TWI422088B - 具有奈米點之有機發光二極體及其製造方法 - Google Patents

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Description

具有奈米點之有機發光二極體及其製造方法
本發明係揭露一種具有奈米點之有機發光二極體及其製造方法，乃以表面具有官能基的奈米點，摻混入元件之發光層、第一輔助發光層、或第二輔助發光層，而組成層狀發光結構；使用摻混奈米點之方式，可強化元件之效能表現。
有機電激發光顯示器(Organic Electro-luminescence Display,Organic EL Display)，又稱為有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)，於1987年，由柯達(Kodak)公司的C.W.Tang與S.A.VanSlyk等人，以真空蒸鍍方式製成，分別將電洞傳輸材料及電子傳輸材料，鍍覆於透明之氧化銦錫(indium tin oxide，簡稱ITO)玻璃上，其後再蒸鍍一金屬電極，形成具有自發光性之OLED裝置；由於擁有高亮度、螢幕反應速度快、輕薄短小、全彩、無視角差、不需液晶顯示器式背光板、以及節省燈源及耗電量，因而成為新一代顯示器。
請參閱第一圖，其係習知之一OLED裝置之結構剖面圖；此結構由Eastman Kodak Company的Steven A.Vanslyke等人，於1991年，在美國專利案號US5061569中提出；在此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板11、一透明之陽極12(Indium Tin Oxide,ITO)、電洞傳輸層13(Hole Transporting Layer,HTL)、一有機發光層14( Organic Emitting Layer,EL)、一電子傳輸層15(Electron Transporting Layer,ETL)、一電子注入層16(Electron Injection Layer,EIL)及一金屬陰極17；當施以一順向偏壓電壓時，電洞1301由陽極12注入，而電子1501由陰極17注入，由於外加電場所造成的電位差，使電子1501及電洞1301在薄膜中移動，進而在有機發光層14中產生覆合(recombination)；部分由電子電洞結合所釋放的能量，將有機發光層14的發光分子激發而成為激發態，當發光分子由激發態衰變至基態時，其中一定比例的能量以光子的形式放出，所放出的光為有機電致發光。
第二圖為C.H.Chen等人，於Applied Physics Letters第85卷，第3301頁(2004)中，所提出之摻雜型OLED裝置；此OLED裝置，其構造由下至上，依序包含：一透明基板18、一透明之陽極19、一電洞注入層20、一電洞傳輸層21、一含摻雜染料之發光層22、一電子傳輸層23、一電子注入層24及一金屬陰極25，可產生有機電致發光。
第三圖亦為習知OLED裝置結構之剖面圖，由柯達公司的雷修胡利等人，於2002年，在中華民國專利第497283號中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板26、一透明之陽極27、一電洞注入層28、一電洞傳輸層29、一發光層30、一電子傳輸層31、一緩衝層一32、一緩衝層二33及一金屬陰極34；其中，緩衝層一為鹼性鹵化物，緩衝層二為酞菁；當施以順向偏壓時，電洞電子可在發光層30中覆合，產生有機電致發光。
請參閱第四圖，其係習知之另一OLED裝置之結構剖面圖，此結構由AGFA Gevaert的Hieronymus Andriessen等人，於2003年，在美國專利案號US6602731中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板35、一透明之陽極36、一發光層37，一金屬陰極38；其中， 發光層由無機量子點CuS與ZnS組成，可產生電致發光；當施以順向偏壓時，電洞電子可在發光層37中覆合，產生電致發光。
亦參閱第五圖，其係習知之另一OLED裝置之結構剖面圖，此結構由Dietrich Bertram等人，於2006年，在美國專利案號US 2006/0170331 A1中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含；一透明基板39、一透明之陽極40、一發光層41、一金屬陰極42；其中，發光層由無機複合量子點CdSe/CdS組成，CdS為該量子點核心，CdSe為其外圍包覆層；當施以順向偏壓時，電洞電子可在發光層41中覆合，產生電致發光。
請參閱第六圖，亦為習知之OLED裝置之結構剖面圖，此結構由General Electric Company的Anil Raj Duggal等人，於2004年，在美國專利案號US6777724中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板43、一透明之陽極44、一發光層45、一金屬陰極46；其中，發光層包含有機無機複合之量子點，均勻分散於一有機材料中，且每一有機無機複合量子點包括：-(Y1-x-yGdxCey)Al5O12、(Y1-xGex)3(Al1-yGay)O12、(Y1-x-yGdxCey)3(Al5-zGaz)O12或(Gd1-xCex)Sc2Al3O12，其中0 x 1，0 y 1，0 z 5，且x+y 1；當施以順向偏壓時，電洞電子可在發光層45中覆合，產生電致發光。
亦參閱第七圖，亦為習知之OLED裝置之結構剖面圖，此結構由Koninklijke Philips Electronics的Rafat Ata Mustafa hikmet等人，於2004年，在美國專利案號US 2007/0077594 A1中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板47、一透明之陽極48、一發光層49、一金屬陰極50；其中，發光層包含無機複合量子點，均勻分散於一高分子材料中，且每一無機複合量子點，由二-六族半導體材料包覆三-五族半導體材料所組成；當施以順向偏壓時，電洞電子可在發 光層49中覆合，產生電致發光。
請參閱第八圖，為另一OLED裝置之結構剖面圖，此結構由the Regents of the University of California的Mihri Ozkan等人，於2006年，在美國專利案號US7132787中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板51、一透明之陽極52、一電洞傳輸層53、一發光層54、一電子傳輸層55及一金屬陰極56；其中，發光層由無機量子點CdSe組成，可產生電致發光；當施以順向偏壓時，電洞電子可在發光層54中覆合，產生電致發光。
請參閱第九圖，係為習知之OLED裝置，此結構是由T.H.Liu等人，於2006年，在中華民國專利第200618664號中提出；此OLED裝置之構造，由下至上，依序包含：一透明基板57、一透明之陽極58、一電洞傳輸層59、一發光層60、一電子傳輸層61、一無機層62及一金屬陰極63，可產生有機電致發光。
請參閱第十圖，其係習知之另一OLED裝置之結構剖面圖，此結構由清華大學的J.H.Jou，於2006年，在中華民國專利第200608614號中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板64、一透明之陽極65、一電洞傳輸層66、一發光層67；其中，此發光層包含複數個有機無機複合量子點分散於一高分子中，且每一有機無機複合量子點包括：一ZnX(X係擇自於S、Se、Te與其組合物所組成之族群中)量子點與一有機分子包覆該量子點表面及一電子傳輸層68、一金屬陰極69；當施以順向偏壓時，電洞由陽極65注入，而電子由陰極69注入，由於外加電場所造成的電位差，使電子及電洞在薄膜中移動，進而在發光層67中產生覆合；其中，在發光層中的量子點，可以增進電子電洞結合率，亦可產生有機電致發光。
請參閱第十一圖，其係習知之另一OLED裝置之結構剖面圖，此結構由清華大學的J.H.Jou，於2007年，在中華民國專利申請案第096120455號中提出；此實施例中，OLED裝置的構造，由下至上，依序包含：一透明基板70、一透明之陽極71、一電洞傳輸層72、一發光層73、一電子傳輸層74及一金屬陰極75；其中，電洞傳輸層包含奈米點，均勻分散於一電洞傳輸材料中，且奈米點以溶膠凝膠法合成，其化學式為MxOy，M是金屬(鈦(Ti)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鐵Fe)與無機類金屬矽(Si)以及O是氧原子；使用上述製造方式，均可大幅提昇有機發光二極體之效率。
本發明人基於多年從事研究與諸多實務經驗，經多方研究設計與專題探討，遂於本發明中，提出一種以溶膠凝膠法合成奈米點強化高效率有機發光二極體及其製造方法，作為前述期望之實現方式與依據。
有鑑於上述課題，本發明係揭露一種具有奈米點之有機發光二極體及其製造方法；此有機發光二極體裝置包含有基板、第一導電層、第一輔助發光層、發光層、第二輔助發光層及第二導電層；其製造方法，為將表面具有官能基的奈米點，摻混入元件之發光層、第一輔助發光層或第二輔助發光層，而組成層狀發光結構；使用摻混奈米點之方式，可強化元件之效能表現。
茲為使 貴審查委員對本發明之技術特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，下文謹提供較佳之實施例及相關圖式以為輔佐之用，並以詳細之說明文字配合說明如後。
