JP2007242846A5 - - Google Patents

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半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の電源配線方法
本発明は、スタンダードセルが配置されて構成された半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の電源配線方法に関するものである。
近年では、ディジタル回路の高速化や高機能化に伴い、半導体集積回路装置の高速化、高集積化が進んでいる。半導体集積回路装置を高集積化するために、製造プロセスは年々微細化され、それに伴い半導体集積回路装置内で使用される信号配線幅は細くなっている。また、高速化により信号配線に流れる電流量は増大している。このように、信号配線幅が細くなったうえに、電流量も増大すると、半導体集積回路装置内の配線の電流密度が増大し、エレクトロマイグレーションによる配線の切断や短絡が問題となってくる。
一方、半導体集積回路装置の高速化に伴い、半導体集積回路装置内のクロック信号の信号遅延のばらつき(クロックスキュー)を抑えることが重要となってきている。クロックスキューは、同期して動作する2つのフリップフロップのそれぞれ到達するクロック信号の到達時間の差である。クロックスキューが大きいと動作周波数の低下や、さらには回路の誤動作を引き起こす可能性がある。
クロックスキューを低減する技術としては、クロック供給源から、複数段の中継バッファで樹状のクロック供給経路を構成して、フリップフロップにクロックを供給するクロックツリーという手法が用いられる。これはクロック供給源から末端のフリップフロップに至るまでの配線長が等長となるように構成することで、クロックスキューを削減するものである(例えば特許文献1を参照)。
このような、等長配線のクロックツリーにおいても、周りの配線の影響等で配線容量が異なったり、中継バッファが駆動するセルのゲート容量が異なったりすると、クロックツリー部分の遅延によっては、クロックスキューが発生してしまう。そのため、クロックツリー部分の遅延時間をできるだけ小さくすることがクロックスキュー削減には重要である。クロックツリーでは、中継バッファが多数のフリップフロップや長配線を駆動するため、元々駆動する負荷が非常に大きい。したがって、クロックツリー部分の遅延時間を削減するためには、トランジスタサイズを大きくすることが必要となる。
一般にトランジスタサイズを大きくすると、そのトランジスタのソースおよびドレインに流れる電流量が増大する。そのため配線の電流密度が高くなり、電流密度がある閾値を超えるとエレクトロマイグレーションが問題となってくる。電流密度を緩和するには、電源配線幅や信号配線幅を、最も大きな消費電力のスタンダードセルに合わせて広くすることが考えられるが、これらの配線幅を広くすると、信号配線に必要な配線面積が増大して、半導体集積回路装置の面積が増加したり、配線が混雑して信号配線の短絡が発生したりする可能性がでてくる。
これに対しては、例えば配置位置(具体的には電源ストラップからの距離)とグランド配線の最小電流容量に応じて電源配線の幅が異なるスタンダードセルを複数種類用意し、これらのスタンダードセルを組み合わせて、電流密度を緩和しながら面積増加や配線混雑を回避するように構成された半導体集積回路装置がある(例えば特許文献2を参照)。
特開平6−204435号公報 特許第2751742号公報
しかし、配置位置によって電源線の幅を変える半導体集積回路装置が、上記のクロックツリーに対しては、常に有効なエレクトロマイグレーションの防止になるとは限らない。
例えば、等長配線でクロックツリーを構成するために、クロック信号をドライブするスタンダードセルを、電源ストラップ間の中央に配置する場合がある。この場合、中央部のスタンダードセルは、サイズの大きなトランジスタで構成されるにも係わらず、電源線の幅は、電源ストラップ間の中央部では電源線が細くなり、電源線の電流密度が高くなってしまう。
本発明は、上記の問題に着目してなされたものであり、信号配線用の領域をより広く確保しつつ、エレクトロマイグレーションを防止できる半導体集積回路装置を提供すること目的としている。
前記の課題を解決するため、請求項1の発明は、
スタンダードセルが配置されて構成された半導体集積回路装置であって、
第1の電源電位を供給する第1の電源ストラップと、
前記第1の電源ストラップと平行に配置され、第2の電源電位を供給する第2の電源ストラップと、
前記第1の電源ストラップと前記第2の電源ストラップとの間に、これらに平行に配置され、第3の電源電位を供給する第3の電源ストラップと、
前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第1の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第1のスタンダードセルと、
前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第2の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第2のスタンダードセルと、
前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第1の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第1の電源電位を供給する第1のセル電源線と、
前記第2の電源ストラップに直交して、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第2の電源電位を供給する第2のセル電源線と、
前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第3の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第3のセル電源線と、
前記第2の電源ストラップに直交して、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第4のセル電源線とを備え、
前記第2のスタンダードセルは、前記第1のスタンダードセルよりもトランジスタサイズが大きく、
前記第2のセル電源線の幅は、前記第1のセル電源線の幅よりも大きく、
前記第4のセル電源線の幅は、前記第3のセル電源線の幅よりも大きく、
