JP4717088B2 - 半導体圧力センサ装置の製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサ装置の製造方法 Download PDF

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この発明は半導体圧力センサ装置の製造方法に関し、特にその気密封止特性を改善した半導体圧力センサ装置の製造方法に関するものである。
従来の半導体圧力センサ装置、たとえば自動車用エンジンの吸気圧を測定するために用いられる半導体圧力センサ装置は、特開2000−337987(特許文献1)や特開平10−170380(特許文献2)に示されるような構成のものが良く知られている。
図8は特許文献1に示される半導体圧力センサ装置の断面構成を示したものであり、以下これについて説明する。図において、外装ケース1は実装部1aとコネクタ部1bとからなり、外部接続用のターミナル2をその一部が外部に突出するようにインサート成形している。実装部1aには図の下方に開いた凹型開口部4を有し、これにセンサモジュール3が収容されている。上記センサモジュール3から導出しているリードフレーム5とターミナル2とを溶接することにより信号を外部に出力するようになっている。
また、上記センサモジュール3は半導体圧力センサ部6や信号処理部7がマウントされ、図示していないがワイヤボンディング等により内部素子やICチップと上記リードフレーム5との電気接続を行っている。一方、上記センサモジュール3の露出空間を覆うようにポート8を有する漏斗状の蓋体9を設置する。ポート8には圧力伝達孔8aが設けられ、ここからエンジンの吸入空気が導入されその圧力が測定されるようになっている。上記外装ケース1のコネクタ部1bには、上記凹型開口部4の外周部位に凸部10が設けられ、これに対応する上記蓋体9には上記凸部10が収容されるように凹部11が設けられており、両者の隙間に接着剤12を充填することにより気密封止を図っている。
しかし、上述のような構成においては、外装ケース1の凹型開口部4は、センサモジュール3を収納した状態でターミナル2とリードフレーム5とを抵抗溶接等で接続しなければならず、その際の正負二極の溶接電極がコンタクトできるエリアを備えなければならないため、凹型開口部4はセンサモジュール3のサイズに対して一回り大きな開口面積が必要となる。さらに、前記凹型開口部4の周囲には、蓋体9と外装ケース1を接着固定する勘合部を設ける必要があるため、結果として本構成における半導体圧力センサ装置は、センサモジュール3に対して著しく大型となってしまっていた。
一方、外部接続用のターミナル2をその一部が外部に突出するようにインサート成形したセンサモジュール3を更にインサートモールドして外装ケース1を形成する一体モールド構造の半導体圧力センサ装置が提案されている。このタイプの装置は、外装ケース1と蓋体9との勘合部を、センサモジュール3の周囲部直近に設けることができるため、従来の構成よりも小型化した半導体圧力センサ装置を得ることができる。
しかし、このような一体モールド構造においては、センサモジュール3と外装ケース1との間に微小な間隙が形成される問題があり、この隙間を伝わって外部から汚染された圧力媒体である空気や水分が浸入し、内部金属の腐食、被測定気体のリーク等の原因となっていた。この間隙は、センサモジュール3の成形材料と、センサモジュール3をインサートモールドする外装ケース1の成形材料との線膨張係数の差によって、成形温度から実使用温度間で冷却される過程で生じるものである。
また、センサモジュール3は少なくとも半導体圧力センサ部6を実装した箇所とターミナル2の端子とを、外装ケース1より露出させる必要があるが、センサモジュール3のインサートモールドは、一般に熱可塑性樹脂を射出成形することにより形成されており、樹脂の固化時に発生する体積収縮により、外部に露出するターミナル等の金属部材との間に微小な間隙が生じることがある。従って、この露出部に生じる間隙を伝って水分が浸入した場合は、外装ケース1に内蔵されている金属リードフレーム5が腐食する恐れがあり、間隙を経由して露出部を繋ぐリーク経路が構成されるため、被測定気体が圧力導入室からリークし、正確な圧力の計測が不可能となる問題がある。
特開2000−337987号公報 特開平10−170380号公報
この発明はこのような問題に対処するためになされたものであって、半導体圧力センサ部を収容したセンサモジュールを外装ケース内に一体モールドした構造の半導体圧力センサ装置において、気密不良やリード腐食の問題を防止して、封止性能の信頼性を向上せしめた半導体圧力センサ装置の製造方法を提供するものである。
この発明は、圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサ部と、一部が外部に導出されるターミナルを第一の樹脂でインサートモールドし、上記半導体圧力センサ部を、測定する圧力を導入する圧力導入室に露出するよう搭載したセンサモジュールと、前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、上記センサモジュールの背面部が上記第二の樹脂で覆われている半導体圧力センサ装置の製造方法において、
上記第二の樹脂によるインサートモールド時に、上記センサモジュールと上記外装ケースとの境界が上記圧力導入室側に露出するような金型を使用し、
上記センサモジュールの背面部から優先的に充填されるような位置に設けられた上記金型のゲートから第二の樹脂を注入することを特徴とするものである。
この発明は上記方法とすることにより、ゲートから第二の樹脂を注入するとき、センサモジュールの背面部から優先的に充填され始めるため、センサモジュールは、常に射出圧によって金型に押し付けられ、固定され、センサモジュールがずれたり、露出部に第二の樹脂が浸入したりする懸念がなくなり、水分浸入によるリードの腐食や、気体の浸入による気密不良を防止する信頼性の高い半導体圧力センサ装置を実現することができる。
参考例1
以下、図1及び図2によりこの発明の参考例1について説明する。図1は参考例1における半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図、図2はセンサモジュール3の正面図である。図中、従来技術で説明した図8と同一または相当部分には同一符号を付している。
参考例におけるセンサモジュール3は、ターミナル2を、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる第一の樹脂をトランスファ成形法により成形して形成したものである。センサモジュール3は、半導体圧力センサ部6を搭載するための凹型開口部4を備えており、ターミナル2は一端が凹型開口部4内に露出し、他端が凹型開口部4の外側(図の右側)に露出するように、インサートモールドされている。図2に示すように、凹型開口部4の外側に露出されたターミナル2の一部は、後述する特性調整端子15であり、また、一部は外装ケース1に一体モールドされた際のコネクタ端子16を構成している。
半導体圧力センサ部6は、例えばフッ素系のダイボンド材17を介して上記凹型開口部4の底面にダイボンディングされ、凹型開口部4内に露出したターミナル2と、金やアルミからなるボンディングワイヤ18によって電気的に接続されている。凹型開口部4の内部の半導体圧力センサ部6と、ターミナル2、ボンディングワイヤ18は、被測ガスによる腐食を防止し、電気絶縁性を確保するために、例えばフッ素ゲルなどの保護樹脂層19によって被覆されている。この保護樹脂層19は圧力センサの圧力検出動作に支障のない程度のやわらかのものが選ばれる。
半導体センサ部6は、ピエゾ抵抗効果を利用した周知のものであって、ダイヤフラムを有するシリコンチップ20と、このチリコンチップ20と陽電極接合されたガラス台座21とから構成されている。上記シリコンチップ20とガラス台座21との接合によって、ダイヤフラムの下部には真空室22が形成されており、圧力は真空室22との圧力差によって生じたダイヤフラムの歪みを、このダイヤフラム上に形成したゲージ抵抗の抵抗値変化からブリッジ回路の平衡状態の崩れを検出し、センサ信号を出力するものである。
また、半導体圧力センサ部6には、ダイヤフラムを含む感圧部以外の箇所に、図示していないが感圧部からの電気信号を増幅する増幅回路や、所望の出力電圧特性への調整を行う調整回路や、調整データを格納するROM等が形成されている。特性調整は、調整端子15を介して外部から電気信号を入力することによって行われる。外装ケース1は、上記センサモジュール3を、例えばPBT(ポリブチレンテレフタレート)やPPS(ポリフェニレンスルファド)などの熱可塑性樹脂である第二の樹脂により、射出成形法によって一体的にモールドしたものである。
外装ケース1には、外部接続用のコネクタ部1bと圧力導入用のポート7とを接着接合
させる凸部10が形成されており、蓋体9の対向部分に設けられた凹部11との間で接着剤12により封止されている。また外装ケース1は、ターミナル2のコネクタ端子部16と、半導体圧力センサ実装部1aと、センサモジュール3の背面部23との3箇所において第二の樹脂から露出した部分がある。なお、外装ケース1の背面部23の露出は、一体的にモールドされる際に外装ケース1が位置ずれしないように、成形金型の上型と下型によってケースを挟み込んで保持した結果生じるものである。
この参考例においては、上記の外装ケース1から露出しているセンサモジュール3の部分のうち、外装ケース1とセンサモジュール3との境界部が接着剤24で覆われている。接着剤24としては、エポキシ系の接着剤や、シリコーン樹脂系のゴムなどの材料が用いられる。なお、上記境界部には図示したように接着剤24を充填できる溝が形成されていることが望ましい。このように、水分や気体の浸入経路となる少なくとも外装ケース1とセンサモジュール3との境界部が接着剤により封止されているので、前述したような水分浸入によるリードの腐食や、気体の浸入による気密不良を効果的に防止することができ、信頼性の高い半導体圧力センサ装置を得ることが出来る。
なお、外装ケース1と蓋体9とは、勘合部で接着剤12を介して接着固定され、内部に圧力導入室25を形成している。接着剤12としては、上述した境界部封止用の接着剤24とは異なり、機械的な強度が要求されるため、ゴム状のものより硬度が高いエポキシ系の接着剤が望ましい。ところで、本参考例においては、センサモジュール3を形成する第一の樹脂に熱硬化性樹脂を、外装ケース1を形成する第二の樹脂に熱可塑性樹脂を用いているが、その理由は次のとおりである。
すなわち、外装ケース1とセンサモジュール3との界面部には、前述のとおり、微小な間隙が存在するが、一般に金属と良好な密着性が得られる熱硬化性樹脂を第一の樹脂に用いることによって、気泡の残留を伴うことなく充填することができ、樹脂内に残留したガスが熱膨張により、センサモジュール3を形成する第一の樹脂とターミナル2との界面を通って凹型開口部4内に漏れ出し、保護層19を破壊するようなことをなくすことができる。しかし、一方、コネクタ部16等の複雑な構造を有する外装ケース1の材料としては、成形性の良好な熱可塑性樹脂を用いており、これにより両者の特徴を効果的に発揮して信頼性と生産性とを両立した圧力センサ装置を得ることが出来る。
ものである。
参考例2
次に、図3によりこの発明の参考例2について説明する。図3は参考例2の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお図1、図2と同一部分には同一符号を付している。実施の形態1との相違点は、コネクタ部1bの内部に露出しているセンサモジュール3の一部であるコネクタ端子16と、外装ケース1を形成する第二の樹脂との境界部の、接着剤24による封止が省略されていることである。
参考例1で説明したように、外装ケース1には、ターミナル2のコネクタ端子部16と、半導体圧力センサ実装部1aと、センサモジュール3の背面部23との3箇所にお
いて第二の樹脂から露出した部分が存在している例を示した。参考例2では、コネクタ部1bが防水機能を有している場合には、ターミナル2のコネクタ端子部16における
封止を省略できることを示している。ここで、防水機能を有するとは、使用時にコネクタ端子部16が相手方のコネクタ(図示していない)に装着された状態で、オスの金属端子とメスの金属端子の露出部への防水が実現されるタイプのコネクタのことを指す。
参考例のコネクタの場合は、相手方のメス型コネクタにゴムパッキンが取り付けられており、装着によって防水シールされる。防水機能を有するコネクタを用いることで、コネクタ端子16と第二の樹脂の境界部は封止しなくても、実使用において水が浸入する懸念がない。また、コネクタ内部以外のセンサモジュール3を構成する第一の樹脂と外装ケース1を構成する第二の樹脂との境界部は接着剤24で封止されているため、ガスが浸入しても、リークに至る心配がない。この参考例によれば、接着剤24で塗布するセンサモジュール3と第二の樹脂との境界部を低減できるため、参考例1のものより製造工程が簡素化できる効果がある。
実施の形態1
次に実施の形態1について説明する。図4は実施の形態1の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお図1〜3と同一部分または相当部分には、同一の符号を用いている。本実施の形態においては、更にセンサモジュール3の背面部23においてもセンサモジュール3の露出部をなくした物を示している。従って、この実施の形態では、コネクタ端子16の内部以外で、センサモジュール3が第二の樹脂から露出している箇所は、半導体圧力センサチップ4の実装部1aを含む箇所のみとなり製造工程のより一層の簡素化が期待できる。
このような外装ケース1を実現するには、第二の樹脂で射出成形する際のセンサモジュール3の固定方法に工夫を要する。即ち、参考例1のように成形時にセンサモジュール3を上下の金型で固定することが出来ないため、第二の樹脂の金型内流動に伴い、センサモジュール3の位置ずれが生じたり、露出部に第二の樹脂があふれ出たりする懸念がある。これを防止するために、第二の樹脂を成形する際の樹脂注入湯口であるゲート26(図5参照)を、半導体圧力センサ部6の実装部1aを含むセンサモジュール3の露出部と第二の樹脂との境界を通る面X−Xよりもセンサモジュール3の背面側に設けている。
図5は金型による成形状態を示す図であり、図において、30は上部金型、31は下部金型、32は置き駒金型を指している。センサモジュール3のターミナル2の端部を置き駒金型32に挿入保持した状態で下部金型31上に載置、上部から上部金型30で閉じる。上述したようにX−X面より上部(センサモジュール3の背面側)に設置されたゲート26から、第二の樹脂27を注入すると、センサモジュール3の背面部から優先的に充填され始めるため、センサモジュール3は、樹脂の流動が完了するまで、常に射出圧によって金型32に押し付けられ、固定される。従ってセンサモジュール3がずれたり、露出部に第二の樹脂が浸入したりする懸念がない。またこのとき、センサモジュール3の側面部に、センサモジュール3の背面に向かうほど狭くなるテーパを設けることで、センサモジュール3の金型に押し付けられる効果がより高くなる。
参考例3
次に参考例3について説明する。図6は参考例3の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお図1〜4と同一部分には、同一の符号を用いている。本参考例においては、蓋体9には、凸部28が設けられており、これが外装ケース1とセンサモジュール3との境界部に形成されている溝部29内に挿入され、相互間に接着剤24を充填することにより封止している。接着剤24としては、エポキシ系の接着剤や、シリコーン樹脂系のゴムなどの材料が用いられる。
この参考例によれば、センサモジュールと第二の樹脂との境界部の封止と同時に、圧力伝達孔8aを有する蓋体9の接合を実現することができ、製造工程を簡略化できると
もに、封止用の溝部を接着勘合部と共用できるため小型化が実現できる。
参考例4
次に参考例4について説明する。図7は参考例4の半導体圧力センサ装置の断面を示すものである。なお、図1〜5と同一部分には、同一の符号を用いている。本参考例においては、ターミナル2は、センサモジュール3を形成する第一の樹脂にインサートモールドされているリード2aと、一端がコネクタ端子16となっているリード2bが抵抗溶接法などの接合法によって一体化されたものとなっている。
参考例4によれば、コネクタ端子形状が複数のバリエーションをもつ半導体圧力センサ装置を製造するに際しても、コネクタ端子部を含むリード部にバリエーションを持たせるだけで、センサモジュール3は共用パーツとすることが出来るため、製造工程を簡素化できる。
なお、上記参考例および実施の形態1における半導体圧力センサ装置は、ピエゾ抵抗効果方式のものとして説明したが、静電容量方式等、他の測定原理を利用した半導体圧力センサ装置であってもよい。また、感圧部と、信号処理回路部が同一のチップ上に形成されているが、両者が別々のチップに形成されたものであってもよい。
この発明の参考例1における半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図である。 上記参考例1の半導体圧力センサ装置に組み込まれるセンサモジュールの正面図である。 この発明の参考例2における半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図である。 この発明の実施の形態1における半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図である。 上記実施の形態1の金型による成形状態を示す図である。 この発明の参考例3における半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図である。 この発明の参考例4における半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図である。 従来技術による半導体圧力センサ装置の構成を示す断面図である。
1 外装ケース、 2 ターミナル、
3 センサモジュール、 4 凹型開口部、
5 リードフレーム、 6 半導体圧力センサ部、
7 信号処理部、 8 ポート、 8a 圧力伝達孔
9 蓋体、 10 凸部、 11 凹部、
12 接着剤、 15 調整部、
16 コネクタ端子、 18 ボンディングワイヤ、
19 保護樹脂層、 24 接着剤、
26 ゲート、 28 凸部、 29 凹部、
30 上部金型、 31下部金型、 32 置き駒金型。

Claims (4)

  1. 圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサ部と、
    一部が外部に導出されるターミナルを第一の樹脂でインサートモールドし、上記半導体圧力センサ部を、測定する圧力を導入する圧力導入室に露出するよう搭載したセンサモジュールと、
    前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、
    前記センサモジュールを第二の樹脂でさらにインサートモールドしてコネクタ部を形成した外装ケースとから構成され、上記センサモジュールの背面部が上記第二の樹脂で覆われている半導体圧力センサ装置の製造方法において、
    上記第二の樹脂によるインサートモールド時に、上記センサモジュールと上記外装ケースとの境界が上記圧力導入室側に露出するような金型を使用し、
    上記センサモジュールの背面部から優先的に充填されるような位置に設けられた上記金型のゲートから第二の樹脂を注入することを特徴とする半導体圧力センサ装置の製造方法。
  2. 上記センサモジュールの側面部に、センサモジュールの背面に向かうほど狭くなるテーパを設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ装置の製造方法
  3. 上記センサモジュールと上記外装ケースとの境界部に溝を形成し、該溝を接着剤で充填したことを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ装置の製造方法
  4. 上記第一の樹脂は熱硬化性樹脂であり、上記第二の樹脂は熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ装置の製造方法
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