JP7244171B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に係り、より詳細には、半導体の製造に使用できる基板処理装置に関する。
半導体素子を製造するために、基板に対してフォトリソグラフィー、エッチング、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、および洗浄などのさまざまな工程を行うことにより、基板上に所望のパターンを形成する。
フォトリソグラフィー工程を行うために、まず、基板に形成された薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、フォトレジスト膜を露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）及び現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）してフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンは、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）防止膜として用いられる。薄膜をエッチングすることにより、電極膜をパターニングすることができる。
薄膜をエッチングする方法としては、ドライエッチング方法とドライエッチング方法がある。ウェットエッチング方法は、乾式よりも相対的に均一にエッチングされ、生産性が高くて多く使用されている。
ウェットエッチング方法は、様々な方法の中でも、窒化ケイ素薄膜をエッチングする一般な方法のいずれかであって、リン酸薬液を用いた湿式の高温の枚葉式リン酸エッチング方法がある。高温の枚葉式リン酸エッチング方法は、従来の一般なエッチング方法に比べてシリカ（ＳｉＯ２）の再吸着によるエッチング低下を防止することができる。しかし、高温の枚葉式リン酸エッチング方法は、リン酸薬液の吐出時にウエハー表面の温度が急減しながらエッチング量が低下するおそれがあり、リン酸薬液に含まれている水が蒸発しながらエッチング量及び選択比の低下を誘発するおそれがある。
韓国特許第１０－０６３４１２２号公報
本発明の目的は、エッチング性能が向上しうる基板処理装置を提供することにある。
本発明の一態様による基板処理装置は、基板が処理される処理空間を含むチャンバー部材；前記処理空間に設置され、基板を支持する基板支持ユニット；前記チャンバー部材に連結され、前記基板支持ユニットへ薬液を吐出する薬液吐出ユニット；及び前記チャンバー部材に連結され、前記チャンバー部材へスチームを供給するスチーム供給ユニット；を含む。
また、前記スチーム供給ユニットは、前記チャンバー部材の外部に位置し、高温及び高圧のスチームを生成するスチーム生成部材；及び前記スチーム生成部材と前記チャンバー部材とを連結し、スチームをチャンバー部材へ移送する移送部材；を含むことができる。
また、前記スチーム供給ユニットは、前記移送部材上に設置され、前記移送部材を加熱する加熱部材をさらに含むことができる。
また、前記基板処理装置は、前記チャンバー部材に結合され、前記チャンバー部材に供給されるスチームを排出する排出部材をさらに含むことができる。
また、前記基板処理装置は、前記チャンバー部材の処理空間の圧力を測定する圧力測定ユニットをさらに含むことができる。
また、前記圧力測定ユニットは、前記スチーム供給ユニットからスチームが前記チャンバー部材へ供給される部分に設置され、前記スチームの圧力を測定する第１圧力測定部材；及び排出部材からスチームが排出される部分に設置され、前記スチームの圧力を測定する第２圧力測定部材；を含むことができる。
また、前記圧力測定ユニットは、前記第１圧力測定部材で測定された圧力値と第２圧力測定部材で測定された圧力値との平均値を前記チャンバー部材内の圧力として処理することができる。
また、前記チャンバー部材は、互いに分離される上部チャンバーと下部チャンバーを含むことができる。
また、前記スチーム供給ユニットで生成されるスチームは、１０ｂａｒ乃至４０ｂａｒの圧力、及び１８０度乃至２５０度の温度を有することができる。
また、前記基板処理装置は、前記チャンバー部材の処理空間の上側に結合され、スチームから生成された水滴が基板に落下するのを防止する流体ガイド部材をさらに含むことができる。
また、前記流体ガイド部材は、中央部分から遠くなるほど下方傾斜するように構成できる。
また、前記流体ガイド部材の下端縁部は、前記基板支持ユニットよりも左右方向に前記チャンバー部材に隣接して位置することができる。
また、前記流体ガイド部材は、疎水性素材からなり得る。
また、前記基板処理装置は、前記基板支持ユニットに設置され、基板を加熱するための発熱部材をさらに含むことができ、前記発熱部材は、発熱コイルまたは光熱源であり得る。
本発明の他の態様による基板処理装置は、基板に形成された窒化ケイ素薄膜をエッチング処理するための基板処理装置であって、高圧の処理空間を提供するチャンバー部材；前記処理空間に設置され、基板を回転可能に支持するスピンチャック；前記チャンバー部材に連結され、前記スピンチャックへリン酸水溶液を吐出する薬液吐出ユニット；前記チャンバー部材に連結され、前記チャンバー部材へスチームを供給するスチーム供給ユニット；前記チャンバー部材に結合され、前記チャンバー部材に供給されるスチームを排出する排出部材；前記処理空間の圧力を測定する圧力測定ユニット；及び前記排出部材の動作を制御する制御部；を含むことができる。
また、前記制御部は、前記圧力測定ユニットの測定結果に基づいて、前記処理空間の圧力が基準圧力を超えると判断された場合、前記排出部材を動作させることができる。
また、前記制御部は、前記圧力測定ユニットの測定結果に基づいて、前記処理空間の圧力が基準圧力以下であると判断された場合、前記排出部材の動作を停止させることができる。
本発明の別の態様による基板処理装置は、基板を薬液で処理するための基板処理装置であって、駆動装置によって互いに離れるか近づく方向に相対移動可能な上部チャンバー及び下部チャンバーを含み、基板の処理空間を提供するチャンバー部材；前記処理空間に設置され、基板を回転可能に支持するスピンチャック；前記チャンバー部材に連結され、貯蔵タンクに貯蔵された薬液をポンピングして、前記スピンチャック上に支持された基板の上面に吐出するノズルを含む薬液吐出ユニット；前記チャンバー部材の外部に位置し、高温及び高圧のスチームを生成するスチーム生成部材と、前記スチーム生成部材と前記チャンバー部材とを連結し、前記スチーム生成部材で生成されたスチームをチャンバー部材へ移送するための移送部材を含むスチーム供給ユニット；前記チャンバー部材に結合され、前記チャンバー部材に供給されるスチームを排出する排出部材；及び前記処理空間の上側に設けられ、中央部分から遠ざかるほど下方傾斜するように構成される流体ガイド部材；を含むことができる。
本発明の一実施形態による基板処理装置は、チャンバー部材へ高温及び高圧のスチームを供給するスチーム供給ユニットを含む。スチーム供給ユニットによって供給される高温のスチームは、処理空間の湿度を増加させることができる。また、高圧のスチームは、チャンバー部材の処理空間の圧力を増加させることができる。
処理空間の圧力が増加すると、水の飽和蒸気温度も高くなり得る。これにより、エッチング液に含まれた水が目標温度で蒸発するのを防止することができる。このように基板に吐出されたエッチング液に含まれている水が蒸発しなくなり、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）薄膜のエッチング率が向上しうる。つまり、本発明に係る基板処理装置は、高温高圧のスチームを用いて、エッチング量と選択比（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）が低下することを防止することができる。
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置を示す図である。 図１の基板処理装置の上部チャンバーと下部チャンバーが分離された状態を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る基板処理装置を示す図である。 本発明の第４実施形態に係る基板処理装置を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施し得るように詳細に説明する。本発明は、様々な異なる形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付ける。
また、様々な実施形態において、同一の構成を有する構成要素については、同一の符号を用いて代表的な実施形態でのみ説明し、その他の別の実施形態では代表的な実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているとするとき、これは「直接的に連結」されている場合だけでなく、他の部材を挟んで「間接的に連結」されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
他に定義されない限り、技術的または科学的な用語を含めて、ここで使用されるすべての用語は、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって一般に理解されるのと同じ意味を持っている。一般に使用される辞典に定義されている用語などは、関連技術の文脈上持つ意味と一致する意味を持つものと解釈されるべきであり、本出願で明白に定義しない限り、理想的または過度に形式的な意味で解釈されない。
図１及び図２を参照すると、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００は、チャンバー部材１１０、基板支持ユニット１２０、薬液吐出ユニット１３０及びスチーム供給ユニット１４０を含む。
チャンバー部材１１０は、基板Ｓが処理される処理空間を含む。出入口（図示せず）がチャンバー部材１１０の一側に設置できる。基板Ｓは、出入口を介してチャンバー部材１１０の処理空間に供給できる。ここで、基板Ｓは、例えば、半導体の製造に使用されるウエハーであり得るが、これに限定されない。
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００に含まれているチャンバー部材１１０は、特定の圧力を安定的に維持することができるようにステンレス鋼（ＳＵＳ）からなり得る。そして、チャンバー部材１１０の内壁面は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）またはポリイミド（ＰＩ：Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの耐化学性に優れた樹脂でコートできる。
前記チャンバー部材１１０は、互いに分離される上部チャンバー１１１と下部チャンバー１１２を含むことができる。チャンバー部材１１０は、駆動装置（図示せず）によって上部チャンバー１１１と下部チャンバー１１２が互いに離れたり近づいたりすることができる。
駆動装置は、上部チャンバー１１１及び下部チャンバー１１２のうちのいずれかを昇降させることができる。上部チャンバー１１１と下部チャンバー１１２とが互いに離れると、チャンバー部材１１０の内部が外部に露出され、ユーザーはメンテナンス作業を実施することができる。駆動装置は、一般な基板処理装置に含まれたものであり得るので、これについての詳細な説明は省略する。
基板支持ユニット１２０は処理空間に設置できる。さらに詳しくは、基板支持ユニット１２０は処理空間内の底面に設置できる。基板支持ユニット１２０は基板Ｓを支持する。
基板支持ユニット１２０は、例えば、スピンチャックを含むことができる。スピンチャックは、基板Ｓを回転させる。基板Ｓが基板支持ユニット１２０に定着され、基板支持ユニット１２０の一部が回転すると、基板Ｓも回転することができる。このとき、薬液が後述の薬液吐出ユニット１３０によって基板Ｓの中心に吐出されると、薬液は、遠心力によって基板Ｓの外郭まで広がることができる。ただし、基板支持ユニット１２０がスピンチャックを含むものに限定しない。
このような基板支持ユニット１２０は発熱部材１２１を含むことができる。発熱部材１２１は、基板支持ユニット１２０における、基板Ｓに隣接する部分に設置できる。発熱部材１２１は、一例として、発熱コイルであり得る。
発熱コイルが基板支持ユニット１２０の一部分を加熱すると、基板Ｓも基板支持ユニット１２０によって加熱できる。発熱部材１２１は、工程進行中に基板Ｓを工程温度に維持するようにすることができる。発熱部材１２１は、他の一例として、光熱源であり得る。光熱源は、例えば、赤外線ランプであり得る。赤外線ランプは、赤外線を基板に照射して基板を加熱することができる。ただし、発熱部材１２１が発熱コイルまたは光熱源であると限定せず、基板を加熱することができるものであればいずれでも構わない。
薬液吐出ユニット１３０は、チャンバー部材１１０に連結され、基板支持ユニット１２０に薬液を吐出する。薬液吐出ユニット１３０は、ノズル（図示せず）と貯蔵タンク（図示せず）を含むことができる。貯蔵タンクに貯蔵された薬液がポンピングされ、ノズルを介して基板Ｓに吐出できる。
薬液は、様々な目的で使用できる。薬液は、例えば、フッ酸（ＨＦ）、硫酸（Ｈ３ＳＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、およびＳＣ－１溶液（水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）及び水（Ｈ２Ｏ）の混合液）などよりなるグループから選ばれた少なくとも一つであり得る。また、乾燥に使用されるガスとしては、窒素（Ｎ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ：ＩｓｏＰｒｏｐｙｌ Ａａｌｃｏｈｏｌなどがある。
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００が、基板Ｓをエッチングする装備である場合には、薬液はエッチング液であり得る。エッチング液は、例えば、リン酸水溶液（Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ）であり得るが、これに限定されない。エッチング液は、基板Ｓ上にある薄膜をエッチングすることができる。
一方、前述した基板支持ユニット１２０の周辺には、薬液回収ユニット（図示せず）が設置できる。薬液回収ユニットは、前記基板支持ユニット１２０に隣接して位置し、前記基板支持ユニット１２０から飛散する薬液を回収する。さらに詳細には、薬液回収ユニットは、前記基板支持ユニット１２０の周囲全体を包み込むように設置され、基板支持ユニット１２０から飛散する薬液を回収することができる。
このような薬液回収ユニットは、工程に使用された薬液のうち、互いに異なる薬液を分離して回収する。基板Ｓを処理する過程で、様々な種類の薬液のそれぞれは、薬液回収ユニットの特定の空間に流入して貯蔵できる。
一方、薬液は、回数ライン（図示せず）を介して外部の薬液再生部（図示せず）に提供されて再使用できる。薬液再生部は、使用された薬液の濃度調節と温度調節、汚染物質のフィルタリングなどを行うことにより、再利用可能に薬液を再生させる装置であり得る。
汚染物質は、基板Ｓを処理する過程で発生したパーティクルなどから生成されて薬液回収ユニットに蓄積できる。そして、ヒューム（Ｆｕｍｅ）などの汚染物質が残留する薬液から生成できる。このような汚染物質は、薬液再生部によって再生できる。以後の工程で、薬液再生部は、基板Ｓが汚染薬液によって汚染されることを防止することができる。
薬液吐出ユニット１３０と前述の基板支持ユニット１２０は、一般な基板処理装置に含まれているものであり得るので、これについての詳細な説明は省略する。
スチーム供給ユニット１４０は、チャンバー部材１１０に連結され、前記チャンバー部材１１０にスチームを供給する。スチーム供給ユニット１４０は、例えば、スチーム生成部材１４１及び移送部材１４２を含むことができる。
スチーム生成部材１４１は、チャンバー部材１１０の外部に位置し、高温及び高圧のスチームを生成することができる。スチーム生成部材１４１は、脱イオン水（ＤＩＷ：ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）を加熱してスチームを生成することができる。
移送部材１４２は、前記スチーム生成部材１４１と前記チャンバー部材１１０とを連結することができる。移送部材１４２は、スチームをチャンバー部材１１０に移送することができる。図面では、移送部材１４２がチャンバー部材１１０の上側に連結されたものと図示したが、これに限定されない。移送部材１４２は、チャンバー部材１１０の側面または下側に連結されることも可能である。
一方、スチーム供給ユニット１４０は加熱部材１４３をさらに含むことができる。加熱部材１４３は前記移送部材１４２上に設置できる。
加熱部材１４３は移送部材１４２を加熱することができる。これにより、移送部材１４２に沿って移送される脱イオン水の温度が低くなるのを防止することができる。
一方、前記スチーム供給ユニット１４０で生成されるスチームは、１０ｂａｒ乃至４０ｂａｒの圧力、及び１８０度乃至２５０度の温度を有することができる。
スチームの圧力が１０ｂａｒである場合には、スチームの温度は約１８０度であり得る。スチームの圧力が２０ｂａｒである場合には、スチームの温度は約２１０℃であり得る。また、スチームの圧力が４０ｂａｒである場合には、スチームの温度は約２５０℃であり得る。このような圧力と温度では、スチームが水分を最大限に含むことにより、多量の水分を含むスチームが基板Ｓに直接接触することができる。それだけでなく、処理空間が高圧及び高温の状態であるため、薬液も溶媒としての水分を最大限に含むことができる。
このようなスチーム供給ユニット１４０は、基板Ｓに薬液が吐出される前にチャンバー部材１１０の処理空間にスチームを供給することができる。これとは異なり、薬液が基板Ｓに吐出された後にスチーム供給ユニット１４０がチャンバー部材１１０の処理空間にスチームを供給することも可能である。
基板Ｓのエッチングが進む過程で、スチーム供給ユニット１４０によって供給される高温のスチームは、処理空間の湿度を著しく増加させることができる。また、高圧のスチームは、チャンバー部材１１０の処理空間の圧力を著しく増加させることができる。
一般に、水の飽和蒸気温度は圧力に比例して増加することができる。よって、処理空間の圧力が増加すると、水の飽和蒸気温度も高くなり得る。これにより、エッチング液に含まれている水が目標温度で蒸発するのを防止することができる。ここで、目標温度は、エッチングが円滑に実施できる反応温度である。
このように基板Ｓに吐出されたエッチング液に含まれている水が蒸発しなくなり、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）薄膜のエッチング率が向上しうる。つまり、本発明に係る基板処理装置１００は、高温高圧のスチームを用いて、エッチング量と選択比（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）が低下するのを防止することができる。
一方、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００は排出部材１５０を含むことができる。
排出部材１５０は前記チャンバー部材１１０に結合できる。排出部材１５０は、前記チャンバー部材１１０に供給されるスチームを排出することができる。このような排出部材１５０は、チャンバー部材１１０の下側に結合できる。
高圧の気体が密閉されたチャンバー部材１１０の内部に継続的に供給されると、チャンバー部材１１０内の圧力が増加しうる。よって、チャンバー部材１１０内の圧力が均一に維持されるためには、チャンバー部材１１０内の気体を排出する必要がある。
排出部材１５０は、チャンバー部材１１０内のスチームを外部に排出することができる。これにより、排出部材１５０は、チャンバー部材１１０内の圧力が過度に増加するのを防止することができる。このような排出部材１５０は、スチームから発生する水も排出することができる。
一方、排出部材１５０は、スチームをパルス方式で排出することができる。さらに詳細には、排出部材１５０は、一定量のスチームを排出してから遮断することを目標回数だけ実施することができる。
このようにスチームをパルス方式で排出する方法は、スチームを持続的に排出する方法よりも、チャンバー部材１１０の処理空間の圧力を一定範囲内に正確に維持する上でより有利であり得る。スチームを持続的に排出する場合、チャンバー部材１１０の処理空間の圧力が急激に低下する可能性がある。
一方、排出部材１５０は、前述した圧力測定ユニット２６０の測定結果に基づいて処理空間の圧力が一定の範囲に維持されるようにパルス方式で動作することができる。排出部材１５０が圧力測定ユニット２６０の測定結果に基づいて動作することについての詳細な説明は後述する。
図３を参照すると、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２００は、圧力測定ユニット２６０をさらに含むことができる。
圧力測定ユニット２６０は、前記チャンバー部材１１０の処理空間の圧力を測定することができる。
前記圧力測定ユニット２６０は、例えば、第１圧力測定部材２６１及び第２圧力測定部材２６２を含むことができる。
第１圧力測定部材２６１は、前記スチーム供給ユニット１４０からスチームが前記チャンバー部材１１０へ供給される部分に設置できる。例えば、第１圧力測定部材２６１は移送部材１４２に設置できる。
さらに好ましくは、第１圧力測定部材２６１は、移送部材１４２における、チャンバー部材１１０に隣接する部分に設置できる。第１圧力測定部材２６１は、前記スチームの圧力を測定することができる。第１圧力測定部材２６１は、例えば、圧力センサであり得る。
第２圧力測定部材２６２は、前記排出部材１５０からスチームが排出される部分に設置できる。第２圧力測定部材２６２は、前記スチームの圧力を測定することができる。第２圧力測定部材２６２は、例えば、圧力センサであり得る。
このような圧力測定ユニット２６０は、前記第１圧力測定部材２６１で測定された圧力値と第２圧力測定部材２６２で測定された圧力値との平均値を前記チャンバー部材１１０内の圧力として処理することができる。
図４を参照すると、本発明の第３実施形態による基板処理装置３００は、流体ガイド部材３７０をさらに含むことができる。
流体ガイド部材３７０は、スチームから生成された水滴が基板Ｓに落下するのを防止することができる。流体ガイド部材３７０は、前記チャンバー部材１１０の処理空間の上側に結合できる。
チャンバー部材１１０の内部に供給されたスチームがチャンバー部材１１０の内壁に接触すると、スチームが液化されて水滴に変わり得る。水滴がチャンバー部材１１０内の側面及び底辺に結ばれると、下方に流れる。このための流体ガイド部材３７０は、中央部分から遠ざかるほど下方傾斜するように構成できる。
流体ガイド部材３７０に生成された水滴は、流体ガイド部材３７０に沿って下端縁部３７０ａまで移動してチャンバー部材１１０の底面に集まることができる。このため、前記流体ガイド部材３７０の下端縁部３７０ａは、前記基板支持ユニット１２０よりも左右方向に前記チャンバー部材１１０に隣接して位置することができる。つまり、流体ガイド部材３７０は、基板支持ユニット１２０の上面よりも大きく形成され、流体ガイド部材３７０の下端縁部３７０ａは、基板支持ユニット１２０と上下方向に重畳しないように位置することができる。
また、前記流体ガイド部材３７０は、疎水性素材からなり得る。これにより、流体ガイド部材３７０に生成された水滴が流体ガイド部材３７０に残留しているが、基板Ｓに落下しないことがある。水滴は、流体ガイド部材３７０の下端まで流下してチャンバー部材１１０の底面に落下することができる。従って、本発明の第３実施形態による基板処理装置３００は、基板Ｓが水滴によって汚染されるのを防止することができる。
図５を参照すると、本発明の第４実施形態による基板処理装置４００は、チャンバー部材１１０、スピンチャック（図示せず）、薬液吐出ユニット１３０、スチーム供給ユニット１４０、排出部材１５０、圧力測定ユニット２６０及び制御部４８０を含むことができる。
ここで、チャンバー部材１１０、薬液吐出ユニット１３０、スチーム供給ユニット１４０、排出部材１５０及び圧力測定ユニット２６０は、前述した実施形態による基板処理装置２００（図３を参照）で説明したので、これについての詳細な説明は省略する。そして、スピンチャックは、前述した実施形態による基板処理装置２００（図３参照）に含まれている基板支持ユニット１２０であり得るので、これについての説明も省略する。
制御部４８０は、前記圧力測定ユニット２６０の測定結果に基づいて排出部材１５０の動作を制御する。さらに詳細には、制御部４８０は、処理空間の圧力が基準圧力を超えると判断された場合、排出部材１５０を動作させることができる。
前述したように、処理空間の適正圧力は１０ｂａｒ乃至４０ｂａｒの範囲であり得る。処理空間の圧力が４０ｂａｒ以下の状態で次第に増加して４０ｂａｒに近づくと、制御部４８０は、排出部材１５０を動作させてスチームを排出することができる。これにより、処理空間の圧力が次第に低くなり得る。
これとは反対に、制御部４８０は、前記処理空間の圧力が基準圧力以下であると判断された場合、排出部材１５０の動作を停止させることができる。例えば、処理空間の圧力が１０ｂａｒ以上の状態で次第に減少して１０ｂａｒに近づくと、制御部４８０は、排出部材１５０の動作を停止させることができる。
前述したように、本発明の第４実施形態による基板処理装置４００は、制御部４８０を含み、制御部４８０は、圧力測定ユニット２６０の測定結果に基づいて排出部材１５０の動作を制御する。したがって、処理空間の圧力が薄膜をエッチングするのに最適な圧力に常に自動的に維持できる。
図１に戻って、本発明に係る基板処理装置１００は、チャンバー部材１１０に高温及び高圧のスチームを供給するスチーム供給ユニット１４０を含む。スチーム供給ユニット１４０によって供給される高温のスチームは、処理空間の湿度を増加させることができる。また、高圧のスチームは、チャンバー部材１１０の処理空間の圧力を増加させることができる。
チャンバー部材１１０の処理空間の圧力が増加すると、水の飽和蒸気温度も高くなり得る。これにより、エッチング液に含まれている水が目標温度で蒸発するのを防止することができる。このように、基板Ｓに吐出されたエッチング液に含まれている水が蒸発しなくなり、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）薄膜のエッチング率が向上しうる。つまり、本発明に係る基板処理装置１００は、高温高圧のスチームを用いて、エッチング量と選択比（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）が低下するのを防止することができる。
以上で本発明の様々な実施形態について説明したが、これまでに参照した図面と記載された発明の詳細な説明は、本発明の例示的なものに過ぎず、これは、本発明を説明するための目的で使用されたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたものではない。よって、本技術分野における通常の知識を有する者であれば、これらから様々な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するだろう。したがって、本発明の真正な技術的保護範囲は、添付された特許請求の範囲の技術的思想によって定められるべきである。
１００、２００、３００、４００ 基板処理装置
１１０ チャンバー部材
１１１ 上部チャンバー
１１２ 下部チャンバー
１２０ 基板支持ユニット
１３０ 薬液吐出ユニット
１４０ スチーム供給ユニット
１４１ スチーム生成部材
１４２ 移送部材
１４３ 加熱部材
１５０ 排出部材
２６０ 圧力測定ユニット
２６１ 第１圧力測定部材
２６２ 第２圧力測定部材
３７０ 流体ガイド部材
４８０ 制御部

Claims (19)

  1. 基板が処理される処理空間を含むチャンバー部材と、
    前記処理空間に設置され、基板を支持する基板支持ユニットと、
    前記チャンバー部材に連結され、前記基板支持ユニットへ薬液を吐出する薬液吐出ユニットと、
    前記チャンバー部材に連結され、前記チャンバー部材へスチームを供給するスチーム供給ユニットと、を含み、
    前記スチーム供給ユニットで生成されるスチームは、１０ｂａｒ乃至４０ｂａｒの圧力、及び１８０度乃至２５０度の温度を有する、基板処理装置。
  2. 前記スチーム供給ユニットは、
    前記チャンバー部材の外部に位置し、前記処理空間内の温度及び圧力よりも高温及び高圧のスチームを生成するスチーム生成部材と、
    前記スチーム生成部材と前記チャンバー部材とを連結し、スチームをチャンバー部材へ移送する移送部材と、を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記スチーム供給ユニットは、
    移送部材上に設置され、前記移送部材を加熱する加熱部材をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記チャンバー部材に結合され、前記チャンバー部材に供給されるスチームを排出する排出部材をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記チャンバー部材の処理空間の圧力を測定する圧力測定ユニットをさらに含む、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記圧力測定ユニットは、
    前記スチーム供給ユニットからスチームが前記チャンバー部材へ供給される部分に設置され、前記スチームの圧力を測定する第１圧力測定部材と、
    前記排出部材からスチームが排出される部分に設置され、前記スチームの圧力を測定する第２圧力測定部材と、を含む、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記圧力測定ユニットは、前記第１圧力測定部材で測定された圧力値と前記第２圧力測定部材で測定された圧力値との平均値を前記チャンバー部材内の圧力として処理する、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記チャンバー部材は、互いに分離される上部チャンバーと下部チャンバーを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 前記チャンバー部材の処理空間の上側に結合され、スチームから生成された水滴が基板に落下するのを防止する流体ガイド部材をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 前記流体ガイド部材は、中央部分から遠くなるほど下方傾斜するように構成される、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記流体ガイド部材の下端縁部は、前記基板支持ユニットよりも左右方向に前記チャンバー部材に隣接して位置する、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記流体ガイド部材は疎水性素材からなる、請求項９に記載の基板処理装置。
  13. 前記排出部材は、前記圧力測定ユニットの測定結果に基づいて、前記処理空間の圧力が一定の範囲に維持されるようにパルス方式で動作する、請求項５に記載の基板処理装置。
  14. 前記基板支持ユニットに設置され、基板を加熱するための発熱部材をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  15. 前記発熱部材は発熱コイルまたは光熱源である、請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 基板に形成された窒化ケイ素薄膜をエッチング処理するための基板処理装置であって、
    処理空間を提供するチャンバー部材と、
    前記処理空間に設置され、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、
    前記チャンバー部材に連結され、前記スピンチャックへリン酸水溶液を吐出する薬液吐出ユニットと、
    前記チャンバー部材に連結され、前記チャンバー部材へスチームを供給するスチーム供給ユニットと、
    前記チャンバー部材に結合され、前記チャンバー部材に供給されるスチームを排出する排出部材と、
    前記処理空間の圧力を測定する圧力測定ユニットと、
    前記排出部材の動作を制御する制御部と、を含み、
    前記スチーム供給ユニットで生成されるスチームは、１０ｂａｒ乃至４０ｂａｒの圧力、及び１８０度乃至２５０度の温度を有する、基板処理装置。
  17. 前記制御部は、
    前記圧力測定ユニットの測定結果に基づいて、前記処理空間の圧力が基準圧力を超えると判断された場合、前記排出部材を動作させる、請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記制御部は、
    前記圧力測定ユニットの測定結果に基づいて、前記処理空間の圧力が基準圧力以下であると判断された場合、前記排出部材の動作を停止させる、請求項１７に記載の基板処理装置。
  19. 基板を薬液で処理するための基板処理装置であって、
    駆動装置によって互いに離れるか近づく方向に相対移動可能な上部チャンバー及び下部チャンバーを含み、基板の処理空間を提供するチャンバー部材と、
    前記処理空間に設置され、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、
    前記チャンバー部材に連結され、貯蔵タンクに貯蔵された薬液をポンピングして、前記スピンチャック上に支持された基板の上面に吐出するノズルを含む薬液吐出ユニットと、
    前記チャンバー部材の外部に位置して前記処理空間内の温度及び圧力よりも高温及び高圧のスチームを生成するスチーム生成部材と、前記スチーム生成部材と前記チャンバー部材とを連結し、前記スチーム生成部材で生成されたスチームをチャンバー部材へ移送するための移送部材とを含むスチーム供給ユニットと、
    前記チャンバー部材に結合され、前記チャンバー部材に供給されるスチームを排出する排出部材と、
    前記処理空間の上側に設けられ、中央部分から遠ざかるほど下方傾斜するように構成される流体ガイド部材と、を含み、
    前記スチーム供給ユニットで生成されるスチームは、１０ｂａｒ乃至４０ｂａｒの圧力、及び１８０度乃至２５０度の温度を有する、基板処理装置。

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319579A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Tokyo Electron Ltd 被処理体の熱処理方法及びバッチ式熱処理装置
JP2003243374A (ja) 2002-02-20 2003-08-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004273553A (ja) 2003-03-05 2004-09-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014157934A (ja) 2013-02-15 2014-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2015204310A (ja) 2014-04-10 2015-11-16 中外炉工業株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737858A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6402401B1 (en) 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20030070695A1 (en) * 2001-10-16 2003-04-17 Applied Materials, Inc. N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate
US7249714B2 (en) * 2005-12-29 2007-07-31 Symbol Technologies, Inc. Methods and apparatus for a bar-code reader employing an anti-fog coating
JP5075819B2 (ja) * 2006-06-28 2012-11-21 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US20090283611A1 (en) * 2008-05-14 2009-11-19 General Electric Company Surface treatments and coatings for atomization
US8528224B2 (en) * 2009-11-12 2013-09-10 Novellus Systems, Inc. Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia
US10161567B2 (en) * 2010-07-14 2018-12-25 Spts Technologies Limited Process chamber pressure control system and method
KR101054836B1 (ko) * 2011-03-29 2011-08-05 (주)엠앤에스시스템 웨이퍼 세정장치
KR101208317B1 (ko) * 2011-03-30 2012-12-05 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장치 및 이를 이용한 공정챔버의 유지방법
JP5686261B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-18 セメス株式会社ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ 基板処理装置及び基板処理方法
TWI770115B (zh) * 2017-02-06 2022-07-11 新加坡商平面半導體公司 加工汙水之去除
US10818490B2 (en) * 2017-12-15 2020-10-27 Applied Materials, Inc. Controlled growth of thin silicon oxide film at low temperature
US10714331B2 (en) * 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US11139183B2 (en) * 2018-05-24 2021-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for dry wafer transport
KR102037902B1 (ko) * 2018-11-26 2019-10-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319579A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Tokyo Electron Ltd 被処理体の熱処理方法及びバッチ式熱処理装置
JP2003243374A (ja) 2002-02-20 2003-08-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004273553A (ja) 2003-03-05 2004-09-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014157934A (ja) 2013-02-15 2014-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2015204310A (ja) 2014-04-10 2015-11-16 中外炉工業株式会社 基板処理装置

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