JP2007220280A - 垂直磁気記録ディスクの作製方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 6
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 187
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 FeAlSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001455617 Sula Species 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020708 Co—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016897 MnNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005316 antiferromagnetic exchange Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
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- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
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- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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Abstract
【課題】粒状のコバルト合金に酸化物が添加されて成る記録層(RL)を備えた垂直磁気記録ディスクにおいて、記録性能を劣化させることなく良好な耐食性を付与する。
【解決手段】六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層の柱状構造が従来よりも減少し、中間層の表面が従来よりも平滑になる。そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。そのように中間層(IL)の表面を粗面化すると記録層(RL)が成長する際に記録層中の粒子の分離が促進されるが、本発明の中間層(IL)は柱状構造が少ないので水や腐食剤の通り道が従来よりも少なくなる。
【選択図】図５
【解決手段】六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層の柱状構造が従来よりも減少し、中間層の表面が従来よりも平滑になる。そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。そのように中間層(IL)の表面を粗面化すると記録層(RL)が成長する際に記録層中の粒子の分離が促進されるが、本発明の中間層(IL)は柱状構造が少ないので水や腐食剤の通り道が従来よりも少なくなる。
【選択図】図５
Description
本発明は広く垂直磁気記録媒体に関し、特に、磁気記録ハードディスクドライブにて用いられる垂直磁気記録ディスクの作製方法に関する。
記録ビットが記録層の垂直即ち面外方向に蓄えられた垂直磁気記録は、磁気記録ハードディスクドライブにおける高記録密度を達成するために有望な手段だと考えられている。垂直磁気記録装置の一般的な例としては二層媒体を用いたものがあげられ、そのような垂直磁気記録装置としては図１に示されるように単磁極書き込み型の記録ヘッドを有しているものが知られている。二層媒体は軟磁性の即ち保磁力の比較的小さな磁気透過性下地層(SUL)上に設けられた垂直磁気データ記録層(RL)を有し、軟磁性下地層(SUL)は磁界において記録ヘッドの書き込み磁極からリターン磁極への磁束帰還路として機能する。図１では、記録層(RL)が、矢印にて示されるように、垂直方向に記録即ち磁化された領域と、それに隣接した磁化方向が反対である領域とから成る例が示されている。磁化方向が反対である隣り合う領域間での磁化転移は再生素子或いはヘッドにより記録ビットとして検知される。
