JP2007293271A - 開口数を変化させる光学系 - Google Patents

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Abstract

【課題】 所望の発散度と指向性とを有する照明ビームを形成するためのシステムを提供する。
【解決手段】照明ビーム502は、瞳決定素子506及びフィールド決定素子510を用いることにより形成される。そして、こうした素子により形成されたビームの発散度または開口数は、光学素子を用いることにより変化する。この光学素子は、瞳決定素子506及びフィールド決定素子510のいずれかもしくは双方と共役関係にある面にビームを再結像し、または瞳決定素子506及びフィールド決定素子510のいずれかもしくは双方により形成されたビームの開口数を変化させる。
【選択図】図5

Description

本発明は、照明光学系に関する。
露光装置は、所望のパターンを基板または基板の一部に転写する機械である。露光装置は、例えばフラットパネルディスプレイや集積回路(IC)、微細構造を有する他のデバイスの製造に用いられる。通常、例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニング用デバイスを使用して、フラットパネルディスプレイ(または他のデバイス)の各層に対応した回路パターンを形成する。このパターンは、基板に塗布された照射感応材料(レジスト)層への像形成により基板(例えばガラスプレート)の全体または一部に転写される。
パターニング用デバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを形成する場合もある。パターニング用デバイスは、それぞれ個別に制御可能である素子の配列(以下「個別制御可能素子アレイ」という場合もある)を備えるパターニングアレイをマスクの代わりに備えてもよい。このような方式ではマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを変更することができる。
フラットパネルディスプレイの基板は通常長方形である。この種の基板を露光するための露光装置は、長方形基板の幅全体またはその一部(例えば全幅の半分)をカバーする露光領域を有するように設計される。この露光領域で基板が走査されるとともに、マスク又はレチクルが基板の走査に同期してビームに対して走査される。このようにして基板にパターンが転写される。露光領域が基板の幅全体をカバーする場合には1回の走査で露光が完了する。露光領域が例えば基板の幅の半分をカバーする場合には、1回目の露光後に横方向に基板を移動させ、通常は基板の残りを露光するための走査をもう一度行う。
通常、照明モード及びビーム形状(例えばフィールドサイズと形状)は放射ビームを回折または屈折させる回折及び/または屈折アレイを用いることにより形成される。回折または屈折アレイそれぞれにより形成された回折または屈折ビームは、像を形成しない光学素子(例えば集光器)と、像を形成する光学素子(例えばリレー)とが用いられることにより所望のビームに変化する。
レンズまたアレイ(例えばレンズアレイ)では解像度は、用いられる光の波長と開口数とに依存する。開口数は媒体(例えば空気ではn=1、浸漬液ではn=1.5)の屈折率nと、対象がアレイの周縁部に投影されることにより形成される円錐の半角iの正弦とに依存する。開口数の値が大きいほど、レンズまたはアレイの解像度は向上する。
例えばマスクレスリソグラフィ及び顕微鏡法などのように高い拡大率(縮小率)を有する光学系の場合、照明系から出力されるビームは極めて低い発散度(開口数)を有することが必要とされる。このことは、(a)照明系に入力されるビームの発散度(プレ開口数)が極めて低い(例えば照明系から出力されるビームに比べて少なくとも3〜4倍低い)必要があり、その要求は時折達成されず(b)回折または屈折アレイの形状が大きい必要があることを意味する。
例えば液浸露光装置のように光学系の開口数が大きい場合、照明系から出力されるビームは高い発散度(開口数)を有することが必要とされる。この場合の2つの主な問題は、(a)回折または屈折アレイの形状が極めて小さい必要があり、そのためこれらのアレイが製造されるとき、その製造が困難であり、(b)光学系内の集光器が、同時に要求されるフィールドサイズとビームの発散度との双方を満足させるだけの能力を備えていないことである。
必要とされているのは、露光系の照明系で用いられる光学系と方法である。その照明系は、回折または屈折アレイにより照明ビームに所望の開口数または発散度を形成する。
本発明の一実施形態では、光学素子と多数の開口を有する光学デバイス(以下、単に「多開口光学デバイス」という)とを備える光学系が供される。光学素子はビームを受光し、複数のビームを出力する。多開口光学デバイスは、その複数のビームを受光し、光学素子と共役関係にある像面にその複数のビームを再結像させることで、複数のビームに対応する複数の対応ビームを形成する。複数の対応ビームそれぞれは、複数のビームそれぞれの開口数よりも小さい開口数を有する。
本発明の他の実施形態では、光学素子と、開口数を変化させる素子(以下、単に「開口数変換素子」という)とを備える光学系が供される。光学素子はビームを受光し、第1の開口数を有する第1のビームレットの組を出力する。開口数変換素子は第1のビームレットの組を受光し、第2のビームレットの組を出力する。第2のビームレットの各組は、第1の開口数よりも小さい第2の開口数を有する。
本発明の更なる実施形態では、以下のステップを含む方法が供される。第1の開口数を有する第1の複数ビームを放射ビームから形成するステップ。第1の開口数を有する第1の複数ビームを第2の開口数をそれぞれ有する第2の複数ビームに変化させるステップ。第2の開口数は、第1の開口数よりも小さい。
本発明の更なる実施形態では、以下のステップを含む方法が供される。光学素子を用いることにより放射ビームから複数のビームを形成するステップ。光学素子と共役関係にある像面にその複数のビームを個々にまたはまとめて再結像する一方、その像形成中において2つのテレセントリック性を維持するステップ。
本発明の更なる実施形態や特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付図面を参照して以下に詳細に説明される。
1以上の実施形態では、望ましい発散度と指向性とを有する照明ビームを形成するためのシステム及び方法が用いられる。照明ビームは、瞳決定素子とフィールド決定素子とを用いることにより形成される。そして、こうした素子により形成されたビームの発散度または開口数は、光学素子を用いることにより変化する。この光学素子は、瞳決定素子及びフィールド決定素子のいずれかもしくは双方と共役関係にある面にビームを再結像し、または瞳決定素子及びフィールド決定素子のいずれかもしくは双方により形成されたビームの開口数を変化させる。
以下では特定の構成について説明されるが、これは単に本発明の実施例をわかりやすく説明するためのものにすぎないと理解すべきである。当業者であれば本発明の趣旨を逸脱することなく他の構成を用いることが可能であると理解できよう。当業者であれば本発明を他の多数の分野にも適用可能であることも明らかであろう。
図1は本発明の一実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。この装置は、照明光学系IL、パターニング用デバイスPD、基板テーブルWT、及び投影光学系PSを備える。照明光学系(照明器)ILは放射ビームB(例えばUV放射)を調整するよう構成されている。
パターニング用デバイスPD(例えばレチクル、マスク、または個別制御可能素子アレイ)はビームを変調する。普通は個別制御可能素子アレイは投影光学系PSに対して位置が固定されるが、あるパラメタに従って正確に位置決めする位置決め装置に接続されていてもよい。
基板テーブルWTは、基板(例えばレジストが塗布された基板)Wを支持するよう構成されており、あるパラメタに従って基板を正確に位置決めする位置決め装置PWに接続されている。
投影光学系(例えば屈折投影レンズ光学系)PSは、個別制御可能素子アレイにより変調された放射ビームを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイからなる)に投影するよう構成されている。
照明光学系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
本明細書において「パターニング用デバイス」または「コントラストデバイス」なる用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを生成する等、放射ビーム断面を変調するのに用い得るいかなるデバイスをも示すよう広く解釈されるべきである。これらのデバイスは静的なパターニング用デバイス(例えばマスクやレチクル)であってもよいし、動的なパターニング用デバイス(例えばプログラム可能な素子の配列)であってもよい。簡単のために本説明のほとんどは動的パターニング用デバイスの観点でなされているが、本発明の範囲を逸脱することなく静的パターニング用デバイスを用いることも可能であるものと理解されたい。
放射ビームに付与されるパターンは、例えば、仮に放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。また、基板に最終的に形成されるパターンは、個別制御可能素子アレイ上に形成されるパターンにどの時点においても対応しないようになっていてもよい。このような事態は、基板の各部に形成される最終的なパターンが所定時間または所定回数の露光の重ね合わせにより形成され、かつこの所定の露光中に個別制御可能素子アレイ上のパターン及び/またはアレイと基板との相対位置が変化する場合に起こりうる。
通常、基板のターゲット部分に生成されるパターンは、そのターゲット部分に生成されるデバイス例えば集積回路やフラットパネルディスプレイの特定の機能層に対応する(例えばフラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層や薄膜トランジスタ層)。パターニング用デバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、LEDアレイ、グレーティングライトバルブ、及びLCDアレイなどがある。
