JP2007273967A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 第１の導電層と、
   半導体層と、
   有機化合物層と、
   第２の導電層と、を有し、
   前記半導体層及び前記有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
   前記半導体層は、前記第１の導電層または前記第２の導電層に接していることを特徴とする記憶素子。
2. 第１の導電層と、
   第１の半導体層と、
   有機化合物層と、
   第２の半導体層と、
   第２の導電層と、を有し、
   前記第１の半導体層、前記第２の半導体層及び前記有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
   前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、それぞれ前記第１の導電層及び前記第２の導電層に接していることを特徴とする記憶素子。
3. 第１の導電層と、
   半導体を用いて設けられた粒子と、
   有機化合物層と、
   第２の導電層と、を有し、
   前記粒子及び有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
   前記粒子は、前記第１の導電層または前記第２の導電層に接していることを特徴とする記憶素子。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを特徴とする記憶素子。
5. 請求項４において、
   前記電気的作用を加えることによって、前記有機化合物を含む層を物理的または電気的に変化させることを特徴とする記憶素子。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記電気的作用を加えることとは、電圧を印加することであることを特徴とする記憶素子。
7. 請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層及び前記第２の導電層の一部が接することを特徴とする記憶素子。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記有機化合物層は、電子輸送材料または正孔輸送材料を有することを特徴とする記憶素子。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記有機化合物層は、絶縁物を有することを特徴とする記憶素子。
10. マトリクス状に配置された複数の記憶素子を有し、
    前記複数の記憶素子の各々は、
    第１の導電層と、
    半導体層と、
    有機化合物層と、
    第２の導電層と、を有し、
    前記半導体層及び前記有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
    前記半導体層は、前記第１の導電層または前記第２の導電層に接していることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１０において、
    前記複数の記憶素子の一つと電気的に接続されたトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１０または請求項１１において、
    アンテナとして機能する第３の導電層と、
    前記トランジスタを含む回路と、を有し、
    前記第３の導電層は、前記回路を介して前記記憶素子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
    電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１３において、
    前記電気的作用を加えることによって、前記有機化合物を含む層を物理的または電気的に変化させることを特徴とする半導体装置。