JP2000260383A

JP2000260383A - 荷電粒子ビーム装置

Info

Publication number: JP2000260383A
Application number: JP11064411A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Sakaguchi; 口清志坂
Original assignee: Jeol Ltd
Current assignee: Jeol Ltd
Priority date: 1999-03-11
Filing date: 1999-03-11
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ターゲット上の帯電を中和することを目的と
する。【解決手段】ホストコンピュータは、設定されたター
ゲットの種類とモードの組み合わせに対応した主ビーム
電流と中和ビーム電流の比に基づいて、中和ビーム電流
値を決定し、決定した中和ビーム電流値に対応した指令
信号を中和銃制御部２９へ送る。又、スポット径決定の
関係式に基づいて中和ビームスポット径を決定し、決定
した中和ビームスポット径に対応した指令信号を中和銃
制御部２９へ送る。又、ホストコンピュータから中和ビ
ームオン，オフ指令信号が中和銃制御部２９に送られ
る。中和銃制御部２９は、前記ターゲット６上に照射さ
れる電子ビームの電流量が決定された電流値になるよう
に電子銃２６を制御し、又、電子ビームのターゲット６
上でのスポット径が決定された大きさになるように集束
レンズ２４のレンズ強度を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、中和銃を備えた荷電粒
子ビーム装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】集束イオンビーム（ＦＩＢ−Focused Io
n Beam）装置は、イオン源からのイオンビームを細く集
束し、ターゲットに照射して該ターゲットをエッチング
等により加工等を行う装置である。

【０００３】この様なＦＩＢ装置は、マイクロマシン加
工はもとより、半導体デバイスの不良解析や透過電子顕
微鏡試料の作成等に利用されている。

【０００４】最近、この様なＦＩＢ装置と走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）装置とを組み合わせたＦＩＢ／ＳＥＭ装
置が注目を浴びており、ＦＩＢ装置で、例えば、エッチ
ング加工したターゲットをＳＥＭ装置観察する様にして
いる。

【０００５】図１はこの様なＦＩＢ／ＳＥＭ装置の１概
略例を示したものである。

【０００６】図中１はＦＩＢのカラム、２はＳＥＭのカ
ラムである。ＦＩＢカラム１の中には、イオン銃３と、
イオン銃３から発生し加速されたイオンビームを集束す
る集束レンズ４，対物レンズ５，イオンビームによりタ
ーゲット６上を２次元的に走査するためにイオンビーム
を偏向させる偏向器７が設けられている。前記イオン銃
３から発生したイオンビームは、集束レンズ４及び対物
レンズ５によってターゲット６上に細く集束されると共
に、偏向器７によってターゲット上を走査するように構
成されている。尚、図中８はブランカー、９はブランカ
ー用絞りである。

【０００７】これらのイオン銃３，集束レンズ４，対物
レンズ５，偏向器７及びブランカー８はＦＩＢ制御部１
０によって制御される。例えば、試ターゲット６上に照
射されるイオンビームの電流量を変化させる場合には、
例えば、イオン銃３からのイオンビーム発生量を制御す
る。又、イオンビームのターゲット６上でのスポット径
を変化させるには、例えば、集束レンズ４及び対物レン
ズ５のレンズ強度を制御してイオンビームの集束度合い
を制御する。又、イオンビームのターゲット６上への照
射オン，オフはブランカー８の制御により行う。又、タ
ーゲット６上のイオンビームによる走査は偏向器７によ
って制御される。

【０００８】前記ＳＥＭカラム２の中には、電子銃１１
と、電子銃１１から発生した電子ビームを集束する集束
レンズ１２，対物レンズ１３，電子ビームによりターゲ
ット６上を２次元的に走査するために電子ビームを偏向
させる偏向器１４が設けられている。前記電子銃１１か
ら発生した電子ビームは、集束レンズ１２及び対物レン
ズ１３によってターゲット６上に細く集束されると共
に、偏向器１４によってターゲット上を走査するように
構成されている。尚、図中１５はブランカー、１６はブ
ランカー用絞りである。

【０００９】これらの電子銃１１，集束レンズ１２，対
物レンズ１３，偏向器１４及びブランカー１６はＳＥＭ
制御部１７によって制御される。例えば、試ターゲット
６上に照射される電子ビームの電流量を変化させる場合
には、例えば、電子銃１１からの電子ビーム発生量を制
御する。又、電子ビームのターゲット６上でのスポット
径を変化させるには、例えば、集束レンズ１２及び対物
レンズ１３のレンズ強度を制御して電子ビームの集束度
合いを制御する。又、イオンビームのターゲット６上へ
の照射オン，オフはブランカー１５の制御により行う。
又、ターゲット６上のイオンビームによる走査は偏向器
１４によって制御される。

【００１０】尚、前記ＳＥＭ制御部１７とＦＩＢ制御部
１０はホストコンピュータ１８によってコントロールさ
れる。

【００１１】１９は２次電子検出器で、ターゲツト６上
への電子ビーム或いはイオンビーム照射により該ターゲ
ットから発生した２次電子は、ホストコンピュータ１８
を介して陰極線管２０に供給される。

【００１２】２１はターゲットを載置したステージで、
ステージ制御部２２により、水平方向の２次元移動，回
転，傾斜が出来るように構成されている。前記ステージ
制御部２２は前記ホストコンピュータ１８によってコン
トロールされる。

【００１３】この様なＦＩＢ／ＳＥＭ装置において、例
えば、ＦＩＢによりターゲット６が加工される。この加
工は、イオン銃３からイオンビームを発生させ、該イオ
ンビームを集束レンズ４，対物レンズ５によりターゲッ
ト上６上に細く集束すると共に、偏向器７によりターゲ
ット上をライン状に走査させる。同時に、該ライン方向
に直交する方向にステージ２１を移動させる。この走査
と移動の結果、ターゲット６上の所定の範囲にイオンビ
ーム加工に基づく穴が開けられる。次に、ＳＥＭカラム
２から電子ビームを該加工した穴の断面に照射して該断
面部分を２次元的に走査する。該走査に基づいて発生し
た２次電子は２次電子検出器１９によって検出される。
この検出信号は陰極線管２０に供給されることから、前
記穴の断面部分の走査電子顕微鏡像が得られる。尚、イ
オンビーム加工に基づく穴が開けられた後、ＦＩＢカラ
ム１からのイオンビームを、ターゲット６が加工しない
程度の強度にしてターゲット６上を二次元的に走査し、
ターゲット６から発生した２次電子を２次電子検出器１
９で検出して陰極線管２０上にイオンビーム照射による
二次電子像を得るようにしても良い。又、２次イオン検
出器（図示せず）を設け、イオンビーム走査によりター
ゲット６から発生した２次イオンを検出し、前記陰極線
管２０、或いは別に設けた陰極線管（図示せず）上に二
次イオン象を得るようにしても良い。

【００１４】さて、前記説明した様なＦＩＢ／ＳＥＭ装
置において、ターゲット６が絶縁物試料の場合や、導電
物であっても電気的に孤立している試料の場合、ＦＩＢ
カラム１からのイオンビームによりターゲット６が帯電
する事がある。そこで、この様なＦＩＢ／ＳＥＭ装置に
は中和銃２３が設けられており、ここからの電子ビーム
をターゲット６に照射して帯電を中和させている。

【００１５】尚、ターゲットへ照射される主ビームのイ
オンビームを仮にプラスイオンに限定して考えた場合、
そのイオンビーム量とターゲットから発生する２次電子
量の関係により、ターゲットの帯電状態が異なる。即
ち、イオンビーム量が２次電子量より多ければ、プラス
に帯電し、少なければマイナスに帯電する。一方、ター
ゲットへ照射される主ビームの電子ビームの量がターゲ
ットから発生する２次電子量より多ければ、ターゲット
はマイナスに帯電し、少なければプラスに帯電する。従
って、中和銃が前記中和銃２３の様に電子ビームを発生
するものであれば、主ビームがイオンビームの場合で
も、電子ビームの場合でも、共に、ターゲットがプラス
に帯電した場合に有効である。仮に、中和銃として正イ
オンビームを発生するものを使用すれば、逆に、ターゲ
ットがマイナスに帯電した場合に有効である。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】所で、前記ＦＩＢ／Ｓ
ＥＭ装置やＦＩＭ単独の装置（ＦＩＢ装置）に設けられ
ている中和銃２３は、そこからの電子ビーム電流値は固
定であり、且つ、該電子ビームのターゲット６上でのス
ポット径も固定になるように構成されている。従って、
中和銃２３からの電子ビームをターゲット６に照射して
いる時に、その電子ビームの電流値が完全な帯電中和を
達成するための電流値を上回ると、その差分に応じた２
次電子が２次電子検出器に検出されてしまう。その為
に、ＳＥＭ装置による２次電子像のコントラストが低下
して像質が低下してしまう。又、イオンビーム走査に基
づく２次電子像或いは２次イオン像を得る場合も同様に
画質が低下する。尚、場合によっては、２次電子検出器
１９の２次電子検出量が飽和してしまい、該検出器の寿
命が短く成る。

【００１７】又、この時、中和銃２３からの電子ビーム
のターゲット６上でのスポット径がＦＩＢカラム１から
のイオンビームのターゲット６上の走査領域より遙かに
大きい場合にも前記の様な問題が発生する。又、場合に
よっては（中和銃２３からの電子の加速値が大きい場
合）、新たに負に帯電する箇所が発生することもある。

【００１８】そこで、ＦＩＢカラム１からのイオンビー
ムによる各ライン走査の間に中和銃２３の電子ビーム照
射をオンの状態にする、即ち、イオンビームの走査と中
和銃からの電子ビーム照射を交互に行い、且つ、電子ビ
ーム照射時は２次電子検出器１９をオフの状態にしてい
る。

【００１９】しかし、この方式は、イオンビームのライ
ン走査間に適当な帰線期間を設け、その帰線期間にのみ
電子ビームを照射させる方式のため、ＦＩＢカラム１の
偏向器７に偏向信号を供給する偏向回路（図示せず）を
含む偏向系が構造的に複雑化し、コストの上昇を招く。
又、ＦＩＢによる加工時間の大幅な増大、及び２次電子
像若しくは２次イオン像取得までの時間の増大を発生す
る。

【００２０】又、イオン化ラム１からのイオンビーム電
流が小さい場合には、オペレータが２次電子像若しくは
２次イオン像の像質を見て、中和銃２３からの電子ビー
ム照射をオフの状態にするかどうか判断している。

【００２１】しかし、オペレータのこの様な判断は大変
厄介なものである。

【００２２】尚、中和銃２３からの電子ビームのターゲ
ット６上でのスポット径がＦＩＢカラム１からのイオン
ビームのターゲット６上の走査領域より遙かに大きい場
合に対しては何ら対策がうたれていない。

【００２３】本発明はこの様な問題を解決することを目
的としたものである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の荷電粒子ビー
ム装置は、ターゲット上へ荷電粒子ビームを照射するこ
とにより目的の作業を行うように成しており、前記ター
ゲット上に帯電した電荷を中和するための中和用ビーム
を発生する中和銃を備えた荷電粒子ビーム装置におい
て、予め設定された比に基づいて作業用荷電粒子ビーム
の電流値と中和用ビームの電流値とが連動して変えられ
るように成したことを特徴とする。本発明の荷電粒子ビ
ーム装置は、ターゲット上へ荷電粒子ビームを照射する
ことにより目的の作業を行うように成しており、前記タ
ーゲット上に帯電した電荷を中和するための中和用ビー
ムを発生する中和銃を備えた荷電粒子ビーム装置におい
て、ターゲットの種類と作業の種類の組み合わせ毎に予
め設定されている作業用荷電粒子ビーム電流値と中和用
ビーム電流値の比に基づいて、作業用荷電粒子ビームの
電流値と中和用ビームの電流値とが連動して変えられる
ように成したことを特徴とする。

【００２５】本発明の荷電粒子ビーム装置は、ターゲッ
ト上へ荷電粒子ビームを照射することにより目的の作業
を行うように成しており、前記ターゲット上に帯電した
電荷を中和するための中和用ビームを発生する中和銃を
備えた荷電粒子ビーム装置において、予め設定された関
係に基づいて作業用荷電粒子ビームの照射範囲と中和用
ビームの照射範囲とが連動して変えられるように成した
ことを特徴とする。

【００２６】本発明の荷電粒子ビーム装置は、ターゲッ
ト上へ荷電粒子ビームを照射することにより目的の作業
を行うように成しており、前記ターゲット上に帯電した
電荷を中和するための中和用ビームを発生する中和銃を
備えた荷電粒子ビーム装置において、予め設定された比
に基づいて作業用荷電粒子ビームの電流値と中和用ビー
ムの電流値とが連動して変えられるように成しており、
且つ、予め設定された関係に基づいて作業用荷電粒子ビ
ームの照射範囲と中和用ビームの照射範囲とが連動して
変えられるように成したことを特徴としてい。

【００２７】本発明の荷電粒子ビーム装置は、ターゲッ
ト上へ荷電粒子ビームを照射することにより目的の作業
を行うように成しており、前記ターゲット上に帯電した
電荷を中和するための中和用ビームを発生する中和銃を
備えた荷電粒子ビーム装置において、ターゲットの種類
と作業の種類の組み合わせ毎に予め設定されている作業
用荷電粒子ビーム電流値と中和用ビーム電流値の比に基
づいて、作業用荷電粒子ビームの電流値と中和用ビーム
の電流値とが連動して変えられるように成しており、且
つ、予め設定された関係に基づいて作業用荷電粒子ビー
ムの照射範囲と中和用ビームの照射範囲とが連動して変
えられるように成したことを特徴としている。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００２９】図２は本発明に基づく荷電粒子ビーム装置
の一実施例として示したＦＩＢ／ＳＥＭ装置の概略図で
ある。図中前記図１にて使用した番号と同一番号の付さ
れたものは同一構成要素を示す。

【００３０】図中２４は中和銃カラム２５の電子銃２６
からの電子ビームを集束するための集束レンズである。
２７はブランカー、２８はブランカー用絞りである。

【００３１】２９は中和銃制御部で、前記電子銃２６，
集束レンズ２４，ブランカー２７を制御する。例えば、
ターゲット６上に照射される電子ビームの電流量を変化
させる場合には、例えば、電子銃２６からの電子ビーム
発生量を制御する。又、電子ビームのターゲット６上で
のスポット径を変化させるには、例えば、集束レンズ２
４のレンズ強度を制御して電子ビームの集束度合いを制
御する。又、電子ビームのターゲット６上への照射オ
ン，オフはブランカー２７の制御により行う。この中和
銃制御部２９はホストコンピュータ１８によってコント
ロールされる。

【００３２】このホストコンピュータ１８は、例えば、
主ビームの種類，主ビームの走査の種類及び主ビームの
作業内容の組み合わせによる次のＡ〜Ｆの６つのモード
が認識されるようになっている。

【００３３】Ａ．イオンビームによる観察を行うための
ラスター走査Ｂ．イオンビームによる観察を行うためのＴＶ走査Ｃ．イオンビームによるミリングを行うためのミリング
走査Ｄ．イオンビームによるデポジションを行うためのでポ
ジション走査Ｅ．電子ビームによる観察を行うためのラスター走査Ｆ．電子ビームによる観察を行うためのＴＶ走査又、このホストコンピュータ４８には、このＦＩＢ／Ｓ
ＥＭ装置で使用されるターゲットの具体的な種類が認識
されるようになっている。

【００３４】更に、このホストコンピュータ１８の演算
部には、選択されたターゲットの種類と選択されたモー
ドの組み合わせによる主ビームのビーム電流値と中和銃
のビーム電流値の比が設定されている。即ち、予め、こ
のＦＩＢ／ＳＥＭ装置で使用が考えられるターゲットの
種類とモードの組み合わせ各々について各作業内容に対
応する実験を行う。この実験では主ビームの電流値と中
和銃のビーム電流値を種々可変して行う。そして、その
可変の都度、２次電子検出器１９に検出される２次電子
に基づく像を陰極線管２０で観察し、該観察に基づいて
大凡完全中和に近い時の主ビームの電流値と中和銃のビ
ーム電流値の比を求める。尚、中和銃カラム２５からの
電子ビームをターゲット６に照射した時に、その電子ビ
ームの電流値が帯電中和のための電流値を上回ると、そ
の差分に対応した分の電子の一部が２次電子検出器１９
に検出され、その為に２次電子像の像質が低下すること
は前に説明した。逆に、中和銃カラム２５からの電子ビ
ームの電流値が帯電中和のための電流値を下回る、即
ち、主ビームの帯電量が中和量を上回っている場合に
は、主ビームがターゲット上の帯電電荷のために曲げら
れ、所定箇所以外の箇所に当たってしまい、それにより
発生した２次電子が２次電子検出器１９に入るので、同
じ様に、ＳＥＭ装置による２次電子像の像質が低下す
る。従って、完全中和に近いか否かは、例えば、２次電
子像を観察することにより確かめられる。

【００３５】又、前記ホストコンピュータ１８の演算部
には、主ビームのターゲット６上の照射領域（例えば、
ターゲット上表面上のＸ方向の寸法とＹ方向の寸法）に
対する中和カラム２５からの電子ビームのターゲット上
でのビーム径の関係が設定されている。即ち、中和カラ
ム２５からの電子ビームのターゲット６上でのスポット
半径をＲ、前記主ビームのターゲット６上での照射領域
の長辺の寸法をＬとすると、Ｒ＝（Ｌ／２）×１．５の
関係式が設定されている。この式に基づいたスポット径
の中和ビームをターゲット上に照射すれば、主ビームの
照射領域を僅かに上回る程度にカバーすることが可能と
なる。尚、中和ビームの照射領域が主ビームの照射領域
を遙かに上回ると従来の問題と同じ問題が発生し、中和
ビームの照射領域が主ビームの照射領域を下回ると、タ
ーゲット上での帯電が残ってしまうので、中和ビームの
照射領域が主ビームの照射領域を僅かに上回る程度のカ
バーできればよい。従って、前記関係式中の乗数は１．
５に限定されず、この値を僅かに下回た値が選択されて
も、多少越えた値が選択されても構わない。

【００３６】この様な構成のＦＩＢ／ＳＥＭ装置におい
て、ＦＩＢ／ＳＥＭ装置の動作の進行内容、ターゲット
の種類、モードの種類、イオンビーム電流、イオンビー
ムの照射領域等がプログラミングされたプログラムに従
ってホストコンピータ１８が作動する。該ホストコンピ
ュータの演算部では、設定されたターゲットの種類とモ
ードの組み合わせに対応した主ビーム電流と中和ビーム
（電子ビーム）電流の比に基づいて、中和ビーム電流値
を決定し、決定した中和ビーム電流値に対応した指令信
号を中和銃制御部２９へ送る。

【００３７】又、該ホストコンピュータの演算部では、
前記スポット径決定の関係式に基づいて中和ビームスポ
ット径を決定し、決定した中和ビームスポット径に対応
した指令信号を中和銃制御部２９へ送る。

【００３８】又、ホストコンピータ１８からの中和ビー
ムオン，オフ指令信号が中和銃制御部２９に送られる。

【００３９】例えば、ターゲットとしてシリコンが選択
され、モードとしてＤ（イオンビームによるデポジショ
ンを行うためのでポジション走査を行う）が選択された
場合、ターゲット６の上表面の極く近傍周辺に、ガス供
給手段（図示せず）からＳｉ（ＯＣＨ₃）₄ガス（ＴＭＯ
Ｓと称す）が導入される。そして、イオン銃３からイオ
ンビームを発生させ、該イオンビームを集束レンズ４，
対物レンズ５によりターゲット上６上に細く集束すると
共に、偏向器７によりターゲット上を二次元的に走査さ
せる。

【００４０】この際、ホストコンピュータ１８からの指
令を受けたＦＩＢ制御部１０は、イオン銃３からのイオ
ンビーム電流を、例えば、１００ｐＡに成るようイオン
銃をコントロールする。又、ターゲット６上のイオンビ
ームによる走査範囲の寸法がＸａ×Ｙａになるような
Ｘ，Ｙ走査信号を偏向器７に供給する。

【００４１】又、前記ホストコンピュータ１８の演算部
は、シリコンとモードＤの組み合わせに対し設定されて
いる主ビーム電流値と中和銃ビーム電流の比（例えば、
４：１）に基づいて、中和銃ビームの電流値を決定する
（例えば、４００ｐＡ）。次に、中和銃ビームのターゲ
ット上でのスポット半径を、主ビームによる走査範囲
（Ｘａ×Ｙａ）の長い方の寸法（例えばＸａとする）の
１／２の１．５倍に決定する。この様に決定された中和
銃ビーム電流値とビームスポット径に対応した指令信号
が前記中和銃制御部２９に送られると、該中和銃制御部
２９は、前記ターゲット６上に照射される電子ビームの
電流量が決定された電流値になるように電子銃２６を制
御する。又、電子ビームのターゲット６上でのスポット
径が前記決定された大きさになるように集束レンズ２４
のレンズ強度を制御する。

【００４２】この結果、ＦＩＢカラム１からのイオンビ
ームはターゲット６上を所定の範囲走査すると同時に、
中和銃カラム２５からの電子ビームは該ターゲット上前
記所定の範囲を僅かに上回る範囲を、前記決定されたビ
ーム電流強度で照射する。従って、ターゲット６上には
帯電が殆ど起きない状態において、イオンビームにより
ＣＨ₃成分が飛ばされ、ターゲット６上の所定の範囲に
イオンビーム照射によるＳｉｏ２膜が形成される。

【００４３】この様な膜生成の後、該膜を観察する場
合、例えば、モードＢ（イオンビームによる観察を行う
ためのＴＶ走査）が選択される。すると、イオンビーム
電流値と中和銃ビームの電流値が、該選択したターゲッ
トとモードの組み合わせに対して設定されている比に基
づいてコントロールされる。この状態において、ＦＩＢ
カラム１のイオンビームによりターゲット６上の所定の
範囲が走査され、該走査により検出器１９に検出された
２次電子に基づいた２次電子像が陰極線管２０上に得ら
れる。もし、二次イオン検出器が設けられていれば、陰
極線管２０上に二次イオン象を得ることもできる。

【００４４】又、モードＥ（電子ビームによる観察を行
うためのラスター走査）が選択されると、ＳＥＭカラム
２の電子ビーム電流値と中和銃ビームの電流値が選択さ
れたターゲットとモードの組み合わせに対し設定されて
比に基づいてコントロールされる。この状態において、
ＳＥＭカラム２の電子ビームによりターゲット６上の所
定の範囲が走査され、該走査により検出器１９に検出さ
れた２次電子に基づいた２次電子像が陰極線管２０上に
得られる。

【００４５】尚、前記実施例ではＦＩＢ／ＳＥＭ装置を
例に上げたが、ＦＩＢ単独装置やＳＥＭにも応用可能で
あることは説明するまでもない。但し、ＳＥＭ単独の場
合には中和銃としてはイオンビームを発生するものが適
当と思われる。

【００４６】以上説明したように、中和銃ビームの電流
値を、予め設定されている連動比に基づいて、主ビーム
電流値に連動してコントロールする様になせば、ターゲ
ットの帯電をほぼ完全に中和できる。

【００４７】又、予め、主ビーム電流値と中和銃ビーム
の電流値の比を、ターゲットの種類及び主ビームが行う
作業内容の種類の組み合わせにより、ターゲットがほぼ
完全中和される比を求めておき、実際の作業時、選択さ
れたターゲットと主ビームが行う作業内容の組み合わせ
に対して設定されている比に基づいて、主ビーム電流値
と中和銃ビームの電流値をコントロールしているので、
ターゲットの種類及び主ビームの作業内容に係わらず、
ターゲットの帯電をほぼ完全中和できる。

【００４８】又、中和銃のターゲット上でのスポット径
を、予め設定されている関係式に基づいて、主ビームの
ターゲット上での照射範囲に連動してコントロールする
ように成せば、ターゲットの帯電をほぼ完全に中和でき
る。

【００４９】以上の結果、主ビームのライン走査間に適
当な帰線期間を設けてその帰線期間にのみ中和ビームを
照射させる必要がないので、主ビームを発生するカラム
の偏向系が複雑化せず、コストの上昇を招かない。又、
主ビームによる作業時間の増大、及び２次電子像若しく
は２次イオン像取得までの時間の増大を招かない。

【００５０】又、オペレータが２次電子像若しくは２次
イオン像の像質を見て、中和銃ビーム照射のオフの状態
にするかどうか判断も不要となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の荷電粒子ビーム装置の１例として示し
たＦＩＢ／ＳＥＭ装置の概略例である。

【図２】本発明の荷電粒子ビーム装置の１例として示
したＦＩＢ／ＳＥＭ装置の概略例である。

【符号の説明】

１…ＦＩＢカラム、２…ＳＥＭカラム、３…イオン銃、
４…集束レンズ、５…対物レンズ、６…ターゲット、７
…偏向器、８…ブランカー、９…ブランカー用絞り、１
０…ＦＩＢ制御部、１１…電子銃、１２…集束レンズ、
１３…対物レンズ、１４…偏向器、１５…ブランカー、
１６…ブランカー用絞り、１７…ＳＥＭ制御部、１８…
ホストコンピュータ、１９…２次電子検出器、２０…陰
極線管、２１…ステージ、２２…ステージ制御部、２３
…中和銃、２４…集束レンズ、２５…中和銃カラム、２
６…電子銃、２７…ブランカー、２８…ブランカー用絞
り、２９…中和銃制御部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ターゲット上へ荷電粒子ビームを照射す
ることにより目的の作業を行うように成しており、前記
ターゲット上に帯電した電荷を中和するための中和用ビ
ームを発生する中和銃を備えた荷電粒子ビーム装置にお
いて、予め設定された比に基づいて作業用荷電粒子ビー
ムの電流値と中和用ビームの電流値とが連動して変えら
れるように成したことを特徴とする荷電粒子ビーム装
置。
【請求項２】ターゲット上へ荷電粒子ビームを照射す
ることにより目的の作業を行うように成しており、前記
ターゲット上に帯電した電荷を中和するための中和用ビ
ームを発生する中和銃を備えた荷電粒子ビーム装置にお
いて、ターゲットの種類と作業の種類の組み合わせ毎に
予め設定されている作業用荷電粒子ビーム電流値と中和
用ビーム電流値の比に基づいて、作業用荷電粒子ビーム
の電流値と中和用ビームの電流値とが連動して変えられ
るように成したことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】ターゲット上へ荷電粒子ビームを照射す
ることにより目的の作業を行うように成しており、前記
ターゲット上に帯電した電荷を中和するための中和用ビ
ームを発生する中和銃を備えた荷電粒子ビーム装置にお
いて、予め設定された関係に基づいて作業用荷電粒子ビ
ームの照射範囲と中和用ビームの照射範囲とが連動して
変えられるように成したことを特徴とする荷電粒子ビー
ム装置。
【請求項４】ターゲット上へ荷電粒子ビームを照射す
ることにより目的の作業を行うように成しており、前記
ターゲット上に帯電した電荷を中和するための中和用ビ
ームを発生する中和銃を備えた荷電粒子ビーム装置にお
いて、予め設定された比に基づいて作業用荷電粒子ビー
ムの電流値と中和用ビームの電流値とが連動して変えら
れるように成しており、且つ、予め設定された関係に基
づいて作業用荷電粒子ビームの照射範囲と中和用ビーム
の照射範囲とが連動して変えられるように成したことを
特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】ターゲット上へ荷電粒子ビームを照射す
ることにより目的の作業を行うように成しており、前記
ターゲット上に帯電した電荷を中和するための中和用ビ
ームを発生する中和銃を備えた荷電粒子ビーム装置にお
いて、ターゲットの種類と作業の種類の組み合わせ毎に
予め設定されている作業用荷電粒子ビーム電流値と中和
用ビーム電流値の比に基づいて、作業用荷電粒子ビーム
の電流値と中和用ビームの電流値とが連動して変えられ
るように成しており、且つ、予め設定された関係に基づ
いて作業用荷電粒子ビームの照射範囲と中和用ビームの
照射範囲とが連動して変えられるように成したことを特
徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】前記荷電粒子ビーム装置は、ターゲット
に集束イオンビームを照射する機能と、ターゲットに電
子ビームを照射して走査電子顕微鏡象を観察することが
出来るＳＥＭ機能とを備えたＦＩＢ／ＳＥＭ装置である
前記請求項１〜５に記載の何れかの荷電粒子ビーム装
置。