JP2007311791A5 - - Google Patents

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  1. 半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
    前記層間絶縁膜内に提供された第１電極及び第２電極と、
    前記第１電極と第２電極との間に提供され、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ａ１（Ｇｅ２１．４３、Ｂｉ１６．６７、Ｔｅ６１．９）、Ａ２（Ｇｅ４４．５１、Ｂｉ０．３５、Ｔｅ５５．１４）、Ａ３（Ｇｅ５９．３３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．１７）及びＡ４（Ｇｅ３８．７１、Ｂｉ１６．１３、Ｔｅ４５．１６））で囲まれた範囲内の組成比を有するアンドープトＧｅＢｉＴｅ膜、前記三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ｄ１（Ｇｅ１０、Ｂｉ２０、Ｔｅ７０）、Ｄ２（Ｇｅ３０、Ｂｉ０、Ｔｅ７０）、Ｄ３（Ｇｅ７０、Ｂｉ０、Ｔｅ３０）及びＤ４（Ｇｅ５０、Ｂｉ２０、Ｔｅ３０））で囲まれた範囲内の組成比を有しながら不純物を含むドープトＧｅＢｉＴｅ膜、または前記点（Ｄ２、Ｄ３）間の直線上の座標に相応する組成比を有しながら不純物を含むドープトＧｅＴｅ膜である相変化物質パターンと、
    前記層間絶縁膜上に配置され、前記第２電極に電気的に接続されたビットラインと、
    を含むことを特徴とする相変化記憶セル。
  2. 前記半導体基板上に形成されて前記第１電極に電気的に接続されたセルスイッチング素子をさらに含み、
    前記セルスイッチング素子は、セルダイオードであり、
    前記セルダイオードは、前記層間絶縁膜内に順に積層されたｎ型半導体及びｐ型半導体を具備する垂直セルダイオードであり、前記ｐ型半導体は前記第１電極に電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の相変化記憶セル。
  3. 前記第１電極は、窒化チタン膜（ＴｉＮ）または窒化チタンアルミニウム膜（ＴｉＡｌＮ）であることを特徴とする請求項１または２に記載の相変化記憶セル。
  4. 前記第２電極は、窒化チタン膜（ＴｉＮ）であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の相変化記憶セル。
  5. 前記アンドープトＧｅＢｉＴｅ膜または前記ドープトＧｅＢｉＴｅ膜は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ｂ１（Ｇｅ３０．７７、Ｂｉ１５．３８、Ｔｅ５３．８５）、Ｂ２（Ｇｅ４８．７、Ｂｉ１．０、Ｔｅ５０．３）、Ｂ３（Ｇｅ５９．３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．２）及びＢ４（Ｇｅ３８．７、Ｂｉ１６．１、Ｔｅ４５．２））で囲まれた範囲内の組成比を有することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の相変化記憶セル。
  6. 前記アンドープトＧｅＢｉＴｅ膜または前記ドープトＧｅＢｉＴｅ膜は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される６点（Ｃ１（Ｇｅ３３．３３、Ｂｉ１３．３４、Ｔｅ５３．３３）、Ｃ２（Ｇｅ４８．７、Ｂｉ１．０、Ｔｅ５０．３）、Ｃ３（Ｇｅ５４．４３、Ｂｉ０．４７、Ｔｅ４５．１）、Ｃ４（Ｇｅ５９．３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．２）、Ｃ５（Ｇｅ４７．１、Ｂｉ９．８、Ｔｅ４３．１）及びＣ６（Ｇｅ４４、Ｂｉ９、Ｔｅ４７））で囲まれた範囲内の組成比を有することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の相変化記憶セル。
  7. 前記不純物は、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、セレン（Ｓｅ）、インジウム（Ｉｎ）、酸素（Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）及び硫黄（Ｓ）からなる群の少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の相変化記憶セル。
  8. 前記不純物の含量は、０．０１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内であることを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の相変化記憶セル。
  9. プロセッサ、前記プロセッサとデータ通信を行う入／出力装置及び前記プロセッサとデータ通信を行う相変化記憶素子を有する電子システムにおいて、
    前記相変化記憶素子は、
    セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体基板と、
    前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
    前記セルアレイ領域内の前記層間絶縁膜内に提供された第１電極及び第２電極と、
    前記第１電極と第２電極との間に提供され、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ａ１（Ｇｅ２１．４３、Ｂｉ１６．６７、Ｔｅ６１．９）、Ａ２（Ｇｅ４４．５１、Ｂｉ０．３５、Ｔｅ５５．１４）、Ａ３（Ｇｅ５９．３３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．１７）及びＡ４（Ｇｅ３８．７１、Ｂｉ１６．１３、Ｔｅ４５．１６））で囲まれた範囲内の組成比を有するアンドープトＧｅＢｉＴｅ膜、前記三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ｄ１（Ｇｅ１０、Ｂｉ２０、Ｔｅ７０）、Ｄ２（Ｇｅ３０、Ｂｉ０、Ｔｅ７０）、Ｄ３（Ｇｅ７０、Ｂｉ０、Ｔｅ３０）及びＤ４（Ｇｅ５０、Ｂｉ２０、Ｔｅ３０））で囲まれた範囲内の組成比を有しながら不純物を含むドープトＧｅＢｉＴｅ膜、または前記点（Ｄ２、Ｄ３）間の直線上の座標に相応する組成比を有しながら不純物を含むドープトＧｅＴｅ膜である相変化物質パターンと、
    前記層間絶縁膜上に配置されて前記第２電極に電気的に接続されたビットラインと、
    を含むことを特徴とする電子システム。
  10. 前記第１電極は、窒化チタン膜（ＴｉＮ）または窒化チタンアルミニウム膜（ＴｉＡｌＮ）であることを特徴とする請求項９に記載の電子システム。
  11. 前記アンドープトＧｅＢｉＴｅ膜または前記ドープトＧｅＢｉＴｅ膜は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ｂ１（Ｇｅ３０．７７、Ｂｉ１５．３８、Ｔｅ５３．８５）、Ｂ２（Ｇｅ４８．７、Ｂｉ１．０、Ｔｅ５０．３）、Ｂ３（Ｇｅ５９．３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．２）及びＢ４（Ｇｅ３８．７、Ｂｉ１６．１、Ｔｅ４５．２））で囲まれた範囲内の組成比を有することを特徴とする請求項９または１０に記載の電子システム。
  12. 前記アンドープトＧｅＢｉＴｅ膜または前記ドープトＧｅＢｉＴｅ膜は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される６点（Ｃ１（Ｇｅ３３．３３、Ｂｉ１３．３４、Ｔｅ５３．３３）、Ｃ２（Ｇｅ４８．７、Ｂｉ１．０、Ｔｅ５０．３）、Ｃ３（Ｇｅ５４．４３、Ｂｉ０．４７、Ｔｅ４５．１）、Ｃ４（Ｇｅ５９．３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．２）、Ｃ５（Ｇｅ４７．１、Ｂｉ９．８、Ｔｅ４３．１）及びＣ６（Ｇｅ４４、Ｂｉ９、Ｔｅ４７））で囲まれた範囲内の組成比を有することを特徴とする請求項９または１０に記載の電子システム。
  13. 半導体基板上に下部層間絶縁膜を形成する段階と、
    前記下部層間絶縁膜内に第１電極を形成する段階と、
    前記下部層間絶縁膜上に前記第１電極と接触する相変化物質パターン及び前記相変化物質パターン上に積層された第２電極を形成する段階であって、前記相変化物質パターンはゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）及びテルル（Ｔｅ）の頂点を具備する三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ａ１（Ｇｅ２１．４３、Ｂｉ１６．６７、Ｔｅ６１．９）、Ａ２（Ｇｅ４４．５１、Ｂｉ０．３５、Ｔｅ５５．１４）、Ａ３（Ｇｅ５９．３３、Ｂｉ０．５、Ｔｅ４０．１７）及びＡ４（Ｇｅ３８．７１、Ｂｉ１６．１３、Ｔｅ４５．１６））で囲まれた範囲内の組成比を有するアンドープトＧｅＢｉＴｅ膜、前記三角形の組成図上の座標によって示される４点（Ｄ１（Ｇｅ１０、Ｂｉ２０、Ｔｅ７０）、Ｄ２（Ｇｅ３０、Ｂｉ０、Ｔｅ７０）、Ｄ３（Ｇｅ７０、Ｂｉ０、Ｔｅ３０）及びＤ４（Ｇｅ５０、Ｂｉ２０、Ｔｅ３０））で囲まれた範囲内の組成比を有しながら不純物を含むドープトＧｅＢｉＴｅ膜、または前記点（Ｄ２、Ｄ３）間の直線上の座標に相応する組成比を有しながら不純物を含むドープトＧｅＴｅ膜で形成される段階と、
    前記相変化物質パターン及び前記第２電極を有する基板上に上部層間絶縁膜を形成する段階と、
    前記上部層間絶縁膜をパターニングして前記第２電極を露出させるビットラインコンタクトホールを形成する段階と、
    前記上部層間絶縁膜上に前記ビットラインコンタクトホールを介して前記第２電極に電気的に接続されたビットラインを形成する段階と、
    を含むことを特徴とする相変化記憶セルの製造方法。
  14. 前記下部層間絶縁膜を形成する前に前記半導体基板内に、または前記半導体基板上にワードラインを形成する段階と、
    前記第１電極を形成する前に前記下部層間絶縁膜内に順に積層されたｎ型半導体及びｐ型半導体を具備するセルダイオードを形成する段階と、をさらに含み、
    前記セルダイオードの前記ｎ型半導体は前記ワードラインに電気的に接続されて前記第１電極は前記セルダイオードの前記ｐ型半導体上に形成されることを特徴とする請求項１３に記載の相変化記憶セルの製造方法。
  15. 前記不純物は、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、セレン（Ｓｅ）、インジウム（Ｉｎ）、酸素（Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）及び硫黄（Ｓ）からなる群の少なくとも１つの元素を含み、前記不純物の含量は、０．０１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の相変化記憶セルの製造方法。
JP2007125944A 2006-05-19 2007-05-10 ＧｅＢｉＴｅ膜を相変化物質膜として採用する相変化記憶セル、それを有する相変化記憶素子、それを有する電子システム及びその製造方法 Pending JP2007311791A (ja)

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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7115927B2 (en) 2003-02-24 2006-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory devices
US7425735B2 (en) * 2003-02-24 2008-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-layer phase-changeable memory devices
KR100637235B1 (ko) * 2005-08-26 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US7459717B2 (en) * 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
KR100911473B1 (ko) * 2007-06-18 2009-08-11 삼성전자주식회사 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8003971B2 (en) * 2008-03-19 2011-08-23 Qimonda Ag Integrated circuit including memory element doped with dielectric material
KR101580575B1 (ko) 2008-04-25 2015-12-28 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. 텔루르와 셀렌 박막의 원자층 증착을 위한 전구체의 합성과 그 용도
US8134857B2 (en) * 2008-06-27 2012-03-13 Macronix International Co., Ltd. Methods for high speed reading operation of phase change memory and device employing same
US7932506B2 (en) * 2008-07-22 2011-04-26 Macronix International Co., Ltd. Fully self-aligned pore-type memory cell having diode access device
US8154006B2 (en) * 2008-12-29 2012-04-10 Micron Technology, Inc. Controlling the circuitry and memory array relative height in a phase change memory feol process flow
US8809829B2 (en) * 2009-06-15 2014-08-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method
US8363463B2 (en) 2009-06-25 2013-01-29 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having one or more non-constant doping profiles
KR101535462B1 (ko) * 2009-08-27 2015-07-09 삼성전자주식회사 상변화 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
KR101829380B1 (ko) 2009-10-26 2018-02-19 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. ５ａ족 원소 함유 박막의 원자 층 증착용 전구체의 합성 및 용도
KR20110103160A (ko) * 2010-03-12 2011-09-20 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법
US8456888B2 (en) * 2010-10-07 2013-06-04 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor memory device including variable resistance elements and manufacturing method thereof
CN102569645A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 相变存储器及其形成方法
US8426242B2 (en) 2011-02-01 2013-04-23 Macronix International Co., Ltd. Composite target sputtering for forming doped phase change materials
US8946666B2 (en) 2011-06-23 2015-02-03 Macronix International Co., Ltd. Ge-Rich GST-212 phase change memory materials
US8598562B2 (en) 2011-07-01 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Memory cell structures
US8932901B2 (en) 2011-10-31 2015-01-13 Macronix International Co., Ltd. Stressed phase change materials
KR20130123904A (ko) * 2012-05-04 2013-11-13 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
JP5905858B2 (ja) 2012-08-13 2016-04-20 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ａｌｄ／ｃｖｄプロセスにおけるｇｓｔ膜のための前駆体
US9336879B2 (en) 2014-01-24 2016-05-10 Macronix International Co., Ltd. Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application
CN104485417A (zh) * 2014-12-16 2015-04-01 曲阜师范大学 一种提高GeSbTe相变性能的技术及其薄膜制备方法
CN104795494B (zh) * 2015-04-27 2018-04-13 江苏理工学院 用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
US9672906B2 (en) 2015-06-19 2017-06-06 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with inter-granular switching
US11314109B1 (en) * 2016-05-20 2022-04-26 URL Laboratories, LLC Electrically switchable infrared mirrors using phase-change chalcogenides materials
