JP2007250635A - 強誘電体メモリ装置の製造方法 - Google Patents
強誘電体メモリ装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007250635A JP2007250635A JP2006069099A JP2006069099A JP2007250635A JP 2007250635 A JP2007250635 A JP 2007250635A JP 2006069099 A JP2006069099 A JP 2006069099A JP 2006069099 A JP2006069099 A JP 2006069099A JP 2007250635 A JP2007250635 A JP 2007250635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- titanium
- titanium nitride
- orientation
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 126
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 96
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 356
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 57
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 79
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 15
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ装置の製造方法は、基板に能動素子を形成する工程と、基板上に絶縁層26を形成する工程と、絶縁層26にプラグ20を形成する工程と、プラグ20を含む絶縁層26上に第1チタン層112aを形成する工程と、第1チタン層112aを第1窒化チタン層12aに変化させる工程と、第1窒化チタン層12a上に、プラグ20の上方に残存するリセス23を少なくとも埋め込むように第2チタン層112bを形成する工程と、第2チタン層112bを第2窒化チタン層12bに変化させる工程と、第2窒化チタン層12bの表面を研磨する研磨工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
つまり、コンタクトプラグ上に形成されたリセス上に第1窒化チタン層及び第2窒化チタン層の積層体を形成して、当該リセスを解消することで、第1電極が形成される下地層の表層を平坦化する一方、コンタクトプラグ上には第1窒化チタン層と第2窒化チタン層との積層体からなる下地層が配設されることとなるため、当該コンタクトプラグ上での強誘電体層の配向制御が可能となる。具体的には、下地層の形成工程において、第1チタン層を形成し、これを窒素化して第1窒化チタン層とするとともに、当該第1窒化チタン層の上にさらに第2チタン層を形成して、同様に第2窒化チタン層とすることで下地層の好適な結晶配向を実現している。チタンは自己配向性に優れているため、アモルファスな基板上で良好な配向を示すが、基板に結晶性のあるコンタクトプラグが形成される場合には、チタンであっても、その自己配向性が十分に発揮できない場合がある。ところが本発明では、コンタクトプラグを含む層間絶縁膜上に第1チタン層を形成した後、これを窒素化し、さらに第2チタン層を形成するものとしているため、コンタクトプラグ上であっても、第2チタン層の下地が窒化チタン層となることで、当該第2チタン層はその自己配向性が良好に発揮されることとなる。そして、これを窒素化した第2窒化チタン層も良好な結晶配向性を具備することとなる。したがって、下地層の表面は、結晶性のあるコンタクトプラグの上に当該下地層を形成するにもかかわらず、高い結晶配向性を具備したものとなる。その結果、リセスを埋め込むべく形成した第1窒化チタン層及び第2窒化チタン層を含む下地層の上方に形成される第1電極は、第2窒化チタン層の良好な結晶配向を反映した結晶配向を具備するものとなり、また第1電極上の強誘電体層についても同様に第1電極の結晶配向を反映した結晶配向が付与されることとなり、ひいては強誘電体特性に優れた強誘電体メモリ装置を提供することが可能となる。
一方、例えばコンタクトプラグ上に形成されるリセスに対して何らかの材料を直接埋め込む場合は、コンタクトプラグ上以外の領域、つまり層間絶縁膜上において配向性向上効果が得られないが、本発明では層間絶縁膜上にもチタン層を窒化処理した窒化チタン層を形成し、これを研磨するものとしているため、コンタクトプラグ上のみならず層間絶縁膜上においても結晶配向性を向上させる効果を得ることが可能である。研磨処理により、窒化チタン層の平坦性が向上して、上層に対する結晶配向性も向上することとなる。
このようにチタンの配向性をさらに積極的に上げると、その分、第1電極の配向性も向上するわけである。
ところが、上記チタンの自己配向性は表面構造をもたないアモルファスな基板(絶縁膜(SiO2))上で期待される現象であり、固有の結晶構造をもつコンタクトプラグ(例えばタングステンプラグ)上では状況が異なってしまう。このような固有の結晶構造をもつ表面では、この表面構造を反映してチタンは任意の面方位に配向してしまう。そうすると、チタンを(001)配向させることができないため、これを窒化処理した窒化チタン上において第1電極を所定の面方位に配向制御できない場合がある。
そこで、本発明のように第1チタン層を形成し、これを窒化チタン層に変化させた後、再び第2チタン層を形成する工程を採用することで、形成する基板面の性質にかかわらず、つまり固有の結晶構造をもつコンタクトプラグ上等においても、下地層のチタンの自己配向性を発現させることができ、ひいては第1電極の配向性を向上させることができるのである。
具体的には、第1チタン層のうち、(001)配向した領域では、これを第1窒化チタン層とすることで(111)配向になるが、(hkl)配向した領域(所定の面方位に配向していない領域)では、これを第1窒化チタン層としても(111)配向にはならず、つまり無配向成分となる。このような第1窒化チタン層上に第2チタン層を形成すると、(111)配向した第1窒化チタン層上では、その表面構造を反映して当該第2チタン層は(001)配向する。一方、(111)配向していない窒化チタン層上では、基本的には第2チタン層は配向しないが、チタンが格子マッチングしないため、界面エネルギーが最小になるように自己配向する成分が現れ、すなわち(001)配向する成分が一定の割合で現れる。その結果、第1層目よりも所定の面方位に配向した成分が増加し、これを窒化処理した第2窒化チタン層上に形成する第1電極の配向性も向上することとなるのである。
第1に、キャパシタが高くなり、キャパシタエッチング以降のプロセスに対する負荷が増す場合があり得る。
第2に、キャパシタ加工の際にエッチングしなければならない窒化チタン層の層厚が増え、エッチング負荷が増す場合があり得る。
第3に、キャパシタの側壁に露出する窒化チタン層の面積が増え、窒化チタンの酸化に対するマージンが減る場合があり得る。
以上の3点である。
