JP2007201374A - 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を洗浄処理するための洗浄処理装置であって、
基板が供給されるチャンバ16と、断熱膨張させることで固体粒子を生成する流体をチャンバ内の基板に向けて供給するノズル体28と、ノズル体によって供給される固体粒子の粒径を制御する湿度制御手段36及び温度制御手段37を具備する。
【選択図】 図3
Description
基板を洗浄処理する場合、通常、洗浄液が用いられる。基板の洗浄効果を高めるには、薬液などの有害な洗浄液が用いられることがある。有害な洗浄液を用いると、洗浄後における洗浄液の処理に高価な設備や多くの手間が掛かるということがある。
上記基板が供給されるチャンバと、
断熱膨張させることで固体粒子を生成する流体を上記チャンバ内の基板に向けて供給する流体供給手段と、
この流体供給手段によって供給される上記固体粒子の粒径を制御する粒径制御手段と
を具備したことを特徴とする洗浄処理装置にある。
上記粒径制御手段は上記検出手段の検出に基いて制御されることが好ましい。
上記流体供給手段は上記空間部に上記流体を供給するよう配置されていることが好ましい。
上記基板をチャンバ内に供給する工程と、
断熱膨張させることで固体粒子を生成する流体を上記チャンバ内に供給された基板に向けて供給する工程と、
上記基板に供給される上記固体粒子の粒径を制御する工程と
を具備したことを特徴とする洗浄処理方法にある。
その測定に基いて上記基板に供給される上記固体粒子の粒径を制御することが好ましい。
図1乃至図4はこの発明の第1の実施の形態を示し、図1は基板Wの洗浄処理装置1の概略的構成を示す。この洗浄処理装置1はカセットステーション2を有する。このカセットステーション2はカセット3に未処理の基板Wが収容されたローダ部4と、後述するように処理液によって処理された基板Wをカセット3に回収するアンローダ部5とを備えている。
上記各実施の形態において、ノズル体を図示しないアームに取付け、このアームを回動させることで、上記ノズル体を基板の径方向に移動させながら基板を処理するようにしてもよい。
Claims (8)
- 基板を洗浄処理するための洗浄処理装置であって、
上記基板が供給されるチャンバと、
断熱膨張させることで固体粒子を生成する流体を上記チャンバ内の基板に向けて供給する流体供給手段と、
この流体供給手段によって供給される上記固体粒子の粒径を制御する粒径制御手段と
を具備したことを特徴とする洗浄処理装置。 - 上記粒径制御手段は、上記チャンバ内の湿度を制御することを特徴とする請求項1記載の洗浄処理装置。
- 上記粒径制御手段は、上記チャンバ内の温度を制御することを特徴とする請求項1記載の洗浄処理装置。
- 上記流体供給手段から上記基板に向けて供給される上記固体粒子の粒径を検出する検出手段を有し、
上記粒径制御手段は上記検出手段の検出に基いて制御されることを特徴とする請求項1記載の洗浄処理装置。 - 上記流体供給手段は、上記流体が供給されるノズル体と、このノズル体から噴射された流体が周囲に拡散するのを制限する筒状の拡散防止部材とによって構成されていることを特徴とする請求項1記載の洗浄処理装置。
- 上記チャンバ内には、上記基板の被処理面との間に空間部を形成するカバーが上記被処理面に対向して配置されていて、
上記流体供給手段は上記空間部に上記流体を供給するよう配置されていることを特徴とする請求項1記載の洗浄処理装置。 - 基板を洗浄処理するための洗浄処理方法であって、
上記基板をチャンバ内に供給する工程と、
断熱膨張させることで固体粒子を生成する流体を上記チャンバ内に供給された基板に向けて供給する工程と、
上記基板に供給される上記固体粒子の粒径を制御する工程と
を具備したことを特徴とする洗浄処理方法。 - 上記基板に向けて供給される固体粒子の粒径を測定する工程を有し、
その測定に基いて上記基板に供給される上記固体粒子の粒径を制御することを特徴とする請求項7記載の洗浄処理方法。
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