JP2007175862A5 - - Google Patents
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Claims (17)
- 基板上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層上にスパッタリング法により金属膜を形成し、
前記金属膜にレーザ照射又はランプアニールを行い、
前記金属膜を選択的にエッチングして金属層を形成し、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に針状結晶でなる金属膜を形成し、
前記金属膜の針状結晶を成長させ板状結晶とし、
前記金属膜を選択的にエッチングして金属層を形成し、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 請求項1又は2において、前記金属膜に、W、Mo、Ti、Ta、Pt、Agから選択された金属材料又は前記金属材料を主成分とする合金を用いることを特徴とする微小構造体の作製方法。
- 基板上に下部電極を形成し、
前記下部電極を覆う犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う第1の導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第1の導電膜にレーザ照射又はランプアニールを行い、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜及び第2の導電膜を選択的にエッチングして、上部電極となる第1の導電層及び第2の導電層を形成し、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に下部電極を形成し、
前記下部電極を覆う犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う針状結晶でなる第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜の針状結晶を成長させ板状結晶とし、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜及び第2の導電膜を選択的にエッチングして、上部電極となる第1の導電層及び第2の導電層を形成し、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に下部電極を形成し、
前記下部電極を覆う犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う第1の導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第1の導電膜にレーザ照射又はランプアニールを行い、
前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜にレーザ照射を行い、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜を選択的にエッチングして、上部電極となる第1の導電層及び第2の導電層を形成し、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に下部電極を形成し、
前記下部電極を覆う犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う針状結晶でなる第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜の針状結晶を成長させ板状結晶とし、
前記第1の導電膜上に針状結晶でなる第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜の針状結晶を成長させ板状結晶とし、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜を選択的にエッチングして、上部電極となる第1の導電層及び第2の導電層を形成し、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う第1の導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第1の導電膜にレーザ照射又はランプアニールを行い、
前記第1の導電膜上に圧電薄膜を形成し、
前記圧電薄膜上に第2の導電膜を形成し、
前記圧電薄膜及び第2の導電膜を選択的にエッチングし、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う針状結晶でなる第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜の針状結晶を成長させ板状結晶とし、
前記第1の導電膜上に圧電薄膜を形成し、
前記圧電薄膜上に第2の導電膜を形成し、
前記圧電薄膜及び第2の導電膜を選択的にエッチングし、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う第1の導電膜をスパッタリング法により形成し、
前記第1の導電膜にレーザ照射又はランプアニールを行い、
前記第1の導電膜上に圧電薄膜を形成し、
前記圧電薄膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜にレーザ照射又はランプアニールを行い、
前記圧電薄膜及び第2の導電膜を選択的にエッチングし、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 基板上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う針状結晶でなる第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜の針状結晶を成長させ板状結晶とし、
前記第1の導電膜上に圧電薄膜を形成し、
前記圧電薄膜上に針状結晶でなる第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜の針状結晶を成長させ板状結晶とし、
前記圧電薄膜及び第2の導電膜を選択的にエッチングし、
前記犠牲層を除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 請求項8乃至請求項11のいずれか一において、前記圧電薄膜に、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム又は酸化タンタルを用いることを特徴とする微小構造体の作製方法。
- 基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を選択的にエッチングして、第1の半導体層及び第2の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記第2の半導体層上にスパッタリング法により第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜にレーザ照射又はランプアニールを行い、
前記第1の導電膜を選択的にエッチングして、前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の半導層上に重なるゲート電極、及び前記第2の半導体層上に第1の導電層を形成し、
前記第1の半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成し、
前記第1の導電層上に圧電薄膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記第1の半導体層に通ずるコンタクトホールを形成し、
前記層間絶縁膜及び前記圧電薄膜上に第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜及び前記圧電薄膜を選択的にエッチングして、前記層間絶縁膜上に前記第1の半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、前記第1の導電層上に第2の導電層及び圧電薄膜パターンを形成し、
前記第2の半導体層を除去することにより、半導体素子及び微小構造体を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。 - 請求項4乃至請求項13のいずれか一において、前記第1の導電膜に、W、Mo、Ti、Ta、Pt、Agから選択された金属材料又は前記金属材料を主成分とする合金を用いることを特徴とする微小構造体の作製方法。
- 請求項4乃至請求項14のいずれか一において、前記第2の導電膜に、W、Mo、Ti、Ta、Pt、Agから選択された金属材料又は前記金属材料を主成分とする合金を用いることを特徴とする微小構造体の作製方法。
- 請求項4乃至請求項15のいずれか一において、前記第2の導電膜をスパッタリング法により形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
- 請求項1、4、6、8、10又は13において、前記レーザ照射にArレーザ、Krレーザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、Y2O3レーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることを特徴とする微小構造体の作製方法。
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