11、18、26、35、39、43、47、51、57、64、70、76、88、94、100‧‧‧基板
12‧‧‧陽極
13、21、29、53、59、66、72‧‧‧電洞傳輸層
14‧‧‧有機發光層
15、23、31、55、61、68、74‧‧‧電子傳輸層
16、24‧‧‧電子注入層
17‧‧‧陰極
19、27、36、40、44、48、52、58、65、71、77、89、95、101‧‧‧第一導電層
20、28‧‧‧電洞注入層
22‧‧‧含摻雜染料之發光層
25、34、38、42、46、50、56、63、69、75、81、93、99、105‧‧‧第二導電層
30、37、41、45、49、54、60、67、73、79、91、97、103‧‧‧發光層
32‧‧‧緩衝層一
33‧‧‧緩衝層二
62‧‧‧無機層
78‧‧‧奈米點掺雜之第一輔助發光層
102‧‧‧奈米點掺雜之第一輔助發光層
80、92、98、104‧‧‧第二輔助發光層
S82~S87‧‧‧流程步驟
90‧‧‧表面官能基帶正電荷奈米點掺雜之第一輔助發光層
96‧‧‧表面官能基帶負電荷奈米點掺雜之第一輔助發光層
第一圖其係依據習知之OLED裝置之結構剖面圖。
第二圖其係依據習知之另一OLED裝置之結構剖面圖。
第三圖為習知之OLED裝置之結構剖面圖。
第四圖為習知之另一OLED裝置之結構剖面圖。
第五圖為習知之另一OLED裝置之結構剖面圖。
第六圖為習知之OLED裝置之結構剖面圖。
第七圖為習知之OLED裝置之結構剖面圖。
第八圖為習知之另一OLED裝置之結構剖面圖。
第九圖為習知之OLED裝置之結構剖面圖。
第十圖為習知之另一OLED裝置之結構剖面圖。
第十一圖為習知之另一OLED裝置之結構剖面圖。
第十二圖其係本發明之OLED裝置結構剖面圖及其能階示意圖。
第十三圖其係本發明之OLED裝置製造方法之流程圖。
第十四圖其係本發明之較佳實施例之OLED裝置結構剖面圖及其能階示意圖。
第十五圖其係本發明之較佳實施例之OLED裝置能階圖。
第十六圖其係本發明之較佳實施例之另一OLED裝置結構剖面圖及其能階示意圖。
第十七圖其係本發明之較佳實施例之另一OLED裝置能階圖。
第十八圖其係先前技藝實施例之OLED裝置結構剖面圖及其能階示意圖。
第十九圖其係先前技藝實施例之OLED裝置能階圖。
為使本發明之目的、特徵、與優點淺顯易懂，下文依本發明之具有奈米點之有機發光二極體及其製造方法，特舉較佳實施例，輔以相關圖式，作詳細說明如下，其中相同的元件，將以相同符號加以說明。
請參閱第十二圖，其係較佳實施例之OLED結構剖面圖。該OLED構造由下至上依序包含一基板76、一第一導電層77、一奈米點掺雜之第一輔助發光層78、一含摻雜染料之發光層79、一第二輔助發光層80及一第二導電層81；其中，第一導電層77位於基板76上，一奈米點掺雜之第一輔助發光層78位於第一導電層77上方，發光層79位於奈米點掺雜之第一輔助發光層78上方，第二輔助發光層80位於發光層79上方，及第二導電層81位於第二輔助發光層80上方。
承上所述，含摻雜染料之發光層79係包含有主體材料及一種以上之客體材料，可為螢光或磷光發光材料；同時，奈米點掺雜之第一輔助發光層78為表面具有官能基的奈米點polymeric nano-dot與電洞傳輸材料聚(乙烯雙氧噻吩)：聚(苯乙烯亞硫酸)(poly(ethylenedioxythiophene)：poly(styrene sulfonic acid)(PEDOT：PSS))之複合物；其中，奈米點之化學式係為MxOyRz，M包含金屬、過渡金屬、類金屬或金屬合金，O為氧原子及R為有機物；其中，金屬係選自由鋁(Al)、錫(Sn)、鎂(Mg)和鈣(Ca)所構成的群組之中；過渡金屬係選自由鈦(Ti)、錳(Mn)、鋅(Zn)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)和鐵(Fe)所構成的群組之中；類金屬係為矽(Si)；有機物係選自由氨基(Amine)、烷基(Alkyl)、烯基(Alkene)和氫氧基(Hydroxy)所構成的群組之中；另外，經由電泳光散射(electrophoresis light scattering)量測，奈米點表面電荷為+1至+200mV或-1至-200mV，其摻混重量百分濃度為0.1至15wt%，以及其粒徑範圍為1至30nm；第二輔助發光層80係包含有電子傳輸材料及電子注入材料，可為2,2',2"-(1,3,5-三苯基)-三(1-苯基-1-H-苯吚咪噠唑)(1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene(TPBi))、tris(8-hydroxy quinoline)alumi-num(Alq3)等電子傳輸材料，與氟化鋰(Lithium fluoride(LiF))、氟化銫(Cesium fluoride(CsF))等 電子注入材料；第二導電層81一般可為鋁(Aluminum(Al))、銀(Silver(Ag))等導電材料；基板76一般可為玻璃基板、塑膠基板或金屬基板；第一導電層77一般可為氧化銦錫(lndium tin oxide,ITO)層或氧化銦鋅(Indium zinc oxide,IZO)層。此外，第一輔助發光層可為載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或激子侷限層。第二輔助發光層可為載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或激子侷限層。