電子的手段(例えばコンピュータ)によりパターンをプログラム可能であるパターニング用デバイスは、例えば複数のプログラム可能な素子を含むパターニング用デバイス(例えば1つ前の文章に挙げたものではレチクルを除くすべてのものが該当する)であり、本明細書では総称して「コントラストデバイス」と呼ぶこととする。一実施例ではパターニング用デバイスは少なくとも10個のプログラム可能な素子を備え、または例えば少なくとも100個、少なくとも1000個、少なくとも10000個、少なくとも100,000個、少なくとも1,000,000個、または少なくとも10,000,000個のプログラム可能な素子を備えてもよい。
プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層と反射表面とを有するマトリックス状にアドレス指定可能な表面を備えてもよい。この装置の基本的な原理は例えば、反射表面のうちアドレス指定されている区域が入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されていない区域が入射光を非回折光として反射するというものである。適当な空間フィルタを用いることにより、反射光ビームから非回折光を取り除いて回折光だけを基板に到達させるようにすることができる。このようにして、マトリックス状のアドレス指定可能表面にアドレス指定により形成されるパターンに従ってビームにパターンが付与される。
なお代替例として、フィルタにより回折光を取り除いて基板に非回折光を到達させるようにしてもよい。
同様にして回折光学MEMS(微小電気機械システム)デバイスを用いることもできる。一例としては、回折光学MEMSデバイスは、入射光を回折光として反射する回折格子を形成するよう変形される複数の反射性のリボン状部位を備える。
プログラマブルミラーアレイの他の例においては、マトリックス状の微小ミラーの配列が用いられ、各微小ミラーは局所的に電界を適宜付与されることによりまたは圧電駆動手段を使用することにより各々が独立に軸周りに傾斜しうる。繰り返しになるが、ミラーはマトリックス状にアドレス指定可能に構成されており、アドレス指定されたミラーは入射する放射ビームをアドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにしてマトリックス状のアドレス指定可能なミラーにより形成されるパターンに従って反射ビームにパターンが付与されうる。必要とされるマトリックス状アドレス指定は、適宜の電子的手段を使用して実行することができる。
パターニング用デバイスPDの他の例はプログラム可能なLCDアレイである。
露光装置は1つ以上のコントラストデバイスを備えてもよい。例えば、露光装置は、複数の個別制御可能素子アレイを有し、それぞれの素子が互いに独立に制御されるものであってもよい。この構成においては、個別制御可能素子アレイのうちのいくつかのアレイまたはすべてのアレイが少なくとも1つの照明光学系(または照明光学系の一部)を共有していてもよい。斯かるアレイは当該アレイ用の支持構造及び/または投影光学系(または投影光学系の一部)を共有していてもよい。
一実施例としては、図1に示される実施形態のように、基板Wは実質的に円形状である。基板Wは周縁部にノッチ及び/または平坦部を有していてもよい。一実施例としては、基板は例えば長方形などの多角形形状でもよい。
基板の形状が実質的に円形の場合、基板の直径は少なくとも25mmであってもよく、または例えば少なくとも50mm、少なくとも75mm、少なくとも100mm、少なくとも125mm、少なくとも150mm、少なくとも175mm、少なくとも200mm、少なくとも250mm、または少なくとも300mmであってもよい。一実施例では、基板の直径は長くても500mm、長くても400mm、長くても350mm、長くても300mm、長くても250mm、長くても200mm、長くても150mm、長くても100mm、または長くても75mmである。
基板が例えば長方形などの多角形の場合、基板の少なくとも1辺の長さ、または例えば少なくとも2辺または少なくとも3辺の長さが、少なくとも5cmであってもよく、または例えば少なくとも25cm、少なくとも50cm、少なくとも100cm、少なくとも150cm、少なくとも200cm、または少なくとも250cmであってもよい。
一実施例では、基板の少なくとも1辺の長さが、長くても1000cm、または例えば長くても750cm、長くても500cm、長くても350cm、長くても250cm、長くても150cm、または長くても75cmである。
一実施例においては、基板Wはウエハであり、例えば半導体ウエハである。一実施例ではウエハの材料は、Si(ケイ素)、SiGe(シリコンゲルマニウム)、SiGeC(シリコンゲルマニウムカーボン)、SiC(炭化ケイ素)、Ge(ゲルマニウム)、GaAs(ガリウムヒ素)、InP(インジウムリン)、InAs(インジウムヒ素)から成るグループから選択される。一実施例ではウエハはIII−V族化合物半導体ウエハである。一実施例ではウエハはシリコンウエハである。一実施例では基板はセラミック基板である。一実施例では基板はガラス基板である。一実施例では基板はプラスチック基板である。一実施例では基板は(ヒトの裸眼で)透明である。一実施例では基板は有色である。一実施例では基板は無色である。
この基板の厚さは例えば基板材料及び/または基板寸法に応じてある程度変更される。一実施例では、基板の厚さは、少なくとも50μmであり、または例えば少なくとも100μm、少なくとも200μm、少なくとも300μm、少なくとも400μm、少なくとも500μm、または少なくとも600μmである。一実施例では、基板の厚さは、厚くても5000μm、例えば厚くても3500μm、厚くても2500μm、厚くても1750μm、厚くても1250μm、厚くても1000μm、厚くても800μm、厚くても600μm、厚くても500μm、厚くても400μm、または厚くても300μmである。
基板は露光前または露光後において例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、計測装置、及び/または検査装置により処理されてもよい。一実施例ではレジスト層が基板に設けられる。
本明細書では投影光学系または投影系という用語は、使用される露光光、あるいは液浸露光用液体や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影光学系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影光学系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である投影光学系または投影系という用語と同義に用いられ得る。
投影系は、個別制御可能素子アレイにおけるパターンが基板上にコヒーレントに形成されるように当該パターンの像を形成する。これに代えて投影系は二次光源の像を形成してもよく、この場合個別制御可能素子アレイの各素子はシャッタとして動作してもよい。この場合には投影系は、例えば二次光源を形成し基板上にスポット状に像形成するために、例えばマイクロレンズアレイ(micro lens array、MLAとして知られている)やフレネルレンズアレイなどの合焦用素子のアレイを含んでもよい。一実施例では合焦用素子のアレイ(例えばMLA)は少なくとも10個の合焦用素子を備え、または例えば少なくとも100個、少なくとも1000個、少なくとも10000個、少なくとも100,000個、または少なくとも1,000,000個の合焦用素子を備えてもよい。一実施例においては、パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数と合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数とは等しいか、あるいは、パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数が合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数よりも多い。一実施例では、合焦用素子のアレイにおける1つ以上(例えばたいていは各アレイにつき1000以上)の合焦用素子は、個別制御可能素子アレイにおける1つ以上(例えば2つ以上、または3つ以上、5つ以上、10以上、20以上、25以上、35以上、または50以上)の個別制御可能素子に光学的に連関していてもよい。一実施例では、MLAは、少なくとも基板に近づく方向及び遠ざかる方向に例えば1以上のアクチュエータを用いて移動可能である。基板に近づく方向及び遠ざかる方向にMLAを移動させることができる場合には、基板を動かすことなく例えば焦点合わせをすることが可能となる。
図1及び図2に示されるように本装置は反射型(例えば反射型の個別制御可能素子アレイを用いる)である。透過型(例えば透過型の個別制御可能素子アレイを用いる)の装置を代替的に用いてもよい。
露光装置は2つ以上(2つの場合にはデュアルステージと呼ばれる)の基板テーブルを備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルで露光が行われている間に1以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
露光装置は、基板の少なくとも一部が「液浸露光用の液体」で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する例えば水などの液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸露光用の液体は、例えばパターニング用デバイスと投影系との間などの露光装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
