JP2007272806A

JP2007272806A - 非接触ｉｃカード

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Publication number: JP2007272806A
Application number: JP2006100654A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Komatsu; 昭彦小松; Keisuke Kawaguchi; 圭介川口; Hajime Taio; 元對尾; Akiko Nagumo; 彰子南雲
Original assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Current assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Priority date: 2006-03-31
Filing date: 2006-03-31
Publication date: 2007-10-18
Anticipated expiration: 2026-03-31
Also published as: US20090242645A1; JP4804198B2; WO2007116611A1; EP2015232A1; KR20080108245A; TW200813847A

Abstract

【課題】金属反射層に発生する静電気によるＩＣチップの静電気破壊を防止することを可能とする非接触ＩＣカードを提供する。
【解決手段】アンテナ（１１）と、該アンテナ（１１）と接続されたＩＣチップ（１２）と、が実装されたインレットシート（１５）がカード基材（１）の中に埋設され、かつ、カード基材面上に金属反射層（ホログラム・磁気記録層２に相当）が積層されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層（２）に発生する静電気を誘引し、金属反射層（２）を積層する第１のカード基材面側（カード裏面側）とは反対側の第２のカード基材面側（カード表面側）から静電気を放電するための導電性部材（３）が、カード基材（１）の中に埋設されてなることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、非接触でのデータ通信が可能な非接触ＩＣカードに関し、特に、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、がカード基材の中に埋設され、かつ、カード基材面上に金属反射層が積層されて構成される非接触ＩＣカードに関するものである。

近年におけるカード技術の発達により、様々な通信システムに用いられている情報記録媒体として、広範囲な用途に適用可能なＩＣカードがある。このＩＣカードには、専用の装置に接触させることで情報の書き込み処理、及び、読み出し処理が可能な接触型のＩＣカードと、専用の装置に近接させるだけで情報の書き込み処理、及び、読み出し処理が可能な非接触型のＩＣカードがある。

これらのＩＣカードは、磁気記録層を有する磁気カードと比較し、セキュリティ性が高く、尚且つ、カード自体に書き込むことができる情報量が多く、一枚のカードだけで多面的に使用できることから産業上における普及度は増加の一途を辿っている。

その中でも特に、非接触型のＩＣカードは、情報の書き込み処理、あるいは、読み出し処理を行う際に、ＩＣカード自体を専用の装置に挿入する必要がなく、カード自体の取り扱いが便利なこともあり、産業上で急速に普及している。

また、磁気ストライプ等の磁気記録層を有するＩＣカードもあり、従来の磁気記録層を利用した通信システムと、ＩＣチップを利用した通信システムと、を一枚のカードのみで利用することが可能な構造を構成している。

なお、本発明より先に出願された技術文献として、磁気記録層に対し、ホログラム加工を施し、ホログラムによる視覚効果を奏しつつ、尚かつ、磁気記録層を利用した機能的情報処理を可能とした磁気ストライプ付きプラスチックカードが開示された文献がある（例えば、特許文献１参照）。

この上記特許文献１に開示された磁気ストライプ付きプラスチックカードのように、ホログラム形成部による視覚効果を奏しつつ、尚かつ、機能的情報処理を可能とするために、ホログラム形成部を施した磁気記録層を、非接触ＩＣカードに適用しようという試みが現在行われている。なお、ホログラム形成部は、少なくとも、金属反射層と、ホログラム層と、を有して構成される。

しかしながら、ホログラム形成部を施した磁気記録層を適用した非接触ＩＣカードに対し、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、ホログラム形成部を構成する金属反射層に対し、静電気を放電した場合には、その金属反射層に発生した静電気による放電電流が非接触ＩＣカード内に埋設されたアンテナを介してＩＣチップに流れ込み、ＩＣチップの静電気破壊が発生してしまう場合がある。

このため、上述した金属反射層に発生する静電気によるＩＣチップの静電気破壊を防止した非接触ＩＣカードを実現することが必要になる。

なお、本発明より先に出願された技術文献として、ＩＣモジュール基板と、前記ＩＣモジュール基板上に配設されたＩＣチップと、前記ＩＣチップを被覆するモールドと、前記モールドの上面に配設される導電性部材とから構成し、ＩＣチップが静電気によって破壊され難いＩＣモジュールが開示された文献がある（例えば、特許文献２参照）。
特許第３１９８１８３号公報特開２００３−９９７４４号公報

なお、上記特許文献２は、ＩＣチップを被覆するモールドの上面に対して導電性部材を配設することでＩＣチップに対する静電気破壊を防止するものであり、金属反射層に発生する静電気によるＩＣチップの静電気破壊を防止する点については何ら考慮されたものではない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、がカード基材の中に埋設され、かつ、カード基材面上に金属反射層が積層されてなる非接触ＩＣカードにおいて、金属反射層に発生する静電気によるＩＣチップの静電気破壊を防止することを可能とする非接触ＩＣカードを提供することを目的とするものである。

かかる目的を達成するために、本発明は以下の特徴を有する。

本発明にかかる非接触ＩＣカードは、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が実装されたインレットシートがカード基材の中に埋設され、かつ、カード基材面上に金属反射層が積層されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層に発生する静電気を誘引し、金属反射層を積層する第１のカード基材面側とは反対側の第２のカード基材面側から静電気を放電するための導電性部材が、カード基材の中に埋設されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性部材は、第１のカード基材面側よりも、第２のカード基材面側に位置するようにカード基材の中に埋設されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性部材は、非接触ＩＣカードの積層方向において、金属反射層に少なくとも一部が重なるようにカード基材の中に埋設されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性部材は、非接触ＩＣカードの積層方向において、金属反射層に重ならず、金属反射層の近傍に位置するように、カード基材の中に埋設されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性部材は、ＩＣチップが実装されたインレットシートのＩＣチップ実装面と同一面側に実装されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードは、金属反射層に発生する静電気を導電性部材に誘引するための導電性配線が、カード基材の中に埋設されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性配線は、ＩＣチップが実装されたインレットシートのＩＣチップ実装面と反対面側に実装されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性配線は、ＩＣチップが実装されたインレットシートのＩＣチップ実装面と同一面側に実装されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性部材は、インレットシート面に実装された位置から第２のカード基材面に達する厚みからなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性部材は、インレットシートを介してＩＣチップの上下面に位置するようにカード基材の中に埋設されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードにおいて、導電性部材は、ＩＣチップを補強するための補強部材であることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる非接触ＩＣカードは、カード基材面上に、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層されてなることを特徴とするものである。

本発明にかかる非接触ＩＣカードは、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が実装されたインレットシートがカード基材の中に埋設され、かつ、カード基材面上に金属反射層が積層されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層に発生する静電気を誘引し、金属反射層を積層する第１のカード基材面側とは反対側の第２のカード基材面側から静電気を放電するための導電性部材が、カード基材の中に埋設されてなることを特徴とするものである。これにより、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層に対し、静電気を放電した場合でも、カード基材の中に埋設した導電性部材が、その金属反射層に発生した静電気を誘引し、金属反射層を積層する第１のカード基材面側とは反対側の第２のカード基材面側から静電気を放電することが可能となるため、カード基材の中に埋設されているＩＣチップに対する静電気の流れ込みを回避し、ＩＣチップの静電気破壊を防止することが可能となる。

まず、図１、図２を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードの特徴について説明する。

本実施形態における非接触ＩＣカードは、図２に示すように、少なくとも、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、から構成されるホログラム・磁気記録層（２）を、図１に示すように、カード基材面上（カード裏面側）に積層し、尚且つ、アンテナ（１１）と、該アンテナ（１１）と接続されたＩＣチップ（１２）と、が実装されたインレットシート（１５）が、カード基材（１）の中に埋設されて構成される非接触ＩＣカードであり、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気を誘引し、ホログラム・磁気記録層（２）を積層する第１のカード基材面側（カード裏面側）とは反対側の第２のカード基材面側（カード表面側）から静電気を放電するための導電性部材（３）が、カード基材（１）の中に埋設されてなることを特徴とするものである。これにより、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に対し、静電気を放電した場合でも、カード基材（１）の中に埋設した導電性部材（３）が、その金属反射層（２３）に発生した静電気を誘引し、ホログラム・磁気記録層（２）を積層する第１のカード基材面側（カード裏面側）とは反対側の第２のカード基材面側（カード表面側）から静電気を放電することが可能となるため、カード基材（１）の中に埋設されているＩＣチップ（１２）に対する静電気の流れ込みを回避し、ＩＣチップ（１２）の静電気破壊を防止することが可能となる。以下、添付図面を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードについて説明する。

（第１の実施形態）
まず、図１を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードの構成について説明する。

本実施形態における非接触ＩＣカードは、図１に示すように、非接触ＩＣカードの裏面側（カード裏面側）に対し、ホログラム・磁気記録層（２）を有して構成される。なお、本実施形態におけるカード基材（１）の中には、図１に示すように、アンテナ（１１）と、ＩＣチップ（１２）と、が埋没されている。なお、ＩＣチップ（１２）は、アンテナ（１１）と接続するようにカード基材（１）の中に埋没されることになる。なお、ＩＣチップ（１２）と、アンテナ（１１）と、の接続方法については特に限定するものではなく、あらゆる接続方法にてアンテナ（１１）とＩＣチップ（１２）とを接続することは可能である。

まず、図１を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードを構成するカード基材（１）について説明する。

本実施形態の非接触ＩＣカードを構成するカード基材（１）は、図１に示すように、アンテナ基板（１０）上に螺旋状のアンテナやコンデンサ等のアンテナパターン（１１）を形成し、該形成したアンテナパターン（１１）と、ＩＣチップ（１２）と、が電気的に接続するように、ＩＣチップ（１２）をアンテナ基板（１０）に実装し、アンテナパターン（１１）と、ＩＣチップ（１２）と、が実装されたインレットシート（１５）を形成する。そして、そのインレットシート（１５）を覆うように、インレットシート（１５）の上下面からラミネート基材となるコアシート（１６）にて挟持して積層する。そして、カード基材（１）の表面側のコアシート（１６）に対し、オーバーシート（１７）と、印刷層（１８）と、を順に積層し、カード基材（１）の裏面側のコアシート（１６）に対し、印刷層（１８）と、オーバーシート（１７）と、を順に積層する。これにより、図１に示すカード基材（１）を形成することになる。なお、本実施形態における非接触ＩＣカードは、カード基材（１）の裏面側のオーバーシート（１７）にホログラム・磁気記録層（２）を積層して構成することになる。また、本実施形態のインレットシート（１５）は、ＩＣチップ（１２）を保護するための補強部材（１４）を接着剤（１３）を介してアンテナ基板（１０）の上下面に実装して構成することになる。以下、本実施形態の非接触ＩＣカードのカード基材（１）を構成する各部について詳細に説明する。

＜コアシート１６＞
コアシート（１６）は、カード基材（１）の中心部分となる基材であり、カード本体に強度を付与させる基材である。コアシート（１６）に適用可能な材質としては、一般用ポリスチレン樹脂、耐衝撃用ポリスチレン樹脂、アクリルニトリルスチレン樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂、塩化ビニル樹脂、変性ＰＰＯ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンサルファルド樹脂等の熱可塑性樹脂、アロイ系樹脂、ガラス繊維の添加による強化樹脂等の従来からＩＣカード本体の中心部分となるカード基材（１）に適用可能な公知の樹脂が挙げられる。なお、塩化ビニル、ＰＥＴ−Ｇ等は、自己融着を行う特性を有することから、ラミネートの際に、接着剤や接着剤シートが不要となるため、塩化ビニル、ＰＥＴ−Ｇ等をコアシート（１６）に適用することが好ましい。