請參閱第十三圖，其係較佳實施例之OLED製造流程圖。此方法包含下列步驟：步驟S82：提供一基板；步驟S83：形成一第一導電層，位於基板上方；步驟S84：形成一奈米點掺雜之第一輔助發光層，位於第一導電層上方；步驟S85：形成一含摻雜染料之發光層，位於奈米點掺雜之第一輔助發光層上方；步驟S86：形成一第二輔助發光層，位於發光層上方；以及步驟S87：形成一第二導電層，位於第二輔助發光層上方；其中，發光層之組成包含主體材料及一種以上之客體材料，包含螢光發光材料或磷光發光材料。奈米點掺雜之第一輔助發光層為表面具有官能基的奈米點polymeric nano-dot與電洞傳輸材料PEDOT：PSS之複合物，其中，奈米點之化學式係為MxOyRz，M包含金屬、過渡金屬、類金屬或金屬合金，O為氧原子及R為有機物。其中，金屬係選自由鋁(Al)、錫(Sn)、鎂(Mg)和鈣(Ca)所構成的群組之中；過渡金屬係選自由鈦(Ti)、錳(Mn)、鋅(Zn)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)和鐵(Fe)所構成的群組之中；類金屬係為矽(Si)。有機物係選自由氨基(Amine)、烷基(Alkyl)、烯基(Alkene)和氫氧基(Hydroxy)所構成的群組之中。另外，經由電泳光散射(electrophoresis light scattering)量測，奈米點表面電荷為+1至 +200mV或-1至-200mV，其摻混重量百分濃度為0.1至15wt%，以及其粒徑範圍為1至30nm。第二輔助發光層係包含有電子傳輸材料及電子注入材料，可為TPBi與Alq3等電子傳輸材料，與LiF、CeF等電子注入材料；第二導電層一般可為Al與Ag等導電材料；基板一般可為玻璃基板、塑膠基板或金屬基板。此外，第一輔助發光層可為載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或激子侷限層。第二輔助發光層可為載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或激子侷限層。
請參閱表一，係為依據本發明所列舉之實施例及比較例之發光效能對照表。
【實施例1】
實施例1為應用本發明所製成之OLED裝置，裝置結構係參照第十四圖所示，而能階圖請參考第十五圖，其製作過程為：將ITO透明導電玻璃依序以清潔劑、去離子水、丙酮及異丙醇作超音波震盪清洗，並做臭氧處理，再置入煮沸之雙氧水中進行表面處理，隨後以氮氣流乾燥其表面，並置入氮氣手箱箱旋塗。
表面官能基帶正電荷奈米點掺雜之第一輔助發光層90與藍光發光層91，均以旋塗方式，依序製備35nm於ITO透明導電玻璃上。隨後將其置入真空腔體，待真空達10-5Torr壓力，再以熱蒸鍍方式，依序鍍製32nm的TPBi、0.7nm的LiF第二輔助發光層92及150nm的鋁電極93於ITO透明導電玻璃上。
奈米點掺雜之第一輔助發光材料的選用，是將10nm大小的表面官能基帶正電荷奈米點，以適當濃度摻入水相的PEDOT：PSS，作為輔助發光材料；發光層方面，則以甲苯為溶劑，4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP；4,4‘-二(9-咔唑基)聯苯)為主體發光材料，摻雜16wt%藍光染料bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)-phenyl-(2-carboxy pyridyl)iridium(III)(FIrpic；二(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)-苯基-(2-羰基吡啶基)銥鹽)，製備發光層溶液。
經由適當表面官能基帶正電荷奈米點摻雜之第一輔助發光層，可有效阻擋(blocking)電洞，並增進電子-電洞之注入平衡與覆合效率，進而大幅提升元件發光效率。於亮度100cd/m2時，適當奈米點摻雜之元件，其能量轉換效率由未摻雜時的18lm/W，增至37lm/W，增加105%。此藍光元件，CIE色座標為(0.18,0.35)。
【實施例2】
實施例2為應用本發明所製成之OLED裝置，裝置結構係參照第十六圖所示，而能階圖請參考第十七圖，其OLED結構之表面官能基帶負電荷奈米點摻雜之第一輔助發光層96，是將10nm大小的表面官能基帶負電荷奈米點，以適當濃度摻入水相的PEDOT：PSS，作為輔助發光材料。
經由適當表面官能基帶負電荷奈米點摻雜之第一輔助發光層，可有效束縛(trapping)電洞，並增進電子-電洞之注入平衡與覆合效率，進而大幅提升元件發光效率。於亮度100cd/m2時，適當奈米點摻雜之元件，其能量轉換效率由未摻雜時的18lm/W，增至31lm/W，增加72%。此藍光元件，CIE色座標為(0.18,0.34)。
【比較例】
比較例為先前技藝所製成之OLED裝置，其裝置結構如第十八圖所示，其OLED結構之第一輔助發光層102，其材料為PEDOT：PSS，能階圖請參考第十九圖。相較於應用本發明之實施例1，比較例所製成之OLED，其電子及電 洞注入平衡與覆合效率未臻完善，致使其效能大幅下降，如表一中各項發光效能所示。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
76‧‧‧基板
77‧‧‧第一導電層
78‧‧‧奈米點掺雜之第一輔助發光層
79‧‧‧發光層
80‧‧‧第二輔助發光層
81‧‧‧第二導電層

Claims (32)

  1. 一種具有奈米點之有機發光二極體，其包含：一基板；一第一導電層，位於該基板上方；一第一輔助發光層，位於該第一導電層上方；一發光層，位於該輔助發光層上方；一第二輔助發光層，位於該發光層上方以及一第二導電層，位於該輔助發光層上方；其中，表面具有官能基的奈米點乃摻混入該具有奈米點之有機發光二極體之該發光層、該第一輔助發光層或該第二輔助發光層，且當摻混入該發光層、該第一輔助發光層或該第二輔助發光層之該奈米點之表面官能基係帶正電荷時，其係藉由阻擋電洞以增進電子-電洞之注入平衡與覆合效率，當摻混入該發光層、該第一輔助發光層或該第二輔助發光層之該奈米點之表面官能基係帶負電荷時，其係藉由束縛電洞以增進電子-電洞之注入平衡與覆合效率，且該奈米點本身無自主發光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該奈米點之化學式係為MxOyRz，M包含金屬、過渡金屬、類金屬或金屬合金，O為氧原子以及R為有機物。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該金屬係選自由鋁(Al)、錫(Sn)、鎂(Mg)和鈣(Ca)所構成的群組之中。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該過渡金屬係選自由鈦(Ti)、錳(Mn)、鋅(Zn)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)和鐵(Fe)所構成的群組之中。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該類金屬為矽(Si)。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該有機物係選自由氨基(Amine)、烷基(Alkyl)、烯基(Alkene)和氫氧基(Hydroxy)所構成的群組之中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中經由電泳光散射(electrophoresis light scattering)量測，該奈米點表面電荷為+1至+200mV。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中經由電泳光散射量測，該奈米點表面電荷為-1至-200mV。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該奈米點之摻混重量百分濃度為0.1至15wt%。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該奈米點之粒徑範圍為1至3)nm。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該基材為一透明基材。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該透明基材包含玻璃基材或高分子基材。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該發光層包含螢光發光材料或磷光發光材料。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該發光層同時使用螢光發光材料及磷光發光材料。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該第一輔助發光層，包含載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或激子侷限層。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之具有奈米點之有機發光二極體，其中該第二輔助發光層，包含載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或激子侷限層。
