物体の所与の最大冷却速度が得られる方法であって、
改変されたチャンバ画定手段を構成することを含み、前記改変されたチャンバ画定手段は、その中で前記処理物体を支持し、前記所与の最大冷却速度よりも速い前記処理物体の改変された最大冷却速度を提供するのに使用されることを特徴とする方法。 - 前記所与の加熱構成は、動作温度で加熱構成放出スペクトルを示し、前記処理物体は、前記加工中に処理物体温度に加熱されて、前記加熱構成放出スペクトルと異なる処理物体放出スペクトルを示し、前記チャンバ画定手段は、第1のやり方で前記加熱構放出スペクトルに応答し、第2のやり方で前記処理物体放出スペクトルに応答し、それによって前記改変された最大冷却速度が得られるように構成されることを特徴とする請求項129に記載の方法。
- 前記第1のやり方および前記第2のやり方で応答する選択反射プロフィールで構成された少なくとも内側の層を有する前記チャンバ画定手段の内側周辺部を形成するステップを含むことを特徴とする請求項130に記載の方法。
- 酸化アルミニウムおよび二酸化チタンの少なくとも一方を使用して前記内側の層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項131に記載の方法。
- 前記内側の層は、約1nmから1.5mmの厚さを有するように形成されることを特徴とする請求項127に記載の方法。
- 前記未改変チャンバ構成は、前記処理物体と協働して、前記処理物体からの所与の熱損失効率を生成し、前記方法は、前記チャンバ画定手段を使用して、前記改変されていない熱損失効率よりも大きい改変された熱損失効率を生成するステップを含むことを特徴とする請求項129に記載の方法。
- 処理物体を加工するシステムであって、前記処理物体は、前記処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有し、前記システムは、
熱源動作温度において前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる熱源放出スペクトルを有する熱源放射エネルギーを利用して前記処理物体を加熱する加熱構成と、
処理チャンバ内で、前記加熱構成の放射エネルギーの一部に前記処理物体を露出し、前記処理物体を支持するのに使用するチャンバ画定手段とを備え、その結果、前記加熱構成放射エネルギーの第1部分および前記処理物体放射エネルギーの第2部分が、前記チャンバ画定手段の一部を形成する壁構成に入射し、前記壁構成の少なくとも一部は、選択反射率で、前記加熱構成放射エネルギーの前記第1部分および前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分に応答するように構成されることを特徴とするシステム。 - 処理物体を加工するシステムにおいて、前記処理物体は、前記処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有する方法であって、
熱源放射エネルギー、および熱源動作温度において前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる熱源放出スペクトルを有する加熱構成を使用して前記処理物体を加熱することと、
チャンバ画定手段によって画定される処理チャンバ内で、前記加熱構成放射エネルギーの一部に前記処理物体を露出し、前記処理物体を支持することとを含み、前記加熱構成放射エネルギーの第1部分および前記処理物体放射エネルギーの第2部分は、前記チャンバ画定手段の一部を形成する壁構成に入射し、前記方法はさらに、
選択反射率で、前記加熱構成放射エネルギーの前記第1部分および前記処理物体放射エネルギーの前記第2部分に応答するように前記壁構成を構成することを含むことを特徴とする方法。 - 処理物体を加工するシステムであって、前記処理物体は、前記処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有し、前記システムは、
熱源動作温度において前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる熱源放出スペクトルを有する加熱構成放射エネルギーを利用して前記処理物体を加熱する加熱構成と、
感知波長において前記処理物体放射エネルギーを感知する感知手段と、
処理チャンバ内で、前記加熱構成放射エネルギーの一部に前記処理物体を露出し、前記処理物体を支持するチャンバ画定手段とを備え、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部は、同時に、(i)第1のやり方で、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部に入射する前記加熱構成放射エネルギーの大部分に応答し、(ii)第2のやり方で、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部に入射する前記処理物体放射エネルギーの大部分に応答し、(iii)前記感知波長において第3のやり方で応答するように構成されることを特徴とするシステム。 - 前記チャンバ画定手段の前記部分は、その上に入射する前記感知波長の前記大部分を反射するか、または吸収するように構成されることを特徴とする請求項137に記載のシステム。
- 前記チャンバ画定手段の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記処理物体放射エネルギーの前記大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように構成されることを特徴とする請求項138に記載のシステム。
