DE4340956C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe

Info

Publication number
DE4340956C2
DE4340956C2 DE4340956A DE4340956A DE4340956C2 DE 4340956 C2 DE4340956 C2 DE 4340956C2 DE 4340956 A DE4340956 A DE 4340956A DE 4340956 A DE4340956 A DE 4340956A DE 4340956 C2 DE4340956 C2 DE 4340956C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sample
magnetic field
area
processed
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4340956A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4340956A1 (de
Inventor
Juergen Frosien
Dieter Winkler
Hans Zimmermann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to DE4340956A priority Critical patent/DE4340956C2/de
Priority to NL9401925A priority patent/NL194932C/nl
Priority to JP28363194A priority patent/JP3230180B2/ja
Priority to US08/342,743 priority patent/US5637538A/en
Publication of DE4340956A1 publication Critical patent/DE4340956A1/de
Priority to US08/762,423 priority patent/US5885354A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE4340956C2 publication Critical patent/DE4340956C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
    • H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/049—Focusing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31732—Depositing thin layers on selected microareas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3174—Etching microareas
    • H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
    • H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren (gemäß dem Oberbe­ griff des Anspruches 1) sowie eine Vorrichtung (gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruches 6) zur Bearbeitung einer Probe, insbesondere einer integrierten Schaltung.
Es ist bekannt, integrierte Schaltungen, insbesondere Halbleiterschaltungen, nachträglich zu verändern, indem Strukturen, beispielsweise ein Teil einer Leiterbahn, abgetragen oder aufgebracht wird. Die geometrischen Ab­ messungen dieser Veränderungen sind dabei oftmals klei­ ner ein Mikrometer.
Durch Shinji Matsiu, Toshinari Ichihashi und Masanobu, Mito: "Electron beam induced selective etching and de­ position technology", J. Vac. Sci. Technol. B 7 (5), Sep./Oct. 1989, American Vacuum Society, ist ein Ver­ fahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 bekannt. Bei diesem Verfahren wird mit Hilfe eines Elektronen­ strahlgerätes ein zu bearbeitender Bereich einer Probe mit einem Elektronenstrahl abgetastet bzw. gerastert. Dicht über der in einer Probenkammer gehalterten Probe wird mittels einer dünnen Kanüle ein Gas eingeführt, so daß mit Hilfe des Korpuskularstrahles eine chemische Reaktion an dem zu bearbeitenden Bereich stattfindet. Je nachdem welches Gas verwendet wird, kann Material auf die Probe aufgebracht (abgeschieden) bzw. von der Probe abgetragen (geätzt) werden. Zum Aufbringen von Material auf die Probe verwendet man beispielsweise das Gas W(CO)6, wobei sich nach Wechselwirkung mit dem Elektronenstrahl Wolfram als feste Materialschicht auf der Oberfläche anlagert. Zum Abtragen von Material der Probe wird ein Gas verwendet, das nach Wechselwirkung mit dem Korpuskularstrahl mit dem Material der Probe ein flüchtiges Reaktionsprodukt bildet, das anschlie­ ßend abgesaugt wird. Als Gas kommt hierbei beispiels­ weise XeF2 zum Einsatz, wobei das Fluor mit dem Pro­ benmaterial Silizium das flüchtige SiF4 bildet.
Die Proben- bzw. Substratoberfläche wird jedoch nur dort verändert, wo sich Gasteilchen nach Wechselwirkung mit dem Korpuskularstrahl an der Oberfläche anlagern. Die Geschwindigkeit, mit der Material auf die Probe aufgebracht bzw. von der Probe abgetragen wird, hängt von der Anzahl der angelagerten Teilchen pro Fläche und Zeit ab. Diese Teilchendichte wird zum einen durch die Anzahl der mit dem Korpuskularstrahl in Wechselwirkung tretenden Gasteilchen und zum anderen durch den Anteil der Teilchen, die sich schließlich in dem zu bearbei­ tenden Bereich auf der Probe anlagern, bestimmt.