  17. 一種具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其包括下列步驟：提供一基板；形成一第一導電層，其係位於該基板上方；形成一第一輔助發光層，其係位於該第一導電層上方；形成一發光層，其係位於該輔助發光層上方；形成一第二輔助發光層，其係位於該發光層上方；以及形成一第二導電層，其係位於該輔助發光層上方；其中，在該具有奈米點之有機發光二極體之該發光層、該第一輔助發光層或該第二輔助發光層中，摻混表面具有官能基的奈米點，且當摻混入該發光層、該第一輔助發光層或該第二輔助發光層之該奈米點之表面官能基係帶正電荷時，其係藉由阻擋電洞以增進電子-電洞之注入平衡與覆合效率，當摻混入該發光層、該第一輔助發光層或該第二輔助發光層之該奈米點之表面官能基係帶負電荷時，其係藉由束縛電洞以增進電子-電洞之注入平衡與覆合效率，且該奈米點本身無自主發光。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該奈米點之化學式係為MxOyRz，M包含金屬、過渡金屬、類金屬或金屬合金，O為氧原子及R為有機物。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該金屬係選自由鋁(Al)、錫(Sn)、鎂(Mg)和鈣(Ca)所構成的群組之中。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該過渡金屬係選自由鈦(Ti)、錳(Mn)、鋅(Zn)、金(Au)、銀(Ag) 、銅(Cu)、鎳(Ni)和鐵(Fe)所構成的群組之中。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該類金屬為矽(Si)。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該有機物係選自由氨基(Amine)、烷基(Alkyl)、烯基(Alkene)和氫氧基(Hydroxy)所構成的群組之中。
  23. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中經由電泳光散射(electrophoresis light scattering)量測，該奈米點表面電荷為+1至+200mV。
  24. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中經由電泳光散射量測，該奈米點表面電荷為-1至-200mV。
  25. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該奈米點之摻混重量百分濃度為0.1至15wt%。
  26. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該奈米點之粒徑範圍為1至30nm。
  27. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該基材為一透明基材。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該透明基材包含玻璃基材或高分子基材。
  29. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該發光層包含螢光發光材料或磷光發光材料。
  30. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該發光層同時使用螢光發光材料和磷光發光材料。
  31. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該第一輔助發光層包括載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或 激子侷限層。
  32. 如申請專利範圍第17項所述之具有奈米點之有機發光二極體之製造方法，其中該第二輔助發光層包括載子注入層、載子傳輸層、載子阻擋層或激子侷限層。
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