- 前記チャンバ画定手段の前記部分は、その上に入射する前記感知波長の前記大部分を反射するように構成されることを特徴とする請求項137に記載のシステム。
- 前記チャンバ画定手段の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記処理物体放射エネルギーの前記大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように構成されることを特徴とする請求項140に記載のシステム。
- 処理物体を加工するシステムにおいて、前記処理物体は、前記処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有する方法であって、
熱源動作温度において前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる熱源放出スペクトルを有する加熱構成放射エネルギーを利用して前記処理物体を加熱することと、
感知波長において前記処理物体放射エネルギーを感知することと、
処理チャンバ内で、前記加熱構成放射エネルギーの一部に前記処理物体を露出し、前記処理物体を支持するチャンバ画定手段を構成することとを含み、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部は、同時に、(i)第1のやり方で、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部に入射する前記加熱構成放射エネルギーの大部分に応答し、(ii)第2のやり方で、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部に入射する前記処理物体放射エネルギーの大部分に応答し、(iii)前記感知波長において第3のやり方で応答するように構成されることを特徴とする方法。 - 前記チャンバ画定手段の前記部分は、その上に入射する前記感知波長の前記大部分を反射するか、または吸収するように構成されることを特徴とする請求項142に記載の方法。
- 前記チャンバ画定手段の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記処理物体放射エネルギーの前記大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように構成されることを特徴とする請求項143に記載の方法。
- 前記チャンバ画定手段の前記部分は、その上に入射する前記感知波長の前記大部分を反射するように構成されることを特徴とする請求項142に記載の方法。
- 前記チャンバ画定手段の前記部分は、前記熱源放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記処理物体放射エネルギーの前記大部分を吸収することによって前記第2のやり方で応答するように構成されることを特徴とする請求項145に記載の方法。
- 処理物体を加工するシステムであって、前記処理物体は、前記処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有し、前記システムは、
熱源動作温度において前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる熱源放出スペクトルを有する加熱構成放射エネルギーを利用して前記処理物体を加熱する加熱構成と、
感知波長において、前記処理物体から放出された前記処理物体放射エネルギーを感知する感知手段と、
処理チャンバ内で、前記加熱構成放射エネルギーに前記処理物体を露出し、前記処理物体を支持するチャンバ画定手段とを備え、前記チャンバ画定手段の少なくとも第1部分は、その上に入射する前記感知波長の大部分を反射するように構成され、前記チャンバ画定手段の第2の異なる部分は、その上に入射する前記感知波長の大部分を選択的に吸収するように構成されることを特徴とするシステム。 - 前記第1部分は、その上に入射する前記感知波長の前記大部分を選択的に反射するように構成されることを特徴とする請求項147に記載のシステム。
- 前記処理物体は、第1および第2の互いに反対側を向く主要表面を画定し、前記加熱構成は、前記処理物体の前記第1主要表面にだけ向かい合い、それを直接加熱し、前記チャンバ画定手段の前記第1および第2の部分は、前記加熱構成および前記処理物体の前記第2主要表面に向かい合うチャンバ表面の異なる部分を構成することを特徴とする請求項147に記載のシステム。
- 前記感知手段は、前記チャンバ画定手段の前記第1部分から感知することを特徴とする請求項149に記載のシステム。
- 前記感知手段は、少なくとも近似的に、前記チャンバ画定手段の前記第1部分の中心位置から感知することを特徴とする請求項150に記載のシステム。
- 前記感知手段は、前記処理物体の前記第2主要表面に直接向かい合うことを特徴とする請求項150に記載のシステム。
- 処理物体を加工するシステムにおいて、前記処理物体は、前記処理物体に処理物体放射エネルギーを生成させる処理物体温度での所与の放出スペクトルを有する方法であって、
熱源動作温度において前記処理物体の前記所与の放出スペクトルと異なる熱源放出スペクトルを有する加熱構成放射エネルギーを生成する加熱構成を使用して前記処理物体を加熱することと、