このようなアンモニアプラズマ処理を施すことで、基板表面をアモルファス化することが可能となる。特に、層間絶縁膜にコンタクトプラグを形成する本発明では、当該コンタクトプラグをある程度アモルファス化することができ、その結果、当該コンタクトプラグ上でのチタンの自己配向性を高めることが可能となる。
また、強誘電体層としては、例えばチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3、以下PZTと略記)をはじめとするペロブスカイト型酸化物や、SrBi2Ta2O9等のビスマス層状化合物を採用することができる。
図1は、本発明に係る製造方法により製造された強誘電体メモリ装置の一実施の形態として、強誘電体メモリ装置100を模式的に示す断面図である。
図1に示すように、強誘電体メモリ装置100は、半導体基板10の上方に、強誘電体キャパシタ30と、プラグ(コンタクトプラグ)20と、強誘電体キャパシタ30のスイッチングトランジスタ18とを含んで構成されている。なお、本実施形態においては、1T/1C型のメモリセルについて説明するが、本発明が適用されるのは1T/1C型のメモリセルに限定されない。
また、成膜時に、バリア層14の結晶配向を反映した結晶配向を有する第1電極32をバリア層14の上方に形成するためには、バリア層14の膜厚は20nm〜200nmであることが好ましく、さらには50nm〜100nmであることがより好ましい。
なかでも、強誘電体層34の材料としてはPZTが好ましく、この場合、素子の信頼性の観点から、第1電極32はイリジウムであるのがより好ましい。
次に、図1に示した強誘電体メモリ装置100の製造方法の一例について、図面を参照して説明する。図3(a)〜図3(e)および図4(a)〜図4(c)は、それぞれ図1の強誘電体メモリ装置100の一製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図3および図4においては、図1の強誘電体メモリ装置100のうち、絶縁層26およびプラグ20の近傍のみを示している。
以上のアンモニアプラズマ処理により、プラグ導電層22がある程度アモルファス化される。このようなプラグ形成工程に引き続き、図3〜図4に示すような工程を行って強誘電体キャパシタ30を形成する。
例えば、チタン,アルミニウム,および窒素を含む層からなるバリア層14を形成する場合、バリア層14は、(111)配向を有するTiAlNからなることができる。バリア層14が(111)配向を有することにより、第1電極32の結晶配向を(111)配向にすることができる。これにより、第1電極32上に形成される強誘電体層34を(111)配向にすることができる。
まず、基板10の上方に第1チタン層112aを形成し、この第1チタン層112aを窒化処理するとともに、その第1窒化チタン層12aの上方に再度第2チタン層112bを形成することで、当該第2チタン層112bの自己配向性に起因して、プラグ20の上方においても高い結晶配向性を得ることができるようになった。このような結晶配向性の高い第2窒化チタン層12bを第2窒化チタン層12bとした後、当該第2窒化チタン層12b及び第1窒化チタン層12a上にバリア層14を形成することで、当該バリア層14においては、結晶配向性に優れた第2窒化チタン層12bの結晶配向を反映させることが可能となる。次いで、このバリア層14上に第1電極32および強誘電体層34を形成することにより、バリア層14の結晶配向を反映した結晶配向を有する第1電極32および強誘電体層34を得ることができる。これにより、ヒステリシス特性に優れた強誘電体メモリ装置100を得ることができる。
Claims (5)
- 基板の上方に下地層を形成する工程と、前記下地層の上方に第1電極と、強誘電体層と、第2電極とを積層する工程とを含む強誘電体メモリ装置の製造方法であって、
前記下地層を形成する工程に先立って、前記基板に能動素子を形成する工程と、前記基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトプラグを形成する工程と、を含む一方、
前記下地層の形成工程は、
前記コンタクトプラグを含む層間絶縁膜上に第1チタン層を形成する工程と、
前記第1チタン層を第1窒化チタン層に変化させる工程と、
前記第1窒化チタン層上に、前記コンタクトプラグの上方に残存するリセスを少なくとも埋め込むように第2チタン層を形成する工程と、
前記第2チタン層を第2窒化チタン層に変化させる工程と、
前記第2窒化チタン層の表面を研磨する研磨工程と、
を含むことを特徴とする強誘電体メモリ装置の製造方法。 - 前記研磨工程において、前記コンタクトプラグ上及び層間絶縁膜上に少なくとも前記第2窒化チタン層が残存するように、当該第2窒化チタン層を研磨することを特徴とする請求項1に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
- 前記第1チタン層を形成する前に、前記基板の表面に対してアンモニアプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項1又は2に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
- 前記下地層の最上面に、酸素に対するバリア性を示すバリア層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
- 前記バリア層がTi(1-x)AlxNy(0<x≦0.3、0<y)で表される化合物よりなることを特徴とする請求項4に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006069099A JP4605056B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006069099A JP4605056B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007250635A true JP2007250635A (ja) | 2007-09-27 |
JP4605056B2 JP4605056B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=38594642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006069099A Expired - Fee Related JP4605056B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4605056B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302333A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
JP2010016036A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2011024455A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