US10050196B1 (en) * 2017-05-04 2018-08-14 Macronix International Co., Ltd. Dielectric doped, Sb-rich GST phase change memory
JP7416382B2 (ja) * 2018-07-10 2024-01-17 国立研究開発法人産業技術総合研究所 積層構造体及びその製造方法並びに半導体デバイス
KR102118734B1 (ko) * 2018-09-07 2020-06-09 한국과학기술연구원 4성분계 이상의 캘코제나이드 상변화 물질 및 이를 포함하는 메모리 소자

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL61678A (en) * 1979-12-13 1984-04-30 Energy Conversion Devices Inc Programmable cell and programmable electronic arrays comprising such cells
US4499557A (en) * 1980-10-28 1985-02-12 Energy Conversion Devices, Inc. Programmable cell for use in programmable electronic arrays
US4719594A (en) * 1984-11-01 1988-01-12 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved optical data storage device including a chalcogenide memory layer
US4653024A (en) * 1984-11-21 1987-03-24 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage device including a phase changeable material
US4820394A (en) * 1984-11-21 1989-04-11 Energy Conversion Devices, Inc. Phase changeable material
CN1010519B (zh) * 1985-09-25 1990-11-21 松下电器产业株式会社 可逆的光学情报记录介质
US4845533A (en) * 1986-08-22 1989-07-04 Energy Conversion Devices, Inc. Thin film electrical devices with amorphous carbon electrodes and method of making same
US4924436A (en) * 1987-06-22 1990-05-08 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite and method of direct overwrite
JPH01220236A (ja) * 1988-02-29 1989-09-01 Hoya Corp 書き替え可能な相変化型光メモリ媒体
JPH03297689A (ja) * 1990-04-17 1991-12-27 Toray Ind Inc 情報記録媒体
US5194363A (en) * 1990-04-27 1993-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium and production process for the medium
US5536947A (en) * 1991-01-18 1996-07-16 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom
US5341328A (en) * 1991-01-18 1994-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable memory elements having reduced switching current requirements and increased write/erase cycle life
US5166758A (en) * 1991-01-18 1992-11-24 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable phase change memory
US5552608A (en) * 1995-06-26 1996-09-03 Philips Electronics North America Corporation Closed cycle gas cryogenically cooled radiation detector
US5714768A (en) * 1995-10-24 1998-02-03 Energy Conversion Devices, Inc. Second-layer phase change memory array on top of a logic device
US6087674A (en) * 1996-10-28 2000-07-11 Energy Conversion Devices, Inc. Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material
US5825046A (en) * 1996-10-28 1998-10-20 Energy Conversion Devices, Inc. Composite memory material comprising a mixture of phase-change memory material and dielectric material
ES2201474T3 (es) * 1997-04-16 2004-03-16 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Procedimiento para la produccion de un medio de registro de informacion optica y medio de registro de informacion optica producido por el proceso.