図1に示されるように照明器ILは放射源SOから放射ビームを受け取る。一実施例では、少なくとも5nm、または例えば少なくとも10nm、少なくとも50nm、少なくとも100nm、少なくとも150nm、少なくとも175nm、少なくとも200nm、少なくとも250nm、少なくとも275nm、少なくとも300nm、少なくとも325nm、少なくとも350nm、または少なくとも360nmの波長を有する放射が供される。一実施例では、放射源SOにより生成される放射は、長くても450nm、または例えば長くても425nm、長くても375nm、長くても360nm、長くても325nm、長くても275nm、長くても250nm、長くても225nm、長くても200nm、または長くても175nmの波長を有する。一実施例では、この放射は、436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、及び/または126nmの波長を含む。一実施例では、この放射は365nm程度、または355nm程度の波長を含む。一実施例では、この放射は例えば365nm、405nm、及び436nmの波長を含む広帯域の波長を含む。355nmの波長のレーザ光源を使用し得る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源と露光装置とは別体であってもよい。この場合、光源は露光装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOから照明器ILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは例えば適当な方向変更用ミラー及び/またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源は露光装置に一体に構成されていてもよい。光源SOと照明器ILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。
照明器ILは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般にはアジャスタADにより、照明器の瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外周部及び/または内周部での量(通常それぞれ「シグマ−アウタ(σ−outer)」、「シグマ−インナ(σ−inner)」と呼ばれる)が調整される。加えて照明器ILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。照明器IL及び追加の関連構成要素は放射ビームを複数の分割ビームに分割するように構成されていてもよい。例えば各分割ビームが個別制御可能素子アレイの1つまたは複数の個別制御可能素子に対応するように構成してもよい。放射ビームを分割ビームに分割するのに例えば二次元の回折格子を用いてもよい。本明細書においては「放射ビーム」という用語は、放射ビームがこれらの複数の分割ビームを含むという状況も包含されるが、これに限定されないものとする。
放射ビームBは、パターニング用デバイスPD(例えば、個別制御可能素子アレイ)に入射して、当該パターニング用デバイスにより変調される。放射ビームはパターニング用デバイスPDにより反射され、投影系PSを通過する。投影系PSはビームを基板Wのターゲット部分Cに合焦させる。位置決め装置PWと位置センサIF2(例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど)により基板テーブルWTを正確に移動させることができる。基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路に異なる複数のターゲット部分Cをそれぞれ位置決めするように移動される。個別制御可能素子アレイ用の位置決め手段が設けられ、例えば走査中にビームBの経路に対してパターニング用デバイスPDの位置を正確に補正するために用いられてもよい。
一実施例においては、ロングストロークモジュール(粗い位置決め用)及びショートストロークモジュール(精細な位置決め用)により基板テーブルWTの移動を実現する。ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールは図1には明示されていない。一実施例では基板テーブルWTを移動させるためのショートストロークモジュールを省略してもよい。個別制御可能素子アレイを位置決めするためにも同様のシステムを用いることができる。必要な相対運動を実現するために、対象物テーブル及び/または個別制御可能素子アレイの位置を固定する一方、放射ビームBを代替的にまたは追加的に移動可能としてもよいということも理解されよう。この構成は装置の大きさを小さくするのに役立ち得る。例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代替例として、基板テーブルWT及び投影系PSを固定し、基板Wを基板テーブルWTに対して移動させるように構成してもよい。例えば基板テーブルWTは、実質的に一定の速度で基板Wを走査させるための機構を備えてもよい。
図1に示されるように放射ビームBはビームスプリッタBSによりパターニング用デバイスPDに向けられるようにしてもよい。このビームスプリッタBSは、放射ビームがまずビームスプリッタBSにより反射されてパターニング用デバイスPDに入射するように構成される。ビームスプリッタを使わずに放射ビームBをパターニング用デバイスに入射させるようにすることもできる。一実施例では放射ビームは0度から90度の間の角度でパターニング用デバイスに入射する。または例えば5度から85度の間、15度から75度の間、25度から65度の間、または35度から55度の間の角度であってもよい(図1には90度の例が示されている)。パターニング用デバイスPDは放射ビームBを変調し、再度ビームスプリッタBSに向かって戻るように放射ビームBを反射する。ビームスプリッタBSは変調されたビームを投影系PSへと伝達する。しかしながら放射ビームBをパターニング用デバイスPDに入射させ、そのまま更に投影系PSに入射させるという代替的な構成も可能であることも理解されよう。特に透過型のパターニング用デバイスが用いられる場合には図1に示される構成は必要とはされない。
図示の装置はいくつかのモードで使用することができる。
1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射でターゲット部分Cに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は実質的に静止状態とされる(すなわち1回の静的な露光)。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、1回の静的露光で結像されるターゲット部分Cの寸法が制限されることになる。
2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は同期して走査される(すなわち1回の動的な露光)。個別制御可能素子アレイに対する基板の速度及び方向は、投影系PSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが1回の動的露光でのターゲット部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分の(走査方向の)長さを決定する。
3.パルスモードにおいては、個別制御可能素子アレイは実質的に静止状態とされ、パルス放射源により基板Wのターゲット部分Cにパターンの全体が投影される。基板テーブルWTが実質的に一定の速度で移動して、ビームBは基板上を線状に走査させられる。個別制御可能素子アレイ上のパターンは放射系からのパルス間に必要に応じて更新される。パルス照射のタイミングは、基板上の複数のターゲット部分Cが連続して露光されるように調整される。その結果、基板上の1つの短冊状領域にパターンが完全に露光されるようビームBにより基板Wが走査されることになる。この短冊状領域の露光を順次繰り返すことにより基板Wは完全に露光される。
4.連続スキャンモードにおいては、変調された放射ビームBに対して基板Wが実質的に等速で走査され、ビームBが基板W上を走査して露光するとともに個別制御可能素子アレイ上のパターンが更新されることを除いては基本的にパルスモードと同様である。個別制御可能素子アレイのパターンの更新に同期させるようにした、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。
5.ピクセルグリッド結像モードでは、基板Wに形成されるパターンはスポット状の露光を連続的に行うことにより実現される。このモードは図2の露光装置を使用して実現することができる。このスポット状の露光はスポット発生器により形成され、スポット発生器はパターニング用デバイスPDに適切に方向付けられて配置されている。スポット状の露光はそれぞれ実質的に同形状である。基板W上には露光スポットにより最終的に実質的に格子が描かれる。一実施例では、このスポットの寸法は最終的に基板上に描かれる格子のピッチよりも大きいが、毎回の露光時に露光スポットが形成する格子の大きさよりもかなり小さい。転写されるスポットの強度を変化させることによりパターンが形成される。露光照射の合間の露光がなされていないときに各スポットの強度分布が変更される。
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。
リソグラフィでは基板上のレジスト層にパターンが露光される。そしてレジストが現像される。続いて追加の処理工程が基板に施される。基板の各部分へのこれらの追加の処理工程の作用は、レジストへの露光の程度によって異なる。特にこの処理は、所与の線量閾値を超える照射量を受けた基板の部位が示す反応と、その閾値以下の照射量を受けた部位が示す反応とが異なるように調整されている。例えば、エッチング工程においては上記の閾値を超える照射量を受けた基板上の区域は、レジスト層が現像されることによりエッチングから保護される。一方、この閾値以下の照射量を受けたレジストは露光後の現像工程で除去され、基板のその区域はエッチングから保護されない。このため、所望のパターンにエッチングがなされる。特に、パターニング用デバイス内の個別制御可能素子は、パターンに含まれる図形内部となる基板上の区域での露光中の照射量が線量閾値を超えるように実質的に高強度であるように設定される。基板の他の領域は、ゼロまたはかなり低い放射強度を受けるように対応の個別制御可能素子が設定されることにより、線量閾値以下の放射を受ける。