感知波長において、前記処理物体から放出された前記処理物体放射エネルギーを感知する感知手段を提供することと、
処理チャンバ内で、前記加熱構成放射エネルギーに前記処理物体を露出し、前記処理物体を支持するチャンバ画定手段を構成することとを含み、前記チャンバ画定手段の少なくとも第1部分は、その上に入射する前記感知波長の大部分を反射するように構成され、前記チャンバ画定手段の第2の異なる部分は、その上に入射する前記感知波長の大部分を選択的に吸収するように構成されることを特徴とする方法。 - 前記第1部分は、その上に入射する前記感知波長の前記大部分を選択的に反射するように構成されることを特徴とする請求項153に記載の方法。
- 前記処理物体は、第1および第2の互いに反対側を向く主要表面を画定するように形成され、前記加熱構成は、前記処理物体の前記第1主要表面にだけ向かい合い、それを直接加熱し、前記チャンバ画定手段の前記第1および第2の部分は、前記加熱構成および前記処理物体の前記第2主要表面に向かい合うチャンバ表面の異なる部分を形成するように構成されることを特徴とする請求項153に記載の方法。
- 前記チャンバ画定手段の前記第1部分から感知するように前記感知手段を配置することを含むことを特徴とする請求項155に記載の方法。
- 前記感知手段は、少なくとも近似的に、前記チャンバ画定手段の前記第1部分の中心位置から感知するように配置されることを特徴とする請求項156に記載の方法。
- 前記感知手段は、前記処理物体の前記第2主要表面に直接向かい合うように配置されることを特徴とする請求項156に記載の方法。
- 処理物体を加工するシステムであって、
加熱構成放射エネルギーを利用して前記処理物体を加熱する加熱構成と、
チャンバ画定手段とを備え、前記チャンバ画定手段は、その中の前記処理物体を前記加熱構成放射エネルギーの一部に露出し、前記加熱構成放射エネルギーの別の部分は、前記チャンバ画定手段に入射し、その結果、前記チャンバ画定手段内に全放射エネルギーが存在し、前記チャンバ画定手段は、前記加熱構成と前記処理物体の間に、不透明になり始める波長よりも長い波長で少なくとも近似的に不透明なウィンドウを含み、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部は選択反射構成を含み、前記選択反射構成は、第1のやり方で、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも短い波長の前記全放射エネルギーの大部分に応答し、第2のやり方で、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも長い波長の前記全放射エネルギーの大部分に応答することを特徴とするシステム。 - 前記選択反射構成は、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも短い波長を有する前記全放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも長い波長を有する前記全放射エネルギーの大部分を吸収することによって応答することを特徴とする請求項159に記載のシステム。
- 前記選択反射構成は、少なくとも部分的に、前記不透明になり始める波長に基づくクロスオーバ波長で構成されることを特徴とする請求項159に記載のシステム。
- 前記ウィンドウは石英を使用して形成され、前記選択反射構成は、約3.7μmのクロスオーバ波長を有することを特徴とする請求項159に記載のシステム。
- 処理物体を加工するシステムにおける方法であって、
処理物体を加熱する加熱構成を提供することと、
チャンバ画定手段を構成することとを含み、前記チャンバ画定手段は、その中の前記処理物体を前記加熱構成の放射エネルギーの一部に露出し、前記加熱構成放射エネルギーの別の部分は、前記チャンバ画定手段に入射し、その結果、前記チャンバ画定手段内に全放射エネルギーが存在し、前記チャンバ画定手段は、前記加熱構成と前記処理物体の間に、不透明になり始める波長よりも長い波長で少なくとも近似的に不透明なウィンドウを含み、前記チャンバ画定手段の少なくとも一部は選択反射構成を含み、前記選択反射構成は、第1のやり方で、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも短い波長の前記全放射エネルギーの大部分に応答し、第2のやり方で、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも長い波長の前記全放射エネルギーの大部分に応答することを特徴とする方法。 - 前記選択反射構成は、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも短い波長を有する前記全放射エネルギーの前記大部分を反射することによって前記第1のやり方で応答し、前記選択反射構成に入射する、前記不透明になり始める波長よりも長い波長を有する前記全放射エネルギーのわずかな部分を反射することによって応答することを特徴とする請求項163に記載の方法。
- 少なくとも部分的に、前記不透明になり始める波長に基づくクロスオーバ波長で前記選択反射構成を構成することを含むことを特徴とする請求項163に記載の方法。
- 前記ウィンドウは石英を使用して形成され、前記方法は、約3.7μmのクロスオーバ波長で前記選択反射構成を構成することを含むことを特徴とする請求項163に記載の方法。
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