JPH10340489A (ja) 1997-06-04 1998-12-22 Victor Co Of Japan Ltd 相変化型光ディスク及び相変化型光ディスクの製造方法
EP1628296B1 (en) * 1997-11-17 2013-03-06 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Optical information recording medium
CA2336198A1 (en) * 1998-06-17 1999-12-23 H. Randall Craig Cryogenic freezing of liquids
US6141241A (en) * 1998-06-23 2000-10-31 Energy Conversion Devices, Inc. Universal memory element with systems employing same and apparatus and method for reading, writing and programming same
US6258062B1 (en) * 1999-02-25 2001-07-10 Joseph M. Thielen Enclosed container power supply for a needleless injector
JP2000260073A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Nec Corp 誘電体膜の製造方法及びその誘電体膜を用いた相変化型光ディスク媒体とその製造方法
CN100377239C (zh) * 1999-03-15 2008-03-26 松下电器产业株式会社 信息记录媒体及其制造方法
US6496946B2 (en) * 1999-05-10 2002-12-17 Motorola, Inc. Electronic control apparatus with memory validation and method
DE19946073A1 (de) * 1999-09-25 2001-05-10 Volkswagen Ag System zur Steuerung von Fahrzeugkomponenten nach dem "Drive By Wire"-Prinzip
US6365256B1 (en) * 2000-02-29 2002-04-02 Eastman Kodak Company Erasable phase change optical recording elements
US6429064B1 (en) * 2000-09-29 2002-08-06 Intel Corporation Reduced contact area of sidewall conductor
US6555860B2 (en) * 2000-09-29 2003-04-29 Intel Corporation Compositionally modified resistive electrode
JP4025527B2 (ja) 2000-10-27 2007-12-19 松下電器産業株式会社 メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
DE50113829D1 (de) 2000-10-27 2008-05-21 Vdo Automotive Ag Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung eines Lenkwinkels eines Kraftfahrzeuges
US6437383B1 (en) * 2000-12-21 2002-08-20 Intel Corporation Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same
US6534781B2 (en) * 2000-12-26 2003-03-18 Ovonyx, Inc. Phase-change memory bipolar array utilizing a single shallow trench isolation for creating an individual active area region for two memory array elements and one bipolar base contact
US6531373B2 (en) * 2000-12-27 2003-03-11 Ovonyx, Inc. Method of forming a phase-change memory cell using silicon on insulator low electrode in charcogenide elements
KR100453540B1 (ko) * 2001-01-03 2004-10-22 내셔널 사이언스 카운실 재기록가능한 상변화형 광기록 조성물 및 재기록가능한상변화형 광디스크
JP2002246310A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
US6511867B2 (en) * 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Utilizing atomic layer deposition for programmable device
US6511862B2 (en) * 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Modified contact for programmable devices
US6588540B2 (en) * 2001-07-26 2003-07-08 Delphi Technologies, Inc. Steer-by-wire redundant handwheel control
US6709958B2 (en) * 2001-08-30 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials
US6507061B1 (en) * 2001-08-31 2003-01-14 Intel Corporation Multiple layer phase-change memory
US7113474B2 (en) * 2001-09-01 2006-09-26 Energy Conversion Devices, Inc. Increased data storage in optical data storage and retrieval systems using blue lasers and/or plasmon lenses
US6586761B2 (en) * 2001-09-07 2003-07-01 Intel Corporation Phase change material memory device
US6545287B2 (en) * 2001-09-07 2003-04-08 Intel Corporation Using selective deposition to form phase-change memory cells
JP2003168222A (ja) * 2001-09-20 2003-06-13 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録担体及び情報記録担体の再生方法及び情報記録担体の再生装置
JP3749847B2 (ja) * 2001-09-27 2006-03-01 株式会社東芝 相変化型不揮発性記憶装置及びその駆動回路
US6690026B2 (en) * 2001-09-28 2004-02-10 Intel Corporation Method of fabricating a three-dimensional array of active media
JPWO2003036632A1 (ja) * 2001-10-19 2005-02-17 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体及びその製造方法
US6549447B1 (en) * 2001-10-31 2003-04-15 Peter Fricke Memory cell structure
US6885021B2 (en) * 2001-12-31 2005-04-26 Ovonyx, Inc. Adhesion layer for a polymer memory device and method therefor
US6648098B2 (en) * 2002-02-08 2003-11-18 Bose Corporation Spiral acoustic waveguide electroacoustical transducing system
US6972430B2 (en) * 2002-02-20 2005-12-06 Stmicroelectronics S.R.L. Sublithographic contact structure, phase change memory cell with optimized heater shape, and manufacturing method thereof
