JP2011238911A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 複数のメモリセルを有し、
    前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
    前記アンチヒューズは、
    第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
    前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、
    前記絶縁層は、１．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．４×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  2. 複数のメモリセルを有するメモリ部と、
    前記メモリ部と電気的に接続された半導体集積回路部と、
    前記半導体集積回路部と電気的に接続されたアンテナ部と、
    前記メモリ部、前記半導体集積回路部、及び前記アンテナ部を間に挟持した第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
    前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
    前記アンチヒューズは、第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
    前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、
    前記絶縁層は、１．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．４×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項２において、
    前記半導体集積回路部は、前記アンテナ部を介して外部機器と無線通信を行うことができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項２又は３において、
    前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂を含浸した構造体であること特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
    前記絶縁層は、３．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
    前記半導体層は、非晶質シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
    前記第１の導電層は窒化タンタル膜とタングステン膜との積層であり、
    前記中間層は、タングステン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
    前記第２の導電層はチタン膜とアルミニウム膜との積層であり、
    前記中間層は、チタン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  9. 複数のメモリセルを有し、
    前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
    前記アンチヒューズは、第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
    前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、前記絶縁層は、３．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  10. 複数のメモリセルを有するメモリ部と、
    前記メモリ部と電気的に接続された半導体集積回路部と、
    前記半導体集積回路部と電気的に接続されたアンテナ部と、
    前記メモリ部、前記半導体集積回路部、及び前記アンテナ部を間に挟持した第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
    前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
    前記アンチヒューズは、第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
    前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、
    前記絶縁層は、３．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項１０において、
    前記半導体集積回路部は、前記アンテナ部を介して外部機器と無線通信を行うことができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項１０又は１１において、
    前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂を含浸した構造体であること特徴とする半導体装置。
  13. 請求項９乃至１２のいずれか一項おいて、
    前記半導体層は、非晶質シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
  14. 請求項９乃至１３のいずれか一項において、
    前記第１の導電層は窒化タンタル膜とタングステン膜との積層を有し、
    前記中間層は、タングステン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  15. 請求項９乃至１４のいずれか一項において、
    前記第２の導電層はチタン膜とアルミニウム膜との積層を有し、
    前記中間層は、チタン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
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