実際には、パターン図形端部での照射量は所与の最大線量からゼロへと急激に変化するわけではない。この照射量は、たとえ図形の境界部分の一方の側への放射強度が最大となり、かつその図形境界部分の他方の側への放射強度が最小となるように個別制御可能素子が設定されていたとしても急激には変化しない。回折の影響により、照射量の大きさは移行領域を介して低下するからである。パターン図形の境界位置は最終的にレジストの現像により形成される。その境界位置は、照射された線量が閾値を下回る位置によって定められる。この移行領域での線量低下のプロファイル、ひいてはパターン図形の境界の正確な位置は、当該図形境界上または近傍に位置する基板上の各点に放射を与える個別制御可能素子の設定により、より正確に制御できるであろう。これは、強度レベルの最大値または最小値を制御するだけではなく、当該最大値及び最小値の間の強度レベルにも制御することによっても可能となるであろう。これは通常「グレイスケーリング」と呼ばれる。
グレイスケーリングによれば、個別制御可能素子により基板に2値の放射強度(例えば最大値と最小値)だけが与えられるリソグラフィーシステムよりも、パターン図形の境界位置の制御性を向上させることができる。一実施例では、少なくとも3種類の放射強度が基板に投影されてもよく、または例えば少なくとも4種類の放射強度でも、少なくとも8種類の放射強度でも、少なくとも16種類の放射強度でも、少なくとも32種類の放射強度でも、少なくとも64種類の放射強度でも、少なくとも128種類の放射強度でも、または少なくとも256種類の放射強度でもよい。
グレイスケーリングは上述の目的に加えてまたは上述の目的に代えて使用されてもよい。例えば、照射された線量レベルに応じて基板の各領域が2種以上の反応を可能とするように、露光後の基板への処理が調整されていてもよい。例えば、第1の線量閾値以下の放射を受けた基板の部位では第1の種類の反応が生じ、第1の線量閾値以上で第2の線量閾値以下の放射を受けた基板の部位では第2の種類の反応が生じ、第2の線量閾値以上の放射を受けた基板の部位では第3の種類の反応が生じるようにしてもよい。したがって、グレイスケーリングは、基板上での線量のプロファイルが2以上の望ましい線量レベルを有するようにするのに用いることができる。一実施例では、線量のプロファイルは少なくとも2つの所望の線量レベルを有し、または例えば少なくとも3つの所望の線量レベル、少なくとも4つの所望の線量レベル、少なくとも6つの所望の線量レベル、または少なくとも8つの所望の線量レベルを有してもよい。
線量プロファイルの制御は、上述のように基板上の各点が受ける放射強度を単に制御するという方法以外の方法によっても可能である。例えば、基板上の各点が受ける照射量は、各点への露光時間を代替的にまたは追加的に制御することによっても制御することができる。他の例として、基板上の各点は、連続的な複数の露光により放射を受けてもよい。このような連続的複数露光から一部の露光を選択して用いることにより代替的にまたは追加的に各点が受ける照射量を制御することが可能となる。
基板上に要求されるパターンを形成するために、露光処理中の各段階でパターニング用デバイスの各個別制御可能素子を必要な状態に設定する必要がある。よって、この必要状態を表す制御信号が各個別制御可能素子に伝達されなければならない。一実施例では、露光装置はこの制御信号を生成する制御部を含む。基板に形成されるべきパターンは、例えばGDSIIなどのベクトルで規定されるフォーマットで露光装置に供給されうる。デザイン情報を各個別制御可能素子用の制御信号に変換するために、制御部は、1つ以上のデータ処理装置を含む。各データ処理装置は、パターンを表すデータストリームに処理を施すように構成されている。データ処理装置は「データパス」とも総称される。
このデータパス及びデータ処理装置は、次に示す機能の1つ以上を実行するように構成されていてもよい。その機能とは、ベクトルベースのデザイン情報をビットマップのパターンデータに変換すること、ビットマップのパターンデータを必要とされる線量マップ(例えば基板上で必要とされる線量のプロファイル)に変換すること、必要とされる線量マップを各個別制御可能素子用の必要放射強度値に変換すること、及び、各個別制御可能素子用の必要放射強度値を対応する制御信号に変換することである。
図2は、本発明に係る露光装置の一例を示す図である。この実施例は例えばフラットパネルディスプレイの製造に用いることができる。図1に示される構成要素に対応するものには図2においても同じ参照符号を付している。また、基板やコントラストデバイス、MLA、放射ビームなどについてののさまざまな構成例などを含む上述のさまざまな変形例は同様に適用可能である。
図2は、本発明に係る露光装置の一例を示す図である。この実施例は例えばフラットパネルディスプレイの製造に用いることができる。図1に示される構成要素に対応するものには図2においても同じ参照符号を付している。また、基板やコントラストデバイス、MLA、放射ビームなどについてののさまざまな構成例などを含む上述のさまざまな変形例は同様に適用可能である。
図2に示されるように、投影系PSは、2つのレンズL1、L2を備えるビームエキスパンダを含む。第1のレンズL1は、変調された放射ビームBを受け、開口絞りASの開口部で合焦させる。開口部には他のレンズALを設けてもよい。そして放射ビームBは発散し、第2のレンズL2(例えばフィールドレンズ)により合焦させられる。
投影系PSは、拡大された変調放射ビームBを受けるように構成されているレンズアレイMLAをさらに備える。変調放射ビームBの異なる部分はそれぞれレンズアレイMLAの異なる部分を通過する。この変調放射ビームBの異なる部分は、パターニング用デバイスPDの異なる個別制御可能素子に対応している。各レンズは変調放射ビームBの各部分を基板W上の点に合焦させる。このようにして基板W上に照射スポットSの配列が露光される。図示されているレンズアレイには8つのレンズ14が示されているだけであるが、レンズアレイは数千のレンズを含んでもよい(パターニング用デバイスPDとして用いられる個別制御可能素子アレイについても同様である)。
図3は、本発明の一実施形態に係り、図2のシステムを用いて基板W上にどのようにパターンが生成されるのかを模式的に示す図である。図中の黒丸は、投影系PSのレンズアレイMLAによって基板Wに投影されるスポットSの配列を示す。基板Wは、基板W上での露光が進むにつれて投影系PSに対してY方向に移動する。図中の白丸は、基板W上で既に露光されている露光スポットSEを示す。図示されるように投影系PSのレンズアレイMLAによって基板に投影された各スポットは基板W上に露光スポット列Rを形成する。各スポットSEの露光により形成される露光スポット列Rがすべて合わさって、基板にパターンが完全に形成される。上述のようにこのような方式はよく「ピクセルグリッド結像」と称される。
照射スポットSの配列が基板Wに対して角度θをなして配置されている様子が示されている(基板Wの端部はそれぞれX方向及びY方向に平行である)。これは、基板が走査方向(Y方向)に移動するときに、各照射スポットが基板の異なる領域を通過するようにするためである。これにより、照射スポット15の配列により基板の全領域がカバーされることになる。一実施例では、角度θは大きくても20°または10°であり、または例えば大きくても5°、大きくても3°、大きくても1°、大きくても0.5°、大きくても0.25°、大きくても0.10°、大きくても0.05°、または大きくても0.01°である。一実施例では、角度θは小さくても0.001°である。
図4は、本発明の一実施形態において、どのようにしてフラットパネルディスプレイの基板W全体が複数の光学エンジンを用いて1回の走査で露光されるのかを模式的に示す図である。この例では照射スポットSの配列SAが8つの光学エンジン(図示せず)により形成される。光学エンジンはチェス盤のように2つの列R1、R2に配置されている。照射スポットSの配列の端部が隣接の照射スポット配列の端部に(走査方向であるY方向において)少し重なるように形成される。一実施例では光学エンジンは少なくとも3列、例えば4列または5列に配列される。このようにして、照射の帯が基板Wの幅を横切って延び、1回の走査で基板全体の露光が実現されることとなる。光学エンジンの数は適宜変更してもよい。一実施例では、光学エンジンの数は少なくとも1個であり、または例えば少なくとも2個、少なくとも4個、少なくとも8個、少なくとも10個、少なくとも12個、少なくとも14個、または少なくとも17個である。一実施例では、光学エンジンの数は40個未満であり、または例えば30個未満または20個未満である。
各光学エンジンは、上述の照明系IL、パターニング用デバイスPD、及び投影系PSを別個に備えてもよい。上述のあるいは2個以上の光学エンジンが1以上の照明系、パターニング用デバイス、及び投影系の少なくとも一部を共有してもよい。
図5は、一般的な照明系500を示す。一実施例では、照明系500は照明系ILの代わりに用いられてもよい。図5、8、9及び10ではレンズ(または他の光学素子)が矢印により示されている。これらの図では、両端の矢が外側を向いている矢印が凸レンズ、両端の矢が内側を向いている矢印が凹レンズとして示される。
照明系500は、照明ビーム502を処理するために用いられる。この処理では、対物面504上のパターニング用デバイス(図示せず)に照射する照明ビームに所望の瞳とフィールド高さとが形成される。照明系500は瞳決定素子506、第1の集光器508(例えば集光レンズまたは集束レンズ)、フィールド決定素子510、第2の集光器512及び光学系513を備える。光学系513はビームを処理し、処理したビームを対物面504に向ける。一実施例では、光学系513はリレー光学系514、開口部516、キューブ518(例えばビームスプリッタ、偏光キューブ、偏光ビームスプリッタなど)及び投影光学系520(パターンが付与されたビームを基板に投影する投影系とは異なる)を有する。
図5の各素子に関するより詳細な説明は、例えば共有の米国特許第6813003号及び米国特許第6775069号に、係属中で共有の米国特許出願第10/896022号、米国特許出願第10/808436号及び米国特許出願第10/812978号に開示されており、その全体をここに引用する。
ビーム502は、断面のサイズが約12×12mmであってもよく、瞳決定素子506に作用する。瞳決定素子506は、ビーム502を複数のビームまたは複数のビームレット522に分離する屈折光学素子または回折光学素子のいずれであってもよい。複数のビームまたはビームレット522は瞳を決定し、第1の開口数(または開口数と相関関係にある発散度)を有する。第1の開口数として例えば0.0025程度の開口数が望ましい。しかし、瞳決定素子の製造はこの所望の開口数を形成するよりも困難な場合がある。
ビーム522は、集光器508によりフィールド決定素子510に集光され、複数のビームまたは複数のビームレット526が形成される。フィールド決定素子510は、屈折光学素子または回折光学素子であってもよい。集光されたビーム524は、約0.00075から約0.0015の開口数を有することが望ましい。この開口数はビーム522の開口数よりも小さい。フィールドが決定されたビーム526は約0.03165の円形の開口数または長さ約0.00293×幅約0.00033の長方形の開口数を有していてもよい。
ビーム526は集光器512により面527に向けられ、その後リレー514、開口部516及びキューブ518を経て、投影光学系520により対物面504に投影される。一実施例では、面527は光学素子529を含む。光学素子529は、開口が多数形成されている構造、補助的な開口が多数形成されている素子、ステンシルマスク、強度補正用の開口が多数形成されている素子などのいずれか1つであってもよい。一実施例では、光学素子529は完全にまたは部分的にビームを透過させる1つ以上の透過領域531を備える。透過領域531の配置及び数は、パターニング用デバイス(図示せず)上における動作領域または所望の照射領域に対応している。各領域531では、幅の中心から外側に向かって全方向にまたは幅方向に透過率が段階的に変化してもよい。一実施例では、パターンニング用デバイスに到達する望ましくない散乱光を軽減し、または実質的に取り除くために光学素子529が用いられてもよい。
一実施例では、面527はパターニング用デバイスであり、光学系513が照明系500から取り除かれてもよい。この実施例では、ビーム526は、集光器512または以下の実施形態に示される他の光学素子によりパターニング用デバイス(図示せず)の動作領域に向けられる。
照明系500では、効果的でない照明ビームが形成されることがある。それは、各種照明ビーム522及び/または526が各種光学素子に作用する位置を正確に制御できないためであり、いいかえればビーム522及び/または526の発散度を制御できないということである。これは、通常、少なくとも瞳決定素子506とフィールド決定素子510とがビームレット522と526とを形成し、これらのビームレットが、各ビームのビームレットを重ね合わせてしまう発散度または開口数を有するためである。その結果、望ましい照明ビームが形成されない。例えば、これらの素子506と510とは散光器と同様に機能してもよい。一実施例では、回折光学素子のピッチが狭くなればなるほど回折されるビームの広がりが広くなる、つまり回折されるビームの発散度が高くなるため、素子506と510とが散光器のように機能する。その結果、照明または照明モードの効率は減少する。
回折光学素子を用いて開口数が小さい照明ビームを形成することは困難である。例えば、約2000分の1ラジアンまたは約1/8度ぐらいの開口数である。こうしたサイズの開口数は、照明ビームの照明モード(すなわち照明の種類、例えば通常型、双極型、四極型、環状型などの照明)において所望のまたは必要なサイズ、形状及び発散度を形成するために望ましい。
一実施例では、回折素子506及び510のような光学素子は、空間的に切れ目のないビームを連続して受光してもよい。しかし、こうした素子の後にビームを受光する光学素子(以下、単に「後受け光学素子」という)では、ビーム522及び/または526を更に処理するために用いられるターゲット領域が分散していてもよい。このため、後受け光学素子の1つのターゲット領域のみがビーム522及び/または526を受光するべきなのに、面全体がビーム522及び/または526を受光するときには、照明系500の効率が減少し、光量が無駄となる。また、後受け光学素子は、望ましい開口数を有していないビームを受光してもよい。なぜなら、上述したように瞳決定素子506とフィールド決定素子510とを正確に製造することが困難だからである。
例えば瞳決定素子506及び/またはフィールド決定素子510などの回折光学素子により大きな開口数が形成されると、出力された出力光は渦を巻き、これにより光損失が生じる。光損失は、出力光の開口数が形成されることなく、出力光が発散することにより生じる。
照明系に対してより望まれることは、後受け光学素子及び/またはパターニング用デバイスにより効果的に照射するため特定の発散度または開口数を有する照明ビームを形成し、方向づけることである。上述したように開口数がより大きいと光の照射範囲が、照射される対象物よりも時折大きくなる。一方、開口数がより小さい(狭い)とより効果的な照明ビームが形成される。図6〜10に示されるシステムでは、こうした非効率性を実質的に解消する光学素子(例えば光学素子628または光学素子728)が用いられる。
図6は、本発明の一実施形態に係り、光学素子628を備える照明系500の一部を示す。各種実施例では、光学素子628は瞳決定素子506の後ろに1つ、フィールド決定素子508の後ろに1つまたは両素子の後ろに1つずつ設けられていてもよい。より詳細には図8、9及び10に関して説明する。ビーム530の発散度を変化させるために複数の素子または1つの素子からなる光学素子628が用いられる。この変化はビーム(ビームレット)630の第1の開口数を、所望の発散度または第2の(所望の)開口数を有するビーム(ビームレット)632に変えることによりなされる。また、光学素子628は、瞳決定素子506/フィールド決定素子510と共役面634との間におけるビームの空間的に分散したまたは空間的に切れ目のない部分を向けるために用いられる。各面(または各点)において焦点が合っているときに共役な関係が成立し、ここでは素子506及び/または510は面634と共役関係にある面に位置している。ビーム632に所望の発散度または開口数を形成することにより、望ましい均一性、テレセントリック性、楕円率などが照明ビームに実現される。マスクレス系、液浸系、これらの系の組み合わせ、または、照明ビームのパラメータを極めて正確に制御することが必要な他のいかなる露光系において、パターンを付与するための照明ビームが形成されようとされなかろうと、これが実現され得る。
一実施例では、素子628は、同様な出力特性を持たせるためビーム630の各ビームレットを変化させてもよい。別の実施例としては、素子628は、ビーム630のビームレットのそれぞれまたはビームレットの複数組を変化させるために配置されてもよい。これにより各ビームレットまたはビームレットの各組に異なる出力特性を持たせることができる。
一実施例では、ビーム630の第1の開口数はビーム632の第2の開口数より大きい。また、一実施例では第2の開口数は、瞳決定素子506及び/またはフィールド決定素子510のみを用いることにより形成され得る開口数よりも実質的に小さくてもよい。
各種の実施例では、第1及び第2の開口数のこの関係は、瞳決定素子506/フィールド決定素子上の拡大像または縮小像を「複数のチャネル」を介した領域に形成する光学素子628を用いることにより実現される。「複数のチャネル」は、例えば少なくとも図7に関して以下に示されるような、光学素子628内の複数の素子によって形成されている。例えば、素子628は、瞳決定素子506/フィールド決定素子510上の像を共役面634上に再結像してもよい。共役面634に再結像された像はより小さい開口数または発散度を有する。
より小さい開口数または発散度が光学素子628による出力の結果として説明されているが、使用目的によってはより大きい開口数または発散度が望ましいことがあり、光学素子628はそのような場合に用いられてもよい。
一実施例では、光学素子628は、空間的に分散したビームレット632を形成し、ターゲットまたは像面634の動作領域636に向けるために用いられてもよい。また、光学素子628及び/またはそれに続く他の光学素子(図示せず)が、場合によっては約250%以上光学効率を増大させるために用いられてもよい。光学素子628により照明ビーム全体が、光学素子628に続く面または光学素子における所望の素子、領域または一部(ターゲット領域)のみに実質的に向けられるため光学効率が増大する。光学効率の増大により、望ましくない領域いいかえれば照明ビームの照射がこれ以上必要ない領域に照射される照明ビームが実質的に取り除かれ、各ターゲット領域の光量が高くなる。
例えば光学素子628は、マスク529を通して光損失を実質的に減少させるために周辺領域ではなくマスク529の領域531(図5参照)に向けられる、空間的に分散したビームを形成してもよい。
図7は、本発明の一実施形態に係る光学素子728の例を示す。この実施形態では、光学素子728は、第1のフライアイレンズ728Aと第2のフライアイレンズ728Bとを備えるフライアイリレー728である。フライアイリレー728は、例えば瞳決定素子506またはフィールド決定素子510などの回折光学素子と共役面634との間に配置されている。素子728Aと728Bとの間には、素子728Aの焦点面738が配置されている。一実施例では、光学素子としてフライアイリレー728を用いることにより2つのテレセントリック性が照明系500において維持される。
フライアイリレー728において対応するレンズ(AとB)の各組は、それ自身がフライアイリレー728におけるリレーまたはチャネルとしてみなされてもよい。
本発明者は、像を形成するためにフライアイレンズを用いているが、これは、例えば光の均一化などフライアイレンズの一般的な使用方法とは異なる。一実施例では本発明者は、空間的に分散した各像を形成するため、像を形成するフライアイアレイ728によりビームを分離させ、そのビームを分離されたままにする。
他の実施例では、光学素子628は、以上及び以下で説明される機能を発揮できれば小型レンズ、開口を多数有する光学素子、開口を多数有するアレイ、レンズを多数有するレンズアレイ(例えばマイクロレンズアレイ)、フライアイレンズまたはこれらの素子を1以上含む複数の素子(リレー)であってもよい。
図8は、本発明の一実施形態に係る照明系800を示す。照明系800は、図5の照明系500における素子のほとんどを備えるが、光学系513が光学系813に置き換えられている。光学系813は2つの光学リレー系814を備える。照明系800は光学素子728を更に備える。照明系800は、光学素子728を用いることにより照明ビームを形成する。光学素子728は、上述したように照明系500により処理されたビームよりも高い効率でフィールド決定素子510とそれに続く他の光学素子とに作用する。一実施例では、これにより所望の開口数840が対物面504に形成される。
図9は、本発明の一実施形態に係る照明系900を示す。照明系900は照明系800と同様であるが、第1の開口数を有するビーム630'を第2の開口数を有するビーム632'に変化させる第2の光学素子728を備える。照明系900は、フィールド決定素子510と集光器512のそれぞれに作用する光学素子728と、それに続く他の光学素子と、の双方を用いることにより照明ビームを形成する。この構成により、上述したように照明系500または場合によっては照明系800により処理されたビームよりも高い効率が達成される。一実施例では、これにより所望の開口数940が対物面504に形成される。
図10は、本発明の一実施形態に係る照明系1000を示す。照明系1000は、図5の照明系500及び図8の照明系800における素子のほとんどを備え、更に素子728を備える。照明系1000は、光学素子728を用いることにより照明ビームを形成する。光学素子728は、上述したように照明系500により処理されたビームよりも高い効率で集光器512とそれに続く他の光学素子とに作用する。一実施例では、これにより所望の開口数1040が対物面504に形成される。
図11は、本発明の一実施形態に係る照明系1100の一部を示し、フィールド決定素子510からパターニング用デバイス面504までを示す。照明系1100では、面527と面504との間にフライアイリレー728が配置されている。この照明系では、集光レンズ512を用いることによりフィールド決定素子で処理されたビーム526が光学素子529に向けられる。各領域531または光学素子529を通して形成された像は、面504におけるパターニング用デバイス1142上の動作領域1144に到達する前にフライアイリレー728によりサイズが縮小される。一実施例では、光学素子529を通過した像のサイズA1(例えば16.95×16.93mm)は、フライアイリレー728の画像処理により面504でイメージA2(例えば8.57×3.43mm)まで縮小される。
図12は、本発明の一実施形態に係り、フライアイレンズリレー728を用いることによりフィールド決定素子510と光学素子529との間でビームが縮小される例を示す。この実施形態では、ビーム626の断面積が50%縮小される。例えば、第1のビーム626−1の領域A1は、光学素子529上で領域A2を形成するためフライアイリレー728を通して半分に縮小される。これが、光学素子728A−nと728B−n(n=1、2、3、・・・)との各組により形成された各チャネルで行われる。この実施例では、フィールド決定素子510により形成されたフィールド全体がフライアイリレー728を通してサブフィールドに変化する。
上述したように、一実施例では、素子728A−n及び728B−nの光学特性を変化させるため各チャネルごとに縮小の程度が異なっていてもよい。
図13は、本発明の一実施形態に係る照明系1300を示す。図13は、集光器512と面527との間にフライアイリレー728と回折光学素子1346とを備えることを除いて図5と同様である。また、この実施形態では光学系513は、1つの開口部を備えるリレーである光学系1313に置き換えられている。光学系1313は、2つのレンズ1350と1354との間に配置されている開口部1352を備える。一実施例では、これにより所望の開口数1340が対物面504に形成される。
本説明においては露光装置の用途を特定の装置(例えば集積回路やフラットパネルディスプレイ)の製造としているが、ここでの露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積回路や光集積回路システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド、微小電気機械素子(MEMS)、LEDなどの製造に用いることが可能であり、これらに限られない。また、例えばフラットパネルディスプレイに関しては、本発明に係る装置は、例えば薄膜トランジスタ層及び/またはカラーフィルター層などのさまざまな層の製造に用いることができる。
ここでは特に光学的なリソグラフィーを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィーなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光学的なリソグラフィーに限られるものではない。インプリントリソグラフィーでは、パターニング用デバイスのトポグラフィーが基板に生成されるパターンを決める。パターニング用デバイスのトポグラフィーが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニング用デバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。
上述のように本発明の具体的な実施形態が説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な1以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムが記録された(半導体メモリや磁気・光ディスクなどの)データ記録媒体の形式をとってもよい。
[結語]
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。
「課題を解決する手段」及び「要約書」の項ではなく「発明の詳細な説明」の項が請求項を解釈するのに使用されるように意図されている。「課題を解決する手段」及び「要約書」の欄は本発明者が考えた本発明の実施例の1つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではない。よって、本発明及び請求項をいかなる形にも限定するものではない。
本発明の実施形態に係る露光装置を示す図である。 本発明の実施形態に係る露光装置を示す図である。 図2に示される本発明の実施形態により基板にパターンを転写する1つのモードを示す図である。 本発明の一実施形態に係る光学エンジンの配置を示す図である。 一般的な照明系を示す図である。 本発明の一実施形態に係り、追加の光学素子を備える図5の照明系の一部を示す図である。 本発明の一実施形態に係り、図6における追加の光学素子の例を示す図である。 本発明の一実施形態に係り、図6における追加の光学素子を1つ以上備える照明系である。 本発明の一実施形態に係り、図6における追加の光学素子を1つ以上備える照明系である。 本発明の一実施形態に係り、図6における追加の光学素子を1つ以上備える照明系である。 本発明の一実施形態に係る照明系を示す図である。 本発明の一実施形態に係る照明系1100の一部を示し、フィールド決定素子からパターニング用デバイス面までを示す図である。 本発明の一実施形態に係る照明系を示す図である。
符号の説明
500 照明系、 504 対物面、 506 瞳決定素子、 508 第1の集光器、 510 フィールド決定素子、 512 第2の集光器、 513 光学系、 514 リレー光学系、 516 開口部、 518 キューブ、 520 投影光学系、 527 面、 529 光学素子、 531 透過領域、 628 光学素子、 634 共役面、 636 動作領域、 728 光学素子、 728A 第1のフライアイレンズ、 728B 第2のフライアイレンズ、 738 焦点面、 800 照明系、 813 光学系、 814 光学リレー系、 1142 パターニング用デバイス、 1144 動作領域、 1313 光学系、 1340 開口数、 1346 回折光学素子、 1350 レンズ、 1352 開口部、 1354 レンズ。

Claims (24)

  1. ビームを受光し、複数のビームを出力する光学素子と、
    前記複数のビームを受光し、前記光学素子と共役関係にある像面に前記複数のビームを再結像させることで、前記複数のビームに対応する複数の対応ビームを形成する多開口光学デバイスと、
    を備え、
    前記複数の対応ビームそれぞれが、前記複数のビームそれぞれの開口数よりも小さい開口数を有することを特徴とする光学系。
  2. 前記光学素子は、回折光学素子または屈折光学素子を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  3. 前記多開口光学デバイスは、レンズアレイを含むことを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  4. 前記レンズアレイは、フライアイレンズを含むことを特徴とする請求項3に記載の光学系。
  5. 前記多開口光学デバイスは、直列に配置された第1のレンズアレイと第2のレンズアレイとを有するレンズリレーを含むことを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  6. 前記第1のレンズアレイ及び前記第2のレンズアレイは、フライアイレンズであることを特徴とする請求項5に記載の光学系。
  7. 前記第1のレンズアレイと前記第2のレンズアレイとが、前記光学系において2つのテレセントリック性を維持するよう構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  8. 前記光学素子は、瞳決定素子を含み、
    前記光学系は、
    前記複数の対応ビームを集光する第1の集光器と、
    フィールド決定集光ビームを形成するフィールド決定素子と、
    前記フィールド決定集光ビームを集光する第2の集光器と、
    集光された前記フィールド決定集光ビームをパターニング用デバイスに向けるリレーと、
    を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  9. 前記パターニング用デバイスは個別制御可能素子アレイを含むことを特徴とする請求項8に記載の光学系。