＜オーバーシート１７＞
オーバーシート（１７）は、カード基材（１）の外側部分を構成する基材である。オーバーシート（１７）に適用可能な材質としては、上述したコアシート（１６）に適用可能な樹脂が挙げられる。

＜アンテナ基板１０＞
アンテナ基板（１０）は、アンテナパターン（１１）を形成する絶縁性を有する基材である。アンテナ基板（１０）に適用可能な材質としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＴ−Ｇ等の樹脂が挙げられる。

＜アンテナパターン１１の材質＞
アンテナパターン（１１）を形成する材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、錫、ニッケル、亜鉛、チタン、タングステン、ハンダ、合金等が適用可能である。なお、アンテナ基板（１０）上にアンテナパターン（１１）を形成する手法としては、エッチング法や、印刷法（スクリーン印刷法、オフセット印刷法）が適用可能である。また、巻き線法でアンテナ基板（１０）上にアンテナパターン（１１）を形成することも可能である。

＜接着剤１３＞
接着剤（１３）は、ＩＣチップ（１２）を保護するための補強部材（１４）をアンテナ基板（１０）の上下面に実装するためのものである。なお、接着剤（１３）に適用可能な材質としては、補強部材（１４）をアンテナ基板（１０）に実装することが可能な材質であればあらゆる材料を適用することは可能であり、例えば、紫外線硬化樹脂、湿気硬化性樹脂、熱硬化性樹脂などが適用可能である。

＜補強部材１４＞
補強部材（１４）は、ＩＣチップ（１２）を保護するための部材である。なお、補強部材（１４）に適用可能な材質としては、金属性の材質であればあらゆる材質が適用可能であり、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）などの材質が適用可能である。

＜印刷層１８＞
印刷層（１８）は、印刷処理を施して形成される層である。なお、本実施形態における印刷層（１８）を形成する際の印刷処理及び材料等は特に限定するものではなく、公知の印刷処理及び材料等を用いて印刷層（１８）を構成することは可能である。

次に、図２を参照しながら、本実施形態の非接触ＩＣカードを構成するホログラム・磁気記録層（２）の構造について説明する。

ホログラム・磁気記録層（２）は、接着層（２１）と、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、保護層（２５）と、を有して構成し、このホログラム・磁気記録層（２）を、離形層（２６）を介して支持層（２７）に積層することで『転写シート』を構成することになる。

＜接着層２１＞
接着層（２１）は、ホログラム・磁気記録層（２）を、カード基材（１）の裏面側のオーバーシート（１７）に接着させるための層である。なお、接着層（２１）に適用可能な材質としては、ヒートシール性の良好な塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体等の合成樹脂が挙げられる。接着層（２１）の層厚としては、５μｍ程度が好ましい。

＜磁気記録層２２＞
磁気記録層（２２）は、情報を記録することが可能な層であり、公知の磁気塗料を用いて印刷もしくは塗布して形成される。なお、磁気塗料としては、例えば、ブチラール樹脂、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、スチレン／マレイン酸共重合樹脂等の合成樹脂をバインダー樹脂とし、必要に応じ、ニトリルゴム等のゴム系樹脂、ウレタンエラストマーを添加し、磁性体としては、γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｏ含有Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｆｅ₃Ｏ₄、バリウムフエライト、ストロンチウムフエライト、Ｃｏ・Ｎｉ・Ｆｅ・Ｃｒの単独もしくは合金、希土類Ｃｏ磁性体の他、界面活性剤、シランカップリング剤、可塑剤、ワックス、シリコーンオイル、カーボンその他の顔料を必要に応じて添加し、３本ロール、サンドミル、ボールミル等により混練して作成したものを適用することが可能である。なお、磁気記録層（２２）の層厚としては、１０〜１５μｍ程度が好ましい。

＜金属反射層２３＞
金属反射層（２３）は、光を反射させるための層である。なお、金属反射層（２３）に適用可能な材質としては、Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｎ、または、それらを各種混合させた合金が挙げられる。また、金属反射層（２３）を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、電気メッキ法等が適用可能である。なお、金属反射層（２３）の膜厚としては、３０〜１００ｎｍ程度が好ましく、４０〜７０ｎｍ程度がより好ましい。また、金属反射層（２３）は、光の反射性を考慮し、連続膜から構成されていることが好ましい。

＜ホログラム層２４＞
ホログラム層（２４）は、ホログラム形成部を構成するための層である。なお、ホログラム層（２４）に適用可能な材質としては、ポリ塩化ビニル、アクリル（例、ＭＭＡ）、ポリスチレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂、不飽和ポリエステル、メラミン、エポキシ、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、トリアジン系アクリレート等の熱硬化性樹脂を硬化させたもの、あるいは、上記の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混合物が適用可能である。ホログラム層（２４）の層厚としては、２．５μｍ程度が好ましい。

＜保護層２５＞
保護層（２５）は、上述したホログラム層（２４）を保護するための層である。なお、保護層（２５）に適用可能な材質としては、ポリメチルメタクリレート樹脂と他の熱可塑性樹脂、例えば、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体もしくはニトロセルロース樹脂との混合物、または、ポリメチルメタクリレート樹脂とポリエチレンワックスとの混合物等が挙げられ、また、酢酸セルロース樹脂と熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、もしくは、メラミン樹脂との混合物が挙げられる。保護層（２５）の層厚としては、１〜２μｍ程度が好ましい。

＜離形層２６＞
離形層（２６）は、上述したホログラム・磁気記録層（２）と、支持層（２７）と、を剥離するための層である。なお、離形層（２６）に適用可能な材質としては、熱可塑性アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ゴム系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、セルロース系樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂あるいはこれらにオイルシリコン、脂肪酸アミド、ステアリン酸亜鉛を添加したものが適用可能である。離形層（２６）の層厚としては、０．５μｍ程度が好ましい。

＜支持層２７＞
支持層（２７）は、ホログラム・磁気記録層（２）を支持する層である。なお、支持層（２７）に適用可能な材質としては、透明なポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン等の合成樹脂、天然樹脂、紙、合成紙などから単独で選択されたもの、または、上記より選択されて組み合わされた複合体が適用可能である。なお、支持層（２７）としては、抗張力、耐熱性を兼ね備えたポリエステルフィルムを適用することが好ましい。支持層（２７）の層厚としては、２５μｍ程度が好ましい。

なお、上述した図２に示すホログラム・磁気記録層（２）の転写シートの形成方法としては、例えば、支持層（２７）に対し、離形層（２６）、保護層（２５）を順次塗布し、ホログラム層（２４）を形成する樹脂組成物を塗布し、ホログラム形成部を構成する。そして、金属反射層（２３）を蒸着法により形成し、磁気記録層（２２）、接着層（２１）を順次塗布する方法が挙げられる。これにより、図２に示すホログラム・磁気記録層（２）の転写シートを形成することが可能となる。なお、上述した形成方法は、一例であり、この形成方法に限定するものではなく、図２に示すホログラム・磁気記録層（２）の転写シートを形成することが可能であればあらゆる形成方法を適用することは可能である。なお、本実施形態におけるホログラム・磁気記録層（２）は、保護層（２５）と、ホログラム層（２４）と、金属反射層（２５）と、磁気記録層（２２）と、の合計層厚が、磁気記録に支障がない２０μｍ以下であることが好ましい。

本実施形態における非接触ＩＣカードは、この上述した図２に示す、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、が一体化されたホログラム・磁気記録層（２）を、カード基材（１）の裏面側のオーバーシート（１７）上に貼着することで、ホログラム・磁気記録層（２）がカード裏面側に積層された図１に示す非接触ＩＣカードを構成することになる。これにより、美麗なホログラムを形成しつつ、機械的な情報処理を行うことが可能なホログラム・磁気記録層（２）を、非接触ＩＣカードのカード表面に形成することが可能となる。

しかしながら、図３に示すように、アンテナ（１１）と、該アンテナ（１１）と接続されたＩＣチップ（１２）と、がカード基材（１）の中に埋設され、尚かつ、そのカード裏面側にホログラム・磁気記録層（２）が積層された非接触ＩＣカードに対し、ＪＩＳ規格の『ＪＩＳＸ６３０５−６』で規定されている試験方法にて静電気試験を行うと、『ＪＩＳＸ６３２２−１』の４．３．７で規定されている規定値±６ｋＶの静電気に耐えることができず、また、ＪＩＳ規格の『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている試験方法にて静電気試験を行うと、『ＪＩＳＸ６３２３−１』の４．３．７で規定されている規定値±６ｋＶの静電気に耐えることができないという問題を抱えることになる。

なお、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験は、図４に示す静電気放電試験の回路を用いて行うことになる。

まず、木製の台に敷いた『導電板』上に、厚さ０．５ｍｍの『絶縁板』を設置し、その『絶縁板』上に、『非接触ＩＣカード』を設置する。そして、『ＥＳＤ試験器』に接続された直径８ｍｍの『球型プローブ』を『非接触ＩＣカード』に接触させ、『ＥＳＤ試験器』から『非接触ＩＣカード』に対し、静電気を放電し、放電後の『非接触ＩＣカード』内のＩＣチップ（１２）の性能について試験することになる。

まず、図５に示すように、非接触ＩＣカードの表裏面をそれぞれ縦横４列×５列に２０分割し、非接触ＩＣカードの表面側から順に、＋６ｋＶの静電気を２０箇所に印加し、次に、−６ｋＶの静電気を２０箇所にて印加し、続けて、非接触ＩＣカードの裏面側にも同様な処理を実施する。

この図４に示す静電気放電試験の回路を用いて静電気試験を行うと、図３に示すカード基材（１）に埋設されているＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生することになる。これは、図４に示す静電気放電試験の回路を用いて静電気試験を行うと、図３に示すホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に対し、静電気が発生し、該発生した静電気による放電電流がアンテナ（１１）を介してＩＣチップ（１２）に流れ込み、ＩＣチップ（１２）に対して過度な負荷を生じさせるためである。

このため、本発明者らは、図３に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）を有する非接触ＩＣカードにおいて、上述した静電気試験を満足させるために、様々な改良を試み、鋭意研究を重ねた結果、図１に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気を誘引し、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）とは反対側のカード基材面側（カード表面側）から静電気を放電するための導電性部材（３）を、カード基材（１）の中に埋設することで、上述した静電気試験を満足することを実験結果から見出した。以下、図１を参照しながら、本実施形態の非接触ＩＣカードの構成について説明する。

本実施形態における非接触ＩＣカードは、図１に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気を誘引し、該誘引した静電気をカード基材（１）の外部に放電するための導電性部材（３）が、カード基材（１）の中に埋設されて構成される。これにより、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に対し、静電気を放電した場合でも、導電性部材（３）が、その金属反射層（２３）に発生した静電気を誘引し、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）とは反対側のカード基材面側（カード表面側）から静電気を放電することが可能となるため、ＩＣチップ（１２）に対する静電気の流れ込みを回避し、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１２）の静電気破壊を防止することが可能となる。

なお、本実施形態における導電性部材（３）を構成する材質としては、電気を導通することが可能な材質であればあらゆる材質が適用可能であり、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）などが適用可能である。

また、本実施形態における導電性部材（３）は、図１、図６に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、ホログラム・磁気記録層（２）に少なくとも１部が重なるように、カード基材（１）の中に埋設することが好ましい。これにより、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気を導電性部材（３）が更に誘引し易くすることが可能となるため、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１２）の静電気破壊を更に防止することが可能となる。なお、図６は、図１に示す非接触ＩＣカードをカード表面側から見た場合の平面図である。図６に示すＸ方向は、図１に示すＸ方向に該当する。図６に示す平面図からも明らかなように、導電性部材（３）は、ホログラム・磁気記録層（２）の少なくとも一部に重なるようにカード基材（１）の中に配置されていることがわかる。なお、カードの積層方向とは、非接触ＩＣカードを構成する各シートを積層する積層方向を示す。