US6891749B2 (en) * 2002-02-20 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Resistance variable ‘on ’ memory
US7087919B2 (en) * 2002-02-20 2006-08-08 Micron Technology, Inc. Layered resistance variable memory device and method of fabrication
US6899938B2 (en) * 2002-02-22 2005-05-31 Energy Conversion Devices, Inc. Phase change data storage device for multi-level recording
EP1480209B1 (en) * 2002-02-25 2009-04-01 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for producing a sputtering target
US6670628B2 (en) * 2002-04-04 2003-12-30 Hewlett-Packard Company, L.P. Low heat loss and small contact area composite electrode for a phase change media memory device
KR100476893B1 (ko) * 2002-05-10 2005-03-17 삼성전자주식회사 상변환 기억 셀들 및 그 제조방법들
US6759267B2 (en) * 2002-07-19 2004-07-06 Macronix International Co., Ltd. Method for forming a phase change memory
US6864503B2 (en) * 2002-08-09 2005-03-08 Macronix International Co., Ltd. Spacer chalcogenide memory method and device
US6850432B2 (en) * 2002-08-20 2005-02-01 Macronix International Co., Ltd. Laser programmable electrically readable phase-change memory method and device
US6856002B2 (en) * 2002-08-29 2005-02-15 Micron Technology, Inc. Graded GexSe100-x concentration in PCRAM
JP3647848B2 (ja) * 2002-09-10 2005-05-18 日立マクセル株式会社 情報記録媒体
JP3786665B2 (ja) 2002-09-10 2006-06-14 日立マクセル株式会社 情報記録媒体
US6884991B2 (en) * 2002-09-10 2005-04-26 Trw Inc. Steering wheel angle sensor
AU2003264415A1 (en) * 2002-09-13 2004-04-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium and method for manufacturing same
CN1589461A (zh) * 2002-10-11 2005-03-02 三菱电机株式会社 显示装置
JP4928045B2 (ja) * 2002-10-31 2012-05-09 大日本印刷株式会社 相変化型メモリ素子およびその製造方法
US6869883B2 (en) * 2002-12-13 2005-03-22 Ovonyx, Inc. Forming phase change memories
US7205562B2 (en) * 2002-12-13 2007-04-17 Intel Corporation Phase change memory and method therefor
US20040115945A1 (en) * 2002-12-13 2004-06-17 Lowrey Tyler A. Using an electron beam to write phase change memory devices
US7049623B2 (en) * 2002-12-13 2006-05-23 Ovonyx, Inc. Vertical elevated pore phase change memory
US6867425B2 (en) * 2002-12-13 2005-03-15 Intel Corporation Lateral phase change memory and method therefor
US7115927B2 (en) * 2003-02-24 2006-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory devices
US7402851B2 (en) * 2003-02-24 2008-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase changeable memory devices including nitrogen and/or silicon and methods for fabricating the same
KR100543445B1 (ko) 2003-03-04 2006-01-23 삼성전자주식회사 상변화 기억 소자 및 그 형성방법
JP4181490B2 (ja) 2003-03-25 2008-11-12 松下電器産業株式会社 情報記録媒体とその製造方法
US7335906B2 (en) * 2003-04-03 2008-02-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase change memory device
JP4634014B2 (ja) 2003-05-22 2011-02-16 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
US7067865B2 (en) * 2003-06-06 2006-06-27 Macronix International Co., Ltd. High density chalcogenide memory cells
US7893419B2 (en) * 2003-08-04 2011-02-22 Intel Corporation Processing phase change material to improve programming speed
US7381611B2 (en) * 2003-08-04 2008-06-03 Intel Corporation Multilayered phase change memory
JP4006410B2 (ja) 2003-09-22 2007-11-14 日立マクセル株式会社 情報記録媒体
JPWO2005031752A1 (ja) * 2003-09-26 2006-12-07 有限会社金沢大学ティ・エル・オー 多値メモリおよびそのための相変化型記録媒体への記録方法
JP4145773B2 (ja) 2003-11-06 2008-09-03 パイオニア株式会社 情報記録再生装置および記録媒体
JP4124743B2 (ja) * 2004-01-21 2008-07-23 株式会社ルネサステクノロジ 相変化メモリ
TW200529414A (en) * 2004-02-06 2005-09-01 Renesas Tech Corp Storage
JP4865248B2 (ja) * 2004-04-02 2012-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW200601322A (en) * 2004-04-07 2006-01-01 Hitachi Maxell Information recording medium
DE102005025209B4 (de) * 2004-05-27 2011-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Halbleiterspeicherbauelement, elektronisches System und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherbauelements
US7394088B2 (en) * 2005-11-15 2008-07-01 Macronix International Co., Ltd. Thermally contained/insulated phase change memory device and method (combined)
JP4478100B2 (ja) * 2005-11-30 2010-06-09 株式会社東芝 半導体記録素子

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