JP2010080780A - 半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】上部電極膜に付着している残渣を確実に除去し、微細化した場合でも所望の特性を得ることができる半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、下部電極膜2、強誘電体膜3及び上部電極膜4を形成し、その後、上部電極膜4のパターニングを行う。次に、強誘電体膜3のパターニングを行う。そして、強誘電体膜3のパターニング後に上部電極膜4に付着している残渣13a及び13bに対してウェット処理を行う。更に、ウェット処理後に上部電極膜4に付着している残渣13a及び13bに対してドライエッチング処理を行う。
【選択図】図2F
【解決手段】基板の上方に、下部電極膜2、強誘電体膜3及び上部電極膜4を形成し、その後、上部電極膜4のパターニングを行う。次に、強誘電体膜3のパターニングを行う。そして、強誘電体膜3のパターニング後に上部電極膜4に付着している残渣13a及び13bに対してウェット処理を行う。更に、ウェット処理後に上部電極膜4に付着している残渣13a及び13bに対してドライエッチング処理を行う。
【選択図】図2F
Description
本発明は、強誘電体を含む半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法に関する。
キャパシタの容量絶縁膜として強誘電体膜が用いられた強誘電体キャパシタに関する研究及び開発が行われている。強誘電体キャパシタは、強誘電体膜が一対の電極間に挟み込まれて構成されている。
強誘電体は、電極間に印加された電圧に応じて分極を生じ、印加電圧が取り除かれた後であっても自発分極が残る。また、印加電圧の極性を反転すれば、自発分極の極性が反転する。従って、自発分極を情報に対応付けておけば、自発分極を検出することにより、強誘電体キャパシタに保持された情報を読み出すことができる。このため、強誘電体キャパシタは、不揮発性記憶装置の容量素子として有望である。強誘電体キャパシタを備えた半導体記憶装置は強誘電体メモリとよばれている。強誘電体メモリは、上記のような強誘電体のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する。
また、強誘電体メモリは、フラッシュメモリと比べて、低電圧で動作することが可能であり、また、高速での書き込み動作及び読み出し動作も可能である。
このように強誘電体メモリには様々な利点があるが、強誘電体メモリに対しても微細化の要請があり、微細化に伴って所望の特性を得にくくなってきている。
本発明の目的は、上部電極膜に付着している残渣を確実に除去し、微細化した場合でも所望の特性を得ることができる半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法を提供することにある。
半導体装置の製造方法及び容量素子の製造方法では、基板の上方に、下部電極膜、強誘電体膜及び上部電極膜を形成し、その後、前記上部電極膜のパターニングを行う。次に、前記強誘電体膜のパターニングを行う。そして、前記強誘電体膜のパターニング後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してウェット処理を行う。更に、前記ウェット処理後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してドライエッチング処理を行う。
これらの製造方法によれば、残渣が確実に除去されるので、後述のような原因で生じる特性の低下を抑制して、所望の特性を得ることができる。
本願発明者等は、従来の技術で所望の特性が得られない原因を究明すべく鋭意検討を行った。
強誘電体キャパシタに用いられている強誘電体膜の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛系化合物及びビスマス層状構造化合物等の酸化物が挙げられる。その一方で、強誘電体膜の形成後には非酸化雰囲気中での種々の処理が行われる。このため、強誘電体膜に容易に酸素欠損(損傷)が生じ、これに伴って、反転電荷量及びリーク電流値等の強誘電体に特有の特性が低下してしまう。そこで、従来の製造方法では、上記のような酸素欠損が生じる処理を行った後に、損傷を回復させるために、酸素雰囲気中での熱処理を複数回行っている。
このため、強誘電体キャパシタの電極の材料としては、プラチナ等の酸素雰囲気中でも酸化しにくい貴金属又は酸化イリジウム若しくは酸化ルテニウム等の導電性酸化物が用いられている。
そして、これらの強誘電体膜及び電極の材料を用いて強誘電体キャパシタを形成する際には、レジストパターンを用いたエッチングを行っている。また、これらの材料の反応性が比較的低いため、エッチングの条件は反応性イオンエッチング(RIE:reactive ion etching)等と比べてスパッタ成分が多いものとなっている。しかし、スパッタ成分の多いエッチングを行うと、レジストパターンの側面等に再付着物が発生し、再付着物がレジストパターンの除去後にも上部電極及び強誘電体膜上に残渣として残存してしまっている。この残渣にも貴金属が含まれる。
図1は、残渣に伴う特性の低下の原因の一例を示す断面図である。図1に示すように、上部電極101の形成後には、層間絶縁膜102を形成し、これにコンタクトホールを形成し、その内部にバリアメタル膜104を介してタングステンプラグ等の金属膜105を形成している。しかし、上部電極101上に残渣103が存在すると、残渣103がバリアメタル膜104を突き破って金属膜105まで達することがある。上部電極101の材料としては、上述のように導電性酸化物等が用いられる。また、タングステンプラグの形成は還元性のガスを用いて行われる。従って、残渣103がバリアメタル膜104を突き破っていると、タングステンプラグの形成の際に、残渣103の周辺から還元性のガスが上部電極101まで達して、上部電極101の特性が大きく変化してしまうことがある。
また、残渣103が残っていると強誘電体キャパシタを覆う酸化アルミニウム膜等の保護膜の密着性が低下し、強誘電体キャパシタに水分等が侵入しやすくもなる。
従来の方法では、このようなこれまでは解明されていない機構で所望の特性が得られないのである。
残渣103を除去することが可能であれば、上記のような原因は生じにくいが、これらの残渣103は反応性が低い物質を含んでいるため、アッシング又は薬液処理によって除去することが困難である。高圧ジェット又はD−Sonic等の水洗処理によって物理的に除去しようとしても、比較的大きな残渣103は取り除かれても、微小な残渣103(大きさ:約1μm以下)は取り除かれにくい。また、このような水洗処理は、比較的大きな残渣103の欠片を撒き散らし、新たに微小な残渣を引き起こすこともあり得る。D−Sonicは、超音波を導入した水を用いた洗浄である。
そこで、本実施形態では、残渣を適切に除去できる処理を行いながら半導体装置を製造する。図2A乃至図2Mは、実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
本実施形態では、先ず、シリコン基板等の半導体基板上に強誘電体メモリのスイッチング素子として電界効果トランジスタを形成し、その後、図2Aに示すように、電界効果トランジスタの上方に層間絶縁膜1を形成する。電界効果トランジスタのゲート電極が強誘電体メモリのワード線として機能し、ソース又はドレインの一方に接続される配線がビット線として機能する。次いで、層間絶縁膜1上に下部電極膜2、強誘電体膜3及び上部電極膜4をこの順で形成する。下部電極膜2としては、例えばプラチナ膜(Pt膜)を形成する。強誘電体膜3としては、例えばチタン酸ジルコン酸鉛系化合物の膜(PZT系膜)を形成する。強誘電体膜の厚さは、例えば60nm〜200nm程度とする。上部電極膜4としては、例えば酸化イリジウム膜を形成する。なお、下部電極膜2、強誘電体膜3及び上部電極膜4の材料は特に限定されない。また、下部電極膜2、強誘電体膜3及び上部電極膜4の全部又は一部を、2つ以上の膜の積層体から構成してもよい。
その後、上部電極膜4に対して所定形状のレジストパターンを用いたパターニングを行うことにより、図2Bに示すように、上部電極膜4を強誘電体キャパシタの上部電極の形状に加工する。
次いで、図2C及び図3Aに示すように、強誘電体キャパシタの容量絶縁膜を形成する部分を覆うレジストパターン11を強誘電体膜3及び上部電極膜4上に形成する。図3Aは、図2Cに対応するレイアウト図であり、図3A中のI−I線に沿った断面が凡そ図2Cに表わされている。
続いて、レジストパターン11をマスクとして強誘電体膜3に対してスパッタリング成分の多い条件下でドライエッチングを行う。このエッチングでは、例えば誘導結合プラズマ(ICP:inductive coupled plasma)エッチング装置を用いる。また、例えば、チャンバ内にCl2ガス及びArガスを、夫々40sccm、10sccmの流量で供給し、ソースパワー及びバイアスパワーを、夫々2000W、600Wとし、チャンバ内の圧力を0.5Paとする。この結果、図2Dに示すように、強誘電体膜3が強誘電体キャパシタの容量絶縁膜の形状に加工される。なお、強誘電体膜3に対するエッチングはレジストパターン11を後退させながら行って、レジストパターン11の表面に、強誘電体膜3及び下部電極膜2から生じたエッチング生成物の付着を抑えることが好ましい。しかし、上述のようにエッチング生成物の付着を回避することは困難であり、例えば膜状の再付着物12がレジストパターン11の側面及び上面に発生する。
その後、アッシングによりレジストパターン11を除去する。このアッシングでは、例えば、チャンバ内にO2ガス及びN2ガスを、夫々1350sccm、150sccmで供給し、RFパワーを1400Wとし、チャンバ内の圧力を133Paとする。この結果、図2E及び図3Bに示すように、再付着物12が残渣13a及び13bとなって上部電極膜4上に残存する。図3Bは、図2Eに対応するレイアウト図であり、図3B中のI−I線に沿った断面が凡そ図2Eに表わされている。なお、残渣13aは、主にレジストパターン11の側面に位置していた再付着物12から生じたものであり、残渣13bは、主にレジストパターン11の上面に位置していた再付着物12から生じたものである。従って、残渣13aの方が残渣13bよりも大きなものとなりやすい。
次いで、例えば30秒間のD−Sonic処理(超音波を用いた水洗処理)を施す。この結果、図2Fに示すように、ほとんどの残渣13aが除去される。但し、小さな残渣13bは残存しやすい。
続いて、ドライエッチング処理を行うことにより、図2G及び図3Cに示すように、残渣13bを除去する。このときのエッチングの量は、強誘電体膜3が2nm以上減る程度とすることが好ましい。このエッチングでは、例えばICPエッチング装置を用いる。また、例えば、チャンバ内にCl2ガス及びArガスを、いずれも80sccmの流量で供給し、ソースパワー及びバイアスパワーを、夫々800W、100Wとし、チャンバ内の圧力を0.7Paとする。図3Cは、図2Gに対応するレイアウト図であり、図3C中のI−I線に沿った断面が凡そ図2Gに表わされている。
その後、図2Hに示すように、全面に保護膜21を形成する。保護膜21としては、例えば酸化アルミニウム膜を形成する。
次いで、下部電極膜2に対して所定形状のレジストパターンを用いたパターニングを行うことにより、図2Iに示すように、下部電極膜2を強誘電体キャパシタの下部電極の形状に加工する。このとき、保護膜21に対しても同時に加工を行う。
パターニング後の下部電極膜2、強誘電体膜3及び上部電極膜4から強誘電体キャパシタが構成され、この強誘電体キャパシタが強誘電体メモリの容量素子として機能する。
続いて、図2Jに示すように、全面に保護膜22を形成する。保護膜22としては、例えば酸化アルミニウム膜を形成する。
その後、図2Kに示すように、全面に層間絶縁膜31を形成し、層間絶縁膜31に上部電極膜4を露出する開口部32及び下部電極膜2を露出する開口部を形成する。
次いで、図2Lに示すように、開口部32及び下部電極膜2を露出する開口部内にバリアメタル膜33を介して金属膜34をコンタクトプラグとして形成する。バリアメタル膜33としては、例えば窒化チタン膜を形成し、金属膜34としては、例えばタングステン膜を形成する。
続いて、金属膜34上に配線35を形成する。このとき、上部電極膜4に電気的に接続される配線35をスイッチング素子として機能する電界効果トランジスタの上記ソース又はドレインの他方に電気的に接続する。また、下部電極膜2に電気的に接続される配線35は強誘電体メモリのプレート線として機能する。
このような製造方法によれば、残渣13a及び13bに対してウェット処理及びドライエッチング処理を組み合わせた処理を行っているので、これらを確実に除去することができる。従って、保護膜21及び22の密着性は良好であり、また、金属膜34を形成する際の上部電極膜4の変質等は生じない。このため、所望の特性の強誘電体キャパシタを得ることができる。
なお、残渣13a及び13bに対してウェット処理のみを行うと、上述のように、微小な残渣13bを除去しにくい。また、残渣13aが飛び散って、新たな微小な残渣が生じてしまう。また、残渣13a及び13bに対してドライエッチングのみを行う場合、比較的大きな残渣13aを除去するためには長時間の処理が必要であり、強誘電体膜3に損傷が生じやすい。
図4Aは、図2E及び図3Bに示す状態の試料の走査型電子顕微鏡(SEM:scanning electron microscope)写真を示し、図4Bは、図2G及び図3Cに示す状態の試料のSEM写真を示す。図4Aに示す状態では、ウェット処理が行われただけであるため、上部電極膜4上の残渣13a及び13bの除去が十分ではないが、図4Bに示す状態では、ドライエッチングも行われているため、残渣13a及び13bがほとんど消滅している。なお、これらの試料では、強誘電体膜3としてPZT膜を用い、ドライエッチングの量は、PZT膜の厚さが4nm減少する量とした。
上述の実施形態では、強誘電体膜3のパターニング後にレジストパターン11が上部電極膜4上のみに残存しているが、エッチングの条件及び/又は強誘電体キャパシタのサイズによっては、図5Aに示すように、上部電極膜4上のみならず強誘電体膜3上にもレジストパターン11が残存し得る。従って、再付着物12は強誘電体膜3上にも生じる。
このような場合、レジストパターン11のアッシングによる除去後には、図5Bに示すように、大きい残渣13aが強誘電体膜3上に生じやすい。しかし、第1の実施形態と同様に、D−Sonic処理を施せば、図5Cに示すように、ほとんどの残渣13aは除去される。また、第1の実施形態と同様に、更にドライエッチング処理を行えば、図5Dに示すように、残渣13a及び13bが除去される。
図6Aは、図5Cに示す状態の試料のSEM写真を示し、図6Bは、図5Dに示す状態の試料のSEM写真を示す。図6Aに示す状態では、ウェット処理が行われただけであるため、強誘電体膜3及び上部電極膜4上の残渣13a及び13bの除去が十分ではないが、図6Bに示す状態では、ドライエッチングも行われているため、残渣13a及び13bがほとんど消滅している。なお、これらの試料でも、強誘電体膜3としてPZT膜を用い、ドライエッチングの量は、PZT膜の厚さが4nm減少する量とした。図4A及び図4Bに示す試料と図6A及び図6Bに示す試料とを比較すると、強誘電体キャパシタの大きさは、図6A及び図6Bに示す試料の方が大きい。他の条件は、互いに同一である。図4A及び図4Bに示す試料は強誘電体メモリのメモリセルアレイに好適である。
なお、ドライエッチングの量は特に限定されないが、強誘電体膜の厚さが2nm以上減少する程度とすることが好ましい。図7A及び図7Bは、夫々図4Bに示す試料と同様の試料において強誘電体膜の厚さが2nm、6nm減少する程度のドライエッチングを行った場合に得られるSEM写真を示す。また、図8A及び図8Bは、夫々図6Bに示す試料と同様の試料において強誘電体膜の厚さが2nm、6nm減少する程度のドライエッチングを行った場合に得られるSEM写真を示す。これらのSEM写真から分かるように、2nm以上のドライエッチングが行われれば、残渣が十分に除去される。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)
基板の上方に、下部電極膜、強誘電体膜及び上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニング後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してウェット処理を行う工程と、
前記ウェット処理後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してドライエッチング処理を行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
基板の上方に、下部電極膜、強誘電体膜及び上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニング後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してウェット処理を行う工程と、
前記ウェット処理後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してドライエッチング処理を行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と前記強誘電体膜のパターニングを行う工程との間に、前記強誘電体膜及び前記上部電極膜上にレジストパターンを形成する工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程は、前記レジストパターンをマスクとして前記強誘電体膜のドライエッチングを行う工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と前記ウェット処理を行う工程との間に、アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と前記強誘電体膜のパターニングを行う工程との間に、前記強誘電体膜及び前記上部電極膜上にレジストパターンを形成する工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程は、前記レジストパターンをマスクとして前記強誘電体膜のドライエッチングを行う工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と前記ウェット処理を行う工程との間に、アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記ウェット処理を行う工程は、超音波を導入した水を用いた洗浄を行う工程を有することを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
前記ウェット処理を行う工程は、超音波を導入した水を用いた洗浄を行う工程を有することを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記ウェット処理及び前記ドライエッチング処理を、前記強誘電体膜に付着している残渣に対しても行うことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記ウェット処理及び前記ドライエッチング処理を、前記強誘電体膜に付着している残渣に対しても行うことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記残渣は、貴金属を含有していることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記残渣は、貴金属を含有していることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
基板の上方に、下部電極膜、強誘電体膜及び上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニング後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してウェット処理を行う工程と、
前記ウェット処理後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してドライエッチング処理を行う工程と、
を有することを特徴とする容量素子の製造方法。
基板の上方に、下部電極膜、強誘電体膜及び上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニング後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してウェット処理を行う工程と、
前記ウェット処理後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してドライエッチング処理を行う工程と、
を有することを特徴とする容量素子の製造方法。
(付記7)
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と前記強誘電体膜のパターニングを行う工程との間に、前記強誘電体膜及び前記上部電極膜上にレジストパターンを形成する工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程は、前記レジストパターンをマスクとして前記強誘電体膜のドライエッチングを行う工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と前記ウェット処理を行う工程との間に、アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする付記6に記載の容量素子の製造方法。
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と前記強誘電体膜のパターニングを行う工程との間に、前記強誘電体膜及び前記上部電極膜上にレジストパターンを形成する工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程は、前記レジストパターンをマスクとして前記強誘電体膜のドライエッチングを行う工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と前記ウェット処理を行う工程との間に、アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする付記6に記載の容量素子の製造方法。
(付記8)
前記ウェット処理を行う工程は、超音波を導入した水を用いた洗浄を行う工程を有することを特徴とする付記6又は7に記載の容量素子の製造方法。
前記ウェット処理を行う工程は、超音波を導入した水を用いた洗浄を行う工程を有することを特徴とする付記6又は7に記載の容量素子の製造方法。
(付記9)
前記ウェット処理及び前記ドライエッチング処理を、前記強誘電体膜に付着している残渣に対しても行うことを特徴とする付記6乃至8のいずれか1項に記載の容量素子の製造方法。
前記ウェット処理及び前記ドライエッチング処理を、前記強誘電体膜に付着している残渣に対しても行うことを特徴とする付記6乃至8のいずれか1項に記載の容量素子の製造方法。
(付記10)
前記残渣は、貴金属を含有していることを特徴とする付記6乃至9のいずれか1項に記載の容量素子の製造方法。
前記残渣は、貴金属を含有していることを特徴とする付記6乃至9のいずれか1項に記載の容量素子の製造方法。
1:層間絶縁膜
2:下部電極膜
3:強誘電体膜
4:上部電極膜
11:レジストパターン
12:再付着物
13a、13b:残渣
2:下部電極膜
3:強誘電体膜
4:上部電極膜
11:レジストパターン
12:再付着物
13a、13b:残渣
Claims (5)
- 基板の上方に、下部電極膜、強誘電体膜及び上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニング後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してウェット処理を行う工程と、
前記ウェット処理後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してドライエッチング処理を行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記上部電極膜のパターニングを行う工程と前記強誘電体膜のパターニングを行う工程との間に、前記強誘電体膜及び前記上部電極膜上にレジストパターンを形成する工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程は、前記レジストパターンをマスクとして前記強誘電体膜のドライエッチングを行う工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と前記ウェット処理を行う工程との間に、アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ウェット処理を行う工程は、超音波を導入した水を用いた洗浄を行う工程を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の上方に、下部電極膜、強誘電体膜及び上部電極膜を形成する工程と、
前記上部電極膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と、
前記強誘電体膜のパターニング後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してウェット処理を行う工程と、
前記ウェット処理後に前記上部電極膜に付着している残渣に対してドライエッチング処理を行う工程と、
を有することを特徴とする容量素子の製造方法。 - 前記上部電極膜のパターニングを行う工程と前記強誘電体膜のパターニングを行う工程との間に、前記強誘電体膜及び前記上部電極膜上にレジストパターンを形成する工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程は、前記レジストパターンをマスクとして前記強誘電体膜のドライエッチングを行う工程を有し、
前記強誘電体膜のパターニングを行う工程と前記ウェット処理を行う工程との間に、アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の容量素子の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013143390A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2014060210A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Fujifilm Corp | ドライエッチング方法および圧電デバイスの製造方法 |
JP2019033154A (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-28 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | キャパシタ構造の作製方法 |
US10283585B2 (en) | 2016-07-05 | 2019-05-07 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Process of forming capacitor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335571A (ja) * | 1996-01-29 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004140151A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008159924A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2008159952A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-09-26 JP JP2008248993A patent/JP2010080780A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08335571A (ja) * | 1996-01-29 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004140151A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008159924A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2008159952A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013143390A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2014060210A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | Fujifilm Corp | ドライエッチング方法および圧電デバイスの製造方法 |
US10283585B2 (en) | 2016-07-05 | 2019-05-07 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Process of forming capacitor |
JP2019033154A (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-28 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | キャパシタ構造の作製方法 |
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