  10. 前記光学素子は、瞳決定素子を含み、
    前記光学系は、
    前記複数の対応ビームを集光する第1の集光器と、
    集光された前記複数の対応ビームを受光し、フィールドが決定されたビームを出力するフィールド決定素子と、
    フィールドが決定されたビームを受光し、別の複数の対応ビームを出力する別の多開口光学デバイスと、
    前記別の複数の対応ビームを受光し、集光する第2の集光器と、
    集光された前記別の複数の対応ビームを受光し、パターニング用デバイスに向けるリレーと、
    を更に備え、
    前記別の複数の対応ビームそれぞれは、フィールドが決定されたビームの開口数よりも小さい開口数を有することを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  11. 前記光学素子は、フィールド決定素子を含み、
    前記光学系は、
    放射源からビームを受光し、瞳が決定されたビームを出力するよう配置されている瞳決定素子と、
    瞳が決定されたビームを集光し、集光されたそのビームをフィールド決定素子により受光されたビームとして方向づける第1の集光器と、
    前記複数の対応ビームを受光し、集光する第2の集光器と、
    集光された前記複数の対応ビームを受光し、パターニング用デバイスに向けるリレーと、
    を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  12. 前記多開口光学デバイスは、前記複数の対応ビームの各対応ビームを前記像面の対応部分に向けるよう構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学系。
  13. 請求項1に記載の光学系は、露光システムにおける照明系であり、
    前記露光システムは、請求項1に記載の光学系に加え、
    前記複数の対応ビームを調整する前記多開口光学デバイスの後ろに配置されている別の光学系と、
    調整されたそのビームにパターンを付与するパターニング用デバイスと、
    パターンが付与されたビームを基板のターゲット部分に投影する投影系と、
    を更に備えることを特徴とする露光システム。
  14. ビームを受光し、第1の開口数を有する第1のビームレットの組を出力する光学素子と、
    前記第1のビームレットの組を受光し、第2のビームレットの組を出力する開口数変換素子と、
    を備え、
    第2のビームレットの各組は、前記第1の開口数よりも小さい第2の開口数を有することを特徴とする光学系。
  15. 前記開口数変換素子は、前記光学素子と共役関係にある像面上の分散した対応位置に前記第2のビームレットの組を向けるよう構成されていることを特徴とする請求項14に記載の光学系。
  16. 前記開口数変換素子は、レンズアレイまたはフライアイレンズを含むことを特徴とする請求項14に記載の光学系。
  17. 前記開口数変換素子は、レンズアレイのアレイまたはフライアイレンズのアレイを含むことを特徴とする請求項14に記載の光学系。
  18. 前記開口数変換素子は、2つのテレセントリック性を維持するよう構成されていることを特徴とする請求項14に記載の光学系。
  19. 第1の開口数を有する第1の複数ビームを放射ビームから形成するステップと、
    前記第1の開口数を有する前記第1の複数ビームを第2の開口数をそれぞれ有する第2の複数ビームに変化させるステップと、
    を含み、
    前記第2の開口数のそれぞれは前記第1の開口数よりも小さいことを特徴とする方法。
  20. 前記第2の開口数を有する前記第2の複数ビームを像面上の分散した所定部分に向けるステップを更に含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
  21. 前記変化させるステップは、レンズアレイまたはフライアイレンズを用いることにより変化させることを特徴とする請求項19に記載の方法。
  22. 前記変化させるステップは、レンズアレイのアレイまたはフライアイレンズのアレイを用いることにより変化させることを特徴とする請求項19に記載の方法。
  23. 前記第2の複数ビームにパターンを付与するステップと、
    パターンが付与されたそのビームを基板に投影するステップと、
    を更に含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
  24. 光学素子を用いることにより放射ビームから複数のビームを形成するステップと、
    前記光学素子と共役関係にある像面に前記複数のビームを個々にまたはまとめて再結像するステップと、
    を含み、
    前記再結像するステップ中において、2つのテレセントリック性が維持されることを特徴とする方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011522289A (ja) * 2008-05-30 2011-07-28 コーニング インコーポレイテッド マスクレスリソグラフィ用パターニングシステムの集束スポット寸法整定のための照明システム
WO2014157709A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 Sasaki Makoto 撮像光学系及び撮像装置
KR20190029901A (ko) * 2017-09-13 2019-03-21 네이버랩스 주식회사 영상센서 방식 라이다의 측정거리 향상을 위한 광 집속 시스템

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7532403B2 (en) * 2006-02-06 2009-05-12 Asml Holding N.V. Optical system for transforming numerical aperture
US7839487B2 (en) * 2006-04-13 2010-11-23 Asml Holding N.V. Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device
US8441730B2 (en) 2006-11-14 2013-05-14 Xiper Innovations, Inc. Non-attenuating light collimating articles for graphic arts
KR101650878B1 (ko) * 2010-03-22 2016-08-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
NL2006556A (en) 2010-05-13 2011-11-15 Asml Holding Nv Optical system, inspection system and manufacturing method.
US20120224172A1 (en) * 2010-12-10 2012-09-06 Nikon Corporation Optical components for use in measuring projection lens distortion or focus of an optical imaging system that images a substrate
JP5637931B2 (ja) * 2011-05-17 2014-12-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法
NL2017493B1 (en) * 2016-09-19 2018-03-27 Kulicke & Soffa Liteq B V Optical beam homogenizer based on a lens array
EP4286919B1 (en) * 2022-05-29 2024-02-14 Laserworld (Switzerland) AG Multi-wavelength laser beam homogenizer-expander light engine

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS597360A (ja) * 1982-06-23 1984-01-14 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 光源発生装置
JP2000182933A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002033259A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Nikon Corp 投影露光方法、投影露光装置および照明光学装置
JP2002075835A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002222761A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003523641A (ja) * 2000-02-16 2003-08-05 エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド フォトリソグラフィで用いるズーム照明系
WO2004010227A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Applied Materials, Inc. Recording an image with multiple intensity levels
WO2004027521A2 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Dmetrix, Inc. A multi-axis projection imaging system
JP2004157219A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッドおよび露光装置