また、本実施形態における導電性部材（３）は、図１、図６に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、ホログラム・磁気記録層（２）に重なるように、カード基材（１）の中に埋設するのではなく、図７、図８に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）の近傍に位置するようにカード基材（１）の中に埋設し、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気を、導電性配線（４）を介して導電性部材（３）に誘引し、導電性部材（３）が、その導電性配線（４）が誘引した静電気を、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）とは反対側のカード基材面側（カード表面側）から放電するように構築することも可能である。なお、図８は、図７に示す非接触ＩＣカードをカード表面側から見た場合の平面図である。図８に示すＸ方向は、図７に示すＸ方向に該当する。図８に示す平面図からも明らかなように、導電性部材（３）は、ホログラム・磁気記録層（２）に重ならず、ホログラム・磁気記録層（２）の近傍に位置するようにカード基材（１）の中に配置されていることがわかる。

なお、導電性配線（４）は、金属反射層（２３）に発生する静電気を導電性部材（３）に誘引するために、図７、図８に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、ホログラム・磁気記録層（２）と導電性部材（３）とに重なるようにカード基材（１）の中に埋設することが好ましい。また、導電性配線（４）は、アンテナ基板（１０）に形成するアンテナパターン（１１）の一部として形成することも可能である。なお、導電性配線（４）を構成する材質としては、電気を導通することが可能な材質であればあらゆる材質が適用可能であり、例えば、アルミニウムなどの材質が適用可能である。

なお、図７に示す非接触ＩＣカードは、アンテナパターン（１１）とホログラム・磁気記録層（２）と導電性部材（３）とに重なる長さの導電性配線（４）を、ＩＣチップ（１２）が実装されたインレットシート（１５）のＩＣチップ実装面と反対面側に実装することにしたが、図９に示すように、アンテナパターン（１１）には重ならずに、ホログラム・磁気記録層（２）と導電性部材（３）とに重なる長さの導電性配線（４）を、ＩＣチップ（１２）が実装されたインレットシート（１５）のＩＣチップ実装面と反対面側に実装するように構築することも可能である。

また、図１０に示すように、アンテナパターン（１１）の近傍から、ホログラム・磁気記録層（２）と導電性部材（３）とに重なる長さの導電性配線（４）を、ＩＣチップ（１２）が実装されたインレットシート（１５）のＩＣチップ実装面と同一面側に実装するように構築することも可能である。

また、導電性部材（３）は、図１、図７、図９、図１０に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置するように、カード基材（１）の中に埋設することが好ましい。即ち、ＩＣチップ（１２）が実装されたインレットシート（１５）のＩＣチップ実装面と同一面側に対し、導電性部材（３）を実装することが好ましい。これにより、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気を導電性部材（３）が更に誘引し易くする構造にすることが可能となるため、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１２）の静電気破壊を更に防止することが可能となる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。

第２の実施形態における非接触ＩＣカードは、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気を誘引し、該誘引した静電気をカード基材（１）の外部に放電するための導電性部材（３）を、ＩＣチップ（１２）を保護するための補強部材（１４）として適用したことを特徴とするものである。以下、図１１〜図１７を参照しながら、第２の実施形態における非接触ＩＣカードについて説明する。

まず、図１１を参照しながら、第２の実施形態における非接触ＩＣカードの構成について説明する。

第２の実施形態における非接触ＩＣカードは、図１１に示すように、カード基材（１）と、ホログラム・磁気記録層（２）と、を有して構成される。なお、カード基材（１）は、アンテナパターン（１１）とＩＣチップ（１２）とが電気的に接続するようにアンテナ基板（１０）に実装されたインレットシート（１５）と、ラミネート基材となるコアシート（１６）と、オーバーシート（１７）と、印刷層（１８）と、を有して構成される。なお、ホログラム・磁気記録層（２）は、カード基材（１）の裏面側に積層されるオーバーシート（１７）上に積層されることになる。また、本実施形態のインレットシート（１５）は、ＩＣチップ（１２）を保護し、尚かつ、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に発生する静電気をカード基材（１）の外部に放電するための導電性部材（３）を接着剤（１３）を介してアンテナ基板（１０）の上下面に実装して構成することになる。なお、本実施形態における非接触ＩＣカードを構成する各部に適用可能な材質は、第１の実施形態における非接触ＩＣカードと同様な材質を適用することが可能である。

なお、本実施形態における非接触ＩＣカードは、図１１に示すように、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置するように、カード基材（１）の中に埋設することが好ましい。即ち、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に対し、ＩＣチップ（１２）の実装面が位置するように、インレットシート（１５）をカード基材（１）の中に埋設することが好ましい。

また、本実施形態における非接触ＩＣカードは、図１１に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）の一部が、ホログラム・磁気記録層（２）に重なるように、カード基材（１）の中に埋設することが好ましい。

これにより、図１２、図１３に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に対し、試験器（１００）により静電気を放電した場合でも、その金属反射層（２３）に放電した静電気は、第１の導電性部材（３）に誘引され（図１２のＡ１）、その第１の導電性部材（３）に誘引された静電気は、第２の導電性部材（３）に誘引され（図１２のＡ２）、その第２の導電性部材（３）に誘引された静電気は、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）とは反対側のカード基材面側（カード表面側）から導電板（ＧＮＤ）に対し放電することが可能となるため（図１２のＡ３）、カード基材（１）の中に埋設されるＩＣチップ（１２）に対する静電気の流れ込みを回避し、ＩＣチップ（１２）内部を静電気が通過することがないため、ＩＣチップ（１２）の静電気破壊を防止することが可能となる。なお、図１３は、図１２に示す非接触ＩＣカードをカード裏面側から見た場合の平面図である。図１３に示すＸ方向は、図１２に示すＸ方向に該当する。図１２に示す非接触ＩＣカードの構成の場合には、図１３に示すように試験器（１００）から放電された静電気Ａが図１３に示す矢印（→）のルートを経由して導電板（ＧＮＤ）に流れることになる。