第1の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における前記第1のセル電源線の配線幅、第2の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における前記第2のセル電源線の配線幅、第3の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における前記第3のセル電源線の配線幅、および第3の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における前記第4のセル電源線の配線幅は、それぞれ一定の幅であることを特徴とする。
これにより、スタンダードセルの消費電力に応じてセル電源線の幅が決定され、電位を供給する電源ストラップから電位供給を受けるスタンダードセルまでは、決定された幅のセル電源線で電位が供給されるので、セル電源線の電流密度を下げて、エレクトロマイグレーションを防止しつつ、信号配線用の領域をより広く確保できる。
また、請求項2の発明は、
請求項1の半導体集積回路装置であって、
前記第1の電源ストラップ、第2の電源ストラップ、および第3の電源ストラップは、同じ配線幅で構成され、これらの配線ピッチは等しいことを特徴とする。
これにより、電源ストラップに流れる電流量を平均化することができる。
また、請求項3の発明は、
請求項1の半導体集積回路装置であって、
前記第4のセル電源線の配線幅は、第3のセル電源線の配線幅よりも幅広であり、
前記第3のセル電源線と第4のセル電源線は、同じ配線層に形成され、
前記第3の電源ストラップは、前記第3のセル電源線とは異なる配線層に形成され、
前記第3の電源ストラップと前記第4のセル電源線は、前記第4のセル電源線の配線幅に合わせた個数のコンタクトで接続され、
前記第3のセル電源線は、前記コンタクトを前記第4のセル電源線と共用して、前記第3の電源ストラップと接続されていることを特徴とする。
これにより、コンタクトにおける電流密度を下げることが可能になる。
また、請求項4の発明は、
請求項1の半導体集積回路装置であって、
前記第2のセル電源線は、前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅と前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅とが異なっていることを特徴とする。
また、請求項5の発明は、
請求項4の半導体集積回路装置であって、
前記第4のセル電源線は、前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅と前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅とが異なっていることを特徴とする。
これらにより、電源ストラップ間でセル電源線の幅を変化させることができるので、それによって空いたスペースを他の信号配線のために使用することが可能になる。
また、請求項6の発明は、
請求項1の半導体集積回路装置であって、
前記第2のスタンダードセルは、前記第1のスタンダードセルよりも消費電力が大きいことを特徴とする。
これにより、消費電力の大きなスタンダードセルまでのセル電源線の幅のみが広く構成され、このセル電源線における電流密度を小さくすることができる。
また、請求項7の発明は、
請求項4の半導体集積回路装置であって、
前記第2のスタンダードセルは、第2の電源ストラップと第3の電源ストラップの間に複数個配置されるものであり、
配置される第2のスタンダードセルの1つは、クロック信号を駆動する回路から成るスタンダードセルであり、
他の第2のスタンダードセルは、デカップリングコンデンサから成るスタンダードセルであることを特徴とする。
これにより、クロック信号を駆動するスタンダードセル(クロックセルと呼ぶ)に、デカップリングコンデンサからも電流が供給されるので、クロックセルのような比較的消費電力が大きくなりがちなスタンダードセルに対しても安定に電力を供給できる。
また、請求項8の発明は、
請求項7の半導体集積回路装置であって、
前記デカップリングコンデンサから成るスタンダードセルに、前記第2の電源電位を供給する第2のセル電源線と、前記第3の電源電位を供給する第4のセル電源線とは配線幅が異なっていることを特徴とする。
これにより、例えばデカップリングコンデンサから成るスタンダードセルと第3の電源ストラップの間において、第2のセル電源線の幅を第4のセル電源線よりも狭くできる。すなわち、電源線の幅を狭くすることによって空いたスペースを他の信号配線のために使用することが可能になる。
また、請求項9の発明は、
請求項1の半導体集積回路装置であって、
前記第2のスタンダードセルは、前記第1のスタンダードセルよりも消費電力が大きいものであり、
前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップの間には、1つの第2のスタンダードセルのみが配置されていることを特徴とする。
これにより、1つのスタンダードセルの消費電力のみを考慮すれば、セル電源線の幅を決定できる。
また、請求項10の発明は、
半導体集積回路装置の電源配線方法であって、
第1の電源電位を供給する第1の電源ストラップを配置するステップと、
第2の電源電位を供給する第2の電源ストラップを前記第1の電源ストラップと平行に配置するステップと、
前記第1の電源ストラップと第2の電源ストラップとの間に、第3の電源電位を供給する第3の電源ストラップを、前記第1の電源ストラップと平行に配置するステップと、
前記第1の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第1のスタンダードセルを前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置するステップと、
前記第2の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第2のスタンダードセルを前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置するステップと、
前記第1の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第1の電源電位を供給する第1のセル電源線を、前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、前記第1の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における幅が前記第1のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように配置するステップと、
前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第2の電源電位を供給する第2のセル電源線を、前記第2の電源ストラップに直交して、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、前記第2の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における幅が前記第2のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように、配置するステップと、
前記第3の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第3のセル電源線を、前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、第3の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における幅が前記第1のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように配置するステップと、
前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第4のセル電源線を、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、前記第2の電源ストラップに直交して、第3の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における幅が前記第1のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように配置するステップと、
を有することを特徴とする。
これにより、スタンダードセルの消費電力に応じてセル電源線の幅が決定され、電位を供給する電源ストラップから電位供給を受けるスタンダードセルまでは、決定された幅のセル電源線で電位が供給される半導体集積回路装置が構成される。それゆえ、当該半導体集積回路装置において、セル電源線の電流密度を下げて、エレクトロマイグレーションを防止しつつ、信号配線用の領域をより広く確保できる。
本発明によれば、スタンダードセルの消費電力に応じてセル電源線の幅が決定され、電位を供給する電源ストラップから電位供給を受けるスタンダードセルまでは、決定された幅のセル電源線で電位が供給されるので、セル電源線の電流密度を下げて、エレクトロマイグレーションを防止しつつ、信号配線用の領域をより広く確保できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
《発明の実施形態1》
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体集積回路装置100の構成を示すレイアウト図である。半導体集積回路装置100は、同図に示すように、第1の電源ストラップ101、第2の電源ストラップ102、第3の電源ストラップ103、第1のセル電源線104、第2のセル電源線105、第3のセル電源線106、第4のセル電源線107、第1のスタンダードセル108、第2のスタンダードセル109、およびコンタクト110〜116を備えている。まず、半導体集積回路装置100における各構成要素の配置位置の関係などを説明する。
第1の電源ストラップ101、第2の電源ストラップ102、および第3の電源ストラップ103は、同じ配線層に配線されている。
第1の電源ストラップ101と第2の電源ストラップ102は、第1の電位(例えばVDD)を供給するための電源配線であり、第1の電源ストラップ101と第2の電源ストラップ102とは、互いに平行に配置されている。
第3の電源ストラップ103は、第2の電位(例えばVSS)を供給するための電源配線である。第3の電源ストラップ103は、第1の電源ストラップ101と第2の電源ストラップ102との間で、第1の電源ストラップ101と平行(したがって第2の電源ストラップ102とも平行)に配置されている。
第1のセル電源線104、第2のセル電源線105、第3のセル電源線106、および第4のセル電源線107は、同じ配線層に配線されているが、この配線層は、第1の電源ストラップ101が配置されている配線層とは異なる配線層である。
第1のセル電源線104は、第1の電源ストラップ101に対して垂直な方向で、第1の電源ストラップ101と第3の電源ストラップ103の間に配置され、コンタクト110によって第1の電源ストラップ101と電気的に接続されている。すなわち、第1のセル電源線104は、第1の電位を供給するようになっている。
第2のセル電源線105は、第1のセル電源線104よりも幅広に構成されている。第2のセル電源線105は、第2の電源ストラップ102に対して垂直な方向で、第2の電源ストラップ102と第3の電源ストラップ103の間に配置され、コンタクト111によって第2の電源ストラップ102と電気的に接続されている。すなわち、第2のセル電源線105は、第1の電位を供給するようになっている。
第3のセル電源線106は、第1のセル電源線104と平行な方向で、第1の電源ストラップ101と第3の電源ストラップ103の間に配置されている。本実施形態では、第3のセル電源線106の配線幅は第1のセル電源線104の配線幅と同じである。
第4のセル電源線107は、第2のセル電源線105と平行な方向で、第2の電源ストラップ102と第3の電源ストラップ103の間に配置されている。本実施形態では、第4のセル電源線107の配線幅は第2のセル電源線105の配線幅と同じである。また、第4のセル電源線107は、第3の電源ストラップ103の左端まで伸びている(すなわち、第3の電源ストラップ103と第4のセル電源線107とは、第3の電源ストラップ103の配線幅分の重なりがある)。
