JP2007033047A - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】製造ラインの搬送設備の簡素化を図ることができるとともに、製造作業能率が大幅に向上し、製造コストが低減される半導体圧力センサを得る。
【解決手段】この発明に係る半導体圧力センサは、圧力を検出する半導体センサチップ1と、この半導体センサチップ1からの電気信号を補正及び増幅処理する処理回路IC2と、半導体センサチップ1及び処理回路IC2にボンディングワイヤ3を介して電気的に接続された端子5bを有するサブパッケージ5と、このサブパッケージ5の外側にインサートモールド成形により一体化されて設けられたハウジング4とを備えた半導体圧力センサにおいて、サブパッケージ5には、半導体センサチップ1及び処理回路IC2を搭載する搭載面5dが形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】この発明に係る半導体圧力センサは、圧力を検出する半導体センサチップ1と、この半導体センサチップ1からの電気信号を補正及び増幅処理する処理回路IC2と、半導体センサチップ1及び処理回路IC2にボンディングワイヤ3を介して電気的に接続された端子5bを有するサブパッケージ5と、このサブパッケージ5の外側にインサートモールド成形により一体化されて設けられたハウジング4とを備えた半導体圧力センサにおいて、サブパッケージ5には、半導体センサチップ1及び処理回路IC2を搭載する搭載面5dが形成されている。
【選択図】図1
Description
この発明は、例えば自動車用エンジンの吸気圧を測定するために用いられる半導体圧力センサに関するものである。
従来の半導体圧力センサとして、インサートモールド成形により導体が一体化された樹脂製のハウジングと、このハウジングに搭載された、半導体センサチップ及びこの半導体センサチップの特性を増幅、調整する処理回路ICと、半導体センサチップ、処理回路ICと端子等の導体とを電気的に接続したボンディングワイヤと、被測定媒体による腐食を防止し、かつ絶縁性を確保するために、半導体センサチップ、処理回路IC、導体及びボンディングワイヤを被覆した保護樹脂層とを備えた半導体センサが知られている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、上記構成の半導体圧力センサの場合、ハウジングに複数の導体がインサートモールド成形により一体化されており、一つのハウジングをインサートモールド成形により製造する際に、複数の導体があることは、それだけ金型の形状が複雑になり、また成形にも時間を要してしまい、製造コストの増大につながる。
そのため、実際には、複数の導体がそれぞれ連結されたリードフレームとインサートモールド成形により一体化されたサブパッケージ本体を形成し、その後リードフレームの連結部を切断して導体同士が独立したサブパッケージを製造し、このサブパッケージをインサート部品としてさらにインサートモールド成形によりサブパッケージの外側にハウジングを形成して製造コストの低減を図ることが多い。
そのため、実際には、複数の導体がそれぞれ連結されたリードフレームとインサートモールド成形により一体化されたサブパッケージ本体を形成し、その後リードフレームの連結部を切断して導体同士が独立したサブパッケージを製造し、このサブパッケージをインサート部品としてさらにインサートモールド成形によりサブパッケージの外側にハウジングを形成して製造コストの低減を図ることが多い。
しかしながら、上記構成の半導体圧力センサでは、サブパッケージには半導体センサチップ、処理回路ICの搭載面が設けられてなく、インサートモールド成形によりサブパッケージの外側にハウジングを形成した後、半導体センサチップ及び処理回路ICをハウジングの搭載面に搭載しなければならない。
即ち、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、保護樹脂層の形成工程及びセンサ特性調整工程等の、半導体圧力センサの製造工程に必要な各工程を、サブパッケージをハウジングと一体化した後に実施しなければならない。
即ち、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、保護樹脂層の形成工程及びセンサ特性調整工程等の、半導体圧力センサの製造工程に必要な各工程を、サブパッケージをハウジングと一体化した後に実施しなければならない。
このため、製造工程において、ハウジングは、搬送トレイに搭載された状態で製造ライン上を搬送されるが、異なる形状のハウジングを同一の製造ラインで製造する場合には、個別の形状に適合した搬送トレイを用意する必要があり、搬送設備の段取り替えも発生するといった問題点があった。
また、ハウジングは比較的大型の部品であるため、ダイボンディング工程や保護樹脂層形成工程において、ダイボンド材や保護樹脂材を加熱硬化する際の、加熱槽一台当たりの処理数が少なくなってしまうという問題点もあった。
また、部品が大型であると、熱容量も大きいため、ワイヤボンディング工程における余熱処理や、特性調整工程、特に温度特性調整工程において、変温時間に長時間を要してしまうという問題点もあった。
そして、これらの問題点は、結果的に製造コストを引き上げる原因となっていた。
