JP4800024B2

JP4800024B2 - 非接触ｉｃカード

Info

Publication number: JP4800024B2
Application number: JP2005355448A
Authority: JP
Inventors: 彰子南雲; 元對尾; 晴彦大澤; 実藤田
Original assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Current assignee: Kyodo Printing Co Ltd
Priority date: 2005-12-08
Filing date: 2005-12-08
Publication date: 2011-10-26
Anticipated expiration: 2025-12-08
Also published as: JP2007157088A

Description

本発明は、非接触ＩＣカードに関し、特に、カード基体の少なくとも一方の面に磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が設けられ、尚且つ、カード基体の内部に、ＩＣチップと通信用アンテナとが内蔵され、非接触でのデータの送受信が可能な非接触ＩＣカードに関するものである。

近年におけるカード技術の発達により、様々な通信システムに用いられている情報記録媒体として、広範囲な用途に適用可能なＩＣカードがある。このＩＣカードには、専用の装置に接触させることで情報の書き込み処理、及び、読み出し処理が可能な接触型のＩＣカードと、専用の装置に近接させるだけで情報の書き込み処理、及び、読み出し処理が可能な非接触型のＩＣカードがある。

これらのＩＣカードは、磁気記録層を有する磁気カードと比較し、セキュリティ性が高く、尚且つ、カード自体に書き込むことができる情報量が多く、一枚のカードだけで多面的に使用できることから産業上における普及度は増加の一途を辿っている。

その中でも特に、非接触型のＩＣカードは、情報の書き込み処理、あるいは、読み出し処理を行う際に、ＩＣカード自体を専用の装置に挿入する必要がなく、カード自体の取り扱いが便利なこともあり、産業上で急速に普及している。

また、磁気ストライプ等の磁気記録層を有するＩＣカードもあり、従来の磁気記録層を利用した通信システムと、ＩＣチップを利用した通信システムと、を一枚のカードのみで利用することが可能な構造を構成している。

なお、本発明より先に出願された技術文献として、磁気記録層に対し、ホログラム加工を施し、ホログラムによる視覚効果を奏しつつ、尚かつ、磁気記録層を利用した機能的情報処理を可能とした磁気ストライプ付きプラスチックカードが開示された文献がある（例えば、特許文献１参照）。

この上記特許文献１に開示された磁気ストライプ付きプラスチックカードのように、ホログラムによる視覚効果を奏しつつ、尚かつ、機能的情報処理を可能とするために、ホログラム加工を施した磁気記録層を、非接触ＩＣカードに適用しようという試みが現在行われている。

しかしながら、ホログラム加工を施した磁気記録層を適用した非接触ＩＣカードに対し、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、ホログラム加工を施した磁気記録層に対し、静電気を放電した場合には、ホログラム加工を施した磁気記録層から非接触ＩＣカード内に埋設されているアンテナに対し、放電電流が流れ込み、その放電電流が最終的にアンテナと接続されたＩＣチップに流れ込み、ＩＣチップの静電気破壊が発生することになる。

なお、本発明より先に出願された技術文献として、ＩＣモジュールが埋め込まれた非接触ＩＣカードに少なくとも片面に絶縁性金属光沢反射層を有する透明／不透明型可逆性感熱記録層を設け、前記絶縁性金属光沢反射層はスズの島状蒸着物により形成し、アンテナ又はコイルの汎用性を失うことなく、透明／不透明型可逆性感熱記録層を有する非接触ＩＣカードが開示された文献がある（例えば、特許文献２参照）。

また、反射性薄膜層が、少なくとも一部に設けられたホログラムまたは回折格子パターンのいずれかの構造体を積層状態でＩＣモジュールに設けたＩＣカードであり、該反射性薄膜層には島状に配置され互いに絶縁状態にある金属薄膜を用いることで、ＩＣチップの電気的特性に悪影響を及ぼさないようにすることを可能としたＩＣカードが開示された文献がある（例えば、特許文献３参照）。
特許第３１９８１８３号公報特開平１１−３５３４４２号公報特開平１１−３５３４４７号公報

なお、上記特許文献２は、絶縁性金属光沢反射層をスズの島状蒸着物により形成し、アンテナ又はコイルの汎用性を失うことなく、透明／不透明型可逆性感熱記録層を有する非接触ＩＣカードを構成しているが、ホログラム加工を施した磁気記録層を非接触ＩＣカードに適用した場合に生ずるＩＣチップの静電気破壊については何ら考慮されたものではない。

