JP2007281438A5 - - Google Patents
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- 電極間に、発光層と、カルコパイライトまたはオキシカルコゲナイドのいずれかの化合物を含有する半導体層と、を配して構成される発光素子であって、
前記発光層の構成材料が、ＺｎＳ：Ａ（アクセプター），Ｄ（ドナー）で表され、
前記Ａ（アクセプター）がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＮの少なくとも一つ以上から、前記Ｄ（ドナー）がＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの少なくとも一つ以上から選ばれたものであることを特徴とする発光素子。 - 前記カルコパイライト化合物半導体層がＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２型で表され、Ｉ族がＣｕ及びＡｇのいずれかから、ＩＩＩ族がＡｌ、Ｇａ及びＩｎのいずれかから、ＶＩ族がＳ、Ｓｅ及びＴｅのいずれかから選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
- 前記Ａ（アクセプター）及び前記Ｄ（ドナー）の少なくともいずれかが、前記カルコパイライト化合物半導体を構成するＩ族及びＩＩＩ族の材料と同じ材料で構成されたことを特徴とする請求項２記載の発光素子。
- 前記Ａ（アクセプター）及び前記Ｄ（ドナー）の濃度は、１０ −３ ｍｏｌ／ｍｏｌ以下であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
- 前記カルコパイライト化合物半導体がＩ−ＩＩＩ−Ｓ ２ 型で表され、Ｉ族がＣｕ及びＡｇの少なくともいずれかから、ＩＩＩ族がＡｌ及びＧａの少なくともいずれかから選ばれ、
前記発光層の構成材料が、ＺｎＳ：Ａ（アクセプター），Ｄ（ドナー）で表され、
前記Ａ（アクセプター）が、Ａｇ及びＣｕの少なくともいずれかから、前記Ｄ（ドナー）がＡｌ、Ｇａ及びＣｌの少なくとも一つ以上から選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載の発光素子。 - 前記カルコパイライト化合物半導体と前記発光層を構成する材料の格子整合性が１０％以内であることを特徴とする請求項１項記載の発光素子。
- 前記カルコパイライト化合物半導体で構成される層が前記発光層の陽極側に設けられ、陽極に直流電源の正極、陰極に直流電源の負極を接続することで発光することを特徴とする請求項１記載の発光素子。
- カルコパイライトまたはオキシカルコゲナイドのいずれかを含有する半導体層と、ドナーアクセプターの付与される化合物半導体が発光する発光層が隣接して積層される発光素子の製造方法において、
前記半導体層となる第１の部材と、前記発光層の母体材料となる第２の部材とが隣接して形成される前駆体を形成する第１の工程と、
前記前駆体を熱処理する第２の工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記熱処理は、急速加熱法によって行われることを特徴とする請求項８記載の発光素子の製造方法。
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