Die Gesamtzahl der pro Zeiteinheit mit dem Korpuskular­ strahl in Wechselwirkung tretenden Gasteilchen ist durch das Gasangebot begrenzt, das sich aufgrund der erforderlichen Vakuumbedingungen nicht beliebig erhöhen läßt. Zudem ist das Elektronenangebot im Elektronen­ strahl durch die vorhandene Elektronenquelle vorgege­ ben. Bei den der Erfindung zugrundeliegenden Versuchen hat sich jedoch gezeigt, daß die chemische Reaktion an der Probenoberfläche nicht nur in dem zu bearbeitenden, durch den Korpuskularstrahl abgetasteten Bereich der Probe, sondern auch in seiner Umgebung stattfindet, siehe Fig. 2.
Aus der EP 0 483 517 A2 ist ebenfalls ein Verfahren zur Bearbeitung einer Probe gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 bekannt. Oberhalb der Probe kann wahlweise ein Magnetfeld erzeugt werden, um die ausgelösten Sekundärelektronen zum Detektor zu führen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das Verfahren gemäß dem Obergriff des Anspruches 1 sowie die Vorrichtung gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruches 6 derart weiterzuentwickeln, daß die Geschwindig­ keit der durch die chemische Reaktion hervorgerufenen Bearbeitung einer Probe in dem zu bearbeitenden Bereich erhöht wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das kennzeich­ nende Merkmal des Anspruches 1 bzw. des Anspruches 6 gelöst. Bei den der Erfindung zugrundeliegenden Versu­ chen hat sich gezeigt, daß durch Anwendung eines Ma­ gnetfeldes im Bereich der Probe eine deutliche Erhöhung der Ätz- und Abscheiderate bei gleichbleibendem Gas- und Elektronenangebot erreicht werden kann. Die Erhö­ hung der Prozeßgeschwindigkeit lag dabei um den Faktor 5.
Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche und werden im folgenden anhand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 eine schematische Ansicht eines Korpuskular­ strahlgerätes mit einer Einrichtung zur Erzeu­ gung eines Magnetfeldes,
Fig. 2a eine schematische Darstellung der Vorgänge im Bereich der Probe ohne Anwendung eines Magnet­ feldes, sowie die sich daraus gegebende Vertei­ lung des sich auf der Probe anlagernden Materi­ als,
Fig. 2b eine Verteilungskennlinie des sich auf der Probe anlagernden Materials,
Fig. 3a eine schematische Darstellung der Vorgänge im Bereich der Probe mit Anwendung eines Magnet­ feldes,
Fig. 3b eine Verteilungskennlinie des sich auf der Probe an­ lagernden Materials,
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines ersten Aus­ führungsbeispiels einer Einrichtung zur Erzeu­ gung eines Magnetfeldes,
Fig. 5 eine schematische Darstellung eines zweiten Aus­ führungsbeispiels einer Einrichtung zur Erzeu­ gung eines Magnetfeldes und
Fig. 6 eine schematische Darstellung eines dritten Aus­ führungsbeispiels einer Einrichtung zur Erzeu­ gung eines Magnetfeldes.
Das in Fig. 1 dargestellte Korpuskularstrahlgerät ent­ hält eine Einrichtung zur Erzeugung eines Korpuskular­ strahles, beispielsweise eine Elektronenquelle 1, eine Kondensorlinse 2, ein Austastsystem 3, eine Apertur­ blende 4, eine Ablenkeinrichtung 5, einen Stigmator 6 sowie eine Objektivlinse 7.
In dieser Anordnung ist ferner ein Sekundärelektronen­ spekrometer integriert, das im wesentlichen eine nicht näher dargestellte Extraktions- sowie Filterelektrode und einen Sekundärelektronendetektor 8 enthält.
Der in der Anordnung fokussierte Elektronenstrahl 9 trifft auf eine zu bearbeitende Probe 10, die in einer evakuierbaren Probenkammer in einer geeigneten Halterung aufgenommen ist. Die nicht näher veranschaulichte Halterung ist vorzugsweise in wenigstens zwei senkrecht zur Strahlrichtung 9 verlaufenden Achsen verschiebbar.
Ferner ist eine Einrichtung 11 zur Zuführung eines Gases vorgesehen, deren Düsenöffnung 11a oberhalb des zu bearbeitenden Bereichs der Probe 10 angeordnet ist.
In diesem Bereich ist ferner eine Einrichtung 12 zur Absaugung von Gasen vorgesehen, deren Funktionsweise noch näher erläutert wird.
Im Bereich der Probe ist schließlich eine Einrichtung 13 zur Erzeugung eines Magnetfeldes vorgesehen.
Anhand der Fig. 2 und 3 wird im folgenden das erfin­ dungsgemäße Verfahren näher erläutert.