また、上記特許文献３は、反射性薄膜層には島状に配置され互いに絶縁状態にある金属薄膜を用いることで、ＩＣチップの電気的特性に悪影響を及ぼさないようにしているが、上記特許文献２と同様に、ホログラム加工を施した磁気記録層を非接触ＩＣカードに適用した場合に生ずるＩＣチップの静電気破壊については何ら考慮されたものではない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が埋設されてなる非接触ＩＣカードにおいて、その非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップに対する静電気破壊を防止した非接触ＩＣカードを提供することを目的とするものである。

かかる目的を達成するために、本発明は以下の特徴を有する。

本発明にかかる非接触ＩＣカードは、カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、前記カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が埋設されてなる非接触ＩＣカードであって、金属反射層とアンテナとは、カード基材の積層方向において重なった位置に配置されており、金属反射層は、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高いことを特徴とするものである。

本発明によれば、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層に対し、静電気を放電した場合でも、金属反射層からアンテナに対する放電電流の流れ込みを制限することが可能となるため、非接触ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップに対する静電気破壊を防止することが可能となる。

まず、図１、図２を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードの特徴について説明する。

本実施形態における非接触ＩＣカードは、図１に示すように、カード基材（１）上に、ホログラム・磁気記録層（２）を有し、カード基材（１）の中に、アンテナ（１２）と、該アンテナ（１２）と接続されたＩＣチップ（１３）と、が埋設されてなる非接触ＩＣカードである。なお、ホログラム・磁気記録層（２）は、図２に示すように、少なくとも、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、を有して構成し、その金属反射層（２３）は、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高いことを特徴とする。これにより、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層（２３）に対し、静電気を放電した場合でも、金属反射層（２３）からアンテナ（１２）に対する放電電流の流れ込みを制限することが可能となるため、ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１３）に対する静電気破壊を防止することが可能となる。以下、添付図面を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードについて説明する。

まず、図１を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードの構成について説明する。

本実施形態における非接触ＩＣカードは、図１に示すように、カード基材（１）と、ホログラム・磁気記録層（２）と、を有して構成される。なお、本実施形態におけるカード基材（１）の中には、図１に示すように、アンテナ（１２）と、ＩＣチップ（１３）と、が埋没された構造となる。なお、ＩＣチップ（１３）は、アンテナ（１２）と接続されてカード基材（１）の中に埋没されることになる。

まず、図１を参照しながら、本実施形態における非接触ＩＣカードを構成するカード基材（１）の構造について説明する。

本実施形態における非接触ＩＣカードを構成するカード基材（１）は、図１に示すように、アンテナ基材（１１）上に螺旋状のアンテナやコンデンサ等のアンテナパターン（１２）を形成し、該形成したアンテナパターン（１２）と、ＩＣチップ（１３）と、が接着剤（１４）を介して電気的に接続するように、ＩＣチップ（１３）をアンテナ基板（１１）に実装し、ＩＣモジュール（１５）を構成し、そのＩＣモジュール（１５）を覆うように、ＩＣモジュール（１５）の上下面からラミネート基材となるコアシート（１６）と、オーバーシート（１７）と、にて挟持して積層することで構成される。以下、カード基材（１）を構成する各部について説明する。

＜コアシート１６＞
コアシート（１６）は、カード基材（１）の中心部分となる基材であり、カード本体に強度を付与させる基材である。コアシート（１６）に適用可能な材質としては、一般用ポリスチレン樹脂、耐衝撃用ポリスチレン樹脂、アクリルニトリルスチレン樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂、塩化ビニル樹脂、変性ＰＰＯ樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンサルファルド樹脂等の熱可塑性樹脂、アロイ系樹脂、ガラス繊維の添加による強化樹脂等の従来からＩＣカード本体の中心部分となるカード基材（１）に適用可能な公知の樹脂が挙げられる。なお、塩化ビニル、ＰＥＴ−Ｇ等は、自己融着を行う特性を有することから、ラミネートの際に、接着剤や接着剤シートが不要となるため、塩化ビニル、ＰＥＴ−Ｇ等をコアシート（１６）に適用することが好ましい。

＜オーバーシート１７＞
オーバーシート（１７）は、カード基材（１）の外側部分を構成する基材である。オーバーシート（１７）に適用可能な材質としては、上述したコアシート（１６）に適用可能な樹脂が挙げられる。

＜アンテナ基板１１＞
アンテナ基板（１１）は、アンテナパターン（１２）を形成する絶縁性を有する基材である。アンテナ基板（１１）に適用可能な材質としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＴ−Ｇ等の樹脂が挙げられる。