また、図１４、図１５に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）に重ならず、ホログラム・磁気記録層（２）から遠い位置に導電性部材（３）が位置するようにカード基材（１）の中に埋設して構成される非接触ＩＣカードの場合には、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に対し、試験器（１００）により静電気を放電した場合には、その金属反射層（２３）に放電した静電気は、電気的に導通し易いアンテナ（１１）を経由して（図１５参照）ＩＣチップ（１２）に流れ込み（図１４のＢ１）、そのＩＣチップ（１２）に流れ込んだ静電気は、第２の導電性部材（３）に誘引され、その第２の導電性部材（３）に誘引された静電気は、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）とは反対側のカード基材面側（カード表面側）から導電板（ＧＮＤ）に放電することになるため（図１４のＢ２）、結果的に、ＩＣチップ（１２）内部を静電気が通過することになり、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生することになってしまう。なお、図１５は、図１４に示す非接触ＩＣカードをカード裏面側から見た場合の平面図である。図１５に示すＸ方向は、図１４に示すＸ方向に該当する。図１４に示す非接触ＩＣカードの構成の場合には、図１５に示すように試験器（１００）から放電された静電気Ｂが図１５に示す矢印（→）のルートを経由して導電板（ＧＮＤ）に流れることになる。

また、図１６、図１７に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）に重ならず、ホログラム・磁気記録層（２）から遠い位置に導電性部材（３）が位置し、尚かつ、導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード裏面側寄りに位置するように（ＩＣチップ（１２）の実装面側がカード裏面側に位置するように）、カード基材（１）の中に埋設して構成される非接触ＩＣカードの場合には、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）に対し、試験器（１００）により静電気を放電した場合には、その金属反射層（２３）に放電した静電気は、第１の導電性部材（３）に流れ込み（図１６のＣ１）、その第１の導電性部材（３）に流れ込んだ静電気は、ＩＣチップ（１２）に流れ込み（図１６のＣ２）、そのＩＣチップ（１２）に流れ込んだ静電気は、第２の導電性部材（３）に流れ込み、その第２の導電性部材（３）に流れ込んだ静電気は、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）とは反対側のカード基材面側（カード表面側）から導電板（ＧＮＤ）に放電することになるため（図１６のＣ３）、結果的に、ＩＣチップ（１２）内部を静電気が通過することになり、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生することになってしまう。

なお、ＩＣチップ（１２）に流れ込んだ静電気は、アンテナ（１１）を介して導電板（ＧＮＤ）に放電することも考えられるが（図１６のＣ４）、結果的にＩＣチップ（１２）内部を静電気が通過することになり、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生することになってしまう。なお、図１７は、図１６に示す非接触ＩＣカードをカード裏面側から見た場合の平面図である。図１７に示すＸ方向は、図１６に示すＸ方向に該当する。図１６に示す非接触ＩＣカードの構成の場合には、図１７に示すように試験器（１００）から放電された静電気Ｃが図１７に示す矢印（→）のルートを経由して導電板（ＧＮＤ）に流れることになる。

従って、本実施形態における非接触ＩＣカードは、図１１に示すように、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置するように、カード基材（１）の中に埋設することが好ましく、また、図１１に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）の一部が、ホログラム・磁気記録層（２）に重なるように、カード基材（１）の中に埋設することが好ましいことになる。これにより、図１２に示すように、金属反射層（２３）に発生した静電気を、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した２つの導電性部材（３）を介して導電板（ＧＮＤ）に放電することが可能となるため、ＩＣチップ（１２）に対する静電気の流れ込みを回避し、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１２）の静電気破壊を防止することが可能となる。

＜実施例＞
次に、上述した第１、第２の実施形態における非接触ＩＣカードにおける実施例について説明する。

＜第１の実施例＞
まず、第１の実施例について説明する。

第１の実施例は、上述した第１の実施形態の非接触ＩＣカードを用いて静電気試験を行った場合である。以下、図１８、図１９を参照しながら、第１の実施例の非接触ＩＣカードについて説明する。

第１の実施例は、図１８に示すように、非接触ＩＣカードの積層方向において、導電性部材（３）がホログラム・磁気記録層（２）に重ならず、ホログラム・磁気記録層（２）の近傍に導電性部材（３）が位置し、尚かつ、その導電性部材（３）は、ＩＣチップ（１２）が実装されたインレットシート（１５）のＩＣチップ実装面と同一面側に実装されるように、カード基材（１）の中に導電性部材（３）を埋設した構成の場合（ＩＣチップ表向き）と、図１９に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）の近傍に導電性部材（３）が位置し、尚かつ、その導電性部材（３）は、ＩＣチップ（１２）が実装されたインレットシート（１５）のＩＣチップ実装面と反対面側に実装されるように、カード基材（１）の中に導電性部材（３）を埋設した構成の場合（ＩＣチップ裏向き）と、について静電気試験を行う。なお、図１８、図１９に示す非接触ＩＣカードを用いて静電気試験を行った場合の試験結果を図２０、図２１に示す。

図２０に示す試験結果は、図１８に示す非接触ＩＣカードを構成する導電性部材（３）の層厚を、１００μｍ，２００μｍ，３００μｍとした場合において静電気試験を行った試験結果を示し、図２１に示す試験結果は、図１９に示す非接触ＩＣカードを構成する導電性部材（３）の層厚を、１００μｍ，２００μｍ，３００μｍとした場合において静電気試験を行った試験結果を示す。

図２０、図２１に示す試験結果から明らかなように、図１８に示す非接触ＩＣカードの構成の場合には、導電性部材（３）の層厚に関わらず、静電気試験を満たすことができ、図１９に示す非接触ＩＣカードの構成の場合には、導電性部材（３）の層厚が３００μｍの場合には、静電気試験を満たすことができるという試験結果が得られた。

この図２０、図２１に示す試験結果から、図１８に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）の近傍または重なる位置に導電性部材（３）を埋設し、尚かつ、その導電性部材（３）は、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置するように構成することで、良好な試験結果が得られ、また、導電性部材（３）の層厚を厚く構成することで、更に良好な試験結果が得られることが判明した。

＜第２の実施例＞
次に、第２の実施例について説明する。

第２の実施例は、上述した第２の実施形態の非接触ＩＣカードを用いて静電気試験を行った場合である。以下、図２２、図２３を参照しながら、第２の実施例の非接触ＩＣカードについて説明する。

第２の実施例は、図２２に示すように、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置するように、カード基材（１）の中に埋設した構成の場合（ＩＣチップ表向き）と、図２３に示すように、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）よりも、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）に位置するように、カード基材（１）の中に埋設した構成の場合（ＩＣチップ裏向き）と、について静電気試験を行う。なお、図２２、図２３に示す非接触ＩＣカードを用いて静電気試験を行った場合の試験結果を図２４、図２５に示す。

なお、図２４に示す試験結果は、図２２に示すＩＣチップ表向きの場合の静電気試験結果であり、図２６（ａ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）と重なるように配置した場合（図２４の重複）と、図２６（ｂ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置した場合（図２４の近傍）と、図２６（ｃ）に示すように、導電性部材（３）がホログラム・磁気記録層（２）から遠い位置に配置した場合（図２４の遠方）と、において静電気試験を行った試験結果を示す。

また、図２５に示す試験結果は、図２３に示すＩＣチップ裏向きの場合の静電気試験結果であり、図２７（ａ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）と重なるように配置した場合（図２５の重複）と、図２７（ｂ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置した場合（図２５の近傍）と、図２７（ｃ）に示すように、導電性部材（３）がホログラム・磁気記録層（２）から遠い位置に配置した場合（図２５の遠方）と、において静電気試験を行った試験結果を示す。

図２４、図２５に示す試験結果から明らかなように、図２２に示す非接触ＩＣカードの構成の場合には、図２６（ａ）と、図２６（ｂ）のように、導電性部材（３）を、ホログラム・磁気記録層（２）と重なる位置、または、近傍に配置した場合に、静電気試験を満たすことができ、図２３に示す非接触ＩＣカードの構成の場合には、導電性部材（３）の配置位置に関わらず、静電気試験を満たすことができないという試験結果が得られた。

この図２４、図２５に示す試験結果から、図２２に示すように、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置し、尚かつ、導電性部材（３）を、ホログラム・磁気記録層（２）と重なる位置、または、ホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置することで、良好な試験結果が得られることが判明した。

＜第３の実施例＞
次に、第３の実施例について説明する。

第３の実施例は、図２６（ａ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）と重なるように配置した場合と、図２６（ｂ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置した場合と、図２７（ａ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）と重なるように配置した場合と、図２７（ｂ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置した場合と、における静電気の破壊限界電圧について試験した。この試験結果を図２８に示す。

図２８に示す試験結果から明らかなように、図２６（ａ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）と重なるように配置した場合（図２８のＩＣチップ表面：重複）は、１１ｋＶの静電気まではＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生しないことが判明した。また、図２６（ｂ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置した場合（図２８のＩＣチップ表面：近傍）は、９ｋＶの静電気まではＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生しないことが判明した。また、図２７（ａ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）と重なるように配置した場合（図２８のＩＣチップ裏面：重複）は、６ｋＶの静電気まではＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生しないことが判明した。また、図２７（ｂ）に示すように、導電性部材（３）をホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置した場合（図２８のＩＣチップ裏面：近傍）は、６ｋＶの静電気まではＩＣチップ（１２）の静電気破壊が発生しないことが判明した。

この図２８に示す試験結果から、図２２に示すように、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置し、尚かつ、図２６（ａ）に示すように、導電性部材（３）を、ホログラム・磁気記録層（２）と重なる位置に配置することで、最も良好な試験結果が得られることが判明した。

以上の試験結果から、第１の実施例では、図１８に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）の近傍または重なる位置に導電性部材（３）を埋設し、尚かつ、その導電性部材（３）は、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置するように構成することで、良好な試験結果が得られ、また、導電性部材（３）の層厚を厚くすることで、更に良好な試験結果が得られることが判明した。

また、第２の実施例では、図２２に示すように、アンテナ基板（１０）の上下面に実装した導電性部材（３）が、ホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側（カード裏面側）よりも、そのホログラム・磁気記録層（２）を積層するカード基材面側とは反対側のカード基材面側（カード表面側）に位置し、尚かつ、導電性部材（３）を、図２６（ａ）に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）と重なる位置、または、図２６（ｂ）に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）から近い位置に配置することで、良好な試験結果が得られることが判明した。

また、第３の実施例では、図２６（ａ）に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）と重なる位置に配置することで、最も良好な試験結果が得られることが判明した。

なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。例えば、本実施形態の非接触ＩＣカードを構成するカード基材（１）の層構成は、特に限定するものではなく、アンテナ（１１）と、そのアンテナ（１１）と接続されたＩＣチップ（１２）と、が実装されたインレットシート（１５）がカード基材（１）の中に埋設されて構成されれば、あらゆる層構成にてカード基材（１）を構成することは可能である。

また、上述した実施形態の非接触ＩＣカードは、アンテナパターン（１１）とＩＣチップ（１２）とが同一面側に実装されたインレットシート（１５）に対し、導電性部材（３）を実装して構成することにしたが、アンテナパターン（１１）とＩＣチップ（１２）とが各々異なる面側に実装されたインレットシート（１５）に対し、導電性部材（３）を実装して構成することも可能である。

また、上述した実施形態では、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、を有するホログラム・磁気記録層（２）を、カード裏面側に積層して構成される非接触ＩＣカードについて説明したが、本発明の技術思想は、上述したホログラム・磁気記録層（２）をカード裏面側に積層した非接触ＩＣカードに限定するものではなく、静電気を発生させる金属反射層（２３）がカード基材面上に積層されて構成される非接触ＩＣカードであれば、本発明の技術思想を適用することは可能である。

本発明にかかる非接触ＩＣカードは、各種交通機関での定期券、回数券、電話カード、特定領域への入退出用のカード、ＩＤカード、免許証、パチンコ，遊園地，映画館などに使用されるカード、クレジットカード等の非接触にて通信処理を行う情報記録媒体に適用可能である。

第１の実施形態における非接触ＩＣカードの第１の構成例を示す図である。本実施形態の非接触ＩＣカードに搭載されるホログラム・磁気記録層（２）の層構成を示す図である。従来の非接触ＩＣカードに対し、ホログラム・磁気記録層（２）を搭載した場合の構成例を示す図である。『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験の回路構成を示す図である。静電気放電試験におけるカード上の区分域を示す図であり、非接触ＩＣカードの表裏面をそれぞれ縦横４列×５列に２０分割した状態を示す図である。図１に示す非接触ＩＣカードをカード表面側から見た場合の平面図である。第１の実施形態における非接触ＩＣカードの第２の構成例を示す図である。図７に示す非接触ＩＣカードをカード表面側から見た場合の平面図である。図７に示す非接触ＩＣカードの導電性配線（４）の形状を、ホログラム・磁気記録層（２）と導電性部材（３）とに重なる長さにした場合の構成を示す図である。ホログラム・磁気記録層（２）と導電性部材（３）とに重なる長さの導電性配線（４）を、ＩＣチップ（１２）が実装されたインレットシート（１５）のＩＣチップ実装面と同一面側に実装した場合の構成を示す図である。第２の実施形態における非接触ＩＣカードの構成例を示す図である。第２の実施形態における非接触ＩＣカードに対し、静電気試験を行った際に、静電気がカード内を通過するルートを説明するための図である。図１２に示す非接触ＩＣカードをカード裏面側から見た場合の平面図である。耐静電性の低い構造の非接触ＩＣカードに対し、静電気試験を行った際に、静電気がカード内を通過するルートを説明するための図である。図１４に示す非接触ＩＣカードをカード裏面側から見た場合の平面図である。耐静電性の低い構造の非接触ＩＣカードに対し、静電気試験を行った際に、静電気がカード内を通過するルートを説明するための図である。図１６に示す非接触ＩＣカードをカード裏面側から見た場合の平面図である。第１の実施例の静電気試験で使用した非接触ＩＣカードの第１の構成例を示す図である。第１の実施例の静電気試験で使用した非接触ＩＣカードの第２の構成例を示す図である。図１８に示す構造の非接触ＩＣカードに対し、静電気試験を行った際の試験結果を示す図である。図１９に示す構造の非接触ＩＣカードに対し、静電気試験を行った際の試験結果を示す図である。第２の実施例の静電気試験で使用した非接触ＩＣカードの第１の構成例を示す図である。第２の実施例の静電気試験で使用した非接触ＩＣカードの第２の構成例を示す図である。図２２に示す構造の非接触ＩＣカードに対し、静電気試験を行った際の試験結果を示す図である。図２３に示す構造の非接触ＩＣカードに対し、静電気試験を行った際の試験結果を示す図である。図２２に示す構造の非接触ＩＣカードにおいて、ホログラム・磁気記録層（２）と、導電性部材（３）と、の位置関係を変化させた場合の配置位置を示す図である。図２３に示す構造の非接触ＩＣカードにおいて、ホログラム・磁気記録層（２）と、導電性部材（３）と、の位置関係を変化させた場合の配置位置を示す図である。第３の実施例における静電気試験の試験結果を示す図である。

符号の説明

１カード基材
２ホログラム・磁気記録層
３導電性部材
４導電性配線
１０アンテナ基板
１１アンテナパターン（アンテナ）
１２ＩＣチップ
１３接着剤
１４補強部材
１５インレットシート
１６コアシート
１７オーバーシート
１８印刷層
２１接着層
２２磁気記録層
２３金属反射層
２４ホログラム層
２５保護層
２６離形層
２７支持層

Claims

アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が実装されたインレットシートがカード基材の中に埋設され、かつ、前記カード基材面上に金属反射層が積層されてなる非接触ＩＣカードであって、
前記金属反射層に発生する静電気を誘引し、前記金属反射層を積層する第１のカード基材面側とは反対側の第２のカード基材面側から静電気を放電するための導電性部材が、前記カード基材の中に埋設されてなることを特徴とする非接触ＩＣカード。
前記導電性部材は、前記第１のカード基材面側よりも、前記第２のカード基材面側に位置するように前記カード基材の中に埋設されてなることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性部材は、前記非接触ＩＣカードの積層方向において、前記金属反射層に少なくとも一部が重なるように前記カード基材の中に埋設されてなることを特徴とする請求項１または２記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性部材は、前記非接触ＩＣカードの積層方向において、前記金属反射層に重ならず、前記金属反射層の近傍に位置するように、前記カード基材の中に埋設されてなることを特徴とする請求項１または２記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性部材は、前記ＩＣチップが実装されたインレットシートのＩＣチップ実装面と同一面側に実装されてなることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の非接触ＩＣカード。
前記金属反射層に発生する静電気を前記導電性部材に誘引するための導電性配線が、前記カード基材の中に埋設されてなることを特徴とする請求項４記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性配線は、前記ＩＣチップが実装されたインレットシートのＩＣチップ実装面と反対面側に実装されてなることを特徴とする請求項６記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性配線は、前記ＩＣチップが実装されたインレットシートのＩＣチップ実装面と同一面側に実装されてなることを特徴とする請求項６記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性部材は、前記インレットシート面に実装された位置から前記第２のカード基材面に達する厚みからなることを特徴とする請求項５記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性部材は、前記インレットシートを介して前記ＩＣチップの上下面に位置するように前記カード基材の中に埋設されてなることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の非接触ＩＣカード。
前記導電性部材は、前記ＩＣチップを補強するための補強部材であることを特徴とする請求項１０記載の非接触ＩＣカード。
前記カード基材面上に、磁気記録層と、前記金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層されてなることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。