WO2021079779A1 - 基板洗浄方法、および基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄方法、および基板洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2021079779A1
WO2021079779A1 PCT/JP2020/038507 JP2020038507W WO2021079779A1 WO 2021079779 A1 WO2021079779 A1 WO 2021079779A1 JP 2020038507 W JP2020038507 W JP 2020038507W WO 2021079779 A1 WO2021079779 A1 WO 2021079779A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
nozzle
gas
cluster
substrate
supply
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/038507
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
広基 大野
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to KR1020227015845A priority Critical patent/KR20220086606A/ko
Priority to CN202080071208.6A priority patent/CN114556525A/zh
Priority to US17/771,144 priority patent/US20220367214A1/en
Priority to JP2021554292A priority patent/JP7258176B2/ja
Publication of WO2021079779A1 publication Critical patent/WO2021079779A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus.
  • the substrate cleaning method described in Patent Document 1 includes a step of forming a chlorine trifluoride cluster by injecting a mixed gas of chlorine trifluoride gas and an argon gas from a nozzle, and forming the formed cluster into a silicon single crystal. It has a step of colliding with the surface.
  • One aspect of the present disclosure provides a technique capable of suppressing the occurrence of defects in the substrate when the injection of the mixed gas of the cluster forming gas and the carrier gas toward the substrate is completed.
  • the step of forming the cluster by injecting the mixed gas from the nozzle, and
  • the process of removing particles adhering to the substrate by the cluster and It has a step of continuing to supply the carrier gas to the nozzle for a set time from the time when the supply of the cluster-forming gas to the nozzle is finished.
  • FIG. 1 is a side view showing a substrate cleaning device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a nozzle moving mechanism according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the formation of a cluster according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing the components of the control unit according to the embodiment as functional blocks.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a substrate cleaning method according to an embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing the operation timing of the substrate cleaning device according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a state of contamination of the substrate after cleaning according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram showing a state of contamination of the substrate after cleaning according to the conventional example.
  • the same or corresponding configurations may be designated by the same or corresponding reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are perpendicular to each other
  • the X-axis direction and the Y-axis direction are the horizontal direction
  • the Z-axis direction is the vertical direction.
  • “downward” means downward in the vertical direction (negative direction on the Z axis)
  • “upper” means upward in the vertical direction (positive direction on the Z axis).
  • FIG. 1 is a side view showing a substrate cleaning device according to an embodiment.
  • the substrate cleaning device 10 removes particles 5 (see FIG. 3) adhering to the main surface 3 of the substrate 2 by injecting gas toward the main surface 3 of the substrate 2.
  • the substrate 2 is a semiconductor substrate such as a silicon wafer.
  • the substrate cleaning device 10 includes a processing container 20, a substrate holding unit 30, a rotating shaft unit 34, a rotating drive unit 36, an elevating drive unit 38, a nozzle 40, a drive unit 50, a gas supply unit 60, and the like. It includes a gas suction unit 70 and a control unit 90.
  • the processing container 20 has a space inside in which the substrate 2 is processed.
  • the inside of the processing container 20 is, for example, a columnar space.
  • the processing container 20 has a gate (not shown) that is an inlet / outlet of the substrate 2 and a gate valve (not shown) that opens and closes the gate.
  • the substrate holding portion 30 is arranged inside the processing container 20 and has a substrate holding surface 31 for holding the substrate 2.
  • the substrate holding portion 30 holds the substrate 2 horizontally, for example, with the main surface 3 from which the particles 5 of the substrate 2 are removed facing upward.
  • the rotating shaft portion 34 extends downward from the center of the substrate holding portion 30 and is arranged vertically.
  • the upper end portion of the rotating shaft portion 34 is arranged inside the processing container 20, and the lower end portion of the rotating shaft portion 34 is arranged outside the processing container 20.
  • the rotation drive unit 36 rotates the substrate holding unit 30 by rotating the rotation shaft unit 34 around the vertical axis.
  • the rotary drive unit 36 has, for example, a rotary motor and a transmission mechanism that transmits the rotary drive force of the rotary motor to the rotary shaft portion 34.
  • the elevating drive unit 38 raises and lowers the substrate holding unit 30.
  • the elevating drive unit 38 is composed of, for example, a fluid pressure cylinder or the like.
  • the elevating drive unit 38 raises and lowers the substrate holding unit 30 via the rotation drive unit 36, but the substrate holding unit 30 may be moved up and down without the rotation drive unit 36.
  • the nozzle 40 injects gas toward the main surface 3 of the substrate 2 held by the substrate holding portion 30.
  • the nozzle 40 is arranged above the substrate holding portion 30 with the gas injection port 41 facing downward.
  • the nozzle 40 for example, injects gas in a direction perpendicular to the main surface 3 of the substrate 2 held by the substrate holding portion 30 (for example, in the vertical direction). Since the gas collides perpendicularly with the main surface 3 of the substrate 2, it is possible to suppress the pattern collapse of the uneven pattern formed in advance on the main surface 3 of the substrate 2.
  • the drive unit 50 moves the nozzle 40 in the radial direction of the substrate holding unit 30.
  • the drive unit 50 moves the nozzle 40 between a position directly above the central portion of the substrate holding portion 30 and a position directly above the outer peripheral portion of the substrate holding portion 30. Further, the drive unit 50 moves the nozzle 40 to a position outside the radial direction of the substrate holding unit 30.
  • the position outside the radial direction of the substrate holding portion 30 is a standby position that stands by when gas is not injected.
  • FIG. 2 is a plan view showing a drive unit according to an embodiment.
  • the drive unit 50 includes, for example, a swivel arm 51 and a swivel drive unit 52 that swivels the swivel arm 51.
  • the swivel arm 51 is arranged horizontally, and holds the nozzle 40 at its tip with the injection port 41 of the nozzle 40 facing downward.
  • the swivel drive unit 52 swivels the swivel arm 51 around a swivel shaft 53 extending downward from the base end portion of the swivel arm 51.
  • the drive unit 50 may have a guide rail and a linear motion mechanism instead of the swivel arm 51 and the swivel drive unit 52.
  • the guide rails are arranged horizontally and a linear motion mechanism moves the nozzle 40 along the guide rails.
  • the drive unit 50 may further include an elevating drive unit 54 for raising and lowering the nozzle 40.
  • the elevating drive unit 54 is composed of, for example, a fluid pressure cylinder or the like.
  • the elevating drive unit 54 raises and lowers the nozzle 40 via the swivel drive unit 52, but the nozzle 40 may be moved up and down without going through the swivel drive unit 52.
  • the gas supply unit 60 supplies the cluster-forming gas to the nozzle 40.
  • the cluster-forming gas is injected from the nozzle 40. Since the cluster-forming gas adiabatically expands inside the processing container 20 that has been depressurized in advance, it is cooled to the condensation temperature and forms a cluster 4 that is an aggregate of molecules or atoms.
  • the clustering gas comprises at least one gas selected from, for example, carbon dioxide (CO 2 ) gas and argon (Ar) gas.
  • the gas supply unit 60 supplies the carrier gas to the nozzle 40.
  • the carrier gas has a smaller molecular weight or atomic weight than the clustering gas. Therefore, the carrier gas has a higher condensation temperature than the clustering gas. Therefore, the carrier gas does not form cluster 4.
  • the carrier gas includes, for example, at least one gas selected from hydrogen (H 2 ) gas and helium (He) gas.
  • the gas supply unit 60 supplies a mixed gas of the cluster forming gas and the carrier gas to the nozzle 40.
  • CO 2 gas is used as the cluster forming gas
  • H 2 gas is used as the carrier gas.
  • the combination of the cluster-forming gas and the carrier gas is not particularly limited.
  • the gas supply unit 60 includes a common line L1 whose downstream end is connected to the nozzle 40, a first branch line L2 extending from the upstream end of the common line L1 to the first supply source 61, and a second from the upstream end of the common line L1. It has a second branch line L3 extending to the supply source 62.
  • the first supply source 61 is a source of CO 2 gas.
  • the second supply source 62 is a supply source of H 2 gas.
  • the common line L1 is provided with a pressure regulator 63 for adjusting the gas supply pressure P to the nozzle 40.
  • the pressure regulator 63 adjusts the gas supply pressure P to the nozzle 40 under the control of the control unit 90.
  • a booster such as a gas booster may be further provided on the upstream side of the pressure regulator 63 of the common line L1.
  • the first branch line L2 is provided with a first on-off valve 64 and a first flow rate adjusting valve 65.
  • the control unit 90 opens the first on-off valve 64, CO 2 gas is supplied from the first supply source 61 to the nozzle 40. During this time, the control unit 90 adjusts the flow rate of the CO 2 gas by the first flow rate adjusting valve 65.
  • the control unit 90 closes the first on-off valve 64, the supply of CO 2 gas from the first supply source 61 to the nozzle 40 is stopped.
  • the second branch line L3 is provided with a second on-off valve 66 and a second flow rate adjusting valve 67.
  • H 2 gas is supplied from the second supply source 62 to the nozzle 40.
  • the control unit 90 adjusts the flow rate of the H 2 gas by the second flow rate adjusting valve 67.
  • the control unit 90 closes the second on-off valve 66, the supply of H 2 gas from the second supply source 62 to the nozzle 40 is stopped.
  • the gas suction unit 70 depressurizes the inside of the processing container 20.
  • the gas suction unit 70 includes, for example, a suction pump 71 that sucks the gas inside the processing container 20, a suction line 72 that extends from the suction port 27 formed on the inner wall surface 22 of the processing container 20 to the suction pump 71, and a suction line. It has a pressure regulator 73 provided in the middle of 72. The pressure regulator 73 adjusts the air pressure inside the processing container 20 under the control of the control unit 90.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the formation of a cluster according to an embodiment.
  • the nozzle 40 is, for example, generally called a Laval nozzle, and has a throat 43 having a diameter smaller than that of both the injection port 41 and the supply port 42.
  • the nozzle 40 has a tapered hole 45 between the throat 43 and the injection port 41 whose diameter increases from the throat 43 toward the injection port 41.
  • the nozzle 40 is arranged inside the processing container 20.
  • the inside of the processing container 20 is decompressed in advance by the gas suction unit 70.
  • the gas supplied to the supply port 42 of the nozzle 40 is accelerated by passing through the throat 43 and is injected from the injection port 41.
  • the injected CO 2 gas adiabatically expands inside the processing container 20 that has been decompressed in advance, so that it is cooled to the condensation temperature.
  • the CO 2 molecules are bonded to each other by the van der Waals force, and the cluster 4, which is an aggregate of the CO 2 molecules, is formed.
  • the cluster 4 collides with the particles 5 adhering to the main surface 3 of the substrate 2 and blows off the particles 5.
  • the cluster 4 can also blow off the particles 5 around the collision position by colliding with the main surface 3 without directly colliding with the particles 5. Since the cluster 4 becomes hot due to the collision, it is disassembled into pieces and sucked by the gas suction unit 70.
  • the size of the cluster 4 is too small, the removal efficiency of the particles 5 is too low.
  • the size of the cluster 4 is too large, the uneven pattern formed in advance on the main surface 3 of the substrate 2 collapses. Further, if the size of the cluster 4 is too large, stain-like defects may occur on the main surface 3 of the substrate 2.
  • the size of cluster 4 is adjusted.
  • the size of the cluster 4 can be adjusted by, for example, the supply pressure P of the gas to the nozzle 40, the flow rate ratio of the cluster forming gas and the carrier gas, the air pressure inside the processing container 20, and the like.
  • the gas supply pressure P to the nozzle 40 is, for example, 0.5 MPa to 5 MPa, preferably 0.5 MPa to 0.9 MPa.
  • the flow rate ratio of the cluster forming gas to the carrier gas is, for example, 10:90 to 90:10.
  • the flow rate means a normal flow rate (unit: slm) measured at 0 ° C. and atmospheric pressure.
  • the temperature of the nozzle 40 is, for example, ⁇ 50 ° C. to ⁇ 10 ° C.
  • the atmospheric pressure inside the processing container 20 is, for example, 5 Pa to 120 Pa.
  • the control unit 90 is composed of, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory.
  • the storage medium 92 stores programs that control various processes executed by the substrate cleaning device 10.
  • the control unit 90 controls the operation of the substrate cleaning device 10 by causing the CPU 91 to execute the program stored in the storage medium 92.
  • the control unit 90 includes an input interface 93 and an output interface 94.
  • the control unit 90 receives a signal from the outside through the input interface 93, and transmits the signal to the outside through the output interface 94.
  • Such a program may be stored in a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage medium 92 of the control unit 90.
  • Examples of the storage medium that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical desk (MO), and a memory card.
  • the program may be downloaded from the server via the Internet and installed on the storage medium 92 of the control unit 90.
  • FIG. 4 is a diagram showing the components of the control unit according to the embodiment as functional blocks.
  • Each functional block illustrated in FIG. 4 is conceptual and does not necessarily have to be physically configured as shown. All or part of each functional block can be functionally or physically distributed / integrated in any unit.
  • Each processing function performed in each function block may be realized by a program executed by a CPU, or as hardware by wired logic, in whole or in an arbitrary part thereof.
  • the control unit 90 includes a gas supply control unit 95, a heater control unit 96, a refrigerant supply control unit 97, and a relative position control unit 98.
  • the gas supply control unit 95 controls the gas supply unit 60.
  • the gas supply unit 60 supplies the cluster forming gas and the carrier gas to the nozzle 40.
  • the heater control unit 96 controls the heater 80.
  • the heater 80 heats the nozzle 40.
  • the heater 80 is, for example, a heating wire arranged inside the nozzle 40.
  • the refrigerant supply control unit 97 controls the refrigerant supply unit 81.
  • the refrigerant supply unit 81 adjusts the temperature of the nozzle 40 by supplying the refrigerant to the nozzle 40.
  • a flow path through which the refrigerant flows is formed around the nozzle 40.
  • the refrigerant may be either a gas or a liquid.
  • the temperature of the refrigerant is lower than room temperature, and when the refrigerant supply control unit 97 prohibits the supply of the refrigerant to the nozzle 40, the temperature of the nozzle 40 naturally rises without heating the nozzle 40.
  • the relative position control unit 98 controls the drive unit 50.
  • the drive unit 50 sets the relative positions of the nozzle 40 and the substrate holding unit 30 at a position where gas is injected from the nozzle 40 toward the substrate 2 and a position where gas is injected from the nozzle 40 toward the outside of the substrate 2. Move between.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a substrate cleaning method according to an embodiment. Each step shown in FIG. 5 is carried out under the control of the control unit 90.
  • the substrate cleaning method includes a step S101 of carrying the substrate 2 into the processing container 20.
  • a transfer device (not shown) carries the substrate 2 into the processing container 20 from the outside of the processing container 20, and arranges the carried-in substrate 2 on the substrate holding surface 31 of the substrate holding portion 30.
  • the substrate holding portion 30 holds the substrate 2 horizontally with the main surface 3 of the substrate 2 facing upward.
  • the substrate cleaning method includes a step S102 of supplying a mixed gas of a cluster forming gas and a carrier gas to the nozzle 40.
  • the gas supply unit 60 supplies the mixed gas to the nozzle 40.
  • the cluster-forming gas is, for example, CO 2 gas
  • the carrier gas is, for example, H 2 gas.
  • the carrier gas raises the gas supply pressure P to the nozzle 40 to a desired atmospheric pressure while suppressing the liquefaction of the cluster-forming gas inside the nozzle 40.
  • the adiabatic expansion of the cluster-forming gas that is, the acceleration of the cluster-forming gas is not sufficient, and the cluster 4 does not grow to a size sufficient for removing the particles 5.
  • the supply pressure P is increased to a desired pressure using only the cluster-forming gas, the pressure of the cluster-forming gas exceeds the saturated vapor pressure, and the cluster-forming gas is liquefied inside the nozzle 40.