＜アンテナパターン１２の材質＞
アンテナパターン（１２）を形成する材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、錫、ニッケル、亜鉛、チタン、タングステン、ハンダ、合金等が適用可能である。なお、アンテナ基板（１１）上にアンテナパターン（１２）を形成する手法としては、エッチング法や、印刷法（スクリーン印刷法、オフセット印刷法）が適用可能である。また、巻き線法でアンテナ基板（１１）上にアンテナパターン（１２）を形成することも可能である。

＜接着剤１４＞
接着剤（１４）は、アンテナ基板（１１）に形成されたアンテナパターン（１２）と、ＩＣチップ（１３）等の電子部品と、を接続するためのものであり、紫外線硬化樹脂、湿気硬化性樹脂、熱硬化性樹脂などが適用可能である。なお、アンテナパターン（１２）と、ＩＣチップ（１３）等の電子部品と、を接続するには、熱硬化性のエポキシ樹脂やエポキシ樹脂に対し、数μｍ程度の微小な導電性粒子を分散させた異方性導電性接着剤（ＡＣＰ）、ＡＣＰをフィルム状にした異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）等の接着剤を介してフリップチップ方法で行うことが好ましい。なお、ＡＣＦは、ニッケル、金属コートされたプラスチック等の導電粒子、あるいは、金属粒子そのものをエポキシ樹脂等の接着剤中に分散した接着剤である。

次に、図２を参照しながら、本実施形態の非接触ＩＣカードを構成するホログラム・磁気記録層（２）の構造について説明する。

ホログラム・磁気記録層（２）は、接着層（２１）と、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、保護層（２５）と、を有して構成され、このホログラム・磁気記録層（２）を、離形層（２６）を介して支持層（２７）に積層することで『転写シート』を構成することになる。

＜接着層２１＞
接着層（２１）は、ホログラム・磁気記録層（２）をカード基材（１）上に接着させるための層である。なお、接着層（２１）に適用可能な材質としては、ヒートシール性の良好な塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体等の合成樹脂が挙げられる。接着層（２１）の層厚としては、５μｍ程度が好ましい。

＜磁気記録層２２＞
磁気記録層（２２）は、情報を記録することが可能な層であり、公知の磁気塗料を用いて印刷もしくは塗布して形成される。なお、磁気塗料としては、例えば、ブチラール樹脂、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、スチレン／マレイン酸共重合樹脂等の合成樹脂をバインダー樹脂とし、必要に応じ、ニトリルゴム等のゴム系樹脂、ウレタンエラストマーを添加し、磁性体としては、γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｏ含有Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｆｅ₃Ｏ₄、バリウムフエライト、ストロンチウムフエライト、Ｃｏ・Ｎｉ・Ｆｅ・Ｃｒの単独もしくは合金、希土類Ｃｏ磁性体の他、界面活性剤、シランカップリング剤、可塑剤、ワックス、シリコーンオイル、カーボンその他の顔料を必要に応じて添加し、３本ロール、サンドミル、ボールミル等により混練して作成したものを適用することが可能である。なお、磁気記録層（２２）の層厚としては、１０〜１５μｍ程度が好ましい。

＜金属反射層２３＞
金属反射層（２３）は、光を反射させるための層である。なお、金属反射層（２３）に適用可能な材質としては、Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｎ，または、それらを各種混合させた合金が挙げられる。また、金属反射層（２３）を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、電気メッキ法等が適用可能である。なお、金属反射層（２３）の膜厚としては、３０〜１００ｎｍ程度が好ましく、４０〜７０ｎｍ程度がより好ましい。また、金属反射層（２３）は、光の反射性を考慮し、連続膜から構成されていることが好ましい。

＜ホログラム層２４＞
ホログラム層（２４）は、ホログラム形成部（３０）を形成するための層である。なお、ホログラム層（２４）に適用可能な材質としては、ポリ塩化ビニル、アクリル（例、ＭＭＡ）、ポリスチレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂、不飽和ポリエステル、メラミン、エポキシ、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、トリアジン系アクリレート等の熱硬化性樹脂を硬化させたもの、あるいは、上記の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混合物が適用可能である。ホログラム層（２４）の層厚としては、２．５μｍ程度が好ましい。

＜保護層２５＞
保護層（２５）は、上述したホログラム層（２４）を保護するための層である。なお、保護層（２５）に適用可能な材質としては、ポリメチルメタクリレート樹脂と他の熱可塑性樹脂、例えば、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体もしくはニトロセルロース樹脂との混合物、または、ポリメチルメタクリレート樹脂とポリエチレンワックスとの混合物等が挙げられ、また、酢酸セルロース樹脂と熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、もしくは、メラミン樹脂との混合物が挙げられる。保護層（２５）の層厚としては、１〜２μｍ程度が好ましい。

＜離形層２６＞
離形層（２６）は、上述したホログラム・磁気記録層（２）と、支持層（２７）と、を剥離するための層である。なお、離形層（２６）に適用可能な材質としては、熱可塑性アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ゴム系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、セルロース系樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂あるいはこれらにオイルシリコン、脂肪酸アミド、ステアリン酸亜鉛を添加したものが適用可能である。離形層（２６）の層厚としては、０．５μｍ程度が好ましい。

＜支持層２７＞
支持層（２７）は、ホログラム・磁気記録層（２）を支持する層である。なお、支持層（２７）に適用可能な材質としては、透明なポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン等の合成樹脂、天然樹脂、紙、合成紙などから単独で選択されたもの、または、上記より選択されて組み合わされた複合体が適用可能である。なお、支持層（２７）としては、抗張力、耐熱性を兼ね備えたポリエステルフィルムを適用することが好ましい。支持層（２７）の層厚としては、２５μｍ程度が好ましい。

なお、上述した図２に示すホログラム・磁気記録層（２）の転写シートの形成方法としては、例えば、支持層（２７）に対し、離形層（２６）、保護層（２５）を順次塗布し、ホログラム層（２４）を形成する樹脂組成物を塗布し、ホログラム形成部（３０）を形成する。そして、金属反射層（２３）を蒸着法により形成し、磁気記録層（２２）、接着層（２１）を順次塗布する方法が挙げられる。これにより、図２に示すホログラム・磁気記録層（２）の転写シートを形成することが可能となる。なお、上述した形成方法は、一例であり、この形成方法に限定するものではなく、図２に示すホログラム・磁気記録層（２）の転写シートを形成できればあらゆる形成方法を適用することは可能である。なお、本実施形態におけるホログラム・磁気記録層（２）は、保護層（２５）と、ホログラム層（２４）と、金属反射層（２５）と、磁気記録層（２２）と、の合計層厚が、磁気記録に支障がない２０μｍ以下であることが好ましい。

本実施形態における非接触ＩＣカードは、この上述した図２に示す、少なくとも、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、が一体化されたホログラム・磁気記録層（２）を、カード基材（１）に貼着することで、ホログラム・磁気記録層（２）がカード基材（１）に形成された図１に示す非接触ＩＣカードを構成することになる。これにより、美麗なホログラムを形成しつつ、機械的な情報処理を行うことが可能なホログラム・磁気記録層（２）を、非接触ＩＣカードのカード表面に形成することが可能となる。

なお、一般的に、非接触ＩＣカードのアンテナ（１２）が、リーダ・ライタのアンテナと比べて小さい場合には、非接触ＩＣカードのアンテナ（１２）の面積が大きい程、リーダ・ライタのアンテナから多くのエネルギーを得ることが可能となる。このため、非接触ＩＣカードの通信距離を長くしたり、あるいは、非接触カードのＩＣチップ（１３）の消費電力を大きくしたりする場合には、非接触ＩＣカードのアンテナ（１２）の開口面積を大きく設計する必要がある。

このため、本実施形態の非接触ＩＣカードのアンテナ（１２）は、そのＩＣカードの外形に沿って配置されることが設計上、好ましいこととなり、図３に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）と、カード基材（１）に埋設されているアンテナ（１２）と、が重複するような位置関係にて設計されることになる。

しかしながら、図３に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）と、カード基材（１）に埋設されているアンテナ（１２）と、が重複するような位置関係にて設計した場合には、ＪＩＳ規格の『ＪＩＳＸ６３０５−６』で規定されている試験方法にて静電気試験を行うと、『ＪＩＳＸ６３２２−１』の４．３．７で規定されている規定値±６ｋＶの静電気に耐えることができず、また、ＪＩＳ規格の『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている試験方法にて静電気試験を行うと、『ＪＩＳＸ６３２３−１』の４．３．７で規定されている規定値±６ｋＶの静電気に耐えることができないという問題を抱えることになる。

なお、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験は、図４に示す静電気放電試験の回路を用いて行うことになる。

まず、木製の台に敷いた『導電板』上に、厚さ０．５ｍｍの『絶縁板』を設置し、その『絶縁板』上に、『非接触ＩＣカード』を設置する。そして、『ＥＳＤ試験器』に接続された直径８ｍｍの『球型プローブ』を『非接触ＩＣカード』に接触させ、『ＥＳＤ試験器』から『非接触ＩＣカード』に対し、静電気を放電し、放電後の『非接触ＩＣカード』内のＩＣチップ（１３）の性能について試験することになる。

まず、図５に示すように、非接触ＩＣカードの表裏面をそれぞれ縦横４列×５列に２０分割し、非接触ＩＣカードの表面側から順に、＋６ｋＶの静電気を２０箇所に印加し、次に、−６ｋＶの静電気を２０箇所にて印加し、続けて、非接触ＩＣカードの裏面側にも同様な処理を実施する。

この図４に示す静電気放電試験の回路を用いて静電気試験を行うと、カード基材（１）に埋設されているＩＣチップ（１３）の静電気破壊が発生することになる。これは、ホログラム・磁気記録層（２）と、カード基材（１）に埋設されているアンテナ（１２）と、が重複しているため、ホログラム・磁気記録層（２）に対し、静電気を放電すると、ホログラム・磁気記録層（２）と重複しているアンテナ（１２）に対し、放電電流が流れ込み、その流れ込んだ放電電流が最終的にはＩＣチップ（１３）に流れ込むことになり、ＩＣチップ（１３）に対して過度な負荷を生じさせることになるためである。

なお、ホログラム・磁気記録層（２）をカード基材（１）に設ける位置は、カードの用途により規格で定められており、例えば、『ＪＩＳＸ６３０２−２』または『ＪＩＳＸ６３０２−６』の規定では、非接触ＩＣカードの上端からホログラム・磁気記録層（２）の手前側までの距離を、最大で５．５４ｍｍとして定め、また、非接触ＩＣカードの上端からホログラム・磁気記録層（２）の奥側までの距離を、２トラックの場合は、最小で１１．８９ｍｍ、３トラックの場合は、最小で１５．９５ｍｍとして定めて設けることが規定されている。このため、非接触ＩＣカードの通信特性を良好にするように、アンテナ（１２）をカード基材（１）に配置した場合には、図３に示すように、ホログラム・磁気記録層（２）とアンテナ（１２）とが重複することになる。

このため、本発明者らは、図１、図３に示すホログラム・磁気記録層（２）を有する非接触ＩＣカードにおいて、上述した静電気試験を満足させるために、様々な改良を試み、鋭意研究を重ねた結果、所定の値以上の表面抵抗率（電気抵抗率）を有する金属反射層（２３）を用いて、ホログラム・磁気記録層（２）を構成することで、上述した静電気試験を満足させることを実験結果から見出した。以下、図６を参照しながら、所定の値の表面抵抗率を有する金属反射層（２３）と、図４に示す静電気試験におけるＩＣチップ（１３）に対する静電気破壊の有無と、の関係について説明する。なお、図６は、所定の値の表面抵抗率を有する金属反射層（２３）と、その金属反射層（２３）を適用した非接触ＩＣカードの静電気試験におけるＩＣチップ（１３）に対する静電気破壊の有無と、の関係を示す測定結果である。

なお、図６に示す測定結果は、ＩＣモジュール（１５）として、ＲＣ−Ｓ９３５Ａ（ソニー（株）製）を適用し、ホログラム・磁気記録層（２）として、８．４ｍｍ幅のホログラム・磁気記録層を適用し、『ＪＩＳＸ６３０２−２』または『ＪＩＳＸ６３０２−６』の規格で規定された位置にホログラム・磁気記録層（２）を配置した非接触ＩＣカードを使用し、温度条件が２０℃の環境下で、図４に示す静電気試験を行った場合の測定結果である。

なお、図６に示す『表面抵抗率』は、金属反射層（２３）の材質として、Ａｌを適用し、図７に示すように、カード基材（１）上に、ホログラム・磁気記録層（２）を配置し、その配置したホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）の両端に、１Ｖの低電圧をかけ、電圧降下法にて測定した値である。

図６に示す測定結果から明らかなように、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高い金属反射層（２３）を適用してホログラム・磁気記録層（２）を構成した場合に、ＩＣチップ（１３）の静電気破壊が発生しないことが判明した。

このため、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高い金属反射層（２３）を用いて、ホログラム・磁気記録層（２）を構成することで、『ＪＩＳＸ６３０２−２』または『ＪＩＳＸ６３０２−６』の規格で規定された位置にホログラム・磁気記録層（２）を配置し、非接触ＩＣカードを形成し、『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行い、金属反射層（２３）に対し、静電気を放電した場合でも、金属反射層（２３）からアンテナ（１２）に対する放電電流の流れ込みを制限し、ＩＣカード内に埋設されるＩＣチップ（１３）の静電気破壊が発生しないことになる。

このように、本実施形態における非接触ＩＣカードは、カード基材（１）上に、ホログラム・磁気記録層（２）を有し、カード基材（１）の中に、アンテナ（１２）と、該アンテナ（１２）と接続されたＩＣチップ（１３）と、が埋設され、ホログラム・磁気記録層（２）と、アンテナ（１２）と、が重複するように設計した場合でも、ホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）を、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高くなるように構成することで、『ＪＩＳＸ６３０５−６』で規定されている静電気試験を行った場合でも、『ＪＩＳＸ６３２２−１』の規定を満足し、また、『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験を行った場合でも、『ＪＩＳＸ６３２３−１』の規定を満足することが可能となる。

なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。例えば、本実施形態の非接触ＩＣカードを構成するホログラム・磁気記録層（２）は、少なくとも、磁気記録層（２２）と、金属反射層（２３）と、ホログラム層（２４）と、を有する層構成であれば、特に限定するものではなく、あらゆる層構成にてホログラム・磁気記録層（２）を構成することは可能である。

また、本実施形態におけるホログラム・磁気記録層（２）を構成する金属反射層（２３）は、図６に示す測定結果から明らかなように、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高くなるように構成するのであれば、あらゆる材質を適用することが可能であり、Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｉｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｎの少なくとも１つの材質からなる合金を適用して金属反射層（２３）を構成することも可能である。

本発明にかかる非接触ＩＣカードは、各種交通機関での定期券、回数券、電話カード、特定領域への入退出用のカード、ＩＤカード、免許証、パチンコ，遊園地，映画館などに使用されるカード、クレジットカード等の非接触にて通信処理を行う情報記録媒体に適用可能である。

本実施形態における非接触ＩＣカードの構成を示す図である。本実施形態における非接触ＩＣカード内に搭載されるホログラム・磁気記録層（２）の層構成を示す図である。本実施形態における非接触ＩＣカードを構成するアンテナ（１２）と、ホログラム・磁気記録層（２）と、の配置位置の関係を示す図である。『ＪＩＳＸ６３０５−６』または『ＪＩＳＸ６３０５−７』で規定されている静電気試験の回路構成を示す図である。静電気放電試験におけるカード上の区分域を示す図であり、非接触ＩＣカードの表裏面をそれぞれ縦横４列×５列に２０分割した状態を示す図である。所定の値の表面抵抗率を有する金属反射層（２３）と、その金属反射層（２３）を適用した非接触ＩＣカードの静電気試験におけるＩＣチップ（１３）に対する静電気破壊の有無と、の関係を示す図である。図６に示す『表面抵抗率』を測定する測定方法を説明するための図である。

符号の説明

１カード基板
２ホログラム・磁気記録層
１１アンテナ基材
１２アンテナパターン
１３ＩＣチップ
１４接着剤
１５ＩＣモジュール
１６コアシート
１７オーバーシート
２１接着層
２２磁気記録層
２３金属反射層
２４ホログラム層
２５保護層
２６離形層
２７支持層
３０ホログラム形成部

Claims

カード基材上に、少なくとも、磁気記録層と、金属反射層と、ホログラム層と、が順次積層され、前記カード基材の中に、アンテナと、該アンテナと接続されたＩＣチップと、が埋設されてなる非接触ＩＣカードであって、
前記金属反射層と前記アンテナとは、前記カード基材の積層方向において重なった位置に配置されており、
前記金属反射層は、表面抵抗率が４．０４（Ω／□）よりも高いことを特徴とする非接触ＩＣカード。
前記カード基材は、
前記アンテナと前記ＩＣチップとが実装されたアンテナ基板と、
前記アンテナ基板を上下面から挟持し、前記アンテナ基板の上下面に積層され、前記カード基材の中心部分を構成するコアシートと、
前記コアシートの上下面から挟持し、前記コアシートの上下面に積層され、前記カード基材の外側部分を構成するオーバーシートと、を有して構成し、
前記カード基材の中に、前記アンテナと、前記ＩＣチップと、が埋設されてなることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
前記アンテナは、前記カード基材の外形に沿った形状で配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の非接触ＩＣカード。