図２は従来の垂直磁気記録ディスクの断面の概略図であり、記録層(RL)に作用する書き込み磁界(Hw)を示している。図２に示された従来の垂直磁気記録ディスクはハードディスク基板、軟磁性下地層(SUL)を設けるためのシード層即ちオンセット層(OL)、軟磁性下地層(SUL)と記録層(RL)との間に設けられた中間層(IL)、及び保護被膜(OC)を含む。中間層(IL)は非磁性の単層或いは多層構造であり、交換ブレーク層(EBL)とも呼ばれ、磁気透過性層である軟磁性下地層(SUL)と記録層(RL)との間の磁気交換結合を妨げ記録層(RL)のエピタキシャル成長を引き起こすものである。図２には示されていないものの、シード層(SL)は通常は軟磁性下地層(SUL)の上に直接設けられ、中間層(IL)の成長を引き起こすものである。図２に示されているように、記録層(RL)は長手記録や面内記録と比較して著しく大きな書き込み磁界を生むことが可能な、見掛け上の記録ヘッド(ARH)の隙間の中に設けられている。前記見掛け上の記録ヘッド(ARH)は、垂直磁気記録ディスクの上方に設けられた実際の書き込みヘッド(RWH)である図１に示された書き込み磁極、及び記録層(RL)の下方に設けられた効力のある第二の書き込み磁極(SWP)から構成されている。中間層(IL)により記録層(RL)から切り離されており、磁気透過性が高いことにより書き込み時に前記実際の書き込みヘッド(RWH)の磁気鏡像を作り出す軟磁性下地層(SUL)によって前記第二の書き込み磁極(SWP)は存在している。この第二の書き込み磁極の存在より、記録層(RL)は見掛け上の記録ヘッド(ARH)の隙間の中に設けられているということとなり、その結果、記録層(RL)内部には大きな書き込み磁界(Hw)が生じることとなる。
記録層(RL)に用いることのできる材料としては、c軸が記録層に対して実質的に面外即ち垂直方向に配向された六方最密(hcp)結晶構造を有する、CoPtCr合金等のグラニュラ強磁性コバルト合金があげられる。グラニュラコバルト合金から成る記録層(RL)は、保磁力(Hc)の高い媒体を得るため、および高固有媒体ノイズの原因となる粒間交換結合を減らすために、十分に単離された微粒子構造を有することが好ましい。例えばSi, Ta, Ti, Nbの酸化物といった酸化物を記録層(RL)に含有させることにより、コバルト合金から成る記録層における粒子分離を促進させることができる。これらの酸化物は粒界に堆積して、コバルト合金の成分と共に非磁性粒間材料を形成しやすいものである。例えば、非特許文献１にはSiO2をCoPtCrグラニュラ合金に加えた記録層(RL)を有する垂直磁気記録媒体が開示されている。又、非特許文献２にはTa2O5をCoPtグラニュラ合金に加えた記録層(RL)を有する垂直磁気記録媒体が開示されている。
コバルト合金から成る記録層(RL)は、その六方最密(hcp)結晶構造のc軸が層平面に実質的に垂直になるように蒸着された結果、実質的に面外即ち垂直な磁気異方性を有する。六方最密(hcp)結晶構造を有する記録層(RL)をそのように成長させるために、記録層(RL)が上に設けられる中間層(IL)も六方最密(hcp)結晶構造を有したものとする。中間層(IL)の形成に用いられる非磁性の六方最密(hcp)結晶構造を有した材料としては、ルテニウム(Ru)やRuCr等の特定のルテニウム合金があげられる。
酸化物を添加することにより記録層(RL)における磁性粒子の分離を促進させることは、面密度や記録性能を高めるために重要なことである。粒間材料は粒間交換結合を効果的に切り離すだけではなく、記録層(RL)における磁性粒子の大きさや分布の調整にも影響を与えるものである。従来のディスク作製方法では、粒子を柱状成長させて成る中間層(IL)の上に記録層(RL)を成長させることにより、そのような分離が成された記録層を得ている。中間層(IL)における柱状成長は、粒子を比較的高いスパッタ圧にてスパッタ蒸着することにより達成される。しかしながら、そのような中間層(IL)の上に記録層(RL)を成長させると、記録層(RL)において粗さが大きくなり、不連続な箇所が生じ、その結果として、保護被膜(OC)の機械的完全性が損なわれることとなる。保護被膜(OC)の被覆率が低いことや、記録層(RL)における粗さが大きいことや、中間層(IL)における柱状成長は、水や腐食剤がこれらの層の間を移動したり、軟磁性下地層(SUL)に接触したりすることが比較的容易な通り道を提供してしまうこととなる。中間層(IL)を減圧したスパッタ圧力にて形成することにより、記録層(RL)の粗さを小さくすることができ、ディスクの耐食性を高めることが可能であるが、スパッタ圧を低くして形成した中間層(IL)を備えたディスクは保磁力が大幅に低下してしまい、その結果、記録性能が劣ったものとなってしまう。
そこで、粒状のコバルト合金に酸化物が添加されて成る記録層(RL)を備え、記録性能を劣化させることなく良好な耐食性を有する垂直磁気記録ディスクが必要とされている。
本発明は、六方最密(hcp)結晶構造を有するグラニュラコバルト合金に一種以上の酸化物を添加して成る記録層(RL)を六方最密(hcp)結晶構造を有する中間層(IL)の上に成長させた垂直磁気記録ディスクを作製する方法を提供する。通常は六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を、従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層(IL)の柱状構造が従来よりも減少し、中間層(IL)の表面が従来よりも平滑になる。そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。そのように中間層(IL)の表面をナノスケールに粗面化すると記録層(RL)が成長する際に記録層中の粒子の分離が促進されるが、本発明の中間層(IL)は柱状構造が少ないので水や腐食剤の通り道が従来よりも少なくなる。イオン照射は希ガス雰囲気中、或いは、希ガスと反応種との混合ガス（例えば、アルゴン/酸素、アルゴン/水素、アルゴン/塩素）中でスパッタエッチングを行うことにより実行することができる。中間層の表面をそのように粗面化するための装置としては、パルス、中周波或いは高周波のカソード、イオンビーム源、反応性イオンエッチング(RIE)、電子サイクロトロン共鳴(ECR)、誘導結合プラズマ(ICP)源などがあり、中間層(IL)を成長させるために用いられるスパッタリングステーションに隣接して配置される。従って、工程所要時間やプロセスチャンバーの真空の完全性に与える影響はない。
本発明の本質や効果を理解するために、以下に図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
本発明によれば、粒状のコバルト合金に酸化物が添加されて成る記録層(RL)を備える垂直磁気記録ディスクに、記録性能を劣化させることなく良好な耐食性を付与することができる。
図３は従来の垂直磁気記録ディスクの断面の概略図であり、反強磁性結合された軟磁性下地層(SUL)を図解した図である。図３に示されているように、ディスクを構成する各層がハードディスク基板上に設けられている。基板としては公知のガラス基板を用いることができるが、公知のアルミニウム合金の表面にNiP等の公知の表面被覆を施した基板を用いてもよく、或いは、シリコン、カナサイト、炭化ケイ素からなる基板を用いてもよい。基板上には直接、或いは接着層又はオンセット層(OL)を介して軟磁性下地層(SUL)が設けられる。オンセット層(OL)を設けることにより軟磁性下地層(SUL)を容易に成長させることができる。オンセット層(OL)はAlTi合金やそれに類した材料により約2〜5nmの厚さで形成することができる。図３に描かれたディスクにおいて、軟磁性下地層(SUL)は軟磁性層SULaとSULbの間の反強磁性交換結合を仲立ちする反強磁性カップリング層(AF)として機能する中間層(Ru,Ir,Cr等)により隔てられた複数の軟磁性層(SULa，SULb)が積層化或いは重層化されて形成されている。このような軟磁性下地層(SUL)は米国特許6,686,070や米国特許6,835,475に示されている。しかしながら、反強磁性結合された軟磁性下地層(SUL)の代わりに、軟磁性下地層(SUL)は単層構造であってもよく、或いは、炭素やSiNから成る非磁性フィルムやAlやCoCrから成る導電性フィルムにより隔てられた複数の軟磁性層が積層化或いは重層化されて形成された反強磁性結合していない軟磁性下地層であってもよい。単層或いは重層構造の軟磁性下地層(SUL)はCoNiFe, FeCoB, CoCuFe, NiFe, FeAlSi, FeTaN, FeN, FeTaC, CoTaZr, CoFeB, CoZrNbといった合金等の非晶質の磁気透過性材料により形成される。軟磁性下地層(SUL)の厚さは通常は約50nm以上400nm以下である。記録層(RL)上に形成される保護被膜(OC)は非晶質のダイヤモンド状炭素或いは窒化ケイ素(SiN)）等の公知の保護被膜材料により形成することができる。
軟磁性下地層(SUL)上に設けられた非磁性の中間層(IL)は、グラニュラ記録層(RL)の六方最密結晶方位を制御するために、六方最密(hcp)結晶構造を有する非磁性金属或いは合金から形成されるのが好ましい。そのような中間層(IL)は六方最密(hcp)グラニュラ記録層(RL)の成長を引き起こし、c軸が層平面に実質的に垂直な方向に配向され、その結果、垂直磁気異方性を有することとなる。中間層(IL)の材料としてはルテニウム(Ru)を好適に用いることができるが、Ti, Re, Osから選ばれる金属やTi, Re, Ru, Osから選ばれる少なくとも一種の元素を含む合金（例えば、RuCr合金等のRu合金）等の他の材料も用いることができる。中間層(IL)は、軟磁性下地層(SUL)の上に例えばシード層(SL)を形成し、その上に設けることができる。
記録層(RL)は、一種以上の酸化物を含んだ粒間材料を有するグラニュラ強磁性コバルト合金により形成されている。酸化物としては、Si, Ta, Ti, Nbから選ばれる一種以上の酸化物が好適に用いられる。記録層(RL)は更にCrを含有してもよく、Crの一種以上の酸化物を粒間材料として含有してもよい。
図４Ａは、二層構造のRuから成る中間層(IL)の上に形成されるCoPtCr-SiO2から成る記録層(RL)の表面の一部の透過電子顕微鏡法(TEM)による画像である。図４Ｂは、図４Ａに示すディスクの一部の断面のTEM画像である。図４Ａ及び図４Ｂは、記録層(RL)の分離した状態、即ち、磁性粒子が主としてSiO2である粒間材料により分離された状態を示している。記録層(RL)における分離を達成するために、適切な格子定数、成長方位、及び界面粗さを有する中間層(IL)の上に、酸素含有記録層(RL)を蒸着させる。RuおよびRuCr等のRu合金を比較的高いスパッタ圧にて成長させると、そのような中間層(IL)が得られる。中間層(IL)を高圧で成長させることにより、記録層(RL)の成長の際に記録層粒子の分離を容易にする、比較的粗いテンプレートが形成される。図４Ａと４Ｂに示されるディスクにおいて、中間層(IL)は、第一のRu層（5 nm）を比較的低い圧力（6 mTorr）でスパッタ蒸着させて、次に第二のRu層（12 nm）を比較的高い圧力（36 mTorr）でスパッタ蒸着させたものである。図４Ｂは、第二のRu層と記録層(RL)との間の比較的粗い界面を示している。図４Ｂは、柱状成長が部分的に二層構造のRu層の厚み全体に達しているものもある十分に分離した粒子から成る柱状構造も示している。中間層(IL)中の上側のRu層の柱状成長により、記録層(RL)の磁性粒子の分離が促進される。柱状成長は、スパッタされた粒子が高圧スパッタ環境において衝突回数の増加により運動エネルギーを失うため、スパッタされた粒子の表面移動度が低下することによるものと考えられる。しかしながら、中間層(IL)を高圧にてスパッタ蒸着することは、記録層(RL)中の隣接する粒状柱において、保護被膜(OC)の厚さに匹敵する高さのバラつきが発生する原因になり、それにより保護被膜(OC)中に欠陥が生じる場合がある。記録層(RL)中の粒間領域は、湿気や腐食性ガスを下に設けられた軟磁性下地層(SUL)と相互作用させてしまう通り道を生じさせる恐れのある、空洞や結晶学的欠陥の密度が高い。
中間層(IL)を蒸着させる際のスパッタ圧を下げると、ディスクの耐食性が向上することが知られている。例えば、前述のように二層構造のRuから成る中間層(IL)を有するディスクの場合、上側のRu層の蒸着の際にスパッタ圧力を46 mTorrから36 mTorrにまで下げると、ディスクの耐食性が改善される。しかしながら、スパッタ圧をさらに下げると、記録層(RL)の保磁力および核生成磁界が許容できない値になる。例えば200 Gbits/in2を超える超高記録密度の高性能垂直磁気記録ディスクを実現するためには、記録層(RL)は、低い固有媒体ノイズ（高い信号対ノイズ比:SNR）、約5000 Oeを超える保磁力Hc及び約-1500 Oeを超える（より負の）核生成磁界Hnを備えている必要がある。核生成磁界Hnにはいくつかの意味があるが、ここでは、好適にはＭ−Ｈヒステリシスループの第２象限において、磁化がその飽和値Msの90%まで低下する反転磁界のことをいう。より負の核生成磁界の場合には、磁化を変化させるにはより大きな反転磁界が必要になるので、残留磁気状態がより安定する。表１は、CoPtCr-SiO2から成る記録層及び厚さ16 nmのRu75Cr25から成る中間層を備えたディスクについて、HcとHnの値を示している。ここで、添え字は、それぞれのスパッタ圧において蒸着した原子パーセント（at%）を示している。
表１によれば、中間層(IL)を形成する際のスパッタ圧が低下すると、HcとHn が大幅に減少することが観察される。これは、中間層(IL)と記録層(RL)の界面における粗さの減少などの界面形態が変化すること、および中間層(IL)の柱状成長が弱まることによるためと考えられる。これにより、記録層粒子の好適な分離ひいては高いHcとHnの発生が妨げられることとなる。
図５に、本発明の方法により作製された垂直磁気記録ディスクを示す。その構造は、図３の従来技術の構造と似ているが、中間層(IL)上に記録層(RL)をその上に成長させるエッチングされた表面(ES)が設けられている。中間層(IL)は、比較的低いスパッタ圧（約12 mTorr未満）にて蒸着される。このため、中間層(IL)の柱状構造があまり目立たないものになる。中間層全体、或いは、中間層が二層構造の場合にはその最上層は、図４Ｂの下側のRu層により示される構造を有するので、腐食性ガスの通り道が少ない。中間層(IL)の柱状成長が減少すると、記録層(RL)および保護被膜(OC)での粗さが減少し、腐食の影響を受けにくくなる。前記のエッチングされた表面(ES)は、記録層(RL)のｃ軸を面外に向けるのに必要な記録層のエピタキシャル成長に悪影響を与えることなく、記録層(RL)の磁性粒子の分離を制御することができる。
本発明の方法により形成された前記のエッチングされた表面(ES)は、高い空間分解能で、必要な界面粗さを生じさせている。また、エッチングされた表面(ES)は、粒成長の動力学におけるランダムなゆらぎによりスパッタ蒸着中に起きる、中間層(IL)中の大規模な凹凸を抑えている。これらの凹凸は、ディスクのスパッタ後処理の一部としての研磨工程において通常は取り除かれる。しかしながら、凹凸を機械的に除去すると、ディスクの薄膜に空洞や破損が生じ、それによってディスク中に腐食性ガスを拡散させる通り道が形成されてしまう。そこで、本発明の方法では、凹凸の数を減らして、記録層(RL)の全体的な平坦度を向上させている。
本発明の方法では、まず以下の各層を順々に成長させる。すなわち、硬質基板（ガラスやAl-Mg合金など）上に密着層あるいはオンセット層(OC)（AlTiなど）、次に軟磁性下地層(SUL)、好適には反強磁性的に結合した軟磁性下地層(SUL)を成長させ、次にシード層(SL)あるいは多層のシード層(SLs)ＡＬ、最後に六方最密(hcp)結晶構造を有する中間層(IL)（Ru或いはRuCr等のRuX合金）を成長させる。中間層(IL)は、図４Ｂに示すような二層構造であってもよい。中間層(IL)、或いは中間層(IL)が二層構造の場合には中間層(IL)の上部は、緻密で比較的滑らかな表面を形成するために比較的低いスパッタ圧（約12 mTorr未満）と成長速度を用いて、高移動度の条件化で成長させる。
中間層(IL)を比較的低い圧力でスパッタ蒸着させて比較的滑らかな表面を形成した後、中間層(IL)上にエッチングされた表面(ES)を形成して、記録層(RL)を成長させるための「ナノスケールの粗さの」界面を生じさせる。六方最密(hcp)結晶構造を有する中間層(IL)の最上層をイオン及び／又は中性化学種により照射するin-situ中間層表面改質工程を導入する。そのような表面改質の例としては、純希ガス雰囲気中でのスパッタエッチングや、希ガスと反応性化学種（アルゴン／酸素、アルゴン／水素、アルゴン／塩素など）の混合物中でのスパッタエッチングがある。エッチングされた表面(ES)を形成する装置としては、パルス、中周波或いは高周波のカソード、イオンビーム源、反応性イオンエッチング(RIE)、電子サイクロトロン共鳴(ECR)、誘導結合プラズマ(ICP)源などがある。中間層(IL)の表面改質を行なうための装置は、中間層(IL)を成長させるために用いられるスパッタリングステーションに隣接して配置される。従って、工程所要時間やプロセスチャンバーの真空の完全性に与える影響はない。エッチングされた表面(ES)を形成した後、記録層(RL)を中間層(IL)上に蒸着させ、その後、記録層(RL)上に保護被膜(OC)を蒸着させる。
イオンとの相互作用による表面改質は、詳しく研究された現象であり、電子産業および光学産業において広範に用いられている。表面に付与されるエネルギー量は、照射されるイオンの運動エネルギーを変化させることにより容易に制御することができる。イオン衝撃により表面に生じる化学的かつ物理的なプロセスも、この運動エネルギーにより制御される。エネルギーおよび表面の照射量を制御することにより、独自の表面トポロジーを生じさせることが可能である。
IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 37, No.4, July 2001, pp. 1271-1273, “Grain Size Control in FePt Thin Films by Ar-Ion Etched Pt Seed Layers”（Thiele et al.）によれば、ex-situ ＤＣイオンビーム装置内で、Ptから成るシード層をスパッタエッチングした。イオンビームを10-2 mbarのアルゴンガス圧および600 Wの電力で操作して、約200 eVのアルゴンイオンエネルギーを得た。アルゴンイオンエッチングにより、ＲＭＳ粗さがスパッタエッチング前の約0.7 nmからスパッタエッチング後の約4.5 nmに増加したように、Ptから成るシード層において顕著な微小粗さが得られた。
IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 38, No.4, July 2002, pp. 1622-1626, “Perpendicular magnetic recording media based on Co-Pd multilayer with granular seed layer”（Matsunuma et al.）において、その上にCo/Pd多層構造を成長させるPd-SiNから成るシード層を蒸着する前に非晶質のFeTaCから成る下地層の表面をスパッタエッチングする効果について研究がなされている。FeTaCから成る下地層を、アルゴン雰囲気中で、in-situプラズマエッチングした。エッチングされた表面上に成長させたCo/Pd多層構造の微細構造は、明確な粒界を有する十分に分離した柱を呈するが、エッチングされていない下地層上に成長させたCo/Pd多層構造については明確な粒界が観測されなかった。
中間層(IL)の表面に好適な粗さの量は、ディスクの保護被膜(OC)の公知の特性に基づき評価することが可能である。所定の保護被膜(OC)の厚さおよび材料の場合、それを超えると保護被膜(OC)の機械的特性が損なわれる最大粗さ値が存在する。粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定により求めることができる。4 nmの厚さの炭素から成る保護被膜(OC)の場合、ピーク-ピーク表面粗さは、約3.0 nmを超えてはならない。4 nmの厚さのSiNから成る保護被膜(OC)の場合、ピーク-ピーク表面粗さは、約3.5 nmを超えてはならない。
本発明の方法は、ディスク製造装置に容易に組み込み可能で中間層(IL)の表面に所望のナノスケールの粗さを生じさせる解像度を有する装置を用いる任意のイオン表面改質工程に適用可能である。本発明の方法にとって重要な条件は、製造プロセスの流れの制限時間内で目的とする表面改質を行えるようにイオンエネルギーを制御することである。望ましいイオンエネルギーは、約50〜500 eVの範囲である。RF及びDCマグネトロン源は、ディスク製造の際のスパッタ圧のパターンに適合可能である。
アルゴンなどの希ガスを用いるスパッタエッチングやアルゴンプラズマエッチングに加えて、誘導結合プラズマ(ICP)および電子サイクロトロン共鳴(ECR)は高いエッチング速度を有する方法である。例えば、Korean J. Chem. Eng., 21(6), 1235-1239 (2004), “Inductively Coupled Plasma Etching of Ta, Co, Fe, NiFe, NiFeCo, and MnNi with Cl2/Ar Discharges”（Park et al.）では、Cl2/Arプラズマ混合ガスによるICPエッチングを用いて、スパッタ蒸着させたNiFeCo薄膜の表面を改質した。これらの実験において、エッチング工程でのイオンエネルギーを、RF電力を変化させることにより制御した。200 WまでのRF電力ではエッチングされたサンプルの表面粗さは比較的一定であるが、それよりもRF電力を高くすると、表面粗さの増加がみられた。
上記参考文献での実験は、イオン照射がどのように薄膜表面を改質して表面粗さを変えることができるかを示している。このように、本発明においては、約12 mTorr未満の比較的低いスパッタ圧で中間層(IL)を蒸着することができ、更に、イオン照射により表面を改質するものである。次に、ナノスケールの粗さを有した中間層表面上に酸素含有記録層(RL)を蒸着させ、それにより記録層が成長する際に記録層の粒子分離を促進させるものである。記録層(RL)は、高いスパッタ圧力、即ち、16 mTorrよりも高い圧力にて通常は蒸着させる。中間層(IL)に対するスパッタ圧よりも大幅に高いスパッタ圧、かつ比較的遅い蒸着或いは成長速度にて、記録層(RL)を蒸着させると、記録特性を改善することができる。記録層(RL)における保磁力の最適値は、スパッタ圧が約30〜60 mTorrの範囲である場合に得ることができる。
以上のように、本発明を好ましい態様に即して部分的に記載したが、当業者であればこの発明の精神と範囲から逸脱しない範囲内で発明の形態や詳細を変更することが可能である。従って、本明細書に開示された発明は単なる実施例として理解し、本発明は特許請求の範囲に記載された範囲にのみ限定されると理解すべきものである。
Claims (14)
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に中間層を第一のスパッタ圧にてスパッタ蒸着により設ける工程と、
前記中間層の表面にイオン照射を行う工程と、
前記中間層の表面に磁気記録層を前記中間層の蒸着時のスパッタ圧よりも実質的に高いスパッタ圧にてスパッタ蒸着により設ける工程と、
を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の作製方法。 - 前記中間層の表面にイオン照射を行う工程が、希ガス雰囲気中で前記中間層の表面をスパッタエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記希ガス雰囲気が酸素、水素、塩素の中から選択される反応種を含んでいることを特徴とする請求項２記載の方法。
- 前記スパッタエッチング工程が、アルゴン雰囲気中でのスパッタエッチングを含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
- 前記中間層の表面にイオン照射を行う工程が、誘導結合プラズマ源を用いて行われることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記中間層の表面にイオン照射を行う工程が、電子サイクロトロン共鳴源を用いて行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
- 前記中間層をスパッタ蒸着により設ける工程が、Ruを含有する中間層をスパッタ蒸着により設ける工程を含み、
前記記録層をスパッタ蒸着により設ける工程が、グラニュラ強磁性コバルト合金及びSi, Ta, Ti, Nbから選ばれる一種以上の酸化物を一種以上含有する記録層をスパッタ蒸着により設ける工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 前記中間層をスパッタ蒸着により設ける工程が、Ruを含有する中間層を約12 mTorrよりも低いスパッタ圧にてスパッタ蒸着により設ける工程を含み、
前記記録層を前記中間層の表面にスパッタ蒸着により設ける工程が、酸化物を含有するコバルト合金から成る記録層を約30 mTorrよりも高いスパッタ圧にてスパッタ蒸着により設ける工程を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。 - 基板と、前記基板上に設けられた磁気透過性材料の下地層と、前記下地層上に設けられたRuを含有する非磁性の中間層と、グラニュラ強磁性コバルト合金及びSi, Ta, Ti, Nbから選ばれる一種以上の酸化物を一種以上含有する垂直磁気記録層を備えた垂直磁気記録ディスクの作製方法であって、
前記中間層を約12 mTorrよりも低いスパッタ圧にてスパッタ蒸着により設ける工程と、
前記中間層の表面にイオン照射を行い表面を粗面化する工程と、
前記記録層を前記中間層の前記粗面化された表面上に約30 mTorrよりも高いスパッタ圧にてスパッタ蒸着により設ける工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記中間層の表面にイオン照射を行う工程が、希ガス雰囲気中で前記中間層の表面をスパッタエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
- 前記希ガス雰囲気が酸素、水素、塩素の中から選択される反応種を含んでいることを特徴とする請求項１０記載の方法。
- 前記スパッタエッチング工程が、アルゴン雰囲気中でのスパッタエッチングを含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
- 前記中間層がRu及びCrを含んだ合金を含有することを特徴とする請求項９記載の方法。
- 前記中間層が第一、第二のRu含有層を含み、前記中間層をスパッタ蒸着により設ける工程が、前記第二のRu含有層を前記第一のRu含有層上に約12 mTorrよりも低いスパッタ圧にてスパッタ蒸着により設ける工程を含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/354,505 US20070187227A1 (en) | 2006-02-15 | 2006-02-15 | Method for making a perpendicular magnetic recording disk |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007220280A true JP2007220280A (ja) | 2007-08-30 |
Family
ID=38367206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007033611A Pending JP2007220280A (ja) | 2006-02-15 | 2007-02-14 | 垂直磁気記録ディスクの作製方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070187227A1 (ja) |
| JP (1) | JP2007220280A (ja) |
| CN (1) | CN101025936A (ja) |
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2006
- 2006-02-15 US US11/354,505 patent/US20070187227A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-02-14 JP JP2007033611A patent/JP2007220280A/ja active Pending
- 2007-02-15 CN CNA2007100059293A patent/CN101025936A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101025936A (zh) | 2007-08-29 |
| US20070187227A1 (en) | 2007-08-16 |
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