JPH09180563A - 電気接点 - Google Patents
電気接点Info
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- JPH09180563A JPH09180563A JP7337155A JP33715595A JPH09180563A JP H09180563 A JPH09180563 A JP H09180563A JP 7337155 A JP7337155 A JP 7337155A JP 33715595 A JP33715595 A JP 33715595A JP H09180563 A JPH09180563 A JP H09180563A
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- contact
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- electrical contact
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リレーやコネクタ等における金属薄膜接点の接
触抵抗を低減する電気接点を提供する。 【解決手段】金薄膜2と周囲物質1との反応温度以下で
加熱して接触抵抗率の低下熱処理を施した金薄膜2を有
する電気接点3である。
触抵抗を低減する電気接点を提供する。 【解決手段】金薄膜2と周囲物質1との反応温度以下で
加熱して接触抵抗率の低下熱処理を施した金薄膜2を有
する電気接点3である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、低い接触抵抗が要
求される超小型リレーやコネクタ等接点部品に供される
接触抵抗が改善された電気接点に関する。
求される超小型リレーやコネクタ等接点部品に供される
接触抵抗が改善された電気接点に関する。
【0002】
【従来の技術】近年マイクロマシン技術と呼ばれる半導
体プロセスを応用した、極小さい機構部品の研究が盛ん
に行われており、マイクロマシン技術を応用した超小型
のリレーが作成されている。マイクロマシン技術を用い
て作成されたリレーはその接点部は金属薄膜(厚さ数μ
m)で構成されており、その薄膜はスパッタ法、真空蒸
着法に代表される真空薄膜作成技術によって作られる。
体プロセスを応用した、極小さい機構部品の研究が盛ん
に行われており、マイクロマシン技術を応用した超小型
のリレーが作成されている。マイクロマシン技術を用い
て作成されたリレーはその接点部は金属薄膜(厚さ数μ
m)で構成されており、その薄膜はスパッタ法、真空蒸
着法に代表される真空薄膜作成技術によって作られる。
【0003】真空薄膜作成技術によって作成される金属
薄膜の電気抵抗率はバルク材の電気抵抗率に比べて高い
値をもつ。この理由は、真空薄膜作成技術では膜の構造
が不完全なためである。金属膜はアニール熱処理を施す
ことによって抵抗率が減少することは既に知られてお
り、その温度は例えば金においては摂氏600度であ
る。
薄膜の電気抵抗率はバルク材の電気抵抗率に比べて高い
値をもつ。この理由は、真空薄膜作成技術では膜の構造
が不完全なためである。金属膜はアニール熱処理を施す
ことによって抵抗率が減少することは既に知られてお
り、その温度は例えば金においては摂氏600度であ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記の場合は金
属を単体で処理する場合にのみ有効である。実際に接点
は、シリコン基盤や数種類の真空蒸着薄膜で構成されて
おり、アニール温度で真空蒸着膜を加熱すると、基盤材
料等との界面での合金化がおこり、薄膜の抵抗率は増加
してしまうという問題がある。例えば、金は摂氏600
度で抵抗率が最も効率良く改善されるが、400度以上
ではシリコンと合金化してしまう。このため従来は熱処
理を行うことができず接触抵抗を十分下げることができ
なかった。
属を単体で処理する場合にのみ有効である。実際に接点
は、シリコン基盤や数種類の真空蒸着薄膜で構成されて
おり、アニール温度で真空蒸着膜を加熱すると、基盤材
料等との界面での合金化がおこり、薄膜の抵抗率は増加
してしまうという問題がある。例えば、金は摂氏600
度で抵抗率が最も効率良く改善されるが、400度以上
ではシリコンと合金化してしまう。このため従来は熱処
理を行うことができず接触抵抗を十分下げることができ
なかった。
【0005】ここにおいて本発明の解決すべき主要な目
的は、次の通りである。即ち、本発明の第1の目的は、
リレーやコネクタ等における金属薄膜接点の接触抵抗を
低減させた電気接点を提供せんとするものである。
的は、次の通りである。即ち、本発明の第1の目的は、
リレーやコネクタ等における金属薄膜接点の接触抵抗を
低減させた電気接点を提供せんとするものである。
【0006】本発明の第2の目的は、金属薄膜接点を周
囲物質との反応合金化しない加熱温度で所要時間熱処理
する電気接点を提供せんとするものである。
囲物質との反応合金化しない加熱温度で所要時間熱処理
する電気接点を提供せんとするものである。
【0007】本発明の第3の目的は、金属薄膜接点をシ
リコン基盤や数種類の真空蒸着薄膜上に真空薄膜作成技
術によって形成する電気接点を提供せんとするものであ
る。
リコン基盤や数種類の真空蒸着薄膜上に真空薄膜作成技
術によって形成する電気接点を提供せんとするものであ
る。
【0008】本発明の第4の目的は、金属薄膜接点の全
体加熱処理又は接点部分の部分集中加熱処理を施した電
気接点を提供せんとするものである。
体加熱処理又は接点部分の部分集中加熱処理を施した電
気接点を提供せんとするものである。
【0009】本発明の第5の目的は、金属薄膜接点を金
薄膜で構成した電気接点を提供せんとするものである。
薄膜で構成した電気接点を提供せんとするものである。
【0010】本発明のその他の目的は、明細書、図面、
特に特許請求の範囲の各請求項記載から自ずと明らかと
なろう。
特に特許請求の範囲の各請求項記載から自ずと明らかと
なろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記した課題の解決は、
本発明が次に列挙する新規な特徴的構成手法及び手段を
採用することにより前記目的を達成する。すなわち、本
発明の第1の特徴は、接触抵抗率の低下熱処理を施した
金属薄膜接点でを有してなる電気接点にある。
本発明が次に列挙する新規な特徴的構成手法及び手段を
採用することにより前記目的を達成する。すなわち、本
発明の第1の特徴は、接触抵抗率の低下熱処理を施した
金属薄膜接点でを有してなる電気接点にある。
【0012】本発明の第2の特徴は、前記本発明の第1
の特徴における接触抵抗率の低下熱処理が、加熱温度を
金属薄膜接点と周囲物質との反応温度以下としてなる電
気接点にある。
の特徴における接触抵抗率の低下熱処理が、加熱温度を
金属薄膜接点と周囲物質との反応温度以下としてなる電
気接点にある。
【0013】本発明の第3の特徴は、前記本発明の第2
の特徴における周囲物質が、シリコン基盤や数種類の真
空蒸着薄膜である電気接点にある。
の特徴における周囲物質が、シリコン基盤や数種類の真
空蒸着薄膜である電気接点にある。
【0014】本発明の第4の特徴は、前記本発明の第
1、第2又は第3の特徴における金属薄膜接点が、シリ
コン基盤や数種類の真空蒸着薄膜上に構成されてなる電
気接点にある。
1、第2又は第3の特徴における金属薄膜接点が、シリ
コン基盤や数種類の真空蒸着薄膜上に構成されてなる電
気接点にある。
【0015】本発明の第5の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3又は第4の特徴における金属薄膜接点
が、真空薄膜作成技術によって形成されてなる電気接点
にある。
1、第2、第3又は第4の特徴における金属薄膜接点
が、真空薄膜作成技術によって形成されてなる電気接点
にある。
【0016】本発明の第6の特徴は、前記本発明の第
2、第3、第4又は第5の特徴における金属薄膜接点と
周囲物質との反応が、接触抵抗率を高める合金化である
電気接点にある。
2、第3、第4又は第5の特徴における金属薄膜接点と
周囲物質との反応が、接触抵抗率を高める合金化である
電気接点にある。
【0017】本発明の第7の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴における金
属薄膜が、金である電気接点にある。
1、第2、第3、第4、第5又は第6の特徴における金
属薄膜が、金である電気接点にある。
【0018】本発明の第8の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3、第4、第5、第6又は第7の特徴にお
ける熱処理加熱温度が、摂氏約200度〜300度前後
間である電気接点にある。
1、第2、第3、第4、第5、第6又は第7の特徴にお
ける熱処理加熱温度が、摂氏約200度〜300度前後
間である電気接点にある。
【0019】本発明の第9の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7又は第8の特
徴における接触抵抗率の低下熱処理が、加熱時間を3時
間以上とする電気接点にある。
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7又は第8の特
徴における接触抵抗率の低下熱処理が、加熱時間を3時
間以上とする電気接点にある。
【0020】本発明の第10の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8又は第
9の特徴における接触抵抗率の低下熱処理が、電気炉内
での接点全体の加熱処理である電気接点にある。
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8又は第
9の特徴における接触抵抗率の低下熱処理が、電気炉内
での接点全体の加熱処理である電気接点にある。
【0021】本発明の第11の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8又は第
9の特徴における接触抵抗率の低下熱処理が、接点接触
部分のみレーザによる集中加熱処理である電気接点にあ
る。
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8又は第
9の特徴における接触抵抗率の低下熱処理が、接点接触
部分のみレーザによる集中加熱処理である電気接点にあ
る。
【0022】本発明の第12の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第
9、第10又は第11の特徴における接触抵抗率の低下
熱処理が、低減度合を数10%としてなる電気接点にあ
る。
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第
9、第10又は第11の特徴における接触抵抗率の低下
熱処理が、低減度合を数10%としてなる電気接点にあ
る。
【0023】本発明の第13の特徴は、前記本発明の第
5、第6、第7、第8、第9、第10、第11又は第1
2の特徴における真空薄膜作成技術が、Arスパッタ、
Krスパッタである電気接点にある。
5、第6、第7、第8、第9、第10、第11又は第1
2の特徴における真空薄膜作成技術が、Arスパッタ、
Krスパッタである電気接点にある。
【0024】本発明の第14の特徴は、前記本発明の第
7、第8、第9、第10、第11、第12又は第13の
特徴における金薄膜接点が、加熱温度を摂氏約250度
前後間、加熱時間を約6時間前後間としてなる電気接点
にある。
7、第8、第9、第10、第11、第12又は第13の
特徴における金薄膜接点が、加熱温度を摂氏約250度
前後間、加熱時間を約6時間前後間としてなる電気接点
にある。
【0025】本発明の第15の特徴は、前記本発明の第
7、第8、第9、第10、第11、第12、第13又は
第14の特徴における金薄膜接点が、Arスパッタによ
りシリコン基盤上に作成した場合、抵抗率約9.5Ωcm
前後間、接触力1mNのもとで接触抵抗約0.09Ω前
後間である電気接点にある。
7、第8、第9、第10、第11、第12、第13又は
第14の特徴における金薄膜接点が、Arスパッタによ
りシリコン基盤上に作成した場合、抵抗率約9.5Ωcm
前後間、接触力1mNのもとで接触抵抗約0.09Ω前
後間である電気接点にある。
【0026】本発明の第16の特徴は、前記本発明の第
7、第8、第9、第10、第11、第12、第13又は
第14の特徴における金薄膜接点が、Krスパッタによ
りシリコン基盤上に作成した場合、抵抗率約5Ωcm前後
間、接触力1mNのもとで接触抵抗約0.05Ω前後間
である電気接点にある。
7、第8、第9、第10、第11、第12、第13又は
第14の特徴における金薄膜接点が、Krスパッタによ
りシリコン基盤上に作成した場合、抵抗率約5Ωcm前後
間、接触力1mNのもとで接触抵抗約0.05Ω前後間
である電気接点にある。
【0027】本発明の第17の特徴は、前記本発明の第
11、第12、第13、第14、第15又は第16の特
徴におけるレーザによる集中加熱処理が、レーザの集光
面積を拡大したり、波長領域を金属薄膜接点材料の熱振
動の波長に近いレーザを選択自在とする電気接点にあ
る。
11、第12、第13、第14、第15又は第16の特
徴におけるレーザによる集中加熱処理が、レーザの集光
面積を拡大したり、波長領域を金属薄膜接点材料の熱振
動の波長に近いレーザを選択自在とする電気接点にあ
る。
【0028】本発明の第18の特徴は、前記本発明の第
17におけるレーザの集光面積の拡大が、レーザ発信器
から接点接触部分に投射するレーザを途中通す集光レン
ズの前記接点接触部分に対する距離の接近調整による電
気接点にある。
17におけるレーザの集光面積の拡大が、レーザ発信器
から接点接触部分に投射するレーザを途中通す集光レン
ズの前記接点接触部分に対する距離の接近調整による電
気接点にある。
【0029】本発明の第19の特徴は、前記本発明の第
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第
9、第10、第11、第12、第13、第14、第15
又は第16、第17又は第18の特徴における金属薄膜
接点が、厚さ数μmにして、マイクロマシン技術と呼ば
れる半導体プロセスを応用した超小型リレーやコネクタ
やジョイントに使用されてなる電気接点にある。
1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第
9、第10、第11、第12、第13、第14、第15
又は第16、第17又は第18の特徴における金属薄膜
接点が、厚さ数μmにして、マイクロマシン技術と呼ば
れる半導体プロセスを応用した超小型リレーやコネクタ
やジョイントに使用されてなる電気接点にある。
【0030】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図面について
説明する。図1は本実施形態におけるArスパッタによ
って作成した金薄膜接点を150度〜400度の各温度
で加熱処理した時の電気抵抗率の変化測定図、図2は同
・Ar又はKrスパッタで作成した金薄膜接点の電気抵
抗率と接触抵抗を熱処理前後での比較図である。
説明する。図1は本実施形態におけるArスパッタによ
って作成した金薄膜接点を150度〜400度の各温度
で加熱処理した時の電気抵抗率の変化測定図、図2は同
・Ar又はKrスパッタで作成した金薄膜接点の電気抵
抗率と接触抵抗を熱処理前後での比較図である。
【0031】(実施形態1)本実施形態の電気接点は、
真空薄膜作成によって形成される金属薄膜で構成され、
その金属薄膜を周囲物質との反応温度以下の温度で加熱
し、抵抗率を低下させる。
真空薄膜作成によって形成される金属薄膜で構成され、
その金属薄膜を周囲物質との反応温度以下の温度で加熱
し、抵抗率を低下させる。
【0032】本実施形態は、このような仕様であるか
ら、加熱温度が高すぎると、周囲物質と反応し低すぎる
と加熱の効果が現われず、両者の中間の温度でかつ抵抗
低減効果が顕著な加熱条件を実験により明らかにするも
ので、接点材料を加熱により電気特性の改善をしてお
り、抵抗率を低下させることが出来る。さらに周囲物質
と反応する温度より低い温度を用いているので接点を構
成する薄膜は合金化されない。
ら、加熱温度が高すぎると、周囲物質と反応し低すぎる
と加熱の効果が現われず、両者の中間の温度でかつ抵抗
低減効果が顕著な加熱条件を実験により明らかにするも
ので、接点材料を加熱により電気特性の改善をしてお
り、抵抗率を低下させることが出来る。さらに周囲物質
と反応する温度より低い温度を用いているので接点を構
成する薄膜は合金化されない。
【0033】(実施形態2)本実施形態の電気接点は、
接点を構成する薄膜に金を採用し、熱処理温度はおおむ
ね摂氏200度〜300度の間であり、かつ加熱時間は
3時間以上としている。このことにより金薄膜接点の抵
抗率を低下させる。
接点を構成する薄膜に金を採用し、熱処理温度はおおむ
ね摂氏200度〜300度の間であり、かつ加熱時間は
3時間以上としている。このことにより金薄膜接点の抵
抗率を低下させる。
【0034】本実施形態はこのような仕様であるから、
実験結果に基づき温度と加熱時間を設定している。実験
結果を図1に示す。図1からわかるように、接点を構成
する薄膜が金の場合には、加熱温度がおおむね摂氏20
0度〜300度では、金は周囲物質と反応せず、この温
度で加熱時間が3時間以上であれば、抵抗率が数10%
低下する。
実験結果に基づき温度と加熱時間を設定している。実験
結果を図1に示す。図1からわかるように、接点を構成
する薄膜が金の場合には、加熱温度がおおむね摂氏20
0度〜300度では、金は周囲物質と反応せず、この温
度で加熱時間が3時間以上であれば、抵抗率が数10%
低下する。
【0035】例えばArスパッタによりシリコン基盤上
に作成した金薄膜は摂氏250度で6時間熱処理を加え
ると抵抗率が約12.5Ωcmから約9.5Ωcmに改善さ
れ、接触力1mNのもとで接触抵抗は約0.2.Ωから
約0.09Ωに低下する。Krスパッタによりシリコン
基盤上に作成した金薄膜は摂氏250度で6時間熱処理
を加えると抵抗率は約9Ωcmから約5Ωcmに改善され、
接触力1mNのもとで接触抵抗は約0.09Ωから約
0.05Ωに低下する(図2)。
に作成した金薄膜は摂氏250度で6時間熱処理を加え
ると抵抗率が約12.5Ωcmから約9.5Ωcmに改善さ
れ、接触力1mNのもとで接触抵抗は約0.2.Ωから
約0.09Ωに低下する。Krスパッタによりシリコン
基盤上に作成した金薄膜は摂氏250度で6時間熱処理
を加えると抵抗率は約9Ωcmから約5Ωcmに改善され、
接触力1mNのもとで接触抵抗は約0.09Ωから約
0.05Ωに低下する(図2)。
【0036】(実施形態3)本実施形態の電気接点は、
レーザを用いることによって接触部のみを加熱処理し抵
抗率を下げることによって接触抵抗を低下させる。
レーザを用いることによって接触部のみを加熱処理し抵
抗率を下げることによって接触抵抗を低下させる。
【0037】本実施例形態は、このような仕様であるの
で、部分加熱のためレーザLを用いる。この手段を用い
れば、金属薄膜接点を塔層する一層又は複層の金属薄膜
が熱に弱い材料であっても、抵抗率を下げ接触抵抗を低
減させることが出来る。
で、部分加熱のためレーザLを用いる。この手段を用い
れば、金属薄膜接点を塔層する一層又は複層の金属薄膜
が熱に弱い材料であっても、抵抗率を下げ接触抵抗を低
減させることが出来る。
【0038】[実施例] (実施例1)本発明の第1実施例を図面について説明す
る。図3は、本実施例の全体熱処理状態説明図である。
図中、1はシリコン基盤、2はシリコン基盤1上真空蒸
着形成技術で蒸着作成した金薄膜でシリコン基盤1と金
薄膜2で電気接点3を構成し、4は電気炉、5は棚であ
る。
る。図3は、本実施例の全体熱処理状態説明図である。
図中、1はシリコン基盤、2はシリコン基盤1上真空蒸
着形成技術で蒸着作成した金薄膜でシリコン基盤1と金
薄膜2で電気接点3を構成し、4は電気炉、5は棚であ
る。
【0039】本実施例はこのような具体的実施態様を呈
し、リレー全体もしくはリレーの電気接点3を電気炉4
内に入れ、金薄膜2と基盤1材料が合金を生じない温度
で熱処理を施す。金薄膜2をAr,Krガスでシリコン
基盤1上に代表的真空薄膜作成技術であるスパッタによ
り作成し、電気接点3を作成する。この電気接点3を全
体熱処理したもの、未処理のものそれぞれについて電気
抵抗率と接触抵抗を測定した結果を図2に示す。熱処理
は摂氏250度で6時間で行った。図2より熱処理によ
って抵抗率が低下していることがわかる。
し、リレー全体もしくはリレーの電気接点3を電気炉4
内に入れ、金薄膜2と基盤1材料が合金を生じない温度
で熱処理を施す。金薄膜2をAr,Krガスでシリコン
基盤1上に代表的真空薄膜作成技術であるスパッタによ
り作成し、電気接点3を作成する。この電気接点3を全
体熱処理したもの、未処理のものそれぞれについて電気
抵抗率と接触抵抗を測定した結果を図2に示す。熱処理
は摂氏250度で6時間で行った。図2より熱処理によ
って抵抗率が低下していることがわかる。
【0040】(実施例2)本発明の第2実施例を図面に
ついて説明する。図4は本実施例の部分熱処理状態説明
図である。図中、6は電気接点、7は薄膜接触部であ
る。
ついて説明する。図4は本実施例の部分熱処理状態説明
図である。図中、6は電気接点、7は薄膜接触部であ
る。
【0041】A〜Cはシリコン基盤8上に積層形成した
金属薄膜、9はレーザ発信器、10はレーザ発信器9か
ら薄膜接触部7に照射されるレーザLを通す集光レンズ
であって、集光レンズ10主点を薄膜接触部7に対し離
近調整可能である。
金属薄膜、9はレーザ発信器、10はレーザ発信器9か
ら薄膜接触部7に照射されるレーザLを通す集光レンズ
であって、集光レンズ10主点を薄膜接触部7に対し離
近調整可能である。
【0042】本実施例は、このような具体的実施態様を
呈し、レーザLを用いて部分加熱をする法を用いれば、
リレー構成部分で熱に弱い材料を用いている場合や熱に
よって組成変化しやすい部位をさけることができる。例
えば図4においてレーザLが薄膜接触部7になる薄膜の
みに照射されこの部分のみ加熱され、薄膜A、薄膜B、
薄膜C、シリコン基盤8には熱が加わらない。レーザL
の集光面積を広げたり波長領域を材料の熱振動の波長に
近いレーザを選択することで、より選択的に部分加熱を
行うことができる。
呈し、レーザLを用いて部分加熱をする法を用いれば、
リレー構成部分で熱に弱い材料を用いている場合や熱に
よって組成変化しやすい部位をさけることができる。例
えば図4においてレーザLが薄膜接触部7になる薄膜の
みに照射されこの部分のみ加熱され、薄膜A、薄膜B、
薄膜C、シリコン基盤8には熱が加わらない。レーザL
の集光面積を広げたり波長領域を材料の熱振動の波長に
近いレーザを選択することで、より選択的に部分加熱を
行うことができる。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱処理を
加えた電気接点では、接触抵抗を低減して電気特性を高
めることが出来、マイクロマシン技術を飛躍的に向上し
得る等優れた効果を奏する。
加えた電気接点では、接触抵抗を低減して電気特性を高
めることが出来、マイクロマシン技術を飛躍的に向上し
得る等優れた効果を奏する。
【図1】本発明におけるArスパッタによって作成した
金薄膜接点を150度から400度の各温度で加熱処理
したときの電気抵抗率の変化測定図である。
金薄膜接点を150度から400度の各温度で加熱処理
したときの電気抵抗率の変化測定図である。
【図2】本発明におけるAr又はKrスパッタで作成し
た金薄膜接点の電気抵抗率と接触抵抗を熱処理の前後で
の比較図である。
た金薄膜接点の電気抵抗率と接触抵抗を熱処理の前後で
の比較図である。
【図3】本発明の第1実施例の全体熱処理状態説明図で
ある。
ある。
【図4】本発明の第2実施例の部分熱処理状態説明図で
ある。
ある。
A〜C…金属薄膜 L…レーザ 1、8…シリコン基盤 2…金薄膜 3、6…電気接点 4…電気炉 5…棚 7…薄膜接触部 9…レーザ発信器 10…集光レンズ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01L 21/203 H01L 21/203 Z
Claims (19)
- 【請求項1】接触抵抗率の低下熱処理を施した金属薄膜
接点を有する、 ことを特徴とする電気接点。 - 【請求項2】接触抵抗率の低下熱処理は、 加熱温度を金属薄膜接点と周囲物質との反応温度以下と
する、 ことを特徴とする請求項1に記載の電気接点。 - 【請求項3】周囲物質は、 シリコン基盤や数種類の真空蒸着薄膜である、 ことを特徴とする請求項2に記載の電気接点。
- 【請求項4】金属薄膜接点は、 シリコン基盤や数種類の真空蒸着薄膜上に構成される、 ことを特徴とする請求項1、2又は3に記載の電気接
点。 - 【請求項5】金属薄膜接点は、 真空薄膜作成技術によって形成される、 ことを特徴とする請求項1、2、3又は4に記載の電気
接点。 - 【請求項6】金属薄膜接点と周囲物質との反応は、 接触抵抗率を高める合金化である、 ことを特徴とする請求項2、3、4又は5に記載の電気
接点。 - 【請求項7】金属薄膜は、 金である、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6に記
載の電気接点。 - 【請求項8】熱処理加熱温度は、 摂氏約200度〜300度前後間である、 ことを特徴とする請求項2、3、4、5、6又は7に記
載の電気接点。 - 【請求項9】接触抵抗率の低下熱処理は、 加熱時間を3時間以上とする、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7又
は8に記載の電気接点。 - 【請求項10】接触抵抗率の低下熱処理は、 電気炉内での接点全体の加熱処理である、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8又は9に記載の電気接点。 - 【請求項11】接触抵抗率の低下熱処理は、 接点接触部分のみレーザによる集中加熱処理である、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8又は9に記載の電気接点。 - 【請求項12】接触抵抗率の低下熱処理は、 低減度合を数10%とする、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10又は11に記載の電気接点。 - 【請求項13】真空薄膜作成技術は、 Arスパッタ、Krスパッタである、 ことを特徴とする請求項5、6、7、8、9、10、1
1又は12に記載の電気接点。 - 【請求項14】金薄膜接点は、 加熱温度を摂氏約250度前後間、加熱時間を約6時間
前後間とする、 ことを特徴とする請求項7、8、9、10、11、12
又は13に記載の電気接点。 - 【請求項15】金薄膜接点は、 Arスパッタによりシリコン基盤上に作成した場合、抵
抗率約9.5Ωcm前後間、接触力1mNのもとで接触抵
抗約0.09Ω前後間である、 ことを特徴とする請求項7、8、9、10、11、1
2、13又は14に記載の電気接点。 - 【請求項16】金薄膜接点は、 Krスパッタによりシリコン基盤上に作成した場合、抵
抗率約5Ωcm前後間、接触力1mNのもとで接触抵抗約
0.05Ω前後間である、 ことを特徴とする請求項7、8、9、10、11、1
2、13又は14に記載の電気接点。 - 【請求項17】レーザによる集中加熱処理は、 レーザの集光面積を拡大したり、波長領域を金属薄膜接
点材料の熱振動の波長に近いレーザを選択自在とする、 ことを特徴とする請求項11、12、13、14、15
又は16に記載の電気接点。 - 【請求項18】レーザの集光面積の拡大は、 レーザ発信器から接点接触部分に投射するレーザを途中
通す集光レンズの前記接点接触部分に対する距離の接近
調整による、 ことを特徴とする請求項17に記載の電気接点。 - 【請求項19】金属薄膜接点は、 厚さ数μmにして、マイクロマシン技術と呼ばれる半導
体プロセスを応用した超小型リレーやコネクタやジョイ
ントに使用される、 ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10、11、12、13、14、15、16、
17又は18に記載の電気接点。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7337155A JPH09180563A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 電気接点 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7337155A JPH09180563A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 電気接点 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09180563A true JPH09180563A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18305966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7337155A Pending JPH09180563A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 電気接点 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09180563A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007175862A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体及びその作製方法並びに微小電気機械式装置 |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP7337155A patent/JPH09180563A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007175862A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小構造体及びその作製方法並びに微小電気機械式装置 |
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