In Fig. 2a ist das herkömmliche Verfahren zum Aufbringen von Material auf die Probe 10 dargestellt, wobei ein Gas verwendet wird, durch das sich nach Wechselwirkung mit dem Korpuskularstrahl 9 Material auf der Probe 10 anlagert.
In Fig. 2b ist für dieses Verfahren die Anzahl n der an­ gelagerten Teilchen 15 bzw. die Dicke der angelagerten Materialschicht gegenüber dem Ort x aufgezeigt. Dabei ist deutlich zu erkennen, daß in dem zu bearbeitenden, durch den Elektronenstrahl 9 abgedeckten Bereich a der Probe 10 eine deutlich erhöhte Anlagerung von Material stattfindet. Es ist jedoch auch zu ersehen, daß in den nicht vom Elektronenstrahl 9 abgedeckten Bereichen der Probe 10 dennoch eine nicht unerhebliche Ablagerung von Material erfolgt.
Aus den der Erfindung zugrundeliegenden Versuchen hat sich nun gezeigt, daß sich durch Anwendung eines Ma­ gnetfeldes 14 im Bereich der Probe 10 eine deutliche Steigerung der Anlagerungsrate bei ansonsten gleichen äußeren Bedingungen erreichen läßt, vgl. Fig. 3a und 3b. In den Versuchen wurde dabei eine Steigerungsrate um den Faktor 5 erreicht.
Je nach verwendetem Gas reagieren die sich an der Ober­ fläche der Probe 10 anlagernden Teilchen 15 unterschiedlich. Wird beispielsweise das Gas W(CO)6 verwendet, so kommt es zu einer Anlagerung von Wolfram als feste Materialschicht auf der Probe 10. Wird hinge­ gen beispielsweise XeF2 als Gas verwendet, so bildet das Fluor mit dem Silizium der Probe 10 das flüchtige SiF4. Dieses flüchtige Reaktionsprodukt wird über die Einrichtung 12 zur Absaugung von Gasen (Fig. 1) abge­ saugt. Bei der Verwendung dieses Gases läßt sich somit Material von der Probe abtragen. Für das Abtragen von Material der Probe 10 treffen die Darstellungen und Ausführungen zu den Fig. 2 und 3 gleichfalls zu. Der Un­ terschied besteht lediglich darin, daß die anlagernden Teilchen keine feste Schicht, sondern vielmehr ein flüchtiges Reaktionsprodukt mit dem Probenmaterial bil­ den.
In Fig. 4 ist ein erstes Ausführungsbeispiel einer Ein­ richtung 13 zur Erzeugung eines Magnetfeldes darge­ stellt. Sie kann beispielsweise durch einen Permanent­ magneten oder, wie dargestellt, durch einen Elektroma­ gneten gebildet werden. Im vorliegenden Ausführungsbei­ spiel ist die Probe 10 im Inneren der Einrichtung 13 zur Erzeugung eines Magnetfeldes angeordnet. Der Elektronenstrahl 9 gelangt dabei durch eine zentrale Öff­ nung im oberen Polschuh 13a auf den zu bearbeitenden Bereich der Probe 10. Die Magnetfeldlinien 14a zwischen dem oberen und unteren Polschuh 13a, 13b verlaufen etwa senkrecht zur Oberfläche der Probe 10.
In Fig. 5 ist ein zweites Ausführungsbeispiel einer Ein­ richtung 13' zur Erzeugung eines Magnetfeldes darge­ stellt. Die Einrichtung 13' ist unterhalb der Probe 10 angeordnet und weist einen zentralen Pol 13'a und einen konzentrisch dazu angeordneten äußeren Pol 13'b auf.
Das durch eine derartige Einrichtung erzeugte Magnet­ feld kann neben dem erfindungsgemäßen Verfahren auch für die Fokussierung des Elektronenstrahls 9 eingesetzt werden. In diesem Fall bildet die Einrichtung 13' zur Erzeugung eines Magnetfeldes gleichzeitig eine soge­ nannte "single pole lens".
In Fig. 6 ist schließlich ein drittes Ausführungsbei­ spiel einer Einrichtung 13" zur Erzeugung eines Magnet­ feldes dargestellt, die oberhalb der Probe 10 angeord­ net ist, und einen zentralen Pol 13"a sowie einen kon­ zentrisch dazu angeordneten äußeren Pol 13"b aufweist. Der zentrale Pol 13"a weist eine zentrale Durchführung für den Elektronenstrahl 9 auf.
Auch diese Einrichtung 13" zur Erzeugung eines Magnet­ feldes kann gleichzeitig die Objektivlinse 7 der Fig. 1 bzw. einen Teil derselben bilden.
Die in den Fig. 4 bis 6 dargestellten Einrichtungen zur Erzeugung eines Magnetfeldes sind lediglich beispiel­ haft zu verstehen und können je nach Anwendungsfall auch anders ausgestaltet sein. So kann es insbesondere zweckmäßig sein, das Magnetfeld zusätzlich mit einem elektrischen Feld zu überlagern.

Claims (9)

1. Verfahren zur Bearbeitung einer Probe (10), insbe­ sondere einer integrierten Schaltung, wobei
ein zu bearbeitender Bereich der Probe (10) mit einem Korpuskularstrahl, insbesondere einem Elektro­ nenstrahl (9), abgetastet wird und
oberhalb des zu bearbeitenden Bereiches wenigstens ein Gas zugeführt wird,
so daß mit Hilfe des Korpuskularstrahles eine chemi­ sche Reaktion an dem zu bearbeitenden Bereich statt­ findet,
gekennzeichnet durch die Anwendung eines Magnet­ feldes (14) im Bereich der Probe, so daß die Ge­ schwindigkeit der durch die chemische Reaktion her­ vorgerufenen Bearbeitung der Probe in dem zu bear­ beitenden Bereich erhöht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetfeld (14) in seiner Stärke einstellbar ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die Anwendung eines das Magnetfeld (14) überlagernden elektrischen Feldes.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufbringen von Mate­ rial auf die Probe wenigstens ein Gas verwendet wird, durch das sich nach Wechselwirkung mit dem Korpuskularstrahl Material auf der Probe anlagert.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Abtragen von Mate­ rial der Probe wenigstens ein Gas verwendet wird, durch das nach Wechselwirkung mit dem Korpuskular­ strahl Material von der Probe abgetragen wird.
6. Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe (10), insbesondere einer integrierten Schaltung, enthal­ tend
  • a) eine Einrichtung (1) zur Erzeu­ gung eines Korpuskularstrahles, insbesondere eines Elektronenstrahles,
  • b) eine Einrichtung (11) zur Zuführung eines Gases,
so daß mit Hilfes des Korpuskularstrahles eine che­ mische Reaktion an dem zu bearbeitenden Bereich stattfindet,
gekennzeichnet durch
  • a) eine Einrichtung (13, 13', 13") zur Erzeugung eines, die Geschwindigkeit der chemischen Reak­ tion erhöhendes Magnetfeldes (14) im Bereich der Probe (10).
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Erzeugung eines das Magnetfeld (14) überlagernden, elektrischen Feldes.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7 mit einer Ein­ richtung zur Fokussierung des Korpuskularstrahles (7), dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung (13, 13', 13") zur Erzeugung eines Magnetfeldes (14) wenigstens einen Teil der Einrichtung zur Fokussierung des Korpuskularstrahles bildet.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, ge­ kennzeichnet durch
  • - eine evakuierbare Probenkammer mit einer Halte­ rung zur Aufnahme der Probe (10),
  • - ein Austastsystem (3),
  • - eine Ablenkeinrichtung (5),
  • - eine Einrichtung zur Fokussierung des Korpusku­ larstrahles (7),
  • - eine Einrichtung zur Analyse der Sekundärelek­ tronen mit einem Detektor (8) zum Nachweis von Sekundärelektronen,
  • - eine Einrichtung (12) zum Abführen von Gasen.
DE4340956A 1993-12-01 1993-12-01 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe Expired - Fee Related DE4340956C2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4340956A DE4340956C2 (de) 1993-12-01 1993-12-01 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe
NL9401925A NL194932C (nl) 1993-12-01 1994-11-17 Werkwijze voor het bewerken van een werkstuk en inrichting voor het bewerken van een werkstuk volgens de werkwijze.
JP28363194A JP3230180B2 (ja) 1993-12-01 1994-11-17 試験品処理方式
US08/342,743 US5637538A (en) 1993-12-01 1994-11-21 Method and apparatus for processing a specimen
US08/762,423 US5885354A (en) 1993-12-01 1996-12-09 Method and apparatus for processing a specimen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4340956A DE4340956C2 (de) 1993-12-01 1993-12-01 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4340956A1 DE4340956A1 (de) 1995-06-08
DE4340956C2 true DE4340956C2 (de) 2002-08-22

Family

ID=6503920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4340956A Expired - Fee Related DE4340956C2 (de) 1993-12-01 1993-12-01 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5637538A (de)
JP (1) JP3230180B2 (de)
DE (1) DE4340956C2 (de)
NL (1) NL194932C (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19532100A1 (de) * 1995-08-30 1997-03-06 Leybold Ag Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten
JP3715992B2 (ja) * 1996-09-24 2005-11-16 株式会社日立製作所 荷電粒子線照射装置
EP0969493A1 (de) 1998-07-03 2000-01-05 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Gerät und Verfahren zur Probenuntersuchung mittels Ladungsträgerstrahlen
EP1047104A1 (de) * 1999-04-19 2000-10-25 Advantest Corporation Gerät zur partikelinduzierter Veränderung einer Probe
WO2001003145A1 (en) * 1999-07-02 2001-01-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam
US20050103272A1 (en) 2002-02-25 2005-05-19 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Material processing system and method
DE10208043B4 (de) * 2002-02-25 2011-01-13 Carl Zeiss Nts Gmbh Materialbearbeitungssystem und Materialbearbeitungsverfahren
US6926935B2 (en) * 2003-06-27 2005-08-09 Fei Company Proximity deposition
US7170068B2 (en) * 2005-05-12 2007-01-30 Applied Materials, Israel, Ltd. Method and system for discharging a sample
JP5600371B2 (ja) * 2006-02-15 2014-10-01 エフ・イ−・アイ・カンパニー 荷電粒子ビーム処理のための保護層のスパッタリング・コーティング
JP5384786B2 (ja) * 2006-11-14 2014-01-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電ビーム装置、及びその鏡体
DE102006054695B4 (de) * 2006-11-17 2014-05-15 Carl Von Ossietzky Universität Oldenburg Verfahren zur Regelung nanoskaliger elektronenstrahlinduzierter Abscheidungen
JP2007250542A (ja) * 2007-03-13 2007-09-27 National Institute For Materials Science 微細加工方法
DE102008037944B4 (de) * 2008-08-14 2013-03-21 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD89180A2 (de) * 1970-10-26 1972-04-12 Verfahren und vorrichtung zur erhöhung des Wirkungsgrades von Elektronenbeschleunigern bei der Bestrahlung von Flächengebilden bzw. Folien
DE3235068A1 (de) * 1982-09-22 1984-03-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Varioformstrahl-ablenkobjektiv fuer neutralteilchen und verfahren zu seinem betrieb
EP0130398A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung und Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens
US4605566A (en) * 1983-08-22 1986-08-12 Nec Corporation Method for forming thin films by absorption
US4874460A (en) * 1987-11-16 1989-10-17 Seiko Instruments Inc. Method and apparatus for modifying patterned film
DE4029470C1 (en) * 1990-09-17 1991-05-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De Local gas atmos. generator for vacuum receptacle - has application jet with ID tapering to outlet tip smaller than 100 microns
EP0483517A2 (de) * 1990-10-29 1992-05-06 International Business Machines Corporation Gaszulieferungsvorrichtung für Ionenstrahl-Beaufschlagen und -Ätzen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3551213A (en) * 1968-09-04 1970-12-29 Bell Telephone Labor Inc Geometrically selective ion bombardment by means of the photoelectric effect
US3931517A (en) * 1972-02-14 1976-01-06 American Optical Corporation Field emission electron gun
US4472636A (en) * 1979-11-01 1984-09-18 Eberhard Hahn Method of and device for corpuscular projection
US4394282A (en) * 1980-12-19 1983-07-19 Exxon Research And Engineering Co. Composition for use in a magnetically fluidized bed
JPH02173278A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Hitachi Ltd 微細加工方法及びその装置
DE4102102C2 (de) * 1991-01-25 1995-09-07 Leybold Ag Magnetanordnung mit wenigstens zwei Permanentmagneten sowie ihre Verwendung
US5413663A (en) * 1992-06-11 1995-05-09 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD89180A2 (de) * 1970-10-26 1972-04-12 Verfahren und vorrichtung zur erhöhung des Wirkungsgrades von Elektronenbeschleunigern bei der Bestrahlung von Flächengebilden bzw. Folien
DE3235068A1 (de) * 1982-09-22 1984-03-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Varioformstrahl-ablenkobjektiv fuer neutralteilchen und verfahren zu seinem betrieb
EP0130398A2 (de) * 1983-06-29 1985-01-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung und Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens
US4605566A (en) * 1983-08-22 1986-08-12 Nec Corporation Method for forming thin films by absorption
US4874460A (en) * 1987-11-16 1989-10-17 Seiko Instruments Inc. Method and apparatus for modifying patterned film
DE4029470C1 (en) * 1990-09-17 1991-05-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De Local gas atmos. generator for vacuum receptacle - has application jet with ID tapering to outlet tip smaller than 100 microns
EP0483517A2 (de) * 1990-10-29 1992-05-06 International Business Machines Corporation Gaszulieferungsvorrichtung für Ionenstrahl-Beaufschlagen und -Ätzen

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AKIRA,ISHIBASHI *
et.al.: Electron-beam-induced resist and aluminum formation. In: J.Vac.Sci. Technol.B9,1,Jan/Feb 1991, S.169-172 *
et.al.: Low Energy Focused Ion Beam System and Application to Low Damage Micro- process. In: Japanese Journal of Applied Physics, Vol.29, No.10, Oct. 1990, S.2295-2298 *
J.Vac.Sci. Technol. B7(1989)5, 1182-1190 *
TOSHIHIKO,KOSUGI *

Also Published As

Publication number Publication date
US5885354A (en) 1999-03-23
NL9401925A (nl) 1995-07-03
NL194932B (nl) 2003-03-03
US5637538A (en) 1997-06-10
DE4340956A1 (de) 1995-06-08
JP3230180B2 (ja) 2001-11-19
JPH07192685A (ja) 1995-07-28
NL194932C (nl) 2003-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4340956C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe
EP2313914B1 (de) Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten ätzen
DE602006000278T2 (de) Mehrmaliges Rundfräsen zur Probenherstellung
DE4226694C2 (de) Verfahren zum Separieren eines kleinen Abschnittes einer Probe
DE3118834A1 (de) Verfahren zum bestimmen des endpunktes eines physikalischen aetzprozesses und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE69938583T2 (de) Verdrahtungsänderungen in integrierten schaltungen mittels gas-unterstütztem ätzen mit einem fokussierten ionenstrahl (fib)
DE3856268T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von teilchenbündeln
DE602005000352T2 (de) Methode zur Entnahme einer mikroskopischen Probe von einem Substrat
DE60036376T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur sekundärionenausbeuteerhöhung
DE68928167T2 (de) Bilderzeugung und kontrolle eines prozesses, der einen fokussierten ionenstrahl verwendet
DE10329383B4 (de) Ionenstrahldetektor für Ionenimplantationsanlagen, Faraday-Behälter dafür und Verfahren zur Steuerung der Eigenschaften eines Ionenstrahls mittels des Ionenstrahldetektors
EP0824759A1 (de) Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die elektronenmikroskopie
DE4421517A1 (de) Verfahren zum Abtrag oder Auftrag von Material mittels eines Partikelstrahls und Vorrichtung zu seiner Durchführung
DE102011002583B4 (de) Teilchenstrahlgerät und Verfahren zur Bearbeitung und/oder Analyse einer Probe
DE69625050T2 (de) Verfahren für verbesserte wasserdampf-ladungsteilchenstrahlbearbeitung
DE102015216673A1 (de) Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche
DE112013004612B4 (de) Mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung und Probenpräparationsverfahren
DE69904826T2 (de) Ionenergiedämpfung
DE4420951C2 (de) Einrichtung zum Erfassen von Mikroüberschlägen in Zerstäubungsanlagen
DE19645074A1 (de) Massenspektrometer und verwandtes Verfahren
EP3836188A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur ionenimplantation in wafern
DE2603675A1 (de) Verfahren zur kontrolle des abtragens einer duennen schicht oder durch masken bestimmter schichtbereiche mit hilfe des ionen-aetzens
DE60132788T2 (de) Verfahren und Vorrichtung für lokale Oberflächenanalyse
DE102008013511A1 (de) Vorrichtung zum Bearbeiten und Beobachten von Proben sowie Verfahren zum Bearbeiten und Beobachten von Querschnitten
DE102020122535B4 (de) Verfahren zum Betrieb eines Strahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Strahlgerät zum Durchführen des Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUER H

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: ACT ADVANCED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUER TES

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: ADVANTEST CORP., TOKIO/TOKYO, JP

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee