JP2007218858A - 半導体圧力センサ装置 - Google Patents
半導体圧力センサ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007218858A JP2007218858A JP2006042668A JP2006042668A JP2007218858A JP 2007218858 A JP2007218858 A JP 2007218858A JP 2006042668 A JP2006042668 A JP 2006042668A JP 2006042668 A JP2006042668 A JP 2006042668A JP 2007218858 A JP2007218858 A JP 2007218858A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- sensor module
- sensor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
- G01L19/0654—Protection against aggressive medium in general against moisture or humidity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
- G01L19/143—Two part housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【解決手段】
圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサ部と、この半導体圧力センサ部と一部が外部に導出されるターミナルとを第一の樹脂でインサートモールドされたセンサモジュールと、前記センサモジュールに収納され、前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、センサモジュールの第二の樹脂からの露出部分と第二の樹脂との境界が接着剤で覆われていることを特徴とするものである。
【選択図】図1
Description
図8は特許文献1に示される半導体圧力センサ装置の断面構成を示したものであり、以下これについて説明する。図において、外装ケース1は実装部1aとコネクタ部1bとからなり、外部接続用のターミナル2をその一部が外部に突出するようにインサート成形している。実装部1aには図の下方に開いた凹型開口部4を有し、これにセンサモジュール3が収容されている。上記センサモジュール3から導出しているリードフレーム5とターミナル2とを溶接することにより信号を外部に出力するようになっている。
以下、図1及び図2によりこの発明の実施の形態1について説明する。図1は実施形態1における半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図、図2はセンサモジュール3の正面図である。図中、従来技術で説明した図8と同一または相当部分には同一符号を付している。
ものである。
次に、図3によりこの発明の実施の形態2について説明する。図3は実施の形態2の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお図1、図2と同一部分には同一符号を付している。実施の形態1との相違点は、コネクタ部1bの内部に露出しているセンサモジュール3の一部であるコネクタ端子16と、外装ケース1を形成する第二の樹脂との境界部の、接着剤24による封止が省略されていることである。
次に実施の形態3について説明する。図4は実施の形態3の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお図1〜3と同一部分または相当部分には、同一の符号を用いている。本実施の形態においては、更にセンサモジュール3の背面部23においてもセンサモジュール3の露出部をなくした物を示している。従って、この実施の形態では、コネクタ端子16の内部以外で、センサモジュール3が第二の樹脂から露出している箇所は、半導体圧力センサチップ4の実装部1aを含む箇所のみとなり製造工程のより一層の簡素化が期待できる。
次に実施の形態4について説明する。図6は実施の形態4の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお図1〜4と同一部分には、同一の符号を用いている。本実施の形態においては、蓋体9には、凸部28が設けられており、これが外装ケース1とセンサモジュール3との境界部に形成されている溝部29内に挿入され、相互間に接着剤24を充填することにより封止している。接着剤24としては、エポキシ系の接着剤や、シリコーン樹脂系のゴムなどの材料が用いられる。
この実施の形態によれば、センサモジュールと第二の樹脂との境界部の封止と同時に、圧力伝達孔8aを有する蓋体9の接合を実現することができ、製造工程を簡略化できるともに、封止用の溝部を接着勘合部と共用できるため小型化が実現できる。
次に実施の形態5について説明する。図7は実施の形態5の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお、図1〜5と同一部分には、同一の符号を用いている。本実施の形態においては、ターミナル2は、センサモジュール3を形成する第一の樹脂にインサートモールドされているリード2aと、一端がコネクタ端子16となっているリード2bが抵抗溶接法などの接合法によって一体化されたものとなっている。
実施の形態5によれば、コネクタ端子形状が複数のバリエーションをもつ半導体圧力センサ装置を製造するに際しても、コネクタ端子部を含むリード部にバリエーションを持たせるだけで、センサモジュール3は共用パーツとすることが出来るため、製造工程を簡素化できる。
3 センサモジュール、 4 凹型開口部、
5 リードフレーム、 6 半導体圧力センサ部、
7 信号処理部、 8 ポート、 8a 圧力伝達孔
9 蓋体、 10 凸部、 11 凹部、
12 接着剤、 15 調整部、
16 コネクタ端子、 18 ボンディングワイヤ、
19 保護樹脂層、 24 接着剤、
26 ゲート、 28 凸部、 29 凹部、
30 上部金型、 31下部金型、 32 置き駒金型。
Claims (8)
- 圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサ部と、この半導体圧力センサ部と一部が外部に導出されるターミナルとを第一の樹脂でインサートモールドされたセンサモジュールと、前記センサモジュールに収納され、前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、センサモジュールの第二の樹脂からの露出部分と第二の樹脂との境界が接着剤で覆われていることを特徴とする半導体圧力センサ装置。
- 上記外装ケースには、前記ターミナルのコネクタ端子部と、半導体圧力センサ実装部と、センサモジュールの背面部との3箇所において第二の樹脂からの露出部分が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ装置。
- 上記コネクタ部は防水機能を有するものであり、上記外装ケースには、コネクタ内部を除いて、半導体圧力センサ実装部と、センサモジュールの背面部との2箇所において第二の樹脂からの露出部分が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ装置。
- 上記第二の樹脂から上記センサモジュールが露出している箇所は、コネクタ内部を除いては、半導体圧力センサ実装部のみであることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ装置。
- 上記第二の樹脂の成形に用いるゲートは、半導体圧力センサ部の収納部を含むセンサモジュールの露出部と第二の樹脂との境界を通る面よりも、センサモジュールの背面側に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体圧力センサ装置。
- 上記半導体圧力センサ部の収納部を含むセンサモジュールの露出部と第二の樹脂との境界部を覆う接着剤によって、圧力導入用のポートを有する蓋体が外装ケースに接着され、内部に圧力導入室が形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体センサ装置。
- 上記ターミナルは、一部が第一の樹脂でインサートモールドされている第一のリードと、一部が外部との電気的接続用のコネクタ端子となっている第二のリードが接合されたものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ装置。
- 上記第一の樹脂は熱硬化性樹脂であり、上記第二の樹脂は熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の半導体圧力センサ装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006042668A JP4249193B2 (ja) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 半導体圧力センサ装置 |
DE102006043884A DE102006043884B4 (de) | 2006-02-20 | 2006-09-19 | Halbleiterdrucksensor und Form zum Formen des Sensors |
US11/507,461 US7412895B2 (en) | 2006-02-20 | 2006-09-22 | Semiconductor pressure sensor and die for molding a semiconductor pressure sensor |
KR1020070014150A KR100868125B1 (ko) | 2006-02-20 | 2007-02-12 | 반도체 압력 센서 장치 |
US12/046,006 US7603908B2 (en) | 2006-02-20 | 2008-03-11 | Semiconductor pressure sensor, manufacturing method thereof, and die for molding semiconductor pressure sensor |
KR1020080032016A KR101187451B1 (ko) | 2006-02-20 | 2008-04-07 | 반도체 압력 센서 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006042668A JP4249193B2 (ja) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 半導体圧力センサ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008026578A Division JP4717088B2 (ja) | 2008-02-06 | 2008-02-06 | 半導体圧力センサ装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007218858A true JP2007218858A (ja) | 2007-08-30 |
JP4249193B2 JP4249193B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=38319985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006042668A Expired - Fee Related JP4249193B2 (ja) | 2006-02-20 | 2006-02-20 | 半導体圧力センサ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7412895B2 (ja) |
JP (1) | JP4249193B2 (ja) |
KR (2) | KR100868125B1 (ja) |
DE (1) | DE102006043884B4 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010002198A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Denso Corp | 圧力センサの製造方法 |
JP2011096750A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shizuki Electric Co Inc | コンデンサ |
JP2012242351A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Yokogawa Electric Corp | 差圧・圧力測定装置 |
JP2019158726A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007051870A1 (de) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Robert Bosch Gmbh | Modulgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Modulgehäuses |
DE102008005153A1 (de) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Robert Bosch Gmbh | Druckmessmodul |
DE102008029192A1 (de) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Epcos Ag | Fühler zum Erfassen einer physikalischen Größe und Verfahren zur Herstellung des Fühlers |
ITTO20080485A1 (it) * | 2008-06-19 | 2009-12-20 | Eltek Spa | Dispositivo sensore di pressione |
DE202008011684U1 (de) * | 2008-09-03 | 2008-12-24 | Silicon Micro Sensors Gmbh | Drucksensor |
US8723276B2 (en) * | 2008-09-11 | 2014-05-13 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor structure with lamella defined by singulation trench |
US7832279B2 (en) | 2008-09-11 | 2010-11-16 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including a pressure sensor |
US8471346B2 (en) * | 2009-02-27 | 2013-06-25 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including a cavity |
US8015882B2 (en) * | 2009-06-04 | 2011-09-13 | Rosemount Inc. | Industrial process control pressure transmitter and flange coupling |
DE102010001418A1 (de) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Sensormodul, Verfahren zur Herstellung eines Sensormoduls |
JP5630088B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-11-26 | ミツミ電機株式会社 | ピエゾ抵抗式圧力センサ |
CN102442634B (zh) * | 2010-10-05 | 2016-04-20 | 英飞凌科技股份有限公司 | 通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法 |
US8518732B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-08-27 | Infineon Technologies Ag | Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure |
JP5853840B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-02-09 | 株式会社デンソー | センサ装置、及び、その製造方法 |
NL2011638C2 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Sencio B V | Integrated circuit package. |
DE102013226236A1 (de) * | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Baugruppe |
US9316552B2 (en) * | 2014-02-28 | 2016-04-19 | Measurement Specialties, Inc. | Differential pressure sensing die |
US9276350B1 (en) * | 2014-08-05 | 2016-03-01 | Ting Shen Industrial Co., Ltd. | Waterproof electric plug with transformer |
CN107003201B (zh) * | 2014-12-01 | 2019-11-05 | 北陆电气工业株式会社 | 半导体压力传感器装置 |
JP6315025B2 (ja) * | 2016-04-26 | 2018-04-25 | 株式会社デンソー | 物理量センサおよびその製造方法 |
US10741955B2 (en) * | 2016-09-29 | 2020-08-11 | Veoneer Us, Inc. | Sensor assembly and method for assembling a sensor connector assembly |
DE102018003133A1 (de) * | 2018-04-17 | 2019-10-17 | Infineon Technologies Ag | Sensorvorrichtung, sensormodul, spritzgusswerkzeug und verfahren zur herstellung eines sensormoduls |
JP7251510B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-04-04 | 株式会社デンソー | 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ |
KR102678706B1 (ko) * | 2022-06-07 | 2024-06-26 | 대양전기공업 주식회사 | 압력 센서 유닛 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5747694A (en) * | 1995-07-28 | 1998-05-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Pressure sensor with barrier in a pressure chamber |
JPH09178591A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Denso Corp | 半導体圧力センサ |
KR200145406Y1 (ko) * | 1996-11-05 | 1999-06-15 | 호우덴코 | 내연 기관용 흡기관 압력측정 센서의 하우징구조 |
JP3620185B2 (ja) * | 1996-12-10 | 2005-02-16 | 株式会社デンソー | 半導体センサ装置 |
US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
JP2000356561A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-12-26 | Denso Corp | 半導体歪みセンサ |
JP4281198B2 (ja) * | 1999-04-26 | 2009-06-17 | 株式会社デンソー | 圧力センサの組付け方法 |
JP3452835B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2003-10-06 | 三菱電機株式会社 | 圧力センサ装置 |
JP4281200B2 (ja) | 1999-10-07 | 2009-06-17 | 株式会社デンソー | 圧力検出装置 |
US6807864B2 (en) * | 2000-04-17 | 2004-10-26 | Denso Corporation | Pressure sensor with water repellent filter |
DE10054013B4 (de) * | 2000-11-01 | 2007-06-21 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensormodul |
JP2002243566A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Denso Corp | 半導体式圧力センサ |
EP1376090A4 (en) * | 2001-03-29 | 2007-06-06 | Hitachi Ltd | SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR |
JP3752444B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2006-03-08 | 株式会社日立製作所 | 圧力検出装置 |
US7260992B2 (en) * | 2002-01-18 | 2007-08-28 | Hitachi, Ltd. | Pressure sensor, flowmeter electronic component, and method for manufacturing the same |
JP3901005B2 (ja) | 2002-04-25 | 2007-04-04 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体圧力センサ |
JP3870918B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2007-01-24 | 株式会社デンソー | 温度センサ一体型圧力センサ装置 |
JP2004279091A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP2004340891A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力センサ装置 |
JP2004354294A (ja) | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | 圧力センサ |
JP2005055313A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ装置 |
JP2005274412A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Denso Corp | 温度センサ一体型圧力センサ装置 |
JP2007033047A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
-
2006
- 2006-02-20 JP JP2006042668A patent/JP4249193B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-19 DE DE102006043884A patent/DE102006043884B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-22 US US11/507,461 patent/US7412895B2/en active Active
-
2007
- 2007-02-12 KR KR1020070014150A patent/KR100868125B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-03-11 US US12/046,006 patent/US7603908B2/en active Active
- 2008-04-07 KR KR1020080032016A patent/KR101187451B1/ko active IP Right Grant
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010002198A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Denso Corp | 圧力センサの製造方法 |
JP2011096750A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shizuki Electric Co Inc | コンデンサ |
JP2012242351A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Yokogawa Electric Corp | 差圧・圧力測定装置 |
JP2019158726A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
US11105699B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-08-31 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | Pressure sensor |
US11585713B2 (en) | 2018-03-15 | 2023-02-21 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | Pressure sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070193359A1 (en) | 2007-08-23 |
US7603908B2 (en) | 2009-10-20 |
KR20080041157A (ko) | 2008-05-09 |
KR20070083181A (ko) | 2007-08-23 |
KR100868125B1 (ko) | 2008-11-10 |
JP4249193B2 (ja) | 2009-04-02 |
US7412895B2 (en) | 2008-08-19 |
DE102006043884B4 (de) | 2010-11-18 |
DE102006043884A1 (de) | 2007-08-30 |
KR101187451B1 (ko) | 2012-10-02 |
US20080178681A1 (en) | 2008-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4249193B2 (ja) | 半導体圧力センサ装置 | |
KR100605028B1 (ko) | 온도센서 일체형 압력센서 | |
US5948991A (en) | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip | |
AU775608B2 (en) | Pressure sensor module | |
JP4830391B2 (ja) | センサ装置の製造方法及びセンサ装置 | |
JP4550364B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2002071491A (ja) | 圧力センサ | |
KR20050076590A (ko) | 케이스 내에 포함된 압력 센서 | |
JP2006078417A (ja) | 圧力センサ | |
JP6076530B1 (ja) | 温度センサ複合型半導体圧力センサ装置 | |
JP2004279091A (ja) | 圧力センサ | |
JP2006194683A (ja) | 温度センサ一体型圧力センサ装置 | |
US7737544B2 (en) | Sensor system having a substrate and a housing, and method for manufacturing a sensor system | |
JP4717088B2 (ja) | 半導体圧力センサ装置の製造方法 | |
JP2007024771A (ja) | 圧力センサ | |
JP2001116639A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
JP2006194682A (ja) | 温度センサ一体型圧力センサ装置 | |
JP3835317B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2001296197A (ja) | 圧力センサ | |
CN110573852A (zh) | 压力传感器 | |
JP4049129B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
JP3617441B2 (ja) | センサ装置 | |
JPH10170379A (ja) | 圧力センサ | |
JP2018165679A (ja) | 物理量検出装置 | |
JP2008008731A (ja) | センサ装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090114 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4249193 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |