JP2007180458A - 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 - Google Patents
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- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 134
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 132
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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Abstract
【課題】回路基板上に電子部品を半田付けする際に、回路基板に装備されたヒートシンクを利用して半田を効率良く加熱することができる新規な半田付け方法を提供する。
【解決手段】回路基板11として、表面に金属回路13を有するセラミック基板14の裏面に冷媒流路15aを備えた金属製のヒートシンク15を一体化した冷却回路基板を使用する。金属回路13上に半田シート33を介在させた状態で半導体素子12を配置するとともに、半導体素子12の上に錘35を載置して、錘35で加圧しながら半田シート33を加熱する。半田シート33を加熱する際に、冷媒流路15a中に加熱された熱媒体を流す。半田が溶融された後、加熱を停止し、その後、冷媒流路15a中に冷却媒体を流して回路基板11及び半田の冷却を行う。
【選択図】図3
【解決手段】回路基板11として、表面に金属回路13を有するセラミック基板14の裏面に冷媒流路15aを備えた金属製のヒートシンク15を一体化した冷却回路基板を使用する。金属回路13上に半田シート33を介在させた状態で半導体素子12を配置するとともに、半導体素子12の上に錘35を載置して、錘35で加圧しながら半田シート33を加熱する。半田シート33を加熱する際に、冷媒流路15a中に加熱された熱媒体を流す。半田が溶融された後、加熱を停止し、その後、冷媒流路15a中に冷却媒体を流して回路基板11及び半田の冷却を行う。
【選択図】図3
Description
本発明は、半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置に関する。
回路基板上に半導体素子やチップ抵抗、チップコンデンサ等の電子部品を実装する場合、回路基板と電子部品とを半田を介して接合する半田付け方法が一般的である。半田付けに際して半田を溶融させる方法としては、半田を介して電子部品を搭載した回路基板がリフロー炉内を搬送される間に溶融させる方法(例えば、特許文献1参照。)や、高周波誘導加熱を利用して溶融させる方法がある(例えば、特許文献2参照。)。
特許文献1のリフロー半田付け装置は、電子部品が実装された基板を上部に積載する箱形のキャリアと、このキャリアを搬送する搬送機構と、この搬送機構の所定箇所に電子部品を基板に半田付けするリフロー炉とを備え、キャリアの外周部を断熱部材により形成し、このキャリアの内部にヒーターを配設している。この装置では、基板はリフロー炉内ヒーターにより上面側から加熱され、キャリア内部のヒーターにより基板の下側からも加熱される。
特許文献2の半田付け方法では、基板の配線回路上に半田を載置し、電子部品の電極を半田にあてがうように電子部品を配置する。そして、電極が半田と発熱体とで挾まれて当接するように、発熱体を保持する保持板を配置する。その後、誘導加熱コイルで発熱体を誘導加熱して熱伝導により半田を溶融する。
また、半田付け装置として、基板上に半田を介して半導体装置を配置し、基板の下側に半田の溶融点以上の温度に加熱された流体を供給して半田を溶融させる半田付け装置が提案されている(例えば、特許文献3参照。)。半田付けは容器内で行われ、容器は密閉可能で、かつ容器内に不活性ガスや水素ガスを導入可能に構成されている。
特開2001−339152号公報
特開平8−293668号公報
特開昭62−257737号公報
特許文献1のリフロー半田付け装置は、通常のリフロー炉の加熱手段(ヒーター)に加えて、基板を下側から加熱するヒーターを備えている。従って、通常のリフロー炉に比較して半田を効率良く加熱することができる。しかし、特許文献1の装置では、基板を下側から加熱するために、ヒーターを内蔵した特殊なキャリアを使用する必要がある。その結果、搬送機構もキャリア搬送用に特殊な構成が必要になる。
特許文献2の半田付け方法では、誘導加熱により加熱された発熱体の熱で半田を加熱するため、通常のリフロー炉に比較して半田を効率良く加熱することができる。半田をより速く加熱するためには、発熱体の温度をより高くして熱伝導を速く行わせる必要がある。しかし、発熱体の温度をあまり高くすると、電子部品としの半導体素子(半導体装置)にダメージを与える虞がある。
特許文献3の半田付け装置も、基板を加熱された流体に直接接触させて基板の下側から加熱できるため、通常のリフロー炉に比較して半田を効率良く加熱することができる。しかし、加熱された流体を基板に接触させるための新たな構成が必要になる。
本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、回路基板上に半導体素子等の電子部品を半田付けする際に、回路基板に装備されたヒートシンクを利用して半田を効率良く加熱することができる新規な半田付け方法、半導体モジュールの製造方法及び半田付け装置を提供することにある。
前記の目的を達成するため請求項1に記載の発明は、回路基板と電子部品とを半田を介して接合する半田付け方法である。前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を使用する。そして、前記金属回路と前記電子部品との間に半田を介在させた状態で前記半田を加熱して溶融させる際、前記冷媒流路中に加熱された熱媒体を流す。
この発明では、回路基板として、冷媒流路を備えたヒートシンクが一体化された冷却回路基板を使用し、その冷却流路に加熱された熱媒体を流して、半田を加熱する。従って、熱媒体の熱がヒートシンクを介して半田に伝達されるため、半田を効率良く加熱することができる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記加熱を停止した後、前記冷媒流路中に冷却媒体を流して前記冷却回路基板及び半田の冷却を行う。従って、この発明では、ヒートシンクの冷媒流路が、熱媒体の通路としてだけでなく、冷却媒体の通路としても利用され、半田及び電子部品等の冷却が効率良く行われ、電子部品が所定の温度まで冷却される時間を短くできる。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明において、前記半田付けは密閉可能な容器内で行われ、前記容器内に前記冷却回路基板が配置された状態で前記金属回路と前記電子部品の間に介在する半田を、前記冷媒流路中に流れる前記熱媒体の熱と、他の加熱手段による熱とにより、前記半田を加熱溶融させる。この発明では、半田の加熱が冷媒流路中に流れる熱媒体の熱だけでなく、他の加熱手段による熱の両方で行われるため、半田の加熱をより速く行うことが可能になる。また、半田付けが密閉可能な容器内で行われるため、開放された状態で行う場合に比較して、熱媒体の熱や他の加熱手段の熱が逃げ難い。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記加熱手段は、前記電子部品上に載置されるとともに誘導加熱可能な材料で形成された錘を高周波誘導加熱で加熱して、その熱を、前記電子部品を介して前記半田に伝達する。この発明では、加熱手段が一般のリフロー炉で使用されるヒーター(電気ヒーター)の場合に比較して、半田に対して集中的に熱を伝えることができるため、回路基板全体や容器全体を加熱する場合に比べて効率的な加熱を実現することができる。
請求項5に記載の発明は、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する半導体モジュールの製造方法である。この発明では、半導体モジュールの製造方法において、対応する前記請求項に記載の発明の作用、効果を奏する。
請求項6に記載の発明は、回路基板上に設けられた接合部に電子部品を半田付けする半田付け装置である。前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に、冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を支持可能な支持部と、前記支持部に支持された前記冷却回路基板の前記冷媒流路の入口部及び出口部にそれぞれ接続可能な配管を備えた熱媒体供給部と、前記冷媒流路に供給される熱媒体の温度を制御する制御手段とを備えている。
この発明では、冷却回路基板をヒートシンクが下側になる状態で支持部に支持し、冷媒流路の入口部及び出口部を、それぞれ配管を介して熱媒体供給部と接続した状態で半田付けが行われる。熱媒体供給部から加熱された熱媒体が冷媒流路に供給されることにより、冷媒流路中を流れる熱媒体によって半田が加熱される。熱媒体供給部から供給される熱媒体の温度は制御手段によって制御される。従って、この発明の半田付け装置を使用して請求項1に記載の発明の半田付け方法を実施することができる。
請求項7に記載の発明は、回路基板上に設けられた接合部に電子部品を半田付けする半田付け装置である。そして、密閉可能な容器と、前記容器内に設けられ、前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を支持可能な支持部と、前記支持部に支持された前記冷却回路基板の前記冷媒流路の入口部及び出口部にそれぞれ接続可能な配管を備えた熱媒体供給部と、前記冷媒流路に供給される熱媒体の温度を制御する制御手段とを備えている。
この発明では、半田付けが密閉可能な容器内で行われる点が請求項6に記載の発明と異なっている。そのため、開放された状態で行う場合に比較して、熱媒体の熱や他の加熱手段の熱が逃げ難く、半田の加熱をより効率良く行うことができる。
請求項8に記載の発明は、請求項6又は請求項7に記載の発明において、前記支持部に支持された前記冷却回路基板上の半田を加熱可能な加熱手段をさらに備えている。この発明では、半田の加熱を冷媒流路中に流れる熱媒体の熱だけでなく、他の加熱手段による熱の両方で行うことが可能であり、半田の加熱をより効率良く行うことが可能になる。
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の発明において、前記加熱手段は、前記電子部品上に載置されるとともに誘導加熱可能な材料で形成された錘と、前記錘を高周波誘導加熱で加熱可能な高周波加熱コイルとを備えている。この発明では、加熱手段が一般のリフロー炉で使用されるヒーター(電気ヒーター)の場合に比較して、半田に対して集中的に熱を伝えることができるため、回路基板全体や容器全体を加熱する場合に比べて効率的な加熱を実現することができる。
請求項10に記載の発明は、請求項6〜請求項8のいずれか一項に記載の発明において、前記支持部に支持された前記冷却回路基板の前記冷媒流路に冷却媒体を供給可能な冷却媒体供給部をさらに備えている。この発明では、冷却媒体供給部からヒートシンクの冷媒流路に冷却媒体を供給することにより、ヒートシンクの冷媒流路を半田の加熱時における熱媒体の通路としてだけでなく、半田及び電子部品等の冷却媒体の通路としても利用することができる。従って、半田及び電子部品等の冷却が効率良く行われ、電子部品が所定の温度まで冷却される時間を短くできる。
本発明によれば、回路基板上に半導体素子等の電子部品を半田付けする際に、回路基板に装備されたヒートシンクを利用して半田を効率良く加熱することができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図1〜図5にしたがって説明する。
図1に示すように、半導体モジュール10は、回路基板11と、回路基板11上に半田付けにより接合された電子部品としての複数の半導体素子12とを備えている。回路基板11は、表面に金属回路13を有する複数(この実施形態では6枚)の絶縁基板としてのセラミック基板14を備えている。各セラミック基板14上にはそれぞれ4個、全体で24個の半導体素子12が半田付けされている。
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図1〜図5にしたがって説明する。
図1に示すように、半導体モジュール10は、回路基板11と、回路基板11上に半田付けにより接合された電子部品としての複数の半導体素子12とを備えている。回路基板11は、表面に金属回路13を有する複数(この実施形態では6枚)の絶縁基板としてのセラミック基板14を備えている。各セラミック基板14上にはそれぞれ4個、全体で24個の半導体素子12が半田付けされている。
図2に示すように、回路基板11は、表面に金属回路13を有するセラミック基板14が金属製のヒートシンク15と金属板16を介して一体化された冷却回路基板である。ヒートシンク15は冷却媒体が流れる冷媒流路15aを備えている。図1に示すように、冷媒流路15aは、入口部15b及び出口部15cを備えている。入口部15b及び出口部15cは車両に装備された冷却媒体循環路に連結可能に形成されている。ヒートシンク15は、アルミニウム系金属や銅等で形成されている。アルミニウム系金属とはアルミニウム又はアルミニウム合金を意味する。金属板16は、セラミック基板14とヒートシンク15とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅などで形成されている。
金属回路13は、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。セラミック基板14は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。半導体素子12は、金属回路13に接合(半田付け)されている。即ち、金属回路13は半導体素子12を回路基板11上に接合するための接合部を構成する。図2における符号「H」は、半田層を示している。半導体素子12としては、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )やダイオードが用いられている。
次に半導体モジュール10の製造方法を説明する。
図3は、半田付け装置の構成を概略的に示している。半田付け装置HKは、回路基板11の金属回路13に半導体素子12を半田付けするための装置として構成されている。また、この実施形態の半田付け装置HKは、図1及び図2に示す半導体モジュール10、即ち、複数(6枚)のセラミック基板14をヒートシンク15と一体化した回路基板11上に半導体素子12が半田付けされて構成される半導体モジュール10の半田付けを行う装置として構成されている。
図3は、半田付け装置の構成を概略的に示している。半田付け装置HKは、回路基板11の金属回路13に半導体素子12を半田付けするための装置として構成されている。また、この実施形態の半田付け装置HKは、図1及び図2に示す半導体モジュール10、即ち、複数(6枚)のセラミック基板14をヒートシンク15と一体化した回路基板11上に半導体素子12が半田付けされて構成される半導体モジュール10の半田付けを行う装置として構成されている。
半田付け装置HKは、密閉可能な容器(チャンバ)17を備え、当該容器17は開口部18aを有する箱型の本体18と、当該本体18の開口部18aを開放及び閉鎖する蓋体19とから構成されている。本体18には、半導体モジュール10を位置決めして支持する支持部としての支持台20が設置されている。また、本体18には、蓋体19の装着部位にパッキン21が配設されている。蓋体19は、本体18の開口部18aを閉鎖可能な大きさで形成されており、本体18に蓋体19を装着することにより容器17内には密閉空間Sが形成されるようになっている。
本体18には、容器17内に還元性ガス(この実施形態では水素)を供給するための還元ガス供給部23が接続されている。還元ガス供給部23は、配管23aと、当該配管23aの開閉バルブ23bと、水素タンク23cとを備えている。また、本体18には、容器17内に不活性ガス(この実施形態では窒素)を供給するための不活性ガス供給部24が接続されている。不活性ガス供給部24は、配管24aと、当該配管24aの開閉バルブ24bと、窒素タンク24cとを備えている。また、本体18には、容器17内に充満したガスを外部に排出するためのガス排出部25が接続されている。ガス排出部25は、配管25aと、当該配管25aの開閉バルブ25bと、真空ポンプ25cとを備えている。半田付け装置HKは、還元ガス供給部23、不活性ガス供給部24及びガス排出部25を備えることにより、密閉空間S内の圧力を調整可能な構成とされており、密閉空間S内の圧力は、圧力調整によって加圧されたり、減圧されたりする。開閉バルブ23b,24b,25bには電磁弁が使用されている。
また、本体18には、半田を加熱する際に回路基板11の冷媒流路15aに加熱された熱媒体を供給するための熱媒体供給部26と、半田の加熱停止後に冷媒流路15aに冷却媒体を供給する冷却媒体供給部27とが接続されている。
図4に示すように、熱媒体供給部26は、本体18の外部に設けられた熱媒体加熱部26aを備えており、熱媒体加熱部26aはヒーター26bを備えている。熱媒体加熱部26aは、回路基板11が支持台20に支持された状態において、一端が冷媒流路15aの入口部15bに連結可能な配管28aと、一端が冷媒流路15aの出口部15cにそれぞれ接続可能な配管28cとを介して冷媒流路15aに連結される。配管28aの途中にはポンプ29が設けられ、配管28aのポンプ29より下流側には開閉バルブ28bが設けられている。そして、ポンプ29の駆動により、熱媒体が熱媒体加熱部26a、配管28a、ポンプ29、開閉バルブ28b、入口部15b、冷媒流路15a、出口部15c、配管28cを循環するようになっている。この実施の形態では、熱媒体として液体、例えば、ポリフェニルエーテルが使用されている。
また、冷却媒体供給部27は、コンプレッサ30と、一端がコンプレッサ30に他端が開閉バルブ28bより下流側において配管28aに連結された配管27aと、配管27aの開閉バルブ27bとを備えている。開閉バルブ27b,28bには電磁弁が使用されている。
前記開閉バルブ23b,24b,25b,27b,28b、ヒーター26b、ポンプ29、コンプレッサ30は、制御装置31からの指令によって運転あるいは切換え制御されるようになっている。制御装置31には、容器17内の圧力を検出する圧力センサ(図示せず)、熱媒体加熱部26aで加熱された熱媒体の温度を検出する温度センサ26cの検出信号が入力される。制御装置31は、温度センサ26cの検出信号に基づいてヒーター26bの駆動を制御する。制御装置31は、冷媒流路15aに供給される熱媒体の温度を制御する制御手段を構成する。
図5は、半田付けを行う際に使用する治具32(図5(a))と錘35(図5(b))を示している。治具32は、回路基板11を構成するセラミック基板14と同一の大きさ(外形)をなす略平板状に形成されている。治具32は、例えば、グラファイトやセラミックスなどの材料で形成されている。治具32は、図3に示すように、半田付け時においてセラミック基板14上に半田シート33と、半導体素子12と、錘35とを位置決めするために使用される。このため、治具32には、セラミック基板14における半導体素子12の接合部に対応する部位に位置決め用の孔34が形成されている。孔34は、半導体素子12のサイズに応じた大きさで形成されている。そして、この実施形態においては、セラミック基板14上に複数個(4つ)の半導体素子12が接合されるので、治具32には複数個(4つ)の孔34が形成されている。
錘35は、半田付け時において治具32で位置決めされた4個の半導体素子12の直上において当該半導体素子12の上面(非接合面)に接するように配置可能な大きさに形成されている。錘35は、半導体素子12上に載置された状態において、錘35の自重で各半導体素子12を回路基板11側へ押圧(加圧)して、半田溶融時に溶融状態の半田が半導体素子12の接合面と回路基板11の接合部との間に存在する半田を接合面全体に拡がらせる役割を果たす。錘35は、加圧面35a側、即ち、半田付け時において半導体素子12と当接する側が、治具32の各孔34に嵌挿可能な形状に形成されている。図5(a)は錘35の外形を二点鎖線で示し、錘35が治具32の孔34に嵌挿された際の治具32と錘35との位置関係を示している。
次に、前記半田付け装置HKを用いて半導体モジュール10の製造方法の一工程である半田付け工程において、回路基板11に対する半導体素子12の半田付けを行う方法について説明する。なお、この実施形態の半田付け装置HKを用いて半田付けを行うのに先立って、金属回路13を有する複数(6枚)のセラミック基板14をヒートシンク15と一体化した回路基板11を予め作製しておく。
半田付けを行う際には、最初に、本体18から蓋体19を外し、開口部18aを開放する。そして、図3に示すように本体18の支持台20に回路基板11を置き、位置決めする。次に、回路基板11の各セラミック基板14上に治具32を置き、治具32の各孔34内に半田シート33と半導体素子12を配置する。この状態において、各セラミック基板14上には、金属回路13側から順に半田シート33、半導体素子12、錘35が重なった状態で配置される。また、錘35の加圧面35aが半導体素子12の非接合面に接触し、各錘35は4個の半導体素子12に跨った状態で、錘35の自重によって半導体素子12を加圧する状態に配置される。
次に、蓋体19を本体18に取り付け、開口部18aを閉塞し、容器17内に密閉空間Sを形成する。次に、制御装置31の制御信号により、ガス排出部25を操作して容器17内を真空引きするとともに、不活性ガス供給部24を操作して容器17内に窒素を供給し、密閉空間S内を不活性ガスで充満させる。この真空引きと窒素の供給を数回繰り返した後、還元ガス供給部23を操作して容器17内に水素を供給し、密閉空間S内を還元ガス雰囲気とする。
次に制御装置31は、開閉バルブ27bを閉状態に、開閉バルブ28bを開状態にそれぞれ切換え制御するとともに、ポンプ29を駆動制御する。すると、熱媒体加熱部26aでヒーター26bにより加熱された熱媒体がポンプ29の作用により配管27a等を経て冷媒流路15aに供給される。そして、加熱された熱媒体の熱がヒートシンク15、セラミック基板14、金属回路13を介して半田シート33に伝達されて、半田シート33は、溶融温度以上の温度になることにより溶融する。なお、制御装置31は、熱媒体加熱部26a内の熱媒体の温度が半田シート33の溶融温度より高い所定温度になるようにヒーター26bを制御しており、ポンプ29が駆動された時点では半田シート33の溶融温度より高温に加熱された熱媒体が冷媒流路15aに供給される。冷媒流路15aに供給された熱媒体は、出口部15c、配管28cを介して熱媒体加熱部26aに戻り、ヒーター26bで加熱されて循環使用される。
半導体素子12は、錘35によって回路基板11側に加圧されているので、溶融した半田の表面張力で動かされることはない。そして、半田シート33が完全に溶融したならば、ポンプ29を停止させるとともに、開閉バルブ28bを閉じて冷媒流路15aへの熱媒体の供給を停止する。その結果、半田の加熱が停止される。半田シート33が完全に溶融したことの確認を直接行うのではなく、予め試験を行って、冷媒流路15aへの加熱された熱媒体の供給開始から半田シート33が完全に溶融するまでの所要時間を求めておく。そして、制御装置31は加熱された熱媒体の供給開始から前記所要時間が経過した時点で熱媒体の供給を停止するようにポンプ29等を制御する。
なお、熱媒体加熱部26aに設置した温度センサ26cの検出結果に基づき、ヒーター26bの駆動が制御される。また、容器17(密閉空間S)内の圧力は、はんだ付け作業の進行状況に合わせて加圧及び減圧され、雰囲気調整が行われる。
冷媒流路15aへの加熱された熱媒体の供給を停止した後、開閉バルブ27bを開いてコンプレッサ30から冷却媒体としての圧縮空気を冷媒流路15aへ供給する。その結果、配管27aと配管28aとの分岐部より下流側に存在する熱媒体が熱媒体加熱部26aに回収される。冷媒流路15aへ供給された圧縮空気はヒートシンク15及び半田付け対象物(セラミック基板14、半導体素子12)を冷却した後、出口部15c、配管28cを介して熱媒体加熱部26aへ送られ、熱媒体加熱部26aに設けられた図示しない排気孔から外部に排出される。この結果、溶融した半田は、溶融温度未満に冷却されることによって凝固し、金属回路13と半導体素子12とを接合する。この状態において半田付けが終了し、半導体モジュール10が完成する。
そして、半田の温度が所定温度まで低下した後、開閉バルブ28bを閉じて冷却媒体の冷媒流路15aへの供給を停止する。次に蓋体19を本体18から取り外した後、錘35及び治具32を取り外する。また、配管28aの一端を入口部15bから取り外し、配管28cの一端を出口部15cから取り外した後に容器17内から半導体モジュール10を取り出す。半田の温度が所定温度まで低下したことの確認を直接行うのではなく、予め試験を行って、冷媒流路15aへの冷却媒体の供給開始から半田の温度が所定温度に低下するまでの所要時間を求めておく。そして、制御装置31は冷却媒体の供給開始から前記所要時間が経過した時点で冷却媒体の供給を停止するように開閉バルブ28b等を制御する。
したがって、この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
(1)回路基板11と半導体素子12とを半田付けする際に、回路基板11として、表面に金属回路13を有するセラミック基板14(絶縁基板)の裏面に冷媒流路15aを備えた金属製のヒートシンク15を一体化した冷却回路基板を使用する。そして、金属回路13と半導体素子12との間に半田を介在させた状態で冷媒流路15a中に加熱された熱媒体を流して半田を加熱溶融させた後、加熱を停止し、溶融した半田を冷却して半田付けを行う。従って、熱媒体の熱がヒートシンク15を介して半田に伝達されるため、容器17全体を加熱する場合や半導体素子12の上方からヒーターで加熱する場合と異なり、熱伝導率が二桁以上小さい気体を介さずに半田に熱が伝達されるため、半田を効率良く加熱することができる。
(1)回路基板11と半導体素子12とを半田付けする際に、回路基板11として、表面に金属回路13を有するセラミック基板14(絶縁基板)の裏面に冷媒流路15aを備えた金属製のヒートシンク15を一体化した冷却回路基板を使用する。そして、金属回路13と半導体素子12との間に半田を介在させた状態で冷媒流路15a中に加熱された熱媒体を流して半田を加熱溶融させた後、加熱を停止し、溶融した半田を冷却して半田付けを行う。従って、熱媒体の熱がヒートシンク15を介して半田に伝達されるため、容器17全体を加熱する場合や半導体素子12の上方からヒーターで加熱する場合と異なり、熱伝導率が二桁以上小さい気体を介さずに半田に熱が伝達されるため、半田を効率良く加熱することができる。
(2)半田の加熱を停止した後、冷媒流路15a中に冷却媒体を流して回路基板11(冷却回路基板)及び半田の冷却を行う。従って、ヒートシンク15の冷媒流路15aが、熱媒体の通路としてだけでなく、冷却媒体の通路としても利用され、半田及び半導体素子12等の冷却が効率良く行われ、半導体素子12が所定の温度まで冷却される時間を短くできる。
(3)半田付けは密閉可能な容器17内で行われるため、開放された状態で行う場合に比較して、熱媒体の熱が逃げ難く、半田の加熱をより効率良く行うことができる。
(4)一直線上に無い複数の半導体素子12に跨った状態で半導体素子12上に錘35が配置されて、錘35により各半導体素子12が回路基板11側へ加圧された状態で半田が加熱溶融される。従って、半田が溶融状態になった場合、錘35は、水平状態又はほぼ水平状態で各半導体素子12を接合面側へ加圧する。そのため、半導体素子12と金属回路13との間に存在する溶融状態の半田は、半導体素子12の金属回路13と対向する面全体に拡がり、半田の溶融温度以下に冷却した状態では、各接合部における半田の厚さむらが抑制された状態で半田付けが行われる。
(4)一直線上に無い複数の半導体素子12に跨った状態で半導体素子12上に錘35が配置されて、錘35により各半導体素子12が回路基板11側へ加圧された状態で半田が加熱溶融される。従って、半田が溶融状態になった場合、錘35は、水平状態又はほぼ水平状態で各半導体素子12を接合面側へ加圧する。そのため、半導体素子12と金属回路13との間に存在する溶融状態の半田は、半導体素子12の金属回路13と対向する面全体に拡がり、半田の溶融温度以下に冷却した状態では、各接合部における半田の厚さむらが抑制された状態で半田付けが行われる。
(5)錘35は、各半導体素子12の外形に対応した形状の加圧面35aを備えるとともに、加圧面35a全体で各半導体素子12を加圧する。従って、各半導体素子12に作用する加圧力が均一化されて各接合部における半田の厚さのむらをより抑制することができる。
(6)半導体モジュール10は、回路基板11として、表面に金属回路13を有するセラミック基板14を金属製で冷媒流路15aを備えたヒートシンク15と一体化した冷却回路基板を備えている。そして、各半導体素子12は回路基板11の金属回路13と対向する面全体に半田が行き渡るとともに半田の厚さのむらが抑制された状態で半田付けが行われている。従って、半導体モジュール10において、半田が介在して接合されている半導体素子12と金属回路13の線膨張率の差を吸収する応力緩和機能が良好に発揮され、熱サイクルの疲労寿命のばらつきが抑制される。
(7)熱媒体として液体を使用するとともに、冷却媒体として気体を使用している。従って、冷媒ガスを冷媒流路15aに供給することにより、冷媒流路15a内に残った熱媒体と冷却媒体とが混合せずに、熱媒体を容易に熱媒体加熱部26aに回収することができる。
(8)冷却媒体として圧縮空気を使用するため、他のガスを使用する場合に比較して低コストになる。
(第2の実施形態)
次に、本発明を具体化した第2の実施形態を、図6を参照しながら説明する。なお、第2の実施形態は、回路基板11上の半田を、冷媒流路15a中を流れる加熱された熱媒体の熱で加熱する他に、半田を加熱可能な加熱手段をさらに備えている点が前記第1の実施形態と異なり、その他の構成は第1の実施形態と基本的に同様であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
(第2の実施形態)
次に、本発明を具体化した第2の実施形態を、図6を参照しながら説明する。なお、第2の実施形態は、回路基板11上の半田を、冷媒流路15a中を流れる加熱された熱媒体の熱で加熱する他に、半田を加熱可能な加熱手段をさらに備えている点が前記第1の実施形態と異なり、その他の構成は第1の実施形態と基本的に同様であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
半田付け装置HKは、加熱手段として、半導体素子12上に載置されるとともに誘導加熱可能な材料で形成された錘35と、錘35を高周波誘導加熱で加熱可能な高周波加熱コイル36とを備えている。蓋体19において、密閉空間Sと対向する部位は、磁力線(磁束)を通す電気的絶縁材で形成されている。この実施形態では、電気的絶縁材としてガラスが用いられており、蓋体19にはガラス板22が組み付けられている。
高周波加熱コイル36は、半田付け装置HKの上部(蓋体19の上部)に設置されている。この実施形態において高周波加熱コイル36は、6枚のセラミック基板14にそれぞれ対応するように、各セラミック基板14の上側に1つずつ合計6つの高周波加熱コイル36が配置されている。この実施形態の高周波加熱コイル36は、1枚のセラミック基板14を覆う大きさで、かつ錘35の上面の輪郭よりも大きく形成されている。また、各高周波加熱コイル36は、渦巻き状(角形渦巻き状)に形成されており、平面的に展開されている。また、各高周波加熱コイル36は、蓋体19(ガラス板22の装着部位)に対向するように配置されている。また、各高周波加熱コイル36は、半田付け装置HKが備える高周波発生装置37に電気的に接続されているとともに、容器17内に設置された温度センサ38の計測結果に基づき、高周波発生装置37の出力が制御されるようになっている。また、各高周波加熱コイル36には、コイル内部に冷却水を通すための冷却路36aが形成されているとともに、半田付け装置HKが備える冷却水タンク39に接続されている。
錘35は、当該錘35を通る磁束の変化により電流が発生し、自身の電気抵抗によって発熱する材料、即ち誘導加熱可能な材料を用いて形成されている。この実施形態の錘35は、ステンレスで形成されている。
次に、前記半田付け装置HKを用いて半導体モジュール10の製造方法の一工程である半導体素子12の半田付けを行う方法について説明する。
この実施形態の半田付け装置HKを用いて半田付けを行う場合も、前記第1の実施形態と同様に、本体18の支持台20上に支持された回路基板11の各セラミック基板14上に治具32を載置した状態で、治具32の各孔34内に半田シート33、半導体素子12を配置した後、錘35を半導体素子12の上に配置する。
この実施形態の半田付け装置HKを用いて半田付けを行う場合も、前記第1の実施形態と同様に、本体18の支持台20上に支持された回路基板11の各セラミック基板14上に治具32を載置した状態で、治具32の各孔34内に半田シート33、半導体素子12を配置した後、錘35を半導体素子12の上に配置する。
次に蓋体19を本体18に取り付け、開口部18aを閉鎖して、容器17内に密閉空間Sを形成する。密閉空間S内に回路基板11、半田シート33、半導体素子12及び錘35を収容した状態において、各高周波加熱コイル36は、各錘35の上方に配置されるとともに、各高周波加熱コイル36と各錘35との間には蓋体19に組み付けられたガラス板22が配置される。この実施形態では、高周波加熱コイル36を錘35の上方に配置した場合、当該錘35の上面の輪郭によって形成される領域から高周波加熱コイル36がはみ出るようになっている。この実施形態のように渦巻き状に形成した高周波加熱コイル36は、中央寄りに磁束が多く発生することから、当該高周波加熱コイル36の中央寄りに錘35を配置することが好ましい。
次に、制御装置31の制御信号により、ガス排出部25を操作して容器17内を真空引きするとともに、不活性ガス供給部24を操作して容器17内に窒素を供給し、密閉空間S内を不活性ガスで充満させる。この真空引きと窒素の供給を数回繰り返した後、還元ガス供給部23を操作して容器17内に水素を供給し、密閉空間S内を還元ガス雰囲気とする。
次に前記第1の実施形態と同様にして、制御装置31により開閉バルブ27bが閉状態に、開閉バルブ28bが開状態にそれぞれ切換え制御されるとともに、ポンプ29が駆動制御されて、熱媒体加熱部26aで加熱された熱媒体がポンプ29の作用により配管27a等を経て冷媒流路15aに供給される。そして、加熱された熱媒体の熱がヒートシンク15、セラミック基板14、金属回路13を介して半田シート33に伝達されて、半田シート33が加熱される。
また、高周波発生装置37を作動させ、各高周波加熱コイル36に高周波電流を流す。すると、高周波加熱コイル36には、対応する錘35を通る高周波の磁束が発生し、錘35には磁束の通過によって渦電流が発生する。高周波加熱コイル36の磁束内に置かれた錘35は、電磁誘導作用によって発熱し、その熱が錘35の加圧面35aから半導体素子12に伝わる。そして、回路基板11の各接合部上に載置された半田シート33には、錘35に生じた熱が当該錘35の加圧面35a及び半導体素子12を介して集中的(局所的)に伝わり、加熱される。
この結果、半田(半田シート33)の加熱は、冷媒流路15a中に流れる熱媒体の熱だけでなく、他の加熱手段である高周波加熱コイル36による誘導加熱で錘35に発生した熱の両方で行われるため、半田が上側と下側の両方から加熱されて、加熱がより速く効率良く行われる。
そして、半田シート33が完全に溶融した後、ポンプ29を停止させるとともに、開閉バルブ28bを閉じて冷媒流路15aへの熱媒体の供給を停止する。また、高周波発生装置37を停止させる。その結果、半田の加熱が停止される。半田シート33が完全に溶融したことの確認を直接行うのではなく、第1の実施形態と同様に予め試験を行って、冷媒流路15aへの加熱された熱媒体の供給開始及び高周波加熱コイル36への高周波電流の供給から半田シート33が完全に溶融するまでの所要時間を求めておく。そして、制御装置31は前記所要時間が経過した時点で熱媒体の供給を停止するようにポンプ29等を制御するとともに、高周波発生装置37を停止させる。
次に第1の実施形態と同様にして、冷媒流路15aに冷却媒体としての圧縮空気を供給する。そして、制御装置31は冷却媒体の供給開始から予め設定された所定時間が経過した時点で冷却媒体の供給を停止するように開閉バルブ28b等を制御する。
この実施形態においては、前記第1の実施形態における効果(1)〜(8)と同様な効果を有する他に次の効果を有する。
(9)半田(半田シート33)の加熱が、冷媒流路15a中に流れる加熱された熱媒体の熱と、他の加熱手段による熱とにより行われる。従って、半田の加熱をより速く行うことが可能になる。
(9)半田(半田シート33)の加熱が、冷媒流路15a中に流れる加熱された熱媒体の熱と、他の加熱手段による熱とにより行われる。従って、半田の加熱をより速く行うことが可能になる。
(10)他の加熱手段は、半導体素子12上に載置されるとともに誘導加熱可能な材料で形成された錘35を高周波誘導加熱で加熱して、その熱を、半導体素子12を介して半田に伝達する。従って、加熱手段が一般のリフロー炉で使用されるヒーター(電気ヒーター)の場合に比較して、半田に対して集中的に熱を伝えることができるため、半田を効率良く加熱することができる。即ち、冷媒流路15aに供給される熱媒体でヒートシンク15全体を均一に加熱して、誘導加熱で加熱された錘35により半田近傍を局部的に加熱することにより、両者の利点が合わさって良好な温度制御が可能になる。
(11)他の加熱手段によっても半田が加熱されるため、熱媒体の温度を半田の溶融温度より高温に上げなくても半田を溶融させることができる。従って、加熱された熱媒体による加熱を補助的に使用して、他の加熱手段による加熱で半田をその溶融温度より高く加熱する構成にすることにより、熱媒体として使用できる材料の自由度が高くなる。
(12)複数のセラミック基板14を備えた回路基板11への半田付けを行う場合に、各セラミック基板14(錘35)に対して1つの高周波加熱コイル36を対応付けて配置し、当該セラミック基板14に配置した錘35を発熱させるようにした。このため、複数のセラミック基板14に配置される複数の錘35を纏めて1つの高周波加熱コイル36で発熱させる場合に比較して効率が良い。
(13)高周波加熱コイル36を容器17の外部に配置することにより、容器17内に加熱部材(この実施形態では高周波加熱コイル36)を配置する構成に比べて容器17の容積が小さくなる。したがって、容器17の小型化を図ることができる。また、雰囲気調整としては、主に、容器17内からの空気の排出(真空引き)、不活性ガス(窒素ガスなど)の供給と排出、還元性ガス(水素など)の供給と排出がある。このため、容積を小さくすることにより、例えば、空気の排出においては排出に掛かる時間を短くしたり、排出に掛かるエネルギー(例えば、真空ポンプ25cを動作させる)の消費量を少なくしたりすることができる。また、不活性ガスや還元性ガスの供給又は排出においては、供給又は排出に掛かる時間を短くしたり、供給又は排出に掛かるエネルギーの消費量を少なくしたり、あるいは供給するガスの消費量を少なくしたりすることができる。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 冷媒流路15aに供給される熱媒体は気体であってもよい。例えば、気体として水素ガス、窒素ガス等を用いてもよい。熱媒体に気体を用いる場合、他の気体に比較して熱伝導率が大きく比熱も大きな水素ガスを使用するのが好ましい。熱媒体及び冷却媒体の両者に水素ガスを用いても良いが、水素ガスの使用量が多くなるため、冷却媒体には水素ガス以外のガス、例えば、窒素ガスを用いた方が低コストになる。
○ 冷媒流路15aに供給される熱媒体は気体であってもよい。例えば、気体として水素ガス、窒素ガス等を用いてもよい。熱媒体に気体を用いる場合、他の気体に比較して熱伝導率が大きく比熱も大きな水素ガスを使用するのが好ましい。熱媒体及び冷却媒体の両者に水素ガスを用いても良いが、水素ガスの使用量が多くなるため、冷却媒体には水素ガス以外のガス、例えば、窒素ガスを用いた方が低コストになる。
○ 熱媒体として気体を使用する場合、熱媒体を圧縮機で圧縮することによる加熱と、ヒーターによる加熱を併用してもよい。この場合、圧縮機がポンプ29の役割も果たす。
○ 液体の熱媒体は、ポリフェニルエーテルに限らない。例えば、熱媒体としてLLC(ロングライフクーラント)を使用してもよい。この場合、熱媒体の温度を半田の溶融温度より高く加熱するのが難しいため、他の加熱手段と併用する第2の実施形態の構成での使用が望ましい。
○ 液体の熱媒体は、ポリフェニルエーテルに限らない。例えば、熱媒体としてLLC(ロングライフクーラント)を使用してもよい。この場合、熱媒体の温度を半田の溶融温度より高く加熱するのが難しいため、他の加熱手段と併用する第2の実施形態の構成での使用が望ましい。
○ 冷却媒体に液体を用いてもよい。
○ 冷却媒体を使用する場合、配管27aの途中に熱交換器を設けて、冷却された冷却媒体を冷媒流路15aに供給するようにしてもよい。この場合、より短時間で冷却が可能になる。また、最初は冷却されていない冷却媒体を冷媒流路15aに供給するとともに途中から冷却された冷却媒体を冷媒流路15aに供給するようにしてもよい。
○ 冷却媒体を使用する場合、配管27aの途中に熱交換器を設けて、冷却された冷却媒体を冷媒流路15aに供給するようにしてもよい。この場合、より短時間で冷却が可能になる。また、最初は冷却されていない冷却媒体を冷媒流路15aに供給するとともに途中から冷却された冷却媒体を冷媒流路15aに供給するようにしてもよい。
○ 半田を加熱する冷媒流路15aに供給される加熱された熱媒体の他の加熱手段は、誘導加熱可能な錘35と、高周波加熱コイル36とを備える構成に限らない。例えば、容器17内に電気ヒーターを設けて半田を加熱するようにしたり、レーザーを照射する装置を設けたりしてもよい。
○ 半導体モジュールを構成する回路基板11の金属回路13に半田付けで接合される電子部品は半導体素子12に限らず、半導体素子12と他の電子部品、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサなどが混在してもよい。
○ 半導体モジュールを構成する回路基板11の金属回路13に半田付けで接合される電子部品の配置や大きさ、高さ等は前記両実施形態の配置や大きさ、高さ等に限らない。例えば。異なる大きさ及び高さの半導体素子12等を接合する場合に適用してもよい。
○ 全ての錘35が大きさ及び同じ形状である必要はなく、例えば、複数の半導体素子12を異なる個数で構成されるグーループに分けて配置し、錘35を各グループの半導体素子12の配置に対応した形状に形成してもよい。
○ 錘35の加圧面35aの大きさは、必ずしも対応する半導体素子12の非接合面の全面に当接可能な大きさに限らず、それより大きくてもあるいは小さくてもよい。
○ 治具32は、半田シート33、半導体素子12及び錘35の位置決め機能を有する構成に限らず、半田シート33及び半導体素子12の位置決め機能のみを有する構成でもよい。
○ 治具32は、半田シート33、半導体素子12及び錘35の位置決め機能を有する構成に限らず、半田シート33及び半導体素子12の位置決め機能のみを有する構成でもよい。
○ 誘導加熱で錘35を加熱してその熱で半田を溶融させる構成において、錘35はステンレス製に限らず、誘導加熱可能な材料であればよく、例えば、ステンレスに代えて、鉄やグラファイトで形成したり、熱伝導率の異なる2種類の導体材料を用いて構成したりしてもよい。
○ 半田は半田シート33として金属回路13の接合部と対応する箇所に配置する方法に限らず、半田ペーストを接合部と対応する箇所に塗布するようにしてもよい。
○ 蓋体19は、本体18に対して取り外し不能な構成、例えば、開閉式でもよい。
○ 蓋体19は、本体18に対して取り外し不能な構成、例えば、開閉式でもよい。
○ 蓋体19は、少なくとも高周波加熱コイル36と対向する部位が電気的絶縁材で形成されているのが好ましく、当該部位をガラスに代えて、例えば、セラミックスや樹脂で形成してもよい。また、蓋体19全体を同じ電気的絶縁材で形成してもよい。
○ 容器17の内外の圧力差に対応して蓋体19の強度を上げる必要がある場合には、蓋体19を、例えば、グラスファイバーと樹脂との複合材(GFRP(ガラス繊維強化プラスチック)で構成してもよい。また、蓋体19を、金属で構成してもよい。金属としては非磁性材の金属が好ましい。なお、蓋体19に磁性材の金属を用いる場合には、錘35よりも電気抵抗率が高いものを用いた方が良い。また、蓋体19を金属と絶縁材との複合材で構成してもよい。また、錘35に効果的に磁束を導くように錘35直上部には強磁性体の電磁鋼板等を用いると良い。
○ 高周波加熱コイル36は、複数の錘35の上方に跨って配置する構成としてもよい。この場合、高周波加熱コイル36に対する高周波電流の供給経路や冷却水の供給経路を少なくすることができ、半田付け装置HKの構造をさらに簡素化できる。
○ 生産ライン化に伴って容器17を移動可能とし、当該容器17とともに移動する錘35の移動経路に沿って高周波加熱コイル36を配置してもよい。この場合、高周波加熱コイル36を移動経路に沿った形状に構成して配置してもよいし、移動経路に沿って複数配置してもよい。このように構成することで、容器17を移動させながら加熱することが可能である。
○ 高周波加熱コイル36を、錘35の側面に配置してもよい。
○ 高周波加熱コイル36を、容器17(密閉空間S)内に配置してもよい。
○ 半田付けの際に錘35の自重で加圧する代わりに、ばね等の付勢手段を用いて加圧力を加える方法を採用してもよい。
○ 高周波加熱コイル36を、容器17(密閉空間S)内に配置してもよい。
○ 半田付けの際に錘35の自重で加圧する代わりに、ばね等の付勢手段を用いて加圧力を加える方法を採用してもよい。
○ 回路基板11に対して半田付けする部品はチップ部品に限らず、リードを備えたリード部品が混在してもよい。
○ 半田付けは密閉可能な容器17内に限らず、例えば、ベルトコンベヤ等の搬送手段上に載置されて回路基板11が容器内に搬入される搬入口や、容器内から搬出される搬出口を介して外部と連通された構成の容器内で行うようにしたり、容器の無い状態、即ち半田付けを行う周囲を囲む部材の無い状態で半田付けを行うようにしたりしてもよい。
○ 半田付けは密閉可能な容器17内に限らず、例えば、ベルトコンベヤ等の搬送手段上に載置されて回路基板11が容器内に搬入される搬入口や、容器内から搬出される搬出口を介して外部と連通された構成の容器内で行うようにしたり、容器の無い状態、即ち半田付けを行う周囲を囲む部材の無い状態で半田付けを行うようにしたりしてもよい。
○ ヒートシンク15を備えた回路基板11に電子部品の半田付けを行う場合、半田の溶融加熱を冷媒流路15aに加熱された冷媒を流さずに、他の加熱手段で行い、冷却のみにヒートシンク15を使用することも可能である。
以下の技術的思想(発明)は前記実施形態から把握できる。
(1)請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載の発明において、前記ヒートシンクはアルミニウム製又は銅製である。
(1)請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載の発明において、前記ヒートシンクはアルミニウム製又は銅製である。
(2)請求項10に記載の発明において、前記熱媒体は液体であり、冷却媒体は気体である。
(3)回路基板と電子部品とを半田を介して接合する半田付け方法であって、前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を使用し、前記金属回路と前記電子部品との間に半田を介在させた状態で前記半田を加熱して溶融させた後、加熱を停止した後の冷却時に、前記冷媒流路中に冷却媒体を流して前記冷却回路基板及び半田の冷却を行う半田付け方法。
(3)回路基板と電子部品とを半田を介して接合する半田付け方法であって、前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を使用し、前記金属回路と前記電子部品との間に半田を介在させた状態で前記半田を加熱して溶融させた後、加熱を停止した後の冷却時に、前記冷媒流路中に冷却媒体を流して前記冷却回路基板及び半田の冷却を行う半田付け方法。
HK…半田付け装置、10…半導体モジュール、11…回路基板、13…金属回路、14…絶縁基板としてのセラミック基板、15…ヒートシンク、15a…冷媒流路、15b…入口部、15c…出口部、17…容器、23a,24a,25a,27a,28a,28c…配管、26…熱媒体供給部、27…冷却媒体供給部、35…錘、36…高周波加熱コイル。
Claims (10)
- 回路基板と電子部品とを半田を介して接合する半田付け方法であって、
前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を使用し、前記金属回路と前記電子部品との間に半田を介在させた状態で前記半田を加熱して溶融させる際、前記冷媒流路中に加熱された熱媒体を流すことを特徴とする半田付け方法。 - 前記加熱を停止した後、前記冷媒流路中に冷却媒体を流して前記冷却回路基板及び半田の冷却を行う請求項1に記載の半田付け方法。
- 前記半田付けは密閉可能な容器内で行われ、前記容器内に前記冷却回路基板が配置された状態で前記金属回路と前記電子部品の間に介在する半田を、前記冷媒流路中に流れる前記熱媒体の熱と、他の加熱手段による熱とにより、前記半田を加熱溶融させる請求項1又は請求項2に記載の半田付け方法。
- 前記加熱手段は、前記電子部品上に載置されるとともに誘導加熱可能な材料で形成された錘を高周波誘導加熱で加熱して、その熱を、前記電子部品を介して前記半田に伝達する請求項3に記載の半田付け方法。
- 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する半導体モジュールの製造方法。
- 回路基板上に設けられた接合部に電子部品を半田付けする半田付け装置であって、
前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に、冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を支持可能な支持部と、
前記支持部に支持された前記冷却回路基板の前記冷媒流路の入口部及び出口部にそれぞれ接続可能な配管を備えた熱媒体供給部と、
前記冷媒流路に供給される熱媒体の温度を制御する制御手段と
を備えていることを特徴とする半田付け装置。 - 回路基板上に設けられた接合部に電子部品を半田付けする半田付け装置であって、
密閉可能な容器と、
前記容器内に設けられ、前記回路基板として、表面に金属回路を有する絶縁基板の裏面に冷媒流路を備えた金属製のヒートシンクを一体化した冷却回路基板を支持可能な支持部と、
前記支持部に支持された前記冷却回路基板の前記冷媒流路の入口部及び出口部にそれぞれ接続可能な配管を備えた熱媒体供給部と、
前記冷媒流路に供給される熱媒体の温度を制御する制御手段と
を備えていることを特徴とする半田付け装置。 - 前記支持部に支持された前記冷却回路基板上の半田を加熱可能な加熱手段をさらに備えている請求項6又は請求項7に記載の半田付け装置。
- 前記加熱手段は、前記電子部品上に載置されるとともに誘導加熱可能な材料で形成された錘と、前記錘を高周波誘導加熱で加熱可能な高周波加熱コイルとを備えている請求項8に記載の半田付け装置。
- 前記支持部に支持された前記冷却回路基板の前記冷媒流路に冷却媒体を供給可能な冷却媒体供給部をさらに備えている請求項6〜請求項9のいずれか一項に記載の半田付け装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005380354A JP4640170B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 |
CNA2006800497982A CN101352110A (zh) | 2005-12-28 | 2006-12-26 | 焊接方法及半导体模块的制造方法以及焊接装置 |
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PCT/JP2006/325944 WO2007074835A1 (ja) | 2005-12-28 | 2006-12-26 | 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 |
US12/086,990 US20090184152A1 (en) | 2005-12-28 | 2006-12-26 | Soldering Method, Semiconductor Module Manufacturing Method, and Soldering Apparatus |
EP06843328A EP1968366A1 (en) | 2005-12-28 | 2006-12-26 | Soldering method, semiconductor module manufacturing method and soldering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005380354A JP4640170B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007180458A true JP2007180458A (ja) | 2007-07-12 |
JP4640170B2 JP4640170B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=38218056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005380354A Expired - Fee Related JP4640170B2 (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090184152A1 (ja) |
EP (1) | EP1968366A1 (ja) |
JP (1) | JP4640170B2 (ja) |
KR (1) | KR100996396B1 (ja) |
CN (1) | CN101352110A (ja) |
WO (1) | WO2007074835A1 (ja) |
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2005
- 2005-12-28 JP JP2005380354A patent/JP4640170B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-12-26 KR KR1020087015398A patent/KR100996396B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-26 EP EP06843328A patent/EP1968366A1/en not_active Withdrawn
- 2006-12-26 WO PCT/JP2006/325944 patent/WO2007074835A1/ja active Application Filing
- 2006-12-26 CN CNA2006800497982A patent/CN101352110A/zh active Pending
- 2006-12-26 US US12/086,990 patent/US20090184152A1/en not_active Abandoned
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JPWO2022219796A1 (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | ||
JP7258222B2 (ja) | 2021-04-16 | 2023-04-14 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1968366A1 (en) | 2008-09-10 |
KR100996396B1 (ko) | 2010-11-24 |
CN101352110A (zh) | 2009-01-21 |
KR20080083288A (ko) | 2008-09-17 |
JP4640170B2 (ja) | 2011-03-02 |
WO2007074835A1 (ja) | 2007-07-05 |
US20090184152A1 (en) | 2009-07-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |