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  1. 基体(1)と、
    第1の電極(2)および第2の電極(9)と、
    前記第1の電極前記第2の電極の間に設けられた少なくとも1つの第1の放射層(5)と、
    有する放射装置であって、
    前記第1の放射層、マトリクス材料と、第1の放射材料0.5〜5重量%とを含んでおり
    第1の燐光発光性トラップ材料が、該第1のトラップ材料の重量割合が前記第1の放射材料の重量割合よりも大きいように、5〜30重量%の濃度範囲で混合されており、ここで、前記第1の燐光発光性トラップ材料は前記第1の放射材料よりも短い波長において放射最大を有しており、
    これにより、励起子が前記第1のトラップ材料から前記第1の放射材料に送られ、ここで、前記第1の放射層電流効率は、トラップ材料を含まない放射層の電流効率に対して少なくとも10%高いものであり、
    前記第1の放射層(5)における前記第1のトラップ材料の最大放射の正規化された放射強度は、前記第1の放射材料の最大放射の強度の最大5%であり、
    第2の放射材料および第2のトラップ材料を含む第2の放射層をさらに有する、
    ことを特徴とする放射装置。
  2. 前記放射材料は燐光発光性放射材料である、
    請求項1記載の放射装置。
  3. 電極放射層との間には電子輸送層設けられており、
    前記第1の励起子トラップ材料のLUMOは前記電子輸送層LUMOよりも低い、
    請求項1または2記載の放射装置。
  4. 前記第1の燐光発光性トラップ材料と前記第1の放射材料との間の最大放射差は少なくとも15nmである、
    請求項1乃至3のいずれか1項記載の放射装置。
  5. 前記第1の放射層おける前記第1のトラップ材料の最大放射正規化された放射強度は、前記マトリクス材料と前記トラップ材料とから成る層における前記トラップ材料の最大放射正規化された放射最大10%である、
    請求項1乃至のいずれか1項記載の放射装置。
  6. 前記第1の放射層(5)中の、前記第1の放射材料における励起子の寿命は、前記トラップ材料における励起子の寿命よりも長い、
    請求項1乃至のいずれか1項記載の放射装置。
  7. 前記第1の放射層(5)の外部量子効率ηextは、トラップ材料を含まない放射層の外部量子効率に対して少なくとも20%高い、
    請求項1乃至のいずれか1項記載の放射装置。
  8. 前記第1の放射材料の光ルミネセンス量子収率は、前記トラップ材料の光ルミネセンス量子収率よりも大きい、
    請求項1乃至のいずれか1項記載の放射装置。
  9. 前記第1の放射材料のLUMOは、前記マトリクス材料のLUMOおよび/または前記第1のトラップ材料のLUMOよりも高い、
    請求項1乃至のいずれか1項記載の放射装置。
  10. 前記第1の放射層(5)の層の厚さは、10〜40nmである、
    請求項1乃至のいずれか1項記載の放射装置。
  11. 前記第1の放射層(5)および少なくとも1つの第2の放射層によって放射される放射線の重畳により、白色光が放射される、
    請求項1乃至10のいずれか1項記載の放射装置。
  12. 前記第1の放射層と前記第2の放射層との間に、励起子をブロックするためのブロック層が設けられている、
    請求項1乃至11のいずれか1項記載の放射装置。
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