  • the carrier gas suppresses the liquefaction of the cluster-forming gas inside the nozzle 40 by lowering the partial pressure of the cluster-forming gas. Further, the carrier gas can sufficiently accelerate the cluster-forming gas by increasing the gas supply pressure P to the nozzle 40 to a desired atmospheric pressure, and the cluster 4 can grow to a size sufficient for removing the particles 5.
  • the gas suction unit 70 sucks the gas inside the processing container 20 to keep the air pressure inside the processing container 20 constant.
  • the substrate cleaning method includes a step S103 of forming a cluster 4 by injecting a mixed gas from a nozzle 40. Since the CO 2 gas contained in the mixed gas adiabatically expands inside the processing container 20 that has been depressurized in advance, it is cooled to the condensation temperature. As a result, the CO 2 molecules are bonded to each other by the van der Waals force, and the cluster 4, which is an aggregate of the CO 2 molecules, is formed.
  • the substrate cleaning method includes a step S104 of removing particles 5 adhering to the main surface 3 of the substrate 2 by the cluster 4.
  • the cluster 4 collides with the particles 5 and blows off the particles 5.
  • the cluster 4 can also blow off the particles 5 around the collision position by colliding with the main surface 3 without directly colliding with the particles 5.
  • the above steps S102 to S104 are repeated while changing the position where the cluster 4 on the main surface 3 of the substrate 2 collides.
  • the change is carried out, for example, by moving the nozzle 40 in the radial direction of the substrate 2 while the rotation driving unit 36 rotates the substrate holding unit 30.
  • the cluster 4 can collide with the entire main surface 3 of the substrate 2, and the entire main surface 3 of the substrate 2 can be cleaned.
  • the position where the cluster 4 on the main surface 3 of the substrate 2 collides is changed by rotating the substrate holding portion 30 and moving the nozzle 40 in the radial direction of the substrate 2.
  • the substrate holding portion 30 may be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction with the nozzle 40 fixed.
  • step S105 the end of the supply of the cluster-forming gas to the nozzle 40
  • step S107 the end of the supply of the carrier gas to the nozzle 40
  • the substrate cleaning method includes a step S105 for ending the supply of the cluster forming gas to the nozzle 40.
  • the gas supply control unit 95 closes the first on-off valve 64 and ends supplying the cluster-forming gas to the nozzle 40.
  • the gas supply control unit 95 keeps opening the second on-off valve 66 without closing the second on-off valve 66.
  • the substrate cleaning method includes a step S106 in which the carrier gas is continuously supplied to the nozzle 40 for a set time ⁇ t from the time when the supply of the cluster forming gas to the nozzle 40 is completed.
  • the gas supply control unit 95 continues to open the second on-off valve 66 and continues to supply the carrier gas to the nozzle 40.
  • the cluster-forming gas remaining inside the nozzle 40 can be replaced with a carrier gas.
  • the set time ⁇ t is predetermined by experiments or the like so that the cluster-forming gas does not liquefy inside the nozzle 40, that is, the partial pressure of the cluster-forming gas is sufficiently lower than the saturated vapor pressure, as will be described later. ..
  • the substrate cleaning method includes a step S107 for terminating the supply of the carrier gas to the nozzle 40.
  • the gas supply control unit 95 closes the second on-off valve 66 and ends supplying the carrier gas to the nozzle 40.
  • the gas supply control unit 95 ends the supply of the carrier gas to the nozzle 40 after replacing the cluster-forming gas remaining inside the nozzle 40 with the carrier gas.
  • the substrate cleaning method includes a step S108 of carrying out the substrate 2 from the inside of the processing container 20 to the outside of the processing container 20.
  • the substrate holding portion 30 releases the holding of the substrate 2
  • a transport device (not shown) receives the substrate 2 from the substrate holding portion 30, and receives the received substrate 2 from the inside of the processing container 20 to the outside of the processing container 20. Carry out to. After that, this process ends.
  • step S105 the end of supply of the cluster-forming gas to the nozzle 40 (step S105) and the end of supply of the carrier gas to the nozzle 40 (step S107) have been performed at the same time. This was one of the causes of causing stain-like defects on the main surface 3 of the substrate 2.
  • the carrier gas will escape from the nozzle 40 before the cluster-forming gas. This is because the molecular weight or atomic weight of the carrier gas is smaller than the molecular weight or atomic weight of the cluster-forming gas.
  • the ratio of the cluster forming gas to the internal space of the nozzle 40 increases.
  • the cluster-forming gas or impurities inevitably contained in the cluster-forming gas may be liquefied in the internal space of the nozzle 40.
  • the substrate cleaning method of the present embodiment includes a step S106 in which the carrier gas is continuously supplied to the nozzle 40 for a set time ⁇ t from the end of the supply of the cluster forming gas.
  • the supply of the carrier gas to the nozzle 40 is terminated.
  • the supply of the carrier gas to the nozzle 40 is terminated.
  • FIG. 6 is a diagram showing the operation timing of the substrate cleaning device according to the embodiment.
  • the gas supply control unit 95 starts supplying both the cluster forming gas and the carrier gas to the nozzle 40 at time t0.
  • the gas supply control unit 95 supplies both the cluster forming gas and the carrier gas to the nozzle 40 from time t0 to time t1.
  • the gas supply control unit 95 supplies the carrier gas to the nozzle 40 at the first flow rate FR1 from the time t0 to the time t1.
  • the heater control unit 96 prohibits the heater 80 from heating the nozzle 40 from the time t0 to the time t1. As a result, the nozzle 40 can be cooled to near the condensation temperature of the cluster forming gas, and the formation of the cluster 4 can be supported.
  • the refrigerant supply control unit 97 supplies the refrigerant to the nozzle 40 from time t0 to time t1. As a result, the nozzle 40 can be cooled to near the condensation temperature of the cluster forming gas, and the formation of the cluster 4 can be supported.
  • the gas supply control unit 95 ends supplying the cluster-forming gas to the nozzle 40 at time t1. Subsequently, the gas supply control unit 95 continues to supply the carrier gas to the nozzle 40 from the time t1 to the time t2. The time from time t1 to time t2 is the set time ⁇ t.
  • the gas supply control unit 95 supplies the carrier gas to the nozzle 40 from time t1 to time t2 at a second flow rate FR2 (FR2> FR1) that is larger than the first flow rate FR1.
  • FR2 second flow rate
  • the cluster-forming gas remaining inside the nozzle 40 can be quickly replaced with the carrier gas.
  • the timing of switching the flow rate of the carrier gas from the first flow rate FR1 to the second flow rate FR2 does not have to be time t1, and may be immediately before time t1 or after time t1.
  • the gas supply control unit 95 may supply the carrier gas to the nozzle 40 at the second flow rate FR2 during the set time ⁇ t.
  • the cluster-forming gas remaining inside the nozzle 40 can be quickly replaced with the carrier gas.
  • the heater control unit 96 heats the nozzle 40 with the heater 80 from time t1 to time t2. Since heat is supplied to the nozzle 40, the temperature of the nozzle 40 becomes high. As a result, it is possible to suppress the liquefaction of the cluster-forming gas or its impurities inside the nozzle 40.
  • the timing for starting heating of the nozzle 40 does not have to be time t1, and may be immediately before time t1 or after time t1.
  • the heater control unit 96 may heat the nozzle 40 with the heater 80 during the set time ⁇ t. Since heat is supplied to the nozzle 40, the temperature of the nozzle 40 becomes high. As a result, it is possible to suppress the liquefaction of the cluster-forming gas or its impurities inside the nozzle 40.
  • the refrigerant supply control unit 97 prohibits the supply of the refrigerant to the nozzle 40 from the time t1 to the time t2. Since the refrigerant is not supplied to the nozzle 40, the temperature of the nozzle 40 becomes high. As a result, it is possible to suppress the liquefaction of the cluster-forming gas or its impurities inside the nozzle 40.
  • the timing for ending the supply of the refrigerant does not have to be time t1, and may be immediately before time t1 or after time t1.
  • the refrigerant supply control unit 97 may prohibit the supply of the refrigerant to the nozzle 40 during the set time ⁇ t. Since the refrigerant is not supplied to the nozzle 40, the temperature of the nozzle 40 naturally rises without heating the nozzle 40. As a result, it is possible to suppress the liquefaction of the cluster-forming gas or its impurities inside the nozzle 40.
  • the relative position control unit 98 sets the relative position between the nozzle 40 and the substrate 2 at a position where gas is injected from the nozzle 40 toward the substrate 2 from time t1 to time t2. If the relative position between the nozzle 40 and the substrate 2 is set to a position where the gas is injected from the nozzle 40 toward the outside of the substrate 2 from the time t1 to the time t2, the gas collides with the inner wall surface of the processing container 20. .. As a result, the deposits adhering to the inner wall surface of the processing container 20 are peeled off. The exfoliated deposits may fly up and adhere to the main surface 3 of the substrate 2.
  • the relative position control unit 98 sets the relative position between the nozzle 40 and the substrate 2 at a position where gas is injected from the nozzle 40 toward the substrate 2 from time t1 to time t2.
  • the gas injected from the nozzle 40 collides with the substrate 2 to weaken the flow velocity.
  • the gas having a low flow velocity collides with the inner wall surface of the processing container 20. Therefore, it is possible to prevent the deposits adhering to the inner wall surface of the processing container 20 from peeling off, and to prevent the deposits from adhering to the main surface 3 of the substrate 2.
  • FIG. 7 is a diagram showing a state of contamination of the substrate after cleaning according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram showing a state of contamination of the substrate after cleaning according to the conventional example.
  • black dots represent the location of defects.
  • the supply pressure P of the mixed gas to the nozzle 40 is 0.9 MPa
  • the flow rate ratio of the cluster forming gas and the carrier gas is 25:75
  • the temperature of the nozzle 40 is At ⁇ 40 ° C.
  • the pressure inside the processing container 20 was, for example, 100 Pa
  • the distance between the nozzle 40 and the substrate 2 was 60 mm.
  • the cluster-forming gas was CO 2 gas
  • the carrier gas was H 2 gas.
  • the set time ⁇ t was 30 seconds.
  • the substrate was washed in the same manner as in the embodiment shown in FIG. 7, except that the supply of the cluster forming gas was terminated and the supply of the carrier gas was terminated at the same time.
  • stain-like defects are formed on the main surface 3 of the substrate 2 by continuing to supply the carrier gas to the nozzle 40 for a set time ⁇ t from the end of the supply of the cluster forming gas. It can be seen that the occurrence can be suppressed.
  • the substrate 2 of the above embodiment is a silicon wafer, but it may be a silicon carbide substrate, a sapphire substrate, a glass substrate, or the like.
  • Substrate 3 Main surface 4
  • Cluster 5 Particle 10
  • Substrate cleaning device 20 Processing container 30
  • Substrate holding unit 40 Nozzle 50 Drive unit 60
  • Gas supply unit 80 Heater 81 Refrigerant supply unit 90
  • Control unit 95 Gas supply control unit 96 Heater control unit 97 Refrigerant supply Control unit 98 Relative position control unit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

断熱膨張によってクラスターを形成するクラスター形成ガスと、前記クラスター形成ガスよりも小さな分子量または原子量を有するキャリアガスとの混合ガスを、ノズルに供給する工程と、前記ノズルから前記混合ガスを噴射することにより、前記クラスターを形成する工程と、前記クラスターによって基板に付着したパーティクルを除去する工程と、前記クラスター形成ガスを前記ノズルに供給するのを終了する時から設定時間、前記キャリアガスを前記ノズルに供給し続ける工程とを有する、基板洗浄方法。

Description

基板洗浄方法、および基板洗浄装置
　本開示は、基板洗浄方法、および基板洗浄装置に関する。
　特許文献１に記載の基板洗浄方法は、三フッ化塩素ガスとアルゴンガスとの混合ガスをノズルから噴射することにより三フッ化塩素のクラスターを形成する工程と、形成したクラスターをシリコン単結晶の表面に衝突させる工程とを有する。
日本国特開２０１３－４６００１号公報
　本開示の一態様は、クラスター形成ガスとキャリアガスとの混合ガスを基板に向けて噴射するのを終了する時に、基板に欠陥が生じるのを抑制できる、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板洗浄方法は、
　断熱膨張によってクラスターを形成するクラスター形成ガスと、前記クラスター形成ガスよりも小さな分子量または原子量を有するキャリアガスとの混合ガスを、ノズルに供給する工程と、
　前記ノズルから前記混合ガスを噴射することにより、前記クラスターを形成する工程と、
　前記クラスターによって基板に付着したパーティクルを除去する工程と、
　前記クラスター形成ガスを前記ノズルに供給するのを終了する時から設定時間、前記キャリアガスを前記ノズルに供給し続ける工程とを有する。
　本開示の一態様によれば、クラスター形成ガスとキャリアガスとの混合ガスを基板に向けて噴射するのを終了する時に、基板に欠陥が生じるのを抑制できる。
図１は、一実施形態に係る基板洗浄装置を示す側面図である。 図２は、一実施形態に係るノズル移動機構を示す平面図である。 図３は、一実施形態に係るクラスターの形成を示す断面図である。 図４は、一実施形態に係る制御部の構成要素を機能ブロックで示す図である。 図５は、一実施形態に係る基板洗浄方法を示すフローチャートである。 図６は、一実施形態に係る基板洗浄装置の動作タイミングを示す図である。 図７は、実施例に係る洗浄後の基板の汚染状況を示す図である。 図８は、従来例に係る洗浄後の基板の汚染状況を示す図である。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。尚、各図面において同一の又は対応する構成には同一の又は対応する符号を付し、説明を省略することがある。以下の説明において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。また、下方とは鉛直方向下方（Ｚ軸負方向）を意味し、上方とは鉛直方向上方（Ｚ軸正方向）を意味する。
　図１は、一実施形態に係る基板洗浄装置を示す側面図である。基板洗浄装置１０は、基板２の主表面３に向けてガスを噴射することにより、基板２の主表面３に付着したパーティクル５（図３参照）を除去する。基板２は、例えばシリコンウェハなどの半導体基板である。基板洗浄装置１０は、処理容器２０と、基板保持部３０と、回転軸部３４と、回転駆動部３６と、昇降駆動部３８と、ノズル４０と、駆動部５０と、ガス供給部６０と、ガス吸引部７０と、制御部９０とを備える。
　処理容器２０は、基板２が処理される空間を内部に有する。処理容器２０の内部は、例えば円柱状の空間である。処理容器２０は、基板２の搬入出口であるゲート（不図示）と、ゲートを開閉するゲートバルブ（不図示）とを有する。
　基板保持部３０は、処理容器２０の内部に配置され、基板２を保持する基板保持面３１を有する。基板保持部３０は、例えば、基板２のパーティクル５が除去される主表面３を上に向けて、基板２を水平に保持する。
　回転軸部３４は、基板保持部３０の中央から下方に延びており、鉛直に配置される。回転軸部３４の上端部は処理容器２０の内部に配置され、回転軸部３４の下端部は処理容器２０の外部に配置される。
　回転駆動部３６は、回転軸部３４を鉛直軸周りに回転させることにより、基板保持部３０を回転させる。回転駆動部３６は、例えば回転モータと、回転モータの回転駆動力を回転軸部３４に伝達する伝達機構とを有する。
　昇降駆動部３８は、基板保持部３０を昇降させる。昇降駆動部３８は、例えば流体圧シリンダなどで構成される。昇降駆動部３８は、回転駆動部３６を介して基板保持部３０を昇降させるが、回転駆動部３６を介さずに基板保持部３０を昇降させてもよい。
　ノズル４０は、基板保持部３０に保持されている基板２の主表面３に向けて、ガスを噴射する。ノズル４０は、ガスの噴射口４１を下に向けて、基板保持部３０の上方に配置される。
　ノズル４０は、例えば、基板保持部３０に保持されている基板２の主表面３に対して垂直な方向（例えば鉛直方向）にガスを噴射する。基板２の主表面３に対して垂直にガスが衝突するので、基板２の主表面３に予め形成された凹凸パターンのパターン倒壊を抑制できる。
　駆動部５０は、基板保持部３０の径方向に、ノズル４０を移動させる。駆動部５０は、基板保持部３０の中心部の真上の位置と、基板保持部３０の外周部の真上の位置との間で、ノズル４０を移動させる。また、駆動部５０は、基板保持部３０の径方向外方の位置に、ノズル４０を移動させる。基板保持部３０の径方向外方の位置は、ガスを噴射しない時に待機する待機位置である。
　図２は、一実施形態に係る駆動部を示す平面図である。図２に示すように、駆動部５０は、例えば旋回アーム５１と、旋回アーム５１を旋回させる旋回駆動部５２とを有する。旋回アーム５１は、水平に配置され、その先端部に、ノズル４０の噴射口４１を下に向けて、ノズル４０を保持する。旋回駆動部５２は、旋回アーム５１の基端部から下方に延びる旋回軸５３を中心に、旋回アーム５１を旋回させる。
　なお、駆動部５０は、旋回アーム５１と旋回駆動部５２との代わりに、ガイドレールと直動機構とを有してもよい。ガイドレールは水平に配置され、直動機構がガイドレールに沿ってノズル４０を移動させる。
　駆動部５０は、図１に示すように、ノズル４０を昇降させる昇降駆動部５４をさらに有してよい。昇降駆動部５４は、例えば流体圧シリンダなどで構成される。昇降駆動部５４は、旋回駆動部５２を介してノズル４０を昇降させるが、旋回駆動部５２を介さずにノズル４０を昇降させてもよい。
　ガス供給部６０は、クラスター形成ガスをノズル４０に供給する。クラスター形成ガスは、ノズル４０から噴射される。クラスター形成ガスは、予め減圧された処理容器２０の内部で断熱膨張するので、凝縮温度まで冷却され、分子または原子の集合体であるクラスター４を形成する。クラスター形成ガスは、例えば二酸化炭素（ＣＯ２）ガスおよびアルゴン（Ａｒ）ガスから選ばれる少なくとも１つ以上のガスを含む。
　また、ガス供給部６０は、キャリアガスをノズル４０に供給する。キャリアガスは、クラスター形成ガスよりも小さな分子量または原子量を有する。それゆえ、キャリアガスは、クラスター形成ガスよりも高い凝縮温度を有する。従って、キャリアガスは、クラスター４を形成しない。キャリアガスは、例えば水素（Ｈ２）ガスおよびヘリウム（Ｈｅ）ガスから選ばれる少なくとも１つ以上のガスを含む。
　ガス供給部６０は、クラスター形成ガスとキャリアガスとの混合ガスを、ノズル４０に供給する。本実施形態では、クラスター形成ガスとしてＣＯ２ガスが用いられ、キャリアガスとしてＨ２ガスが用いられる。なお、クラスター形成ガスとキャリアガスとの組合せは、特に限定されない。
　ガス供給部６０は、下流端がノズル４０に接続される共通ラインＬ１と、共通ラインＬ１の上流端から第１供給源６１まで延びる第１分岐ラインＬ２と、共通ラインＬ１の上流端から第２供給源６２まで延びる第２分岐ラインＬ３とを有する。第１供給源６１は、ＣＯ２ガスの供給源である。また、第２供給源６２は、Ｈ２ガスの供給源である。
　共通ラインＬ１には、ノズル４０へのガスの供給圧Ｐを調整する圧力調整器６３が設けられる。圧力調整器６３は、制御部９０による制御下で、ノズル４０へのガスの供給圧Ｐを調整する。なお、共通ラインＬ１の、圧力調整器６３の上流側には、ガスブースターなどの昇圧器がさらに設けられてもよい。
　第１分岐ラインＬ２には、第１開閉弁６４と、第１流量調整弁６５とが設けられる。制御部９０が第１開閉弁６４を開くと、第１供給源６１からノズル４０にＣＯ２ガスが供給される。この間、制御部９０は、第１流量調整弁６５によってＣＯ２ガスの流量を調整する。制御部９０が第１開閉弁６４を閉じると、第１供給源６１からノズル４０へのＣＯ２ガスの供給が停止される。
　第２分岐ラインＬ３には、第２開閉弁６６と、第２流量調整弁６７とが設けられる。制御部９０が第２開閉弁６６を開くと、第２供給源６２からノズル４０にＨ２ガスが供給される。この間、制御部９０は、第２流量調整弁６７によってＨ２ガスの流量を調整する。制御部９０が第２開閉弁６６を閉じると、第２供給源６２からノズル４０へのＨ２ガスの供給が停止される。
　ガス吸引部７０は、処理容器２０の内部を減圧する。ガス吸引部７０は、例えば、処理容器２０の内部のガスを吸引する吸引ポンプ７１と、処理容器２０の内壁面２２に形成される吸引口２７から吸引ポンプ７１まで延びる吸引ライン７２と、吸引ライン７２の途中に設けられる圧力調整器７３とを有する。圧力調整器７３は、制御部９０による制御下で、処理容器２０の内部の気圧を調整する。
　図３は、一実施形態に係るクラスターの形成を示す断面図である。ノズル４０は、例えば、一般的にラバールノズルと呼ばれるものであり、噴射口４１および供給口４２の両方よりも小さい直径のスロート４３を有する。ノズル４０は、スロート４３と噴射口４１との間に、スロート４３から噴射口４１に向うほど直径が大きくなるテーパー穴４５を有する。
　ノズル４０は、処理容器２０の内部に配置される。処理容器２０の内部は、ガス吸引部７０によって予め減圧される。ノズル４０の供給口４２に供給されたガスは、スロート４３を通過することにより加速され、噴射口４１から噴射される。噴射されたＣＯ２ガスは、予め減圧された処理容器２０の内部で断熱膨張するので、凝縮温度まで冷却される。これにより、ＣＯ２分子同士がファンデルワールス力により結合し、ＣＯ２分子の集合体であるクラスター４が形成される。
　クラスター４は、基板２の主表面３に付着したパーティクル５に衝突し、パーティクル５を吹き飛ばす。クラスター４は、パーティクル５に直接衝突せずに主表面３に衝突することでも、衝突する位置周辺のパーティクル５を吹き飛ばすことができる。なお、クラスター４は、衝突によって高温になるので、バラバラに分解され、ガス吸引部７０によって吸引される。
　ところで、クラスター４のサイズが小さ過ぎると、パーティクル５の除去効率が低過ぎる。一方、クラスター４のサイズが大き過ぎると、基板２の主表面３に予め形成された凹凸パターンが倒壊する。また、クラスター４のサイズが大き過ぎると、基板２の主表面３にシミ状の欠陥が生ることもある。
　そこで、クラスター４のサイズが調整される。クラスター４のサイズは、例えば、ノズル４０へのガスの供給圧Ｐ、クラスター形成ガスとキャリアガスとの流量比、および処理容器２０の内部の気圧などで調整できる。ノズル４０へのガスの供給圧Ｐは、例えば０．５ＭＰａ～５ＭＰａであり、好ましくは０．５ＭＰａ～０．９ＭＰａである。クラスター形成ガスとキャリアガスとの流量比は、例えば１０：９０～９０：１０である。流量とは、０℃、大気圧で測定したノルマル流量（単位：ｓｌｍ）を意味する。ノズル４０の温度は、例えば－５０℃～－１０℃である。処理容器２０の内部の気圧は、例えば５Ｐａ～１２０Ｐａである。
　制御部９０は、例えばコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板洗浄装置１０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板洗浄装置１０の動作を制御する。また、制御部９０は、入力インターフェース９３と、出力インターフェース９４とを備える。制御部９０は、入力インターフェース９３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース９４で外部に信号を送信する。
　かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御部９０の記憶媒体９２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。なお、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、制御部９０の記憶媒体９２にインストールされてもよい。
　図４は、一実施形態に係る制御部の構成要素を機能ブロックで示す図である。図４に図示される各機能ブロックは概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。各機能ブロックの全部または一部を、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することが可能である。各機能ブロックにて行われる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵにて実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現されうる。
　図４に示すように、制御部９０は、ガス供給制御部９５と、ヒータ制御部９６と、冷媒供給制御部９７と、相対位置制御部９８とを備える。ガス供給制御部９５は、ガス供給部６０を制御する。ガス供給部６０は、クラスター形成ガスとキャリアガスとをノズル４０に供給する。ヒータ制御部９６は、ヒータ８０を制御する。ヒータ８０は、ノズル４０を加熱する。ヒータ８０は、例えばノズル４０の内部に配置される電熱線である。冷媒供給制御部９７は、冷媒供給部８１を制御する。冷媒供給部８１は、冷媒をノズル４０に供給することにより、ノズル４０の温度を調節する。ノズル４０の周囲には、冷媒が流れる流路が形成される。冷媒は、気体、液体のいずれでもよい。冷媒の温度は室温よりも低く、冷媒供給制御部９７が冷媒をノズル４０に供給するのを禁止すると、ノズル４０を加熱しなくてもノズル４０の温度が自然に上昇する。相対位置制御部９８は、駆動部５０を制御する。駆動部５０は、ノズル４０と基板保持部３０との相対位置を、ノズル４０から基板２に向けてガスを噴射する位置と、ノズル４０から基板２の外に向けてガスを噴射する位置との間で移動する。
　図５は、一実施形態に係る基板洗浄方法を示すフローチャートである。図５に示す各工程は、制御部９０による制御下で実施される。
　基板洗浄方法は、処理容器２０の内部に基板２を搬入する工程Ｓ１０１を有する。この工程Ｓ１０１では、不図示の搬送装置が、処理容器２０の外部から処理容器２０の内部に基板２を搬入し、搬入した基板２を基板保持部３０の基板保持面３１に配置する。基板保持部３０は、基板２の主表面３を上に向けて、基板２を水平に保持する。
　基板洗浄方法は、クラスター形成ガスとキャリアガスとの混合ガスを、ノズル４０に供給する工程Ｓ１０２を有する。この工程Ｓ１０２では、ガス供給部６０が混合ガスをノズル４０に供給する。クラスター形成ガスは例えばＣＯ２ガスであり、キャリアガスは例えばＨ２ガスである。キャリアガスは、ノズル４０の内部でのクラスター形成ガスの液化を抑制しつつ、ノズル４０へのガスの供給圧Ｐを所望の気圧まで高める。
　供給圧Ｐが低過ぎると、クラスター形成ガスの断熱膨張、つまりクラスター形成ガスの加速が十分ではなく、クラスター４がパーティクル５の除去に十分な大きさまで成長しない。一方、クラスター形成ガスのみで供給圧Ｐを所望の気圧まで高めると、クラスター形成ガスの気圧が飽和蒸気圧を超え、クラスター形成ガスがノズル４０の内部で液化する。
　キャリアガスは、クラスター形成ガスの分圧を下げることにより、ノズル４０の内部でのクラスター形成ガスの液化を抑制する。また、キャリアガスは、ノズル４０へのガスの供給圧Ｐを所望の気圧まで高めることにより、クラスター形成ガスを十分に加速でき、クラスター４をパーティクル５の除去に十分な大きさまで成長できる。
　ガス供給部６０が混合ガスをノズル４０に供給するのと並行して、ガス吸引部７０が処理容器２０の内部のガスを吸引し、処理容器２０の内部の気圧を一定に保つ。
　基板洗浄方法は、ノズル４０から混合ガスを噴射することにより、クラスター４を形成する工程Ｓ１０３を有する。混合ガスに含まれるＣＯ２ガスは、予め減圧された処理容器２０の内部で断熱膨張するので、凝縮温度まで冷却される。これにより、ＣＯ２分子同士がファンデルワールス力により結合し、ＣＯ２分子の集合体であるクラスター４が形成される。
　基板洗浄方法は、クラスター４によって基板２の主表面３に付着したパーティクル５を除去する工程Ｓ１０４を有する。クラスター４は、パーティクル５に衝突し、パーティクル５を吹き飛ばす。クラスター４は、パーティクル５に直接衝突せずに主表面３に衝突することでも、衝突する位置周辺のパーティクル５を吹き飛ばすことができる。
　上記の工程Ｓ１０２～工程Ｓ１０４は、基板２の主表面３のクラスター４が衝突する位置を変更しながら、繰り返し行われる。その変更は、例えば、回転駆動部３６が基板保持部３０を回転させながら、駆動部５０が基板２の径方向にノズル４０を移動させることにより実施される。基板２の主表面３の全体にクラスター４を衝突でき、基板２の主表面３の全体を洗浄できる。
　なお、本実施形態では基板保持部３０を回転させると共に基板２の径方向にノズル４０を移動させることにより基板２の主表面３のクラスター４が衝突する位置を変更するが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、ノズル４０を固定した状態で、基板保持部３０をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させてもよい。
　上記の工程Ｓ１０２～工程Ｓ１０４の後に、ノズル４０に対するクラスター形成ガスの供給終了（工程Ｓ１０５）と、ノズル４０に対するキャリアガスの供給終了（工程Ｓ１０７）とが行われる。
　基板洗浄方法は、クラスター形成ガスをノズル４０に供給するのを終了する工程Ｓ１０５を有する。この工程Ｓ１０５では、ガス供給制御部９５が、第１開閉弁６４を閉じ、クラスター形成ガスをノズル４０に供給するのを終了する。この時、ガス供給制御部９５は、第２開閉弁６６を閉じることなく、第２開閉弁６６を開き続ける。
　基板洗浄方法は、クラスター形成ガスをノズル４０に供給するのを終了する時から設定時間Δｔ、キャリアガスをノズル４０に供給し続ける工程Ｓ１０６を有する。この工程Ｓ１０６では、ガス供給制御部９５が、第２開閉弁６６を開き続け、キャリアガスをノズル４０に供給し続ける。ノズル４０の内部に残留するクラスター形成ガスを、キャリアガスに置換できる。設定時間Δｔは、後述するようにノズル４０の内部でクラスター形成ガスが液化しないように、つまり、クラスター形成ガスの分圧が飽和蒸気圧よりも十分に低くなるように、実験等で予め決められる。
　基板洗浄方法は、キャリアガスをノズル４０に供給するのを終了する工程Ｓ１０７を有する。この工程Ｓ１０７では、ガス供給制御部９５が、第２開閉弁６６を閉じ、キャリアガスをノズル４０に供給するのを終了する。ガス供給制御部９５は、ノズル４０の内部に残留するクラスター形成ガスをキャリアガスに置換した後で、ノズル４０に対するキャリアガスの供給を終了する。
　基板洗浄方法は、基板２を処理容器２０の内部から処理容器２０の外部に搬出する工程Ｓ１０８を有する。この工程Ｓ１０８では、基板保持部３０が基板２の保持を解除し、不図示の搬送装置が基板保持部３０から基板２を受け取り、受け取った基板２を処理容器２０の内部から処理容器２０の外部に搬出する。その後、今回の処理が終了する。
　従来、ノズル４０に対するクラスター形成ガスの供給終了（工程Ｓ１０５）と、ノズル４０に対するキャリアガスの供給終了（工程Ｓ１０７）とが同時に行われていた。このことが、基板２の主表面３にシミ状の欠陥を生じさせる一因であった。
　クラスター形成ガスの供給終了（工程Ｓ１０５）と、キャリアガスの供給終了（工程Ｓ１０７）とが同時に行われると、キャリアガスがクラスター形成ガスよりも先にノズル４０から抜けてしまう。キャリアガスの分子量または原子量は、クラスター形成ガスの分子量または原子量よりも小さいからである。
　キャリアガスがクラスター形成ガスよりも先にノズル４０から抜けようとするので、ノズル４０の内部空間に占めるクラスター形成ガスの割合が高まる。その結果、ノズル４０の内部空間で、クラスター形成ガス、またはクラスター形成ガスに不可避的に含まれる不純物が液化することがあった。
　液化したガスがノズル４０から噴射されると、基板２の主表面３に付着してしまう。この付着物がシミ状の欠陥であった。なお、ノズル４０の内部でクラスター形成ガスまたはその不純物が液化すると、巨大なクラスター４が形成され、基板２の主表面３の凹凸パターンが倒れるという問題もあった。
　本実施形態の基板洗浄方法は、クラスター形成ガスの供給終了（工程Ｓ１０５）の後で、キャリアガスの供給終了（工程Ｓ１０７）とを行う。つまり、本実施形態の基板洗浄方法は、クラスター形成ガスの供給終了から設定時間Δｔ、キャリアガスをノズル４０に供給し続ける工程Ｓ１０６を有する。
　本実施形態によれば、ノズル４０の内部に残留するクラスター形成ガスをキャリアガスに置換した後で、ノズル４０に対するキャリアガスの供給を終了する。その結果、基板２の主表面３にシミ状の欠陥が生じるのを抑制できる。また、基板２の主表面３の凹凸パターンが倒れるのを抑制できる。
　図６は、一実施形態に係る基板洗浄装置の動作タイミングを示す図である。例えば、ガス供給制御部９５は、時刻ｔ０においてクラスター形成ガスとキャリアガスとの両方をノズル４０に供給するのを開始する。
　ガス供給制御部９５は、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで、クラスター形成ガスとキャリアガスとの両方をノズル４０に供給する。ガス供給制御部９５は、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで、第１の流量ＦＲ１でキャリアガスをノズル４０に供給する。
　また、ヒータ制御部９６は、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで、ヒータ８０でノズル４０を加熱するのを禁止する。これにより、ノズル４０をクラスター形成ガスの凝縮温度の近くまで冷却でき、クラスター４の形成を支援できる。
　冷媒供給制御部９７は、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで、冷媒をノズル４０に供給する。これにより、ノズル４０をクラスター形成ガスの凝縮温度の近くまで冷却でき、クラスター４の形成を支援できる。
　その後、ガス供給制御部９５は、時刻ｔ１で、クラスター形成ガスをノズル４０に供給するのを終了する。続いて、ガス供給制御部９５は、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、キャリアガスをノズル４０に供給し続ける。時刻ｔ１から時刻ｔ２までの時間が設定時間Δｔである。
　ガス供給制御部９５は、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、第１の流量ＦＲ１よりも多い第２の流量ＦＲ２（ＦＲ２＞ＦＲ１）で、キャリアガスをノズル４０に供給する。ノズル４０の内部に残留するクラスター形成ガスを、キャリアガスに素早く置換できる。
　なお、キャリアガスの流量を第１の流量ＦＲ１から第２の流量ＦＲ２に切り替えるタイミングは、時刻ｔ１ではなくてもよく、時刻ｔ１の直前または時刻ｔ１の後でもよい。ガス供給制御部９５は、設定時間Δｔ中に、第２の流量ＦＲ２でキャリアガスをノズル４０に供給すればよい。ノズル４０の内部に残留するクラスター形成ガスを、キャリアガスに素早く置換できる。
　ヒータ制御部９６は、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、ヒータ８０でノズル４０を加熱する。熱がノズル４０に供給されるので、ノズル４０の温度が高温になる。その結果、ノズル４０の内部でクラスター形成ガスまたはその不純物が液化するのを抑制できる。
　なお、ノズル４０の加熱を始めるタイミングは、時刻ｔ１ではなくてもよく、時刻ｔ１の直前または時刻ｔ１の後でもよい。ヒータ制御部９６は、設定時間Δｔ中に、ヒータ８０でノズル４０を加熱すればよい。熱がノズル４０に供給されるので、ノズル４０の温度が高温になる。その結果、ノズル４０の内部で、クラスター形成ガスまたはその不純物が液化するのを抑制できる。
　冷媒供給制御部９７は、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、冷媒をノズル４０に供給するのを禁止する。冷媒がノズル４０に供給されないので、ノズル４０の温度が高温になる。その結果、ノズル４０の内部で、クラスター形成ガスまたはその不純物が液化するのを抑制できる。
　なお、冷媒の供給を終了するタイミングは、時刻ｔ１ではなくてもよく、時刻ｔ１の直前または時刻ｔ１の後でもよい。冷媒供給制御部９７は、設定時間Δｔ中に、冷媒をノズル４０に供給するのを禁止すればよい。冷媒がノズル４０に供給されないので、ノズル４０を加熱しなくてもノズル４０の温度が自然に高温になる。その結果、ノズル４０の内部で、クラスター形成ガスまたはその不純物が液化するのを抑制できる。
　相対位置制御部９８は、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、ノズル４０と基板２との相対位置を、ノズル４０から基板２に向けてガスを噴射する位置に据える。仮に、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、ノズル４０と基板２との相対位置を、ノズル４０から基板２の外に向けてガスを噴射する位置に据えると、ガスが処理容器２０の内壁面に衝突する。その結果、処理容器２０の内壁面に付着した堆積物が、剥離してしまう。剥離した堆積物は、舞い上がり、基板２の主表面３に付着することがある。
　相対位置制御部９８は、本実施形態では、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、ノズル４０と基板２との相対位置を、ノズル４０から基板２に向けてガスを噴射する位置に据える。ノズル４０から噴射したガスは、基板２に衝突することで、流速を弱める。流速の小さいガスが処理容器２０の内壁面に衝突する。従って、処理容器２０の内壁面に付着した堆積物が剥離するのを抑制でき、堆積物が基板２の主表面３に付着するのを抑制できる。
　図７は、実施例に係る洗浄後の基板の汚染状況を示す図である。図８は、従来例に係る洗浄後の基板の汚染状況を示す図である。図７および図８において、黒点は、欠陥の位置を表す。
　図７に示す実施例では、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで、ノズル４０への混合ガスの供給圧Ｐは０．９ＭＰａ、クラスター形成ガスとキャリアガスとの流量比は２５：７５、ノズル４０の温度は－４０℃、処理容器２０の内部の気圧は例えば１００Ｐａ、ノズル４０と基板２との間隔は６０ｍｍであった。クラスター形成ガスはＣＯ２ガス、キャリアガスはＨ２ガスであった。また、設定時間Δｔは、３０秒であった。
　なお、図７に示す実施例では、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、図６に示すキャリアガスの流量増加、ヒータ８０の加熱、および冷媒の停止は、実施しなかった。つまり、図７に示す実施例では、時刻ｔ０から時刻ｔ２まで、キャリアガスの流量は一定であり、ヒータ８０はノズル４０を加熱せず、冷媒供給部８１はノズル４０に冷媒を供給し続けた。
　図８に示す従来例では、クラスター形成ガスの供給を終了するのと同時に、キャリアガスの供給を終了した点以外、図７に示す実施例と同様に、基板の洗浄を行った。
　図７と図８とを比較すれば明らかなように、クラスター形成ガスの供給終了から設定時間Δｔ、キャリアガスをノズル４０に供給し続けることで、基板２の主表面３にシミ状の欠陥が生じるのを抑制できることが分かる。
　以上、本開示に係る基板洗浄方法、および基板洗浄装置の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　上記実施形態の基板２はシリコンウェハであるが、炭化珪素基板、サファイア基板、ガラス基板などであってもよい。
　本出願は、２０１９年１０月２３日に日本国特許庁に出願した特願２０１９－１９３０４９号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１９－１９３０４９号の全内容を本出願に援用する。
２　　基板
３　　主表面
４　　クラスター
５　　パーティクル
１０　基板洗浄装置
２０　処理容器
３０　基板保持部
４０　ノズル
５０　駆動部
６０　ガス供給部
８０　ヒータ
８１　冷媒供給部
９０　制御部
９５　ガス供給制御部
９６　ヒータ制御部
９７　冷媒供給制御部
９８　相対位置制御部

Claims (12)

  1. 　断熱膨張によってクラスターを形成するクラスター形成ガスと、前記クラスター形成ガスよりも小さな分子量または原子量を有するキャリアガスとの混合ガスを、ノズルに供給する工程と、
    　前記ノズルから前記混合ガスを噴射することにより、前記クラスターを形成する工程と、
    　前記クラスターによって基板に付着したパーティクルを除去する工程と、
    　前記クラスター形成ガスを前記ノズルに供給するのを終了する時から設定時間、前記キャリアガスを前記ノズルに供給し続ける工程とを有する、基板洗浄方法。
  2. 　前記混合ガスを前記ノズルに供給する工程は、第１の流量で前記キャリアガスを前記ノズルに供給する工程を含み、
    　前記設定時間中に、前記第１の流量よりも多い第２の流量で前記キャリアガスを前記ノズルに供給する工程を含む、請求項１に記載の基板洗浄方法。
  3. 　前記混合ガスを前記ノズルに供給する工程中に、ヒータで前記ノズルを加熱するのを禁止する工程を有し、
    　前記設定時間中に、前記ノズルをヒータで加熱する工程を有する、請求項１または２に記載の基板洗浄方法。
  4. 　前記混合ガスを前記ノズルに供給する工程中に、冷媒を前記ノズルに供給する工程と、
    　前記設定時間中に、前記冷媒を前記ノズルに供給するのを禁止する工程を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
  5. 　前記設定時間、前記ノズルと前記基板との相対位置を、前記ノズルから前記基板に向けてガスを噴射する位置に据える工程を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
  6. 　前記クラスター形成ガスは、二酸化炭素ガスおよびアルゴンガスから選ばれる１つ以上のガスを含み、
    　前記キャリアガスは、水素ガスおよびヘリウムガスから選ばれる１つ以上のガスを含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
  7. 　基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板保持部で保持されている前記基板に対してガスを噴射するノズルと、
    　前記ノズルからの噴射によって断熱膨張してクラスターを形成するクラスター形成ガスと、前記クラスター形成ガスよりも小さな分子量または原子量を有するキャリアガスとを前記ノズルに供給するガス供給部と、
    　前記ガス供給部を制御するガス供給制御部とを備え、
    　前記ガス供給制御部は、前記クラスター形成ガスと前記キャリアガスとの混合ガスを前記ノズルに供給し、前記クラスター形成ガスを前記ノズルに供給するのを終了する時から設定時間、前記キャリアガスを前記ノズルに供給し続ける、基板洗浄装置。
  8. 　前記ガス供給制御部は、
    　前記混合ガスを前記ノズルに供給する工程中に、第１の流量で前記キャリアガスを前記ノズルに供給し、
    　前記設定時間中に、前記第１の流量よりも多い第２の流量で前記キャリアガスを前記ノズルに供給する、請求項７に記載の基板洗浄装置。
  9. 　前記ノズルを加熱するヒータと、
    　前記ヒータを制御するヒータ制御部とを備え、
    　前記ヒータ制御部は、
    　前記混合ガスを前記ノズルに供給する工程中に、前記ヒータで前記ノズルを加熱するのを禁止し、
    　前記設定時間中に、前記ヒータで前記ノズルを加熱する、請求項７または８に記載の基板洗浄装置。
  10. 　冷媒を前記ノズルに供給することにより、前記ノズルの温度を調節する冷媒供給部と、
    　前記冷媒供給部を制御する冷媒供給制御部とを備え、
    　前記冷媒供給制御部は、
    　前記混合ガスを前記ノズルに供給する工程中に、前記冷媒を前記ノズルに供給し、
    　前記設定時間中に、前記冷媒を前記ノズルに供給するのを禁止する、請求項７～９のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  11. 　前記ノズルと前記基板保持部とを相対的に移動する駆動部と、
    　前記駆動部を制御する相対位置制御部とを備え、
    　前記相対位置制御部は、前記設定時間、前記ノズルと前記基板保持部との相対位置を、前記ノズルから前記基板保持部で保持されている前記基板に向けてガスを噴射する位置に据える、請求項７～１０のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
  12. 　前記クラスター形成ガスは、二酸化炭素ガスおよびアルゴンガスから選ばれる１つ以上のガスを含み、
    　前記キャリアガスは、水素ガスおよびヘリウムガスから選ばれる１つ以上のガスを含む、請求項７～１１のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
PCT/JP2020/038507 2019-10-23 2020-10-12 基板洗浄方法、および基板洗浄装置 WO2021079779A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227015845A KR20220086606A (ko) 2019-10-23 2020-10-12 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
CN202080071208.6A CN114556525A (zh) 2019-10-23 2020-10-12 基板清洗方法和基板清洗装置
US17/771,144 US20220367214A1 (en) 2019-10-23 2020-10-12 Substrate cleaning method and substrate cleaning device
JP2021554292A JP7258176B2 (ja) 2019-10-23 2020-10-12 基板洗浄方法、および基板洗浄装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019193049 2019-10-23
JP2019-193049 2019-10-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021079779A1 true WO2021079779A1 (ja) 2021-04-29

Family

ID=75619807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/038507 WO2021079779A1 (ja) 2019-10-23 2020-10-12 基板洗浄方法、および基板洗浄装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220367214A1 (ja)
JP (1) JP7258176B2 (ja)
KR (1) KR20220086606A (ja)
CN (1) CN114556525A (ja)
TW (1) TW202123315A (ja)
WO (1) WO2021079779A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201374A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Shibaura Mechatronics Corp 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法
JP2008043909A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Air Water Inc ドライアイススノー洗浄装置および方法
JP2013175681A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Kyoto Univ 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置
JP2015026745A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4833319A (en) * 1987-02-27 1989-05-23 Hughes Aircraft Company Carrier gas cluster source for thermally conditioned clusters
US6534608B2 (en) * 2000-12-07 2003-03-18 Univation Technologies, Llc Support materials for use with polymerization catalysts
JP4426989B2 (ja) * 2005-03-17 2010-03-03 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作製方法並びに薄膜作製装置及び水蒸気供給装置
JP2007165661A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8056832B2 (en) * 2008-10-30 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Jetspray nozzle and method for cleaning photo masks and semiconductor wafers
US8097860B2 (en) * 2009-02-04 2012-01-17 Tel Epion Inc. Multiple nozzle gas cluster ion beam processing system and method of operating
JP2011168881A (ja) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5785818B2 (ja) 2011-08-26 2015-09-30 岩谷産業株式会社 クラスタによる加工方法
JP6311236B2 (ja) * 2013-08-20 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
JP6690915B2 (ja) * 2014-10-06 2020-04-28 ティーイーエル マニュファクチュアリング アンド エンジニアリング オブ アメリカ，インコーポレイテッド 極低温流体混合物で基板を処理するシステムおよび方法
US10014191B2 (en) * 2014-10-06 2018-07-03 Tel Fsi, Inc. Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures
WO2017094389A1 (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法
JP6596340B2 (ja) * 2016-01-21 2019-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201374A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Shibaura Mechatronics Corp 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法
JP2008043909A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Air Water Inc ドライアイススノー洗浄装置および方法
JP2013175681A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Kyoto Univ 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置
JP2015026745A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220367214A1 (en) 2022-11-17
JPWO2021079779A1 (ja) 2021-04-29
CN114556525A (zh) 2022-05-27
JP7258176B2 (ja) 2023-04-14
TW202123315A (zh) 2021-06-16
KR20220086606A (ko) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6729561B2 (en) Cleaning nozzle and substrate cleaning apparatus
US10619894B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN108257889B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
US20070234951A1 (en) Methods and apparatus for cleaning a substrate
TWI443722B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN102610491B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
US11865590B2 (en) Substrate cleaning method, processing container cleaning method, and substrate processing device
JP5114278B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI790241B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
US6488779B1 (en) Method and apparatus for cleaning substrates
JP4210045B2 (ja) 洗浄装置
JP2006093497A (ja) 基板洗浄装置
TW201939572A (zh) 具有可控制噴束尺寸之處理噴霧的微電子處理系統
JP4767204B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2021079779A1 (ja) 基板洗浄方法、および基板洗浄装置
JP2012204559A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3980416B2 (ja) エアロゾル洗浄装置、及び、その制御方法
JP7511627B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW201921470A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
WO2023037946A1 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2005012197A (ja) エアロゾル洗浄方法及び装置
JP2023039766A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017069265A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2658653B2 (ja) 洗浄装置および洗浄装置における排気の制御方法
JP2006286948A (ja) 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20880257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021554292

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227015845

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20880257

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1