WO2004109777A1 (ja) * 2003-06-03 2004-12-16 Nikon Corporation 露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにデバイス
JP2007017925A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 合波レーザ光源

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US156269A (en) * 1874-10-27 Improvement in refrigerators
US7572A (en) * 1850-08-20 Improvement in gun harpoons and lances
US263821A (en) * 1882-09-05 solviy
US130561A (en) * 1872-08-20 Improvement in truss-bridges
US41104A (en) * 1864-01-05 Improved washing-machine
US4516963A (en) * 1983-05-23 1985-05-14 Borg-Warner Corporation Power transmission chain-belt
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JPH06177007A (ja) 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
JP2001500628A (ja) 1996-02-28 2001-01-16 ケニス シー ジョンソン マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡
JP2001507870A (ja) 1997-01-21 2001-06-12 ザ ユニバーシティ オブ ニュー メキシコ 光学および干渉リソグラフィを統合して複雑なパターンを生成する方法および装置
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US6177980B1 (en) 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
SE522531C2 (sv) 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
KR100827874B1 (ko) 2000-05-22 2008-05-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법
WO2002025373A2 (en) 2000-09-13 2002-03-28 Massachusetts Institute Of Technology Method of design and fabrication of integrated circuits using regular arrays and gratings
DE10148167A1 (de) 2001-09-28 2003-04-17 Zeiss Carl Jena Gmbh Beleuchtungsanordnung
US6813003B2 (en) 2002-06-11 2004-11-02 Mark Oskotsky Advanced illumination system for use in microlithography
US7006295B2 (en) 2001-10-18 2006-02-28 Asml Holding N.V. Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator
US7079321B2 (en) 2001-10-18 2006-07-18 Asml Holding N.V. Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil
US6775069B2 (en) 2001-10-18 2004-08-10 Asml Holding N.V. Advanced illumination system for use in microlithography
JP3563384B2 (ja) 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
TW200307179A (en) * 2002-05-27 2003-12-01 Nikon Corp Lighting device, exposing device and exposing method
TWI298825B (en) 2002-06-12 2008-07-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6870554B2 (en) 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
US6717736B1 (en) 2003-02-13 2004-04-06 Zetetic Institute Catoptric and catadioptric imaging systems
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7187399B2 (en) * 2003-07-31 2007-03-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure head with spatial light modulator
DE10338244A1 (de) 2003-08-20 2005-03-10 Zeiss Carl Sms Gmbh Kohärenzminderer und Herstellungsverfahren eines Kohärenzminderers
DE10345784A1 (de) 2003-10-01 2005-04-21 Zeiss Carl Sms Gmbh Kohärenzminderer
US7180577B2 (en) * 2004-12-17 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
US7532403B2 (en) * 2006-02-06 2009-05-12 Asml Holding N.V. Optical system for transforming numerical aperture

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS597360A (ja) * 1982-06-23 1984-01-14 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 光源発生装置
JP2000182933A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003523641A (ja) * 2000-02-16 2003-08-05 エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド フォトリソグラフィで用いるズーム照明系
JP2002033259A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Nikon Corp 投影露光方法、投影露光装置および照明光学装置
JP2002075835A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002222761A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
WO2004010227A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Applied Materials, Inc. Recording an image with multiple intensity levels
WO2004027521A2 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Dmetrix, Inc. A multi-axis projection imaging system
JP2004157219A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッドおよび露光装置
WO2004109777A1 (ja) * 2003-06-03 2004-12-16 Nikon Corporation 露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにデバイス
JP2007017925A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp 合波レーザ光源

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011522289A (ja) * 2008-05-30 2011-07-28 コーニング インコーポレイテッド マスクレスリソグラフィ用パターニングシステムの集束スポット寸法整定のための照明システム
WO2014157709A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 Sasaki Makoto 撮像光学系及び撮像装置
JPWO2014157709A1 (ja) * 2013-03-28 2017-02-16 真人 佐々木 撮像光学系及び撮像装置
KR20190029901A (ko) * 2017-09-13 2019-03-21 네이버랩스 주식회사 영상센서 방식 라이다의 측정거리 향상을 위한 광 집속 시스템
KR102087081B1 (ko) * 2017-09-13 2020-03-10 네이버랩스 주식회사 영상센서 방식 라이다의 측정거리 향상을 위한 광 집속 시스템

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