JP2010103534A - ナノドットを有する有機発光ダイオード装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ナノドットを有する有機発光ダイオード装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノドットを有する有機発光ダイオード装置は、基板、第1導電層、第1補助発光層、発光層、第2補助発光層と、第2導電層とを含む。その製造方法は、表面官能基を有するナノドットで、装置の発光層、第1補助発光層または第2補助発光層にて、ドーピングし、層状発光構造を組成する。ナノドットをドーピングして使用するのは、装置の性能を強化できる。
【選択図】 図12
Description
Claims (32)
- 基板と、
前記基板上に形成する第1導電層と、
前記第1導電層の上方に形成する第1補助発光層と、
前記第1補助発光層の上方に形成する発光層と、
前記発光層の上方に形成する第2補助発光層と、
前記第2補助発光層の上方に形成する第2導電層と、
を含む、ナノドットを有する有機発光ダイオード装置において、
表面官能基を持つナノドットで、前記ナノドットを有する有機発光ダイオード装置の前記発光層、前記第1補助発光層または、前記第2補助発光層にて、ドーピングされることを特徴とするナノドットを有する有機発光ダイオード装置。 - 前記ナノドットの化学式は、MxOyRzであることを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
(式中、Mは、金属、遷移金属、半金属または金属合金であり、Oは、酸素原子であり、Rは、有機物質である。) - 前記金属は、アルミ(Al)、錫(Sn)、マグネシウム(Mg)と、カルシウム(Ca)から構成するグループのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記遷移金属は、チタニウム(Ti)、マンガン(Mn)、亜鉛(Zn)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、と鉄(Fe)から構成するグループのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記半金属はシリコン(Si)であることを特徴とする請求項2に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記有機物質は、アミン基(Amine)、アルキル基(Alkyl)、アルケン基(Alkene)と、ヒドロキシ基(Hydorxy)より組成されるグループのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 電気泳動光散乱(electrophoresis light scattering)で測定したところ、前記ナノドットの表面電荷は+1〜+200mVであることを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 電気泳動光散乱で測定したところ、前記ナノドットの表面電荷は−1〜−200mVであることを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記ナノドットのドーパントの重量パーセント濃度は0.1〜15wt%であることを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記ナノドットの粒径の範囲は1〜30nmであることを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記基板は、透明基板であることを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記透明基板は、ガラス基板または高分子基板であることを特徴とする請求項11に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記発光層は、蛍光または燐光発光材料を含むことを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記発光層は、蛍光または燐光発光材料を同時に使用できることを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記第1補助発光層は、キャリア注入層、キャリア輸送層、キャリアブロック層、または励起子局限層を含むことを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 前記第2補助発光層は、キャリア注入層、キャリア輸送層、キャリアブロック層、または励起子局限層を含むことを特徴とする請求項1に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置。
- 基板を提供するステップと、
第1導電層を前記基板の上方に形成するステップと、
第1補助発光層を前記第1導電層の上方に形成するステップと、
発光層を前記第1補助発光層の上方に形成するステップと、
第2補助発光層を前記発光層の上方に形成するステップと、
第2導電層を前記第2補助発光層の上方に形成して組成するステップと、
を含む、ナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法において、
前記ナノドットドーパントの有機発光ダイオード装置の前記発光層、前記第1補助発光層または前記第2補助発光層において、表面官能基を持つナノドットをドーピングされることを特徴とするナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。 - 前記ナノドットの化学式は、MxOyRzであることを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
(式中、Mは、金属、遷移金属、半金属または金属合金であり、Oは、酸素原子であり、Rは、有機物質である。) - 前記金属は、アルミ(Al)、錫(Sn)、マグネシウム(Mg)と、カルシウム(Ca)から構成するグループのいずれかであることを特徴とする請求項18に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記遷移金属は、チタニウム(Ti)、マンガン(Mn)、亜鉛(Zn)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、と鉄(Fe)から構成するグループのいずれかであることを特徴とする請求項18に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記半金属はシリコン(Si)であることを特徴とする請求項18に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記有機物質は、アミン基(Amine)、アルキル基(Alkyl)、アルケン基(Alkene)と、ヒドロキシ基(Hydorxy)より組成されるグループのいずれかであることを特徴とする請求項18に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 電気泳動光散乱(electrophoresis light scattering)で測定したところ、前記ナノドットの表面電荷は+1〜+200mVであることを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 電気泳動光散乱で測定したところ、前記ナノドットの表面電荷は−1〜−200mVであることを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記ナノドットのドーパントの重量パーセント濃度は0.1〜15wt%であることを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記ナノドットの粒径の範囲は1〜30nmであることを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記基板は、透明基板であることを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記透明基板は、ガラス基板または高分子基板であることを特徴とする請求項27に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記発光層は、蛍光または燐光発光材料を含むことを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記発光層は、蛍光または燐光発光材料を同時に使用できることを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記第1補助発光層は、キャリア注入層、キャリア輸送層、キャリアブロック層、または励起子局限層を含むことを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
- 前記第2補助発光層は、キャリア注入層、キャリア輸送層、キャリアブロック層、または励起子局限層を含むことを特徴とする請求項17に記載のナノドットを有する有機発光ダイオード装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169460A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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CN104282841B (zh) * | 2014-10-29 | 2017-04-19 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种蓝色有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104282842B (zh) * | 2014-10-29 | 2017-04-19 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种绿色有机电致发光器件及其制备方法 |
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CN105514295A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光装置和形成发光装置的方法以及显示装置 |
CN106816541A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-06-09 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 磷光蓝有机发光二极管装置 |
CN110791282B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-07-12 | 云南民族大学 | 一种掺Mn4+碱金属氟铁酸盐红色发光材料及制备方法 |
CN113433715A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-24 | 上海先研光电科技有限公司 | 光电双调制的三维显示方法、显示元件和三维显示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502254A (ja) * | 2002-09-24 | 2006-01-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 導電性有機ポリマー/ナノ粒子複合材料およびその使用方法 |
Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
US5061569A (en) * | 1990-07-26 | 1991-10-29 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic electroluminescent medium |
US6515314B1 (en) * | 2000-11-16 | 2003-02-04 | General Electric Company | Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material |
US6602731B2 (en) * | 2001-02-07 | 2003-08-05 | Agfa Gevaert | Manufacturing of a thin inorganic light emitting diode |
US7132787B2 (en) * | 2002-11-20 | 2006-11-07 | The Regents Of The University Of California | Multilayer polymer-quantum dot light emitting diodes and methods of making and using thereof |
WO2004081141A1 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-23 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device with quantum dots |
DE602004017049D1 (de) * | 2003-12-02 | 2008-11-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Elektrolumineszenzbauelement |
WO2007098451A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Solexant Corporation | Nanostructured electroluminescent device and display |
US20100065834A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | Plextronics, Inc. | Integrated organic photovoltaic and light emitting diode device |
-
2008
- 2008-10-23 TW TW097140747A patent/TWI422088B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-09-22 US US12/564,507 patent/US20100102294A1/en not_active Abandoned
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- 2009-10-15 JP JP2009238605A patent/JP2010103534A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502254A (ja) * | 2002-09-24 | 2006-01-19 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 導電性有機ポリマー/ナノ粒子複合材料およびその使用方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012169460A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8847240B2 (en) | 2011-07-14 | 2014-09-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optoelectronic devices |
KR101912923B1 (ko) | 2011-12-12 | 2018-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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