JP2013143390A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
TiN膜等のハードマスクを用いて電極材料をプラズマエッチングする際に、ハードマスク上に発生する残渣207を無くすことができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成するプラズマ処理方法において、上部電極203を、ハードマスク202を用いてプラズマエッチングするエッチング工程(ステップ2)と、その後、ハードマスク202の表面を除去する除去工程(ステップ3)とを有する。
【選択図】 図2
Description
以下実施例により、詳細に説明する。
また、本実施例ではハードマスクはTiN膜202としたが、TiAlN、Ta、Ti、Al2O3、AlN等でも同様の効果が得られる。
Claims (12)
- 下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成するプラズマ処理方法において、
前記上部電極を、ハードマスクを用いてプラズマエッチングするエッチング工程と、
その後、前記ハードマスクの少なくとも表面を除去する除去工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記除去工程は、不活性ガスを用いたプラズマエッチング処理を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成するプラズマ処理方法において、
前記上部電極上に設けたハードマスクをマスクとし、塩素を含むガスを用いて前記上部電極をプラズマエッチングするエッチング工程と、
その後、前記ハードマスクの表面層に滞在した塩素を不活性ガスのプラズマエッチングにより塩素が残留するハードマスク層のみを除去する工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項3記載のプラズマ処理方法において、
前記ハードマスクは、TiN、TiAlN、Ta、Ti、Al2O3、或いはAlNを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 強誘電体膜と、電極材料膜と、ハードマスク材料膜と、パターニングされたレジストマスクとが順次積層された被処理体を準備する準備工程と、
前記レジストマスクに対して露出した領域の前記ハードマスク材料膜をプラズマエッチングしてハードマスクを形成する第1工程と、
前記ハードマスクに対して露出した領域の前記電極材料膜をプラズマエッチングして電極を形成する第2工程と、
前記ハードマスクの少なくとも表面を除去する第3工程と、を有し、
少なくとも前記第2工程から前記第3工程までの工程を真空中で行い、前記第3工程終了後に前記被処理体を大気中に取り出すことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記電極材料膜は、Ir、Pt、IrO2、Au、Ta、或いはRuの膜であり、
前記ハードマスク材料膜は、TiN、TiAlN、Ta、Ti、Al2O3、或いはAlNの膜であり、
前記強誘電体膜は、PZT、PLZT、或いはBSTの膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記第1工程は、塩素を含むガスを用いて前記ハードマスク材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記第2工程は、Cl2とO2とを含むガスを用い、前記レジストマスクを灰化除去し、前記ハードマスクの表面を酸化し、前記電極材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記第3工程は、不活性ガスを用いて前記ハードマスクの表面をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項9記載のプラズマ処理方法において、
前記不活性ガスは、Ar、Xe、He、或いはKrであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項8記載のプラズマ処理方法において、
前記第3工程は、Cl2とBCl3とを含むガスを用いて前記ハードマスクを全てプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記第1工程から前記第3工程まで連続して真空中で行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
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