上記の第3のセル電源線106と第4のセル電源線107とは、コンタクト112によって第3の電源ストラップ103と電気的に接続されている。すなわち、第3のセル電源線106と第4のセル電源線107とは、コンタクト112を共有して、第3の電源ストラップ103と接続されている。これにより、第3のセル電源線106と第4のセル電源線107は、第2の電位を供給する電源線として機能する。また、本実施形態では、第4のセル電源線107は、第3のセル電源線106の幅に合わせて、コンタクト112が配置されている。第4のセル電源線107は、第1のセル電源線104よりも幅広なので、第4のセル電源線107と第3の電源ストラップ103の交点には、コンタクト110の個数よりも多くのコンタクト112を配置できる。
第1のスタンダードセル108は、第1の電源ストラップ101と第3の電源ストラップ103との間に配置されたスタンダードセルである。第1のスタンダードセル108は、コンタクト113によって第1のセル電源線104と接続され、コンタクト114によって第3のセル電源線106と接続されている。これにより、第1のスタンダードセル108は、第1のセル電源線104から第1の電位の供給を受け、第3のセル電源線106から第2の電位の供給を受ける。
第2のスタンダードセル109は、第2の電源ストラップ102と第3の電源ストラップ103との間に配置されたスタンダードセルである。第2のスタンダードセル109は、コンタクト115によって第2のセル電源線105と接続され、コンタクト116によって第4のセル電源線107と接続されている。これにより、第2のスタンダードセル109は、第2のセル電源線105から第1の電位の供給を受け、第4のセル電源線107から第2の電位の供給を受ける。
また、本実施形態では具体的に第2のスタンダードセル109は、例えばクロック信号を供給する機能を有するインバータタイプのスタンダードセルである。第2のスタンダードセル109における各トランジスタのサイズは、遅延時間を削減するため等の理由から、第1のスタンダードセル108における各トランジスタのサイズよりも大きく形成され、より多くの負荷を駆動できるようになっている。すなわち、第2のスタンダードセル109は、第1のスタンダードセル108よりも消費電力が大きい。
なお、本実施形態では、消費電力が所定値よりも小さいスタンダードセルを低駆動用スタンダードセルと呼び、所定値以上のスタンダードセルを高駆動用スタンダードセルと呼ぶことにする。
上記の半導体集積回路装置100は、以下の条件の下に設計に設計されている。すなわち、電位を供給する電源ストラップから電位供給を受けるスタンダードセルまでは、一定幅のセル電源線で電位を供給する。このセル電源線の幅は、スタンダードセルの消費電力と、電源ストラップ間に配置できるスタンダードセルの個数に応じて決定する。例えば第1のセル電源線104は、第1のスタンダードセル108の消費電力に応じて配線幅が決定され、全長にわたり配線幅が一定である。また、本実施形態では、第1のスタンダードセル108よりも第2のスタンダードセル109の方の消費電力が大きいので、第2のセル電源線105は、第1のセル電源線104よりも配線幅が広く形成されている(例えば約2倍の電源配線幅)。また、第2のセル電源線105も全長にわたり配線幅は一定である。
半導体集積回路装置100の設計は、具体的には、第1のスタンダードセル108(低駆動用スタンダードセル)および第2のスタンダードセル109(高駆動用スタンダードセル)を含むスタンダードセルライブラリを準備し、そしてスタンダードセルライブラリに含まれるスタンダードセルを配置することによって行なう。
図2は、第1のスタンダードセル108と第2のスタンダードセル109の構成例を示している。図2において、108aおよび109aは基板であり、108bおよび109bはメタル配線であり、108cおよび109cはポリシリコンであり、108dおよび109dは拡散領域である。これらにより、各スタンダードセルでは、PchトランジスタとNchトランジスタを一つずつ含んだインバータが形成されている。
また、図2の各スタンダードセルでは、セル電源線は、左右のセル境界まで伸びている。さらに、上側(または下側)のセル境界からの距離が等しくなるようにセル電源線が配置されている。そのため、左右のセル境界が接するように、低駆動用スタンダードセル同士、または高駆動用スタンダードセル同士を配置することでセル内のセル電源配線同士が接続される。
上記のように構成された本実施形態では、スタンダードセルの消費電力に応じてセル電源線の幅が決定され、電位を供給する電源ストラップから電位供給を受けるスタンダードセルまでは、決定された幅のセル電源線で電位が供給されるので、セル電源線の電流密度を下げて、エレクトロマイグレーションを防止できる。しかも、第4のセル電源線107と第3の電源ストラップ103の交点には、第1の電源ストラップ101と第1のセル電源線104の交点よりもコンタクトをより多く配置できるので、コンタクトにおける電流密度を容易に低くすることができる。
また、低駆動用スタンダードセルが配置された電源ストラップ間では、高駆動用スタンダードセルが配置された電源ストラップ間よりもセル電源線の幅が狭くなるので、他の信号配線用の領域をより広く確保できる。
《発明の実施形態2》
図3は、本発明の実施形態2に係る半導体集積回路装置200の構成を示すレイアウト図である。半導体集積回路装置200は、同図に示すように、第1の電源ストラップ101、第2の電源ストラップ102、第3の電源ストラップ103、第1のセル電源線104、第2のセル電源線105、第3のセル電源線106、第4のセル電源線107、第1のスタンダードセル108、第2のスタンダードセル109、コンタクト110〜116、およびデカップリングコンデンサセル201を備えている。なお、以下に説明する各実施形態において、前記実施形態1等と同様の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
デカップリングコンデンサセル201は、ゲート酸化膜を利用して容量を形成したデカップリングコンデンサを備えたスタンダードセルである。デカップリングコンデンサセル201は、コンタクト202によって第2のセル電源線105と接続され、コンタクト203によって第4のセル電源線107と接続されている。これにより、デカップリングコンデンサセル201は、第2のセル電源線105から第1の電位の供給を受け、第4のセル電源線107から第2の電位の供給を受ける。
上記の半導体集積回路装置200は、以下の条件の下に設計されている。
まず、1組の電源ストラップの間に配置されて電位の供給されるスタンダードセルの個数を所定の数に制限する。ただし、個数制限の対象になるのは、所定以上の消費電力のスタンダードセルである。例えば、コンデンサのみのものや、フィラーセルと呼ばれる内部にトランジスタを持たないものは対象外である。本実施形態では、低駆動用スタンダードセルは、3つまで配置でき、高駆動用スタンダードセルは、1個だけ配置できるものとする。そのため、本実施形態では、第1の電源ストラップ101と第3の電源ストラップ103の間には、第1のスタンダードセル108が3つ配置され、第2の電源ストラップ102と第3の電源ストラップ103の間には第2のスタンダードセル109が1つのみ配置されている。
また、半導体集積回路装置200では、第2のスタンダードセル109を配置した電源ストラップの間における空きスペースには、デカップリングコンデンサセル201を隙間なく配置する。
次に、電位を供給する電源ストラップから電位供給を受けるスタンダードセルまでは、一定幅のセル電源線で電位を供給する。このセル電源線の幅は、スタンダードセルの消費電力と、電源ストラップ間に配置できるスタンダードセルの個数に応じて決定する。例えば第1のセル電源線104は、3つ分の第1のスタンダードセル108(低駆動用スタンダードセル)の消費電力に応じて配線幅が決定される。また、第2のセル電源線105は、1つ分の第2のスタンダードセル109(高駆動用スタンダードセル)の消費電力に応じて配線幅が決定される。
上記の半導体集積回路装置200は、第1のスタンダードセル108、第2のスタンダードセル109、およびデカップリングコンデンサセル201を含むスタンダードセルライブラリを準備し、そしてスタンダードセルライブラリに含まれるスタンダードセルを配置することによって設計する。
図4はデカップリングコンデンサセル201の構成例を示している。デカップリングコンデンサセル201におけるセル電源線は、図4に示すように左右のセル境界まで伸びている。また、セル電源線の上側(または下側)のセル境界からの距離が第2のスタンダードセル109における当該距離と等しくなるように配置されている。そのため、左右のセル境界が接するように、デカップリングコンデンサセル201と高駆動用スタンダードセル、あるいはデカップリングコンデンサセル201同士を配置することでセル内のセル電源配線同士が接続される。例えば、スキューをなくすため等の理由から、第2のスタンダードセル109を配置する位置に制約がある場合には、予めこの第2のスタンダードセル109を配置し、さらに、配置した第2のスタンダードセル109を配置した電源ストラップ間における空きスペースにデカップリングコンデンサセル201を予め配置しておく。このように、電源ストラップに他のスタンダードセルを配置できないようにしておくことによって、他のスタンダードセルを自動配置しても、第2のスタンダードセル109の横に他の高駆動用スタンダードセルや低駆動用スタンダードセルが配置されてしまうのを防止できる。
上記のように構成された本実施形態においても、セル電源線の電流密度を低くしてエレクトロマイグレーションを防止しつつ、配線混雑も緩和することも可能になる。
しかも、デカップリングコンデンサセル201からも第2のスタンダードセル109に流れる電流を補うことができるため、さらにセル電源線の電流密度を低くすることができ、さらに効果的にエレクトロマイグレーションを防止できる。
なお、半導体集積回路装置200では、空きスペースにデカップリングコンデンサセル201を配置したが、例えばフィラーセルと呼ばれる内部にトランジスタを持たないセルを配置してもよい。このフィラーセルには、高駆動用スタンダードセルのセル電源線幅と同じセル電源線を配置する。
《発明の実施形態3》
実施形態3では、上記の実施形態2よりもさらに、他の信号配線用の領域を広く確保できる半導体集積回路装置の例を説明する。この半導体集積回路装置では、第2のスタンダードセル109を配置した電源ストラップの間における空きスペースに、デカップリングコンデンサセル201ではなく、デカップリングコンデンサセル301またはデカップリングコンデンサセル302(図5を参照)を配置する点が半導体集積回路装置200と異なっている。
デカップリングコンデンサセル301〜302は、ゲート酸化膜を利用して容量を形成したデカップリングコンデンサを備えたスタンダードセルである。図5に示すように、デカップリングコンデンサセル301は、一方のセル電源配線の幅の方が、他方のセル電源配線の幅よりも幅広となっている(幅広側と呼ぶ)。幅広側のセル電源配線は、具体的には、第2のスタンダードセル109に電位を供給するセル電源配線と同じ幅である。また、デカップリングコンデンサセル302は、図5に示すように、2種類のセル電源配線の位置関係が、デカップリングコンデンサセル301におけるセル電源配線の位置関係とは上下逆の関係になっている。
本実施形態では、電源ストラップから高駆動用スタンダードセルまでの間のみが幅広のセル電源配線となり、他の部分は幅広とならないように、デカップリングコンデンサセルが選択されて、高駆動用スタンダードセルとともに配置されている。
例えば、クロック信号を駆動する第2のスタンダードセル109は、例えばスキューをなくすため等の理由から、配置する位置に制限を受ける場合がある。図6に示す半導体集積回路装置300は、第2のスタンダードセル109が第2の電源ストラップ102と隣接する位置に制限されて配置された例である。この例では、第3の電源ストラップ103と第2のスタンダードセル109の間には、デカップリングコンデンサセル301が2列分並んで配置されている。そのため、第4のセル電源線107は、第2の電源ストラップ102と第3の電源ストラップ103の間で一定幅のとなるが、第2のセル電源線105は、途中で幅が変化する。
また、図7に示す半導体集積回路装置400は、第2のスタンダードセル109の両側にデカップリングコンデンサセルを配置する例である。この場合は、第3の電源ストラップ103に近い側にデカップリングコンデンサセル301を配置し、第2の電源ストラップ102に近い側にデカップリングコンデンサセル302を配置する。これにより、第2のスタンダードセル109には、幅広側のセル電源線で電位が供給される。そして、第3の電源ストラップ103から第2のスタンダードセル109の間の第2のセル電源線105、および第2の電源ストラップ102から第2のスタンダードセル109の間の第4のセル電源線107は、電源線の幅が狭くなる。すなわち、第2のセル電源線105、および第4のセル電源線107は、途中で幅が変化する。
上記の半導体集積回路装置300・400では、高駆動用スタンダードセルに対しては、第1の電位と第2の電位がともに、幅広のセル電源配線を介して供給される。そのため、高駆動用スタンダードセルまでのセル電源線の電流密度を容易に低くすることができる。なお、半導体集積回路装置300および半導体集積回路装置400の何れにおいても、デカップリングコンデンサセルは大きな電力を消費しないので、デカップリングコンデンサセルには、幅広でないセル電源配線を介して電位を供給しても問題はない。
また、デカップリングコンデンサセルに電位を供給するセル電源配線は、幅広でない部分があるので、それによって空いたスペースを他の信号配線のために使用することが可能になる。それゆえ、上記の半導体集積回路装置200よりもさらに信号配線のためのスペースを確保できる。
なお、高駆動用スタンダードセルは、上記の各実施形態で説明したインバータタイプのスタンダードセルに限らず、例えばバッファタイプやANDタイプ等で構成してもよい。
また、上記の各実施形態では、第2のスタンダードセル109のトランジスタのサイズが第1のスタンダードセル108(低駆動用スタンダードセル)のトランジスタのサイズよりも大きい例を説明したが、第2のスタンダードセル109は例えば低駆動用スタンダードセルと同サイズのトランジスタを複数並列に配置し、ゲート同士、ドレイン同士をそれぞれ繋ぐことによって構成してもよい。
また、各電源ストラップの電位の関係も例示であり、上記の例に限定されるものではない。
また、第1の電源ストラップ101、第2の電源ストラップ102、および第3の電源ストラップ103は、同じ配線幅で構成し、これらの配線ピッチを等しくするのが望ましい。これにより、電源ストラップに流れる電流量を平均化することができ、第2のスタンダードセル109のようなトランジスタサイズの大きいセルを、第1の電源ストラップ101と第3の電源ストラップ103間、第2の電源ストラップ102と第3の電源ストラップ103間のどちらにでも配置することができる。
本発明に係る半導体集積回路装置は、スタンダードセルの消費電力に応じてセル電源線の幅が決定され、電位を供給する電源ストラップから電位供給を受けるスタンダードセルまでは、決定された幅のセル電源線で電位が供給されるので、セル電源線の電流密度を下げて、エレクトロマイグレーションを防止しつつ、信号配線用の領域をより広く確保できるという効果を有し、スタンダードセルが配置されて構成された半導体集積回路装置等として有用である。
実施形態1に係る半導体集積回路装置の構成を示すレイアウト図である。 第1のスタンダードセル108と第2のスタンダードセル109の構成例を示す図である。 実施形態2に係る半導体集積回路装置の構成を示すレイアウト図である。 デカップリングコンデンサセル201の構成例を示す図である。 デカップリングコンデンサセル301〜302の構成例を示す図である。 実施形態3に係る半導体集積回路装置の構成を示すレイアウト図である。 実施形態3に係る半導体集積回路装置の他の構成を示すレイアウト図である。
符号の説明
100 半導体集積回路装置
101 第1の電源ストラップ
102 第2の電源ストラップ
103 第3の電源ストラップ
104 第1のセル電源線
105 第2のセル電源線
106 第3のセル電源線
107 第4のセル電源線
108 第1のスタンダードセル
109 第2のスタンダードセル
110〜116 コンタクト
200 半導体集積回路装置
201 デカップリングコンデンサセル
202 コンタクト
203 コンタクト
300 半導体集積回路装置
301〜302 デカップリングコンデンサセル
400 半導体集積回路装置

Claims (10)

  1. スタンダードセルが配置されて構成された半導体集積回路装置であって、
    第1の電源電位を供給する第1の電源ストラップと、
    前記第1の電源ストラップと平行に配置され、第2の電源電位を供給する第2の電源ストラップと、
    前記第1の電源ストラップと前記第2の電源ストラップとの間に、これらに平行に配置され、第3の電源電位を供給する第3の電源ストラップと、
    前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第1の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第1のスタンダードセルと、
    前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第2の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第2のスタンダードセルと、
    前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第1の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第1の電源電位を供給する第1のセル電源線と、
    前記第2の電源ストラップに直交して、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第2の電源電位を供給する第2のセル電源線と、
    前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第3の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第3のセル電源線と、
    前記第2の電源ストラップに直交して、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置され、前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第4のセル電源線とを備え、
    前記第2のスタンダードセルは、前記第1のスタンダードセルよりもトランジスタサイズが大きく、
    前記第2のセル電源線の幅は、前記第1のセル電源線の幅よりも大きく、
    前記第4のセル電源線の幅は、前記第3のセル電源線の幅よりも大きく、
    第1の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における前記第1のセル電源線の配線幅、第2の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における前記第2のセル電源線の配線幅、第3の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における前記第3のセル電源線の配線幅、および第3の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における前記第4のセル電源線の配線幅は、それぞれ一定の幅であることを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 請求項1の半導体集積回路装置であって、
    前記第1の電源ストラップ、第2の電源ストラップ、および第3の電源ストラップは、同じ配線幅で構成され、これらの配線ピッチは等しいことを特徴とする半導体集積回路装置。
  3. 請求項1の半導体集積回路装置であって、
    前記第4のセル電源線の配線幅は、第3のセル電源線の配線幅よりも幅広であり、
    前記第3のセル電源線と第4のセル電源線は、同じ配線層に形成され、
    前記第3の電源ストラップは、前記第3のセル電源線とは異なる配線層に形成され、
    前記第3の電源ストラップと前記第4のセル電源線は、前記第4のセル電源線の配線幅に合わせた個数のコンタクトで接続され、
    前記第3のセル電源線は、前記コンタクトを前記第4のセル電源線と共用して、前記第3の電源ストラップと接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
  4. 請求項1の半導体集積回路装置であって、
    前記第2のセル電源線は、前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅と前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅とが異なっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
  5. 請求項4の半導体集積回路装置であって、
    前記第4のセル電源線は、前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅と前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルまでの間における配線幅とが異なっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
  6. 請求項1の半導体集積回路装置であって、
    前記第2のスタンダードセルは、前記第1のスタンダードセルよりも消費電力が大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
  7. 請求項4の半導体集積回路装置であって、
    前記第2のスタンダードセルは、第2の電源ストラップと第3の電源ストラップの間に複数個配置されるものであり、
    配置される第2のスタンダードセルの1つは、クロック信号を駆動する回路から成るスタンダードセルであり、
    他の第2のスタンダードセルは、デカップリングコンデンサから成るスタンダードセルであることを特徴とする半導体集積回路装置。
  8. 請求項7の半導体集積回路装置であって、
    前記デカップリングコンデンサから成るスタンダードセルに、前記第2の電源電位を供給する第2のセル電源線と、前記第3の電源電位を供給する第4のセル電源線とは配線幅が異なっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
  9. 請求項1の半導体集積回路装置であって、
    前記第2のスタンダードセルは、前記第1のスタンダードセルよりも消費電力が大きいものであり、
    前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップの間には、1つの第2のスタンダードセルのみが配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
  10. 半導体集積回路装置の電源配線方法であって、
    第1の電源電位を供給する第1の電源ストラップを配置するステップと、
    第2の電源電位を供給する第2の電源ストラップを前記第1の電源ストラップと平行に配置するステップと、
    前記第1の電源ストラップと第2の電源ストラップとの間に、第3の電源電位を供給する第3の電源ストラップを、前記第1の電源ストラップと平行に配置するステップと、
    前記第1の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第1のスタンダードセルを前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置するステップと、
    前記第2の電源電位と前記第3の電源電位によって駆動する第2のスタンダードセルを前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に配置するステップと、
    前記第1の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第1の電源電位を供給する第1のセル電源線を、前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、前記第1の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における幅が前記第1のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように配置するステップと、
    前記第2の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第2の電源電位を供給する第2のセル電源線を、前記第2の電源ストラップに直交して、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、前記第2の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における幅が前記第2のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように、配置するステップと、
    前記第3の電源ストラップから前記第1のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第3のセル電源線を、前記第1の電源ストラップに直交して、前記第1の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、第3の電源ストラップから第1のスタンダードセルまでの間における幅が前記第1のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように配置するステップと、
    前記第3の電源ストラップから前記第2のスタンダードセルに前記第3の電源電位を供給する第4のセル電源線を、前記第2の電源ストラップと前記第3の電源ストラップとの間に、前記第2の電源ストラップに直交して、第3の電源ストラップから第2のスタンダードセルまでの間における幅が前記第1のスタンダードセルの消費電力に応じた幅になるように配置するステップと、
    を有することを特徴とする半導体集積回路装置の電源配線方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5552775B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-16 ソニー株式会社 半導体集積回路
US8431968B2 (en) * 2010-07-28 2013-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electromigration resistant standard cell device
US8694945B2 (en) * 2011-12-20 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automatic place and route method for electromigration tolerant power distribution
US9311440B2 (en) * 2012-05-10 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method of electromigration avoidance for automatic place-and-route
CN105493264B (zh) 2013-08-23 2018-06-01 株式会社索思未来 半导体集成电路装置
US9806019B2 (en) 2015-09-22 2017-10-31 Nxp Usa, Inc. Integrated circuit with power saving feature
WO2017122417A1 (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 ソニー株式会社 集積回路
DE102016111337B4 (de) * 2016-06-21 2018-03-15 Tdk-Micronas Gmbh Verfahren zur Steigerung der Entkoppelungs-Kapazität in einer mikroelektronischen Schaltung
US10283526B2 (en) * 2016-12-21 2019-05-07 Qualcomm Incorporated Standard cell circuits employing voltage rails electrically coupled to metal shunts for reducing or avoiding increases in voltage drop
CN110658885B (zh) * 2018-06-28 2021-08-17 瑞昱半导体股份有限公司 时钟树合成方法
US11093684B2 (en) * 2018-10-31 2021-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Power rail with non-linear edge
JPWO2022172737A1 (ja) * 2021-02-15 2022-08-18

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2751742B2 (ja) 1992-06-10 1998-05-18 日本電気株式会社 自動レイアウト用セル
JPH06204435A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Kawasaki Steel Corp 半導体集積回路のクロックツリー設計方法及びそれによる半導体集積回路
JP2790070B2 (ja) * 1995-02-02 1998-08-27 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
JP2000068383A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置の設計方法および半導体集積回路装置
US6838713B1 (en) * 1999-07-12 2005-01-04 Virage Logic Corporation Dual-height cell with variable width power rail architecture
KR100319895B1 (ko) * 1999-12-03 2002-01-10 윤종용 완전 씨모스 에스램 셀
JP5028714B2 (ja) * 2001-03-30 2012-09-19 富士通セミコンダクター株式会社 半導体集積回路装置、および配線方法
JP3768433B2 (ja) * 2001-11-19 2006-04-19 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の設計方法
JP4637512B2 (ja) * 2003-11-13 2011-02-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
JP2005150639A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積装置の設計方法、設計装置及び設計プログラム。
JP2005197518A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とセル
US20070033562A1 (en) * 2005-08-05 2007-02-08 International Business Machines Corporation Integrated circuit power distribution layout with sliding grids

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