CN110085590A (zh) * | 2013-09-13 | 2019-08-02 | 美光科技公司 | 形成铁电存储器单元的方法及相关半导体装置结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09219501A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-08-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2004186517A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sony Corp | 強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその製造方法 |
JP2004288696A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005217044A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006066515A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-14 JP JP2006069099A patent/JP4605056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09219501A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-08-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2004186517A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sony Corp | 強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその製造方法 |
JP2004288696A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005217044A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006066515A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302333A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
JP2010016036A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2011024455A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
CN102484113A (zh) * | 2009-08-28 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 半导体存储装置及其制造方法 |
JP5417445B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-02-12 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US9570682B2 (en) | 2009-08-28 | 2017-02-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
CN110085590A (zh) * | 2013-09-13 | 2019-08-02 | 美光科技公司 | 形成铁电存储器单元的方法及相关半导体装置结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4605056B2 (ja) | 2011-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4535076B2 (ja) | 強誘電体キャパシタとその製造方法 | |
JP4320679B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4600322B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4164700B2 (ja) | 強誘電体メモリおよびその製造方法 | |
JP4124237B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP5010121B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007081378A (ja) | 半導体装置とその製造方法、および薄膜装置 | |
JP4605056B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4797717B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP2006310637A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005327847A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4802777B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4671039B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007042871A (ja) | 強誘電体キャパシタおよびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置 | |
JP4828306B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008205114A (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4613857B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4802781B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4954614B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4802780B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
JP4702550B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4816916B2 (ja) | 強誘電体メモリおよびその製造方法 | |
JP4858685B2 (ja) | 強誘電体メモリおよびその製造方法 | |
JP2009302333A (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100907 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |