JP2007250529A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007250529A5 JP2007250529A5 JP2007031474A JP2007031474A JP2007250529A5 JP 2007250529 A5 JP2007250529 A5 JP 2007250529A5 JP 2007031474 A JP2007031474 A JP 2007031474A JP 2007031474 A JP2007031474 A JP 2007031474A JP 2007250529 A5 JP2007250529 A5 JP 2007250529A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work piece
- charged particle
- particle beam
- directing
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (19)
- 粒子ビーム源およびワーク・ピース支持を有する荷電粒子ビーム・システムの真空室においてワーク・ピースの上にコーティングを形成する方法であって、
ワーク・ピースを前記荷電粒子ビーム・システムの前記真空室内および前記ワーク・ピース支持の上に挿入することと、
前記真空室においてスパッタ材料源を提供し、前記スパッタ材料源が、前記粒子ビーム源と前記ワーク・ピースとの間に配置されることと、
前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの領域に材料をスパッタリングして、ワーク・ピースの前記領域の上に材料の層を形成するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向け、それにより前記ワーク・ピースに対する損傷を回避することと、
前記ワーク・ピースの像を処理または形成するために、前記ワーク・ピースの前記領域に前記荷電粒子ビームを向けることとを備える方法。 - 集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをスパッタ材料源に向けること、および前記ワーク・ピースの像を処理または形成するために前記荷電粒子ビームをワーク・ピースの前記領域に向けることが、前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けるステップと、前記荷電粒子をワーク・ピースの領域に向けるステップとの間で、前記ワーク・ピースを前記真空室から取り出すことなく同じ真空室において行われ、それにより、保護層または導電層が加えられ、前記保護層または導電層を有するワーク・ピースが、前記ワーク・ピースを前記真空室から取り出すことなく処理または撮像されることが可能になる請求項1に記載の方法。
- 前記ワーク・ピースの領域を処理するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースの領域に向けることが、2次電子または透過電子を使用して前記ワーク・ピースの前記領域の像を形成するために、電子ビームを前記ワーク・ピースに向けることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記ワーク・ピースの領域を処理するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースの領域に向けることが、前記ワーク・ピースを微細機械加工するために、または材料を前記ワーク・ピースの上に付着させるために、集束イオン・ビームをワーク・ピースの前記領域に向けることを含む請求項1に記載の方法。
- 集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向けることが、気体注入システム・ノズル、または気体注入ノズルの上においてコーティングされた材料または支持された材料に集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを、これらの荷電粒子ビームが前記気体注入システム・ノズル、または気体注入ノズルの上においてコーティングされた材料または支持された材料の表面に衝突するように向けることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることが、保護層または導電層を前記ワーク・ピースの上に形成するために、前記荷電粒子ビームを材料源に向けることを含む請求項1に記載の方法。
- 集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることが、前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの上にタングステン、クロム、チタン、銅、またはアルミニウムの材料をスパッタリングするために、前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの領域の上に材料をスパッタリングして、ワーク・ピースの前記領域の上に層を形成するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向けることが、前記スパッタ材料源から、ウエハや他のワーク・ピースの表面全体よりも小さいウエハや他のワーク・ピースの一部の上に材料をスパッタリングするために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向けることを含む請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載のステップを実施するコンピュータ命令を記憶するメモリを含む荷電粒子システム。
- 荷電粒子ビームを処理する方法であって、
荷電粒子ビームシステムの真空室内にワークピースを置くことと、
集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを用いてコーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングし、次に、前記ワーク・ピースを前記真空室内に保持したまま、前記ワーク・ピースから材料をエッチングし、材料を前記ワーク・ピースの上に付着させ、または前記ワーク・ピースの像を形成するために、前記荷電粒子ビームを使用して前記ワーク・ピースを処理し、スパッタ・コーティングが、荷電粒子ビーム処理中にワーク・ピースの表面上のフィーチャを保護することとを備える方法。 - コーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングすることが、ウエハや他のワーク・ピースの表面全体よりも小さいウエハや他のワーク・ピースの一部の上にコーティングをスパッタリングすることを含む請求項10に記載の方法。
- コーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングすることが、源から前記ワーク・ピースの上に材料をスパッタリングするために、イオン・ビームをスパッタリング材料源に向けることを含む請求項10に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビームを使用して前記ワーク・ピースを処理することが、前記ワーク・ピースの形状を変化させるために、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けることを含む請求項10に記載の方法。
- 前記ワーク・ピースの前記形状を変化させるために、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けることが、断面を暴露させるために前記ワーク・ピースをミリングすることを含む請求項12に記載の方法。
- 走査電子顕微鏡法を使用して前記断面の像を形成するために、電子ビームを暴露断面に向けることをさらに備え、前記ワーク・ピースが、スパッタリングし、前記荷電粒子ビームによって処理し、および前記電子ビームを向けるために、同じ真空室に留まる請求項14に記載の方法。
- 前記ワーク・ピースの前記形状を変化させるために、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けることが、サンプルを前記ワーク・ピースから抽出するために、前記ワーク・ピースをミリングすることを含む請求項13に記載の方法。
- コーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングすることが、前記源から前記ワーク・ピースの上に材料をスパッタリングするためにプラズマを使用することを含む請求項10に記載の方法。
- 請求項10に記載のステップを実施するコンピュータ命令を記憶するメモリを含む荷電粒子システム。
- 荷電粒子源と、
真空室内に配置されたワーク・ピースを処理するために、荷電粒子を集束ビームまたは成形ビームに形成するための荷電粒子ビーム光学構成要素と、
異なる材料をスパッタリングするための、真空室内に配置された複数のスパッタ材料源と、
荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けずに、前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの上に材料をスパッタリングして前記ワーク・ピースの上にコーティングを形成するために前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることができ、前記荷電粒子ビーム源と前記ワーク・ピースとの間にある第1位置と、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに衝突するように向けることを可能にするために、前記スパッタ材料源がビーム経路にない第2位置とに前記スパッタ材料源を移動させるためのマニピュレータと、
前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの領域に材料をスパッタリングして、ワーク・ピースの前記領域の上に保護層を形成するために、前記荷電粒子ビームを前記荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向け、それにより前記ワーク・ピースに対する損傷を回避するステップと、前記保護層が形成された後に、前記ワーク・ピースの像を処理または形成するために、前記ワーク・ピースの前記領域に前記荷電粒子ビームを向けるステップと、を実行するためのコンピュータ命令を格納するメモリと、
を備える荷電粒子ビーム・システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77339606P | 2006-02-15 | 2006-02-15 | |
US60/773,396 | 2006-02-15 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007250529A JP2007250529A (ja) | 2007-09-27 |
JP2007250529A5 true JP2007250529A5 (ja) | 2010-04-02 |
JP5600371B2 JP5600371B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=37943762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007031474A Active JP5600371B2 (ja) | 2006-02-15 | 2007-02-13 | 荷電粒子ビーム処理のための保護層のスパッタリング・コーティング |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7675049B2 (ja) |
EP (2) | EP2209047B1 (ja) |
JP (1) | JP5600371B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008171800A (ja) | 2006-10-31 | 2008-07-24 | Fei Co | 荷電粒子ビーム処理用保護層 |
JP5105357B2 (ja) * | 2007-11-01 | 2012-12-26 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 欠陥認識方法、欠陥観察方法、及び荷電粒子ビーム装置 |
EP2151848A1 (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-10 | FEI Company | Method of machining a work piece with a focused particle beam |
NL2004888A (en) * | 2009-06-29 | 2010-12-30 | Asml Netherlands Bv | Deposition method and apparatus. |
JP5595054B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-09-24 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 電子顕微鏡及び試料分析方法 |
US20110223317A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | United Technologies Corporation | Direct thermal stabilization for coating application |
US9187815B2 (en) * | 2010-03-12 | 2015-11-17 | United Technologies Corporation | Thermal stabilization of coating material vapor stream |
US8912490B2 (en) | 2011-06-03 | 2014-12-16 | Fei Company | Method for preparing samples for imaging |
US8859963B2 (en) | 2011-06-03 | 2014-10-14 | Fei Company | Methods for preparing thin samples for TEM imaging |
US9041793B2 (en) * | 2012-05-17 | 2015-05-26 | Fei Company | Scanning microscope having an adaptive scan |
EP2765591B1 (en) | 2013-02-08 | 2016-07-13 | FEI Company | Sample preparation stage |
EP2787523B1 (en) | 2013-04-03 | 2016-02-10 | Fei Company | Low energy ion milling or deposition |
EP2811506B1 (en) | 2013-06-05 | 2016-04-06 | Fei Company | Method for imaging a sample in a dual-beam charged particle apparatus |
US10186397B2 (en) * | 2013-11-11 | 2019-01-22 | Howard Hughes Medical Institute | Workpiece holder for workpiece transport apparatus |
EP3249676B1 (en) | 2016-05-27 | 2018-10-03 | FEI Company | Dual-beam charged-particle microscope with in situ deposition functionality |
FR3080947B1 (fr) | 2018-05-02 | 2021-02-19 | Centre Nat Rech Scient | Microscope electronique en transmission equipe d'au moins une source de jet de matiere balistique |
DE102020112220B9 (de) * | 2020-05-06 | 2022-05-25 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlgerät zum Abtragen mindestens eines Materials von einer Materialeinheit und Anordnen des Materials an einem Objekt |
US11749496B2 (en) * | 2021-06-21 | 2023-09-05 | Fei Company | Protective shutter for charged particle microscope |
US20240062990A1 (en) * | 2022-08-18 | 2024-02-22 | Applied Materials Israel Ltd. | Enhanced deposition rate by thermal isolation cover for gis manipulator |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54124879A (en) | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ion beam deposition |
US4639301B2 (en) | 1985-04-24 | 1999-05-04 | Micrion Corp | Focused ion beam processing |
US5188705A (en) | 1991-04-15 | 1993-02-23 | Fei Company | Method of semiconductor device manufacture |
JPH0620639A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工用ガスノズル |
US5429730A (en) | 1992-11-02 | 1995-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of repairing defect of structure |
JP3117836B2 (ja) | 1993-03-02 | 2000-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム装置 |
US5435850A (en) | 1993-09-17 | 1995-07-25 | Fei Company | Gas injection system |
DE4340956C2 (de) | 1993-12-01 | 2002-08-22 | Advantest Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe |
JPH08171882A (ja) * | 1994-12-19 | 1996-07-02 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置および試料前処理方法 |
US5916424A (en) * | 1996-04-19 | 1999-06-29 | Micrion Corporation | Thin film magnetic recording heads and systems and methods for manufacturing the same |
US5851413A (en) | 1996-06-19 | 1998-12-22 | Micrion Corporation | Gas delivery systems for particle beam processing |
JP4279369B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2009-06-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の加工方法 |
US6188068B1 (en) * | 1997-06-16 | 2001-02-13 | Frederick F. Shaapur | Methods of examining a specimen and of preparing a specimen for transmission microscopic examination |
JPH11154479A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Hitachi Ltd | 2次電子画像検出方法及びその装置並びに集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置 |
JP2000035391A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Seiko Instruments Inc | 薄片化加工時の試料歪除去方法 |
JP2000260383A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
JP4137317B2 (ja) | 1999-10-07 | 2008-08-20 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 微小立体構造物、その製造方法及びその製造装置 |
EP1210723B1 (en) | 2000-01-21 | 2009-03-18 | Fei Company | Shaped and low density focused ion beams |
DE60144508D1 (de) * | 2000-11-06 | 2011-06-09 | Hitachi Ltd | Verfahren zur Herstellung von Proben |
WO2002044079A1 (fr) | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Seiko Instruments Inc. | Procédé et dispositif de fabrication de structure tridimensionnelle ultra-fine |
US6646259B2 (en) * | 2001-03-20 | 2003-11-11 | United Microelectronics Corp. | Method of sample preparation for transmission electron microscope analysis |
JP5246981B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2013-07-24 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料加工方法及びイオンビーム装置 |
US6753538B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-06-22 | Fei Company | Electron beam processing |
JP3916541B2 (ja) * | 2002-09-27 | 2007-05-16 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 透過型電子顕微鏡 |
US6783637B2 (en) | 2002-10-31 | 2004-08-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | High throughput dual ion beam deposition apparatus |
CN100458712C (zh) | 2002-11-12 | 2009-02-04 | Fei公司 | 缺陷表征系统及方法以及缺陷分析系统 |
JP4550801B2 (ja) | 2003-01-16 | 2010-09-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | マスクを修復するための電子ビーム処理 |
EP1515360B1 (en) | 2003-06-13 | 2011-01-19 | Fei Company | Method and apparatus for manipulating a microscopic sample |
US6926935B2 (en) | 2003-06-27 | 2005-08-09 | Fei Company | Proximity deposition |
DE10362116B4 (de) | 2003-09-17 | 2008-08-28 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Verfahren zur Präparation einer Probe für elektronenmikroskopische Untersuchungen, sowie dabei verwendeter Greifer |
US7601246B2 (en) * | 2004-09-29 | 2009-10-13 | Lam Research Corporation | Methods of sputtering a protective coating on a semiconductor substrate |
-
2007
- 2007-02-13 JP JP2007031474A patent/JP5600371B2/ja active Active
- 2007-02-14 EP EP10159048.7A patent/EP2209047B1/en active Active
- 2007-02-14 EP EP07102322A patent/EP1821146A1/en not_active Ceased
- 2007-02-14 US US11/706,053 patent/US7675049B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007250529A5 (ja) | ||
JP5600371B2 (ja) | 荷電粒子ビーム処理のための保護層のスパッタリング・コーティング | |
US8835880B2 (en) | Charged particle-beam processing using a cluster source | |
JP2010230672A (ja) | 試料をミリングしながら像を生成する方法 | |
TWI768001B (zh) | 帶電粒子束裝置以及試樣加工方法 | |
JP2016008971A (ja) | 対称なfib堆積物を作り出す方法およびシステム | |
JP4988327B2 (ja) | イオン注入装置 | |
US20050072668A1 (en) | Sputter target having modified surface texture | |
CN112654729A (zh) | 具有薄的高纯度涂层的溅射捕集器及其制造方法 | |
US9263306B2 (en) | Protective layer for charged particle beam processing | |
CN113403572A (zh) | 一种带电粒子束处理工件的方法与设备 | |
US8314403B2 (en) | Gas field ion source with coated tip | |
US10832918B2 (en) | Method for removal of matter | |
JP2018522135A (ja) | 多層堆積装置及び方法 | |
JP2005113267A (ja) | 表面構造が改良されたスパッタターゲット及びその製造方法 | |
CN106736990A (zh) | 一种非球面离子束成型装置及方法 | |
JP5558020B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP7214262B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、試料加工方法 | |
JP6569900B2 (ja) | スパッタリング装置および成膜方法 | |
Macak et al. | Internal structure of TiAlN/VN coating deposited on sharp edges by ion-assisted physical vapor deposition | |
JP2008106311A (ja) | コーティング装置及びコーティング方法 | |
Kim et al. | Study on the ion-beam etching process to remove the oxide layer in the cold-rolled steel production process | |
JP2017155282A (ja) | 成膜装置、プラテンリング |