そして、これらの問題点は、結果的に製造コストを引き上げる原因となっていた。
この発明は、上記のような問題点を解決することを課題とするものであって、製造ラインの搬送設備の簡素化を図ることができるとともに、製造作業能率が大幅に向上し、製造コストが低減される半導体圧力センサを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体圧力センサは、圧力を検出する半導体センサと、この半導体センサからの電気信号を補正及び増幅処理する処理回路部と、前記半導体センサ及び前記処理回路部にボンディングワイヤを介して電気的に接続された端子を有するサブパッケージと、このサブパッケージの外側にインサートモールド成形により一体化されて設けられたハウジングとを備えた半導体圧力センサにおいて、前記サブパッケージには、前記半導体センサ及び前記処理回路部を搭載する搭載面が形成されている。
この発明に係る半導体圧力センサによれば、製造ラインの搬送設備の簡素化を図ることができるとともに、製造作業能率が大幅に向上し、製造コストが低減される。
以下、この発明の各実施の形態について説明するが、同一または相当の部材、部位については同一符号を付して説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1の半導体圧力センサを示す断面図、図2は図1のハウジング4を示す平面図である。
この半導体圧力センサでは、箱状のサブパッケージ5の底面の搭載面5dに、半導体センサである半導体センサチップ1、及び処理回路部である処理回路IC2が搭載されている。サブパッケージ5は、インサートモールド成形によりコネクタ4aを有するハウジング4と一体化されている。ハウジング4には、圧力導入孔6aを有するポート6が接着剤を用いて接合されており、圧力導入孔6aを経由して半導体センサチップ1に圧力が伝達される。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1の半導体圧力センサを示す断面図、図2は図1のハウジング4を示す平面図である。
この半導体圧力センサでは、箱状のサブパッケージ5の底面の搭載面5dに、半導体センサである半導体センサチップ1、及び処理回路部である処理回路IC2が搭載されている。サブパッケージ5は、インサートモールド成形によりコネクタ4aを有するハウジング4と一体化されている。ハウジング4には、圧力導入孔6aを有するポート6が接着剤を用いて接合されており、圧力導入孔6aを経由して半導体センサチップ1に圧力が伝達される。
サブパッケージ5は、半導体センサチップ1及び処理回路IC2が搭載される搭載面5dを有する断面コの字形状のサブパッケージ本体5aと、コネクタ端子5bと、調整端子5cと、内部配線5gとを備えている。
半導体センサチップ1は、ピエゾ抵抗効果を利用した周知のものであって、ダイヤフラムを有するシリコンチップ1aと、このシリコンチップ1aと陽電極接合されたガラス台座1bから構成されている。シリコンチップ1aとガラス台座1bとの接合によって、ダイヤフラムの下部には真空室1cが形成されている。圧力は、反真空室1c側と真空室1cとの圧力差によって生じたダイヤフラムの歪みを、このダイヤフラム上に形成したゲージ抵抗の抵抗値変化から検出し、電気信号として出力するものである。
半導体センサチップ1は、ピエゾ抵抗効果を利用した周知のものであって、ダイヤフラムを有するシリコンチップ1aと、このシリコンチップ1aと陽電極接合されたガラス台座1bから構成されている。シリコンチップ1aとガラス台座1bとの接合によって、ダイヤフラムの下部には真空室1cが形成されている。圧力は、反真空室1c側と真空室1cとの圧力差によって生じたダイヤフラムの歪みを、このダイヤフラム上に形成したゲージ抵抗の抵抗値変化から検出し、電気信号として出力するものである。
処理回路部である処理回路IC2は、半導体センサチップ1からの電気信号を増幅する増幅回路と、所望の特性調整を行う調整回路と、調整データを格納するROMとから構成されている。特性調整は、調整端子5cを介して、電気信号を入力することによって行われる。
半導体センサチップ1及び処理回路IC2は、例えばフッ素エラストマ等のダイボンド材を介して搭載面5dにダイボンディングされている。処理回路IC2は、コネクタ端子5b、調整端子5c及び内部配線5gと金等のボンディングワイヤ3を介して電気的に接続されている。また、半導体センサチップ1は、内部配線5gと金等のボンディングワイヤ3を介して電気的に接続されている。
半導体センサチップ1、処理回路IC2、コネクタ端子5b、調整端子5c、内部配線5g及びボンディングワイヤ3は、例えばフッ素ゲルなどの保護樹脂層8によって被覆されており、被測定媒体による腐食が防止され、また電気絶縁性が確保されている。
半導体センサチップ1及び処理回路IC2は、例えばフッ素エラストマ等のダイボンド材を介して搭載面5dにダイボンディングされている。処理回路IC2は、コネクタ端子5b、調整端子5c及び内部配線5gと金等のボンディングワイヤ3を介して電気的に接続されている。また、半導体センサチップ1は、内部配線5gと金等のボンディングワイヤ3を介して電気的に接続されている。
半導体センサチップ1、処理回路IC2、コネクタ端子5b、調整端子5c、内部配線5g及びボンディングワイヤ3は、例えばフッ素ゲルなどの保護樹脂層8によって被覆されており、被測定媒体による腐食が防止され、また電気絶縁性が確保されている。
ハウジング4は、サブパッケージ5をインサート部品として、例えばPBT(ポリブチレンテレフタラート)樹脂等の熱可塑性樹脂で射出成形法によってインサートモールド成形により形成されている。この時、サブパッケージ5の内側領域はモールド樹脂から露出している。また、ハウジング4の調整端子5c側でも、調整端子5cの中間部に孔4bが形成されている。この孔4bを形成することで、サブパッケージ5をハウジング4にモールドした後でも処理回路IC2に書き込まれたROMの情報を読み出すことができる。
なお、この孔4bは、必須ではない。
なお、この孔4bは、必須ではない。
次に、上記構成の半導体圧力センサの製造手順について説明する。
先ず、図3に示すように、リードフレーム20にエポキシ樹脂からなるサブパッケージ本体5aをトランスファー成形法によるインサートモールド成形によって複数形成する。
次に、半導体センサチップ1及び処理回路IC2を例えばフッ素エラストマ等のダイボンド材を介してサブパッケージ本体5aの搭載面5dにダイボンディングする。
その次に、処理回路IC2と、コネクタ端子5b、調整端子5c及び内部配線5gのそれぞれとをボンディングワイヤ3を介して電気的に接続する。また、半導体センサチップ1と内部配線5gとをボンディングワイヤ3を介して電気的に接続する。
先ず、図3に示すように、リードフレーム20にエポキシ樹脂からなるサブパッケージ本体5aをトランスファー成形法によるインサートモールド成形によって複数形成する。
次に、半導体センサチップ1及び処理回路IC2を例えばフッ素エラストマ等のダイボンド材を介してサブパッケージ本体5aの搭載面5dにダイボンディングする。
その次に、処理回路IC2と、コネクタ端子5b、調整端子5c及び内部配線5gのそれぞれとをボンディングワイヤ3を介して電気的に接続する。また、半導体センサチップ1と内部配線5gとをボンディングワイヤ3を介して電気的に接続する。
その後、サブパッケージ5内にフッ素ゲル等の保護樹脂材を充填し、半導体センサチップ1、処理回路IC2、コネクタ端子5b、調整端子5c、内部配線5g及びボンディングワイヤ3を被覆した保護樹脂層8を形成する。
その次に、リードフレーム20の連結部20aの一部を切断し、電気的に独立させた状態で調整端子5cを通じて電気信号を入力することによってセンサ特性の調整を行う。
次に、連結部20aの残りの部分を切断して個々に分離されたサブパッケージ5を形成する。
その次に、リードフレーム20の連結部20aの一部を切断し、電気的に独立させた状態で調整端子5cを通じて電気信号を入力することによってセンサ特性の調整を行う。
次に、連結部20aの残りの部分を切断して個々に分離されたサブパッケージ5を形成する。
その後、サブパッケージ5をインサート部品として、PBT樹脂等の熱可塑性樹脂で射出成形法によるインサートモールド成形によりハウジング4を形成する。
最後に、ポート6をハウジング4に接着剤を介して接合する。
最後に、ポート6をハウジング4に接着剤を介して接合する。
以上説明したように、この半導体圧力センサによれば、サブパッケージ5には、半導体センサチップ1及び処理回路IC2を搭載する搭載面5dが形成されているので、ハウジング4を形成する前のリードフレーム20の状態で、ダイボンディング、ワイヤボンディング、保護樹脂層8の形成及びセンサ特性の調整を行うことができる。
そのため、搬送トレイが不要になり、また異なる形状のサブパッケージ5でも、リードフレーム20の外形形状を統一しておけば、搬送設備の段取り替えが不要となる。
そのため、搬送トレイが不要になり、また異なる形状のサブパッケージ5でも、リードフレーム20の外形形状を統一しておけば、搬送設備の段取り替えが不要となる。
また、サブパッケージ5はハウジング4と比較すると小型であるため、ダイボンド材や保護樹脂を加熱硬化する際の、加熱槽一台当たりの処理数を多くでき、さらにはワイヤボンディング工程における余熱処理や、センサ特性の調整工程における変温時間を短時間化することができる。
このようなことから、各工程の作業能率が大幅に向上し、結果として製造コストが低減される。
このようなことから、各工程の作業能率が大幅に向上し、結果として製造コストが低減される。
また、サブパッケージ5のサブパッケージ本体5aは、断面コの字形状であり、半導体センサチップ1、処理回路IC2及びボンディングワイヤ3を囲った壁部5eが形成されているので、半導体圧力センサの製造工程中において、半導体センサチップ1、処理回路IC2及びボンディングワイヤ3は、特に搬送方向に沿った方向の外力を受けにくく、それだけ損傷されにくい。
また、壁部5e内に保護樹脂材を充填することで、半導体センサチップ1、処理回路IC2、コネクタ端子5b、調整端子5c、内部配線5g及びボンディングワイヤ3を覆った保護樹脂層8は確実に形成される。
また、壁部5e内に保護樹脂材を充填することで、半導体センサチップ1、処理回路IC2、コネクタ端子5b、調整端子5c、内部配線5g及びボンディングワイヤ3を覆った保護樹脂層8は確実に形成される。
実施の形態2.
図4は実施の形態2の半導体圧力センサを示す要部断面図である。
この実施の形態2では、リードフレームの構成要素である導体21に、コネクタ端子22を抵抗溶接で接続した点が実施の形態1と異なる。
他の構成は実施の形態1の半導体圧力センサと同一であり、同一の効果を得ることができる。
図4は実施の形態2の半導体圧力センサを示す要部断面図である。
この実施の形態2では、リードフレームの構成要素である導体21に、コネクタ端子22を抵抗溶接で接続した点が実施の形態1と異なる。
他の構成は実施の形態1の半導体圧力センサと同一であり、同一の効果を得ることができる。
なお、実施の形態1、2では、サブパッケージ本体5aを熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を用いて形成しているが、例えばPBT(ポリブチレンテレフタラート)樹脂等の熱可塑性樹脂を用いて形成してもよい。
また、半導体センサチップ1としては、ピエゾ抵抗効果を利用した圧力検出方式に限らない。例えば静電容量方式の半導体圧力センサチップであってもよい。
また、実施の形態1、2では、半導体センサチップ1及び処理回路IC2は、別体であったが、圧力を検出する半導体センサと、この半導体センサからの電気信号を補正及び増幅処理する処理回路部とを同一のチップ上に形成したICで構成したものであってもよい。このものの場合、半導体圧力センサの小型化が図れる。
また、半導体センサチップ1及び処理回路IC2は、例えばフッ素エラストマ等のダイボンド材を介してサブパッケージ本体5aの搭載面5dにダイボンディングされているが、半導体センサチップ1及び処理回路IC2を例えばサブパッケージ5の内部配線5g上に搭載してもよい。
また、実施の形態1、2では、半導体センサチップ1及び処理回路IC2は、別体であったが、圧力を検出する半導体センサと、この半導体センサからの電気信号を補正及び増幅処理する処理回路部とを同一のチップ上に形成したICで構成したものであってもよい。このものの場合、半導体圧力センサの小型化が図れる。
また、半導体センサチップ1及び処理回路IC2は、例えばフッ素エラストマ等のダイボンド材を介してサブパッケージ本体5aの搭載面5dにダイボンディングされているが、半導体センサチップ1及び処理回路IC2を例えばサブパッケージ5の内部配線5g上に搭載してもよい。
1 半導体センサチップ(半導体センサ)、1a シリコンチップ、2 処理回路IC(処理回路部)、3 ボンディングワイヤ、4 ハウジング、5 サブパッケージ、5a サブパッケージ本体、5b コネクタ端子、5c 調整端子、5d 搭載面、5e 壁部、20 リードフレーム。
Claims (3)
- 圧力を検出する半導体センサと、
この半導体センサからの電気信号を補正及び増幅処理する処理回路部と、
前記半導体センサ及び前記処理回路部にボンディングワイヤを介して電気的に接続された端子を有するサブパッケージと、
このサブパッケージの外側にインサートモールド成形により一体化されて設けられたハウジングと
を備えた半導体圧力センサにおいて、
前記サブパッケージには、前記半導体センサ及び前記処理回路部を搭載する搭載面が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 前記サブパッケージは、断面コの字形状の樹脂製のサブパッケージ本体と、このサブパッケージ本体に組み込まれた前記端子とを備えている請求項1に記載の半導体圧力センサ。
- 前記半導体センサ及び前記処理回路部は、同一のチップ上に形成されたICで構成されている請求項1または2に記載の半導体圧力センサ。
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