JP2007173530A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007173530A JP2007173530A JP2005369243A JP2005369243A JP2007173530A JP 2007173530 A JP2007173530 A JP 2007173530A JP 2005369243 A JP2005369243 A JP 2005369243A JP 2005369243 A JP2005369243 A JP 2005369243A JP 2007173530 A JP2007173530 A JP 2007173530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- current
- light
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 76
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 48
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 20
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】高効率で、且つ大電流の通電可能な発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】高熱伝導性基板１０の表面側に少なくともｐ型クラッド層４、活性層３、ｎ型クラッド層２が積層された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された電流阻止部１４と、前記ｎ型クラッド層２及び前記電流阻止部１４の表面に形成された電流分散層１５と、前記電流分散層１５の表面に形成された上部電極１６と、前記高熱伝導性基板１０の裏面に形成された下部電極１３とを有する発光ダイオードにおいて、前記高熱伝導性基板１０と前記発光層部との間に形成された光反射層７と、前記光反射層７の表面上の前記電流阻止部１４の下方に位置する部分に形成された部分電極６と、前記部分電極６が形成された部分以外の前記光反射層７の表面上に形成された電流阻止部５とを有する。
【選択図】図１
【解決手段】高熱伝導性基板１０の表面側に少なくともｐ型クラッド層４、活性層３、ｎ型クラッド層２が積層された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された電流阻止部１４と、前記ｎ型クラッド層２及び前記電流阻止部１４の表面に形成された電流分散層１５と、前記電流分散層１５の表面に形成された上部電極１６と、前記高熱伝導性基板１０の裏面に形成された下部電極１３とを有する発光ダイオードにおいて、前記高熱伝導性基板１０と前記発光層部との間に形成された光反射層７と、前記光反射層７の表面上の前記電流阻止部１４の下方に位置する部分に形成された部分電極６と、前記部分電極６が形成された部分以外の前記光反射層７の表面上に形成された電流阻止部５とを有する。
【選択図】図１
Description
本発明は、発光ダイオードに係り、特に、高効率で大電流を通電することが可能な発光ダイオードに関するものである。
近年、発光ダイオードは、赤色から青色までがそろったことから、照明用への応用が積極的に試みられるようになり、発光ダイオードの発光効率はようやく電球の発光効率と同等な程度まで得られるようになってきている。
一方、汎用の発光ダイオードの通電電流は、２０ｍＡが一般的であるが、１個の発光ダイオードで数十ｍＷ程度の発光源にしかならず、電球のような数十Ｗ程度の明るさを得るためには、複数の発光ダイオードを並列または直列に配線して、必要とする明るさを得ている。例えば、交通信号などでは、電球１個に対し２００個程度の発光ダイオードを面上に並べてランプとして使用されている。そこで、発光ダイオードを照明用として広く使用するためにはエネルギー消費やコストの削減という面からも、より発光効率が高く、且つ大電流の通電が可能であることが要求されている。
従来の発光ダイオードは、電球や蛍光灯などの従来のランプに比べると、非常に熱に弱い素子であり、発光ダイオードに大電流を通電した際に発生する熱により、発光効率や信頼性が低下してしまう問題がある。これを回避するために、発生した熱を速やかにステムに逃がすことや熱をできるだけ発生させないなどの方法がある。
発生した熱を速やかに逃がす方法としては、例えば、図９のように透光性基板１０９の表面を取り出し面とし、当該基板１０９の裏面にｐ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｎ型クラッド層１０４からなる発光層部を有し、ｎ型クラッド層用電極１１０及び実装用合金１１２を介して実装ステム１０７と接合されたｐ型クラッド層用電極１１１から電流を注入するフリップチップ構造にして、発熱部分である発光層部をできるだけ実装ステム１０７に近い位置に配置する方法がある。しかし、これらの構造では、発光層部で発生した熱を効率よくステムへ逃がすことができるが、発熱する発光層部と熱を逃がす基板との間の熱抵抗が問題となる。
そこで、図１０のように一旦、熱抵抗の高い基板（図示せず）上に、ｎ型クラッド層１０４、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０２からなる発光層部を成長させ、半導体接合層１１４を介して熱抵抗の低い高熱伝導性基板１１３を貼り合わせ、その後、熱抵抗の高い基板を除去し、上部電極１０１、及び下部電極１０６を形成する方法がある。図１０に使用される高熱伝導性基板１１３としては、Ｓｉ基板が最も広く用いられている。また、線膨張係数の関係からＣｕＷなどを用いた基板も用いられることもある。
一方、熱をできるだけ発生させないようにするためには、発光ダイオードの発光効率を高くし、電気エネルギーをできるだけ光に変換して取り出し、熱に変換しないようにしなければならない。つまり、注入した電子や正孔を効率よく再結合させる内部量子効率をできるだけ高くし、さらに発光した光を発光ダイオードから取り出すための光取出し効率を高くする必要がある。
これに対して、図１０の構造の発光ダイオードでは、発光層部から表面側に向かった光のうち、一部の光は発光ダイオードの外部へ放出されるが、発光ダイオードの表面の屈折率と発光ダイオードの外部の屈折率との差から、ほとんどの光は発光ダイオードの表面で反射して高熱伝導性基板１１３側に向かった光は発光層部と高熱伝導性基板１１３の界面である接合層１１４まで達し、そこで光の一部が反射し一部が吸収されてしまう。仮に、接合層１１４での光反射率が高ければ、反射した光が発光ダイオード素子の表面側に向かい、その光の一部が素子の外へ放出され、残りの光がまた反射される。このような反射を繰り返すことにより光を取り出すことができる。しかし、この接合層１１４では、電気を流すことも考慮する必要があり、反射率をあまり高くすることができない。つまり、光の反射と電気伝導性がトレードオフの関係にある。
これを回避するために、図１１に示すように、図１０の発光ダイオードにおいて電気を流す部分電極１１５と光を反射させる接合層１１４を別々に形成する方法がある（例えば、特許文献１）。さらに、光が透過しない上部電極１０１の直下に電流阻止部１１６を形成することで、電流は上部電極１０１の周囲に分散するようになり、上部電極１０１直下での発光を抑えることにより、発光効率を高めている。
特開２００１−１４４３２２
しかしながら、図１１の構造では、電気を流す部分電極１１５の面積の割合を増加させることにより駆動電圧は低く抑えることができる一方で、接合層１１４の面積の割合が減少してしまうため、反射率が低くなり発光効率が低下するという問題がある。即ち、図１１の構造においても、高い光反射率と低い電気抵抗を両立させることが難しい。
本発明の目的は、上記の課題を解決し、高発光効率で、且つ大電流が通電可能な発光ダイオードを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項１の発明に係る発光ダイオードは、基板の表面側に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次形成された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された第１の電流阻止部と、前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に形成された導電層部と、前記基板の裏面に形成された下部電極とを有する発光ダイオードにおいて、前記基板と前記発光層部との間に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上の前記第１の電流阻止部の下方に位置する部分に形成された部分電極と、前記部分電極が形成された部分以外の前記光反射層の表面上に形成された第２の電流阻止部とを有することを特徴としたものである。
請求項２の発明に係る発光ダイオードは、基板の表面を光取り出し部分とし、前記基板の裏面に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次積層された発光層部と、前記第二導電性クラッド層の裏面の側部に形成された電流阻止部と、前記電流阻止部及び前記第二導電性クラッド層の裏面に形成された電流分散層とを有する発光ダイオードにおいて、前記電流分散層の裏面に、前記電流阻止部と向かい合うように形成された電流注入用電極と、前記注入用電極を形成した以外の部分に形成された光反射層とを有することを特徴としたものである。
請求項３の発明は、請求項１又は２に記載の発光ダイオードおいて、前記第二導電性クラッド層のシート抵抗が前記第一導電性クラッド層のシート抵抗よりも高くすることを特徴としたものである。
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオードおいて、前記光反射層がＡｇ、Ａｕ、Ａｌのいずれか若しくはそれらの内の少なくとも１つを含む合金からなる層、又はそれらの複合層からなることを特徴としたものである。
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイオードおいて、前記活性層を多重量子井戸構造とすることを特徴としたものである。
請求項６の発明は、請求項１に記載の発光ダイオードおいて、前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた上部電極とを有することを特徴としたものである。
請求項７の発明は、請求項１に記載の発光ダイオードおいて、前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極を有することを特徴としたものである。
請求項８の発明は、請求項１に記載の発光ダイオードおいて、前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電型クラッド層上に前記枝状電極の表面の一部を露出させるように設けられた電流分散層とを有することを特徴としたものである。
請求項９の発明は、請求項１に記載の発光ダイオードおいて、前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電型クラッド層及び前記枝状電極の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた上部電極とを有することを特徴としたものである。
請求項１０の発明は、請求項２、６、８又は９のいずれかに記載の発光ダイオードにおいて、前記電流分散層が透明導電膜であることを特徴としたものである。
本発明の発光ダイオードによれば、大電流を通電した場合においても駆動電圧を低く抑えることができるとともに安定して高い光出力を得ることができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図１は本発明の第１実施形態のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの断面構造である。発光ダイオード素子の大きさは、１mm×１mmで厚さが２５０μｍである。図１の発光ダイオードを作製するための手順を図２に基づいて以下に説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（以下、ｎ型クラッド層）２、活性層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（以下、ｐ型クラッド層）４を順次積層する。ここで、ｎ型クラッド層２のシート抵抗がｐ型クラッド層４のシート抵抗よりも高くなるようにする。上記ｐ型クラッド層４の表面上に、ＳｉＯ２からなる電流阻止部５をＣＶＤ法で全面に形成する。その後フォトリソプロセスを用いて、電流阻止部５に１０５０μｍ間隔でマトリックス状に直径が１２０μｍの穴を開け、ｐ型クラッド層４を露出させる。次に、このｐ型クラッド層４を露出させた部分に、フォトリソプロセスと蒸着を用いてＡｕＢｅ及びＮｉからなる膜を積層形成し、その後アニール処理を行うことにより部分電極６を形成する。さらに、電流阻止部５及び部分電極６からなる層の上にＡｇ合金（商品名：ＡＰＣ、株式会社フルヤ金属製）からなる光反射層７、Ｔｉからなる拡散抑止層８、Ａｕ又はＡｕＳｎからなる接合層９ａを蒸着により形成する。
一方、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉからなる高熱伝導性基板１０の表面側に、Ａｌからなる高熱伝導性基板用電極１１を蒸着し、高熱伝導性基板１０の裏面側にＡｌからなる下部電極１３を蒸着する。その後、高熱伝導性基板用電極１１の上にはＴｉからなる拡散抑止層１２とＡｕ又はＡｕＳｎからなる接合層９ｂを蒸着により順次形成する。
製作した上記２枚のウエハを貼り付け装置にセットする。この装置はＳＯＩ基板製作やマイクロマシン用に市販されているものである。貼り付け装置の下側のウエハホルダーには、高熱伝導性基板１０を接合層９ｂが上になるようにセットする。また、貼り付け装置の上側のウエハホルダーにはＧａＡｓ基板１側のウエハを接合層９ａが下になるようにセットする。この２種類のウエハをセットした後、貼り合わせ装置内を真空に排気する。真空に排気した後、２種類のウエハの接合層９ａ及び９ｂを接触させ、そのまま圧力を加える（接合層９ａ及び接合層９ｂは接合層９となる）。このときの圧力は反ったウエハが全面で接触する圧力であれば十分であり、この圧力で２種類のウエハが接合する訳ではない。この２種類のウエハをウエハホルダーにセットしたままヒーターに電気を流し、温度制御しながら３５０℃まで加熱する。１時間このまま保持した後、冷却を開始する。ウエハの温度が５０℃以下まで下がったところで、真空容器内に空気を入れ、貼り付け装置の蓋を開けて、接合させたウエハを取り出す。
この接合させたウエハを、ＧａＡｓ基板１側が上になるように研磨治具に接着し、ＧａＡｓ基板１の一部を研磨で除去し、ウエハを研磨治具から外す。その後、ＧａＡｓ基板１の残部をエッチングにより除去して、ｎ型クラッド層２がウエハの表面に現れるようにする。エッチングの際、裏面側の下部電極１３がとけないように保護しておく（図２（ｃ））。
この接合したウエハのｎ型クラッド層２上に、図２（ｄ）のようにＳｉＯ２からなる電流阻止部１４を形成する。この電流阻止部１４をフォトリソプロセスにより、直径４２０μｍの円形が１０５０μｍ間隔でマトリックス状に配列するようにパターン加工する。但し、このフォトリソプロセス時には、円形の電流阻止部１４の中心が、部分電極６と中心が一致するようにパターン加工している。その後、このウエハのｎ型クラッド層２と電流阻止部１４の表面上に、スパッタ法にてＩＴＯからなる電流分散層１５を形成する。その後、蒸着とフォトリソプロセスにより、電流阻止部１４の中心と中心が一致するように円形電極の上部電極１６を形成する。
ここで、上記の貼り合わせの際や上部電極１６を形成する際に過熱処理を施したが、この加熱処理によって接合層９から金属が拡散してしまい、光反射層７へ拡散してしまうと合金化反応を起こし、光反射率が低下してしまう。この合金化反応を抑制するために、拡散抑止層８および拡散抑止層１２を設けた。
上記の通り作製したウエハをダイサーにセットし、１mm角のチップに切断し、その断面をエッチングにより破砕層除去と汚染を取り除いて発光ダイオード素子を製作する。その後、実装用合金１７を介して放熱性特性の優れた実装ステム１８に発光ダイオード素子を共晶接合によりダイボンディングし、さらに実装ステム１８と離間した実装ステム（図示せず）へワイヤボンディングにより配線して、特性評価用サンプルを製作した。
図３には上記の通り作製された発光ダイオードの電流の流れが示されている。上部電極１６から注入された電子１９は、電流阻止部１４により素子の周囲へ流れる。一方、下部電極１３から注入された正孔２０は電流阻止部５により中央部に形成された部分電極６へ注入される。そして、ｎ型クラッド層２のシート抵抗がｐ型クラッド層４のシート抵抗よりも高いことにより、ｎ型クラッド層２での電流の経路は最短を選ぶようになるため、活性層３の周囲に向かって流れるようになり、発光部２１にて発光する。このため、上部電極１６が邪魔にならず、効率良く光を取り出すことができる。逆に、ｎ型クラッド層２のシート抵抗をｐ型クラッド層４のシート抵抗よりも低くした場合は、上部電極１６の直下へ電流が流れる量が増え、そこで発光する割合が増加してしまい、上部電極１６が邪魔になり発光効率を低下させてしまうこととなる。また、部分電極６がオーミック接合されていることにより、電流が流れる構造となっている。仮に、部分電極６と電流阻止部５とを設けない構造とした場合、ｐ型クラッド層４と光反射層７との間に電位障壁が発生し、電流が流れなくなってしまう。
上記の特性評価用サンプルに電流を流して発光出力を測定した。発光波長は６３０nmの赤色である。その結果、電流が５００ｍＡまで電流と発光出力はほぼ直線性を示した。これは、基板に高熱伝導性を有する材料を用いたことから発光ダイオード素子内で発生した熱を効率良く実装ステム１８へ逃がすことができるため、大電流を流したとしても発光ダイオード素子内の温度が高温とならず、活性層３における光電変換効率の低下を抑制しているためである。また、例えば通電電流３５０ｍＡ時の発光出力は４１０ｍＷであり、外部量子効率としては約６０％に相当する。これは、電流阻止部１４により上部電極１６の直下での発光を抑制し、発光部２１にて電気から効率良く変換された光のうち、発光ダイオード素子の裏面側へ放射した光が光反射率の高いＡｇ合金を用いた光反射層７によって効率よく反射されるため、高い外部量子効率を得ることができる。また、部分電極６と光反射層７とを独立させた構造としたことにより、従来のような光反射と電流を流すことの両立を必要とせず、通電電流を増加させたとしても光反射率の低下が起こらないため、大電流の通電においても高効率である発光ダイオードを提供することができる。
本発明の第２実施形態として、図４にフリップチップタイプの発光ダイオードの断面構造を示す。
光に対して透明な材料からなる透光性基板２２の下に、ｐ型クラッド層２３、活性層２４、ｎ型クラッド層２５から構成される発光層部が配置されている。ここでも実施形態１と同様に、ｎ型クラッド層２５のシート抵抗をｐ型クラッド層２３のシート抵抗よりも高くしている。また、この透光性基板２２の材料としては、ガラスやサファイア、ＳｉＣなどの他に、赤色や黄色の発光ダイオードであればＧａＰ基板を使用することもできる。そして、活性層２４及びｎ型クラッド層２５の一部が除去され、部分的にｐ型クラッド層２３が露出している。このｐ型クラッド層２３の露出した部分には、ｐ型クラッド層用電極３３が形成されている。また、ｎ型クラッド層２５の一部には、電流阻止部２６が設けられ、電流阻止層２６とｎ型クラッド層２５の両方を覆うように、透明導電膜のＩＴＯからなる電流分散層２７が形成されている。この電流分散層２７の下部であり電流阻止部２６の直下には、大きさが電流阻止部２６よりも小さい電流分散層用電極２８が形成されている。電流分散層２７の下であり、電流阻止部２６の直下以外の部分には、高い反射率を有するＡｇ合金（商品名：ＡＰＣ、株式会社フルヤ金属製）からなる光反射層３０が形成されている。ここで、光反射率をより高くするためには、ｎ型クラッド層２５と光反射層３０の間に、加熱プロセス時にｎ型クラッド層２５と光反射層３０が反応して、光反射率を低減することがないように絶縁層２９を形成した方が望ましい。
また、実装ステム３９との接合においては、光反射層３０の下部で発光層部の熱を効率良く逃がすために放熱用接合半田３５を介して接合させ、大電流通電時に対応できるような構造としている。この場合、発光ダイオード素子側には放熱用接合半田３５ののりが良好になるように放熱用接合層３２が形成されている。さらに、この放熱用接合層３２と光反射層３０の間には、ウエハプロセスや実装プロセスの高温処理時にそれらの層が合金化反応を起こして光反射層３０の光反射率が低下しないように拡散抑止層３１が形成されている。電流分散層用電極２８は通電用接合半田３６とステム用配線パターン３７を介して実装ステム３９へ接合され、ｐ型クラッド層用電極３３では、通電用接合半田３４とステム用配線パターン３８を介して実装ステム３９へ接合されている。この実装時において、半田が発光層部に接触してリークパスが形成されないように、発光層部の側面に保護膜４０及び４１がそれぞれ形成されている。上記のように実装することにより高放熱性を達成することができる。
本発明の第２実施形態における発光ダイオードでは、発光層部が光反射層３０の上部になるように電流分散層用電極２８の直上に電流阻止部２６を形成し、且つｎ型クラッド層２５のシート抵抗をｐ型クラッド層２３のシート抵抗よりも高くしている。更に、光反射層３０は、光反射率を高くすることだけを目的として形成されているため、大電流を通電したとしても光反射率が非常に高く、光取出し効率の高い発光ダイオードを提供することができる。これに対して、図９に示す従来のフリップチップ構造の発光ダイオードでは、ｎ型クラッド層１０４の下部に形成されたｎ型クラッド層用電極１１０が電流を流すための電極の機能と光を反射させるための光反射層との２つの機能を両立しなければならないため、高い光反射率を達成させることが難しく、光取出し効率が低下してしまう。
本発明の第１実施形態では、ｎ型クラッド層２と円形状の上部電極１６との間に電流分散層１５を設ける構造としたが、図５に示すように電流分散層を設けずに電流阻止部１４上及びｎ型クラッド層２の表面の一部に枝状電極４２を直接オーミック接合させた構造としてもよい。図５の構造では、注入された電流が枝状電極４２によって分散されることから、電流分散層を形成させる必要がなく、第１実施形態よりも低コストにて製造することが可能である。尚、図６に図５の発光ダイオードを枝状電極４２側から見た場合を示した。上述の枝状電極４２は図６の（ａ）から（ｄ）のいずれかのような形状としてもよく、電流の分散が効果的に行えるのであれば、この形状以外の枝状電極を用いてもかまわない。
さらに、図７では、図５の構造に電流分散層４３を枝状電極４２の表面の一部が露出するようにｎ型クラッド層２上に設ける構造とした。この構造により、図５において取り出すことのできなかった発光層部内で乱反射した光を電流分散層４３の部分から効率よく外部へ取り出すことができる。このとき、電流分散層４３の材料としては、ＩＴＯなどの透明導電膜を用いた。
本発明の第１実施形態では、電流分散層１５の表面上に円形状の上部電極１６のみを設けた構造としたが、この上部電極１６に加え、図８に示すように図５で用いた枝状電極４２をｎ型クラッド層２の一部、及び電流阻止部１４上にオーミック接合させた構造とすることにより、上部電極１６から注入された電流を効率良く分散させることができる。
本発明の各実施形態において、活性層をバンドギャップの大きな薄膜の半導体層からなる障壁層とバンドギャプの小さな薄膜の半導体層からなる井戸層とを交互に積み重ねた多重量子井戸構造としても同様の効果が得られる。
本発明の各実施形態では、ｎ型クラッド層のシート抵抗をｐ型クラッド層のシート抵抗よりも高くしたが、ｐ型クラッド層をシート抵抗の低い半導体層で組み合わせた多層構造とし、当該層のシート抵抗を総合的にｎ型クラッド層のシート抵抗よりも低くすることによっても本発明の実施形態と同様の効果が得られる。
また、本発明の各実施形態では、電流分散層に透明導電膜のＩＴＯを用いたが、ＩＴＯ以外の透明導電膜を用いても本発明の実施形態と同様の効果が得られる。
さらに、本発明の第１実施形態では、上部電極１６に円形状の電極を用いたが、この上部電極１６を枝状電極としても本発明の第１実施形態と同様の効果が得られる。
１ ＧａＡｓ基板
２、２５、１０４ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（ｎ型クラッド層）
３、２４、１０３ 活性層
４、２３、１０２ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（ｐ型クラッド層）
５、１４、２６、１１６ 電流阻止部
６、１１５ 部分電極
７、３０ 光反射層
８、１２、３１ 拡散抑止層
９、９ａ、９ｂ、１１４ 接合層
１０、１１３ 高熱伝導性基板
１１ 高熱伝導性基板用電極
１３、１０６ 下部電極
１５、２７、４３、１１７ 電流分散層
１６、１０１ 上部電極
１７、１１２ 実装用合金
１８、３９、１０７ 実装ステム
１９ 電子
２０ 正孔
２１ 発光部
２２、１０９ 透光性基板
２８ 電流分散層用電極
２９ 絶縁層
３２ 放熱用接合層
３３、１１１ ｐ型クラッド層用電極
３４、３６ 通電用接合半田
３５ 放熱用接合半田
３７、３８ ステム用配線パターン
４０、４１ 保護膜
４２ 枝状電極
１１０ ｎ型クラッド層用電極
２、２５、１０４ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（ｎ型クラッド層）
３、２４、１０３ 活性層
４、２３、１０２ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（ｐ型クラッド層）
５、１４、２６、１１６ 電流阻止部
６、１１５ 部分電極
７、３０ 光反射層
８、１２、３１ 拡散抑止層
９、９ａ、９ｂ、１１４ 接合層
１０、１１３ 高熱伝導性基板
１１ 高熱伝導性基板用電極
１３、１０６ 下部電極
１５、２７、４３、１１７ 電流分散層
１６、１０１ 上部電極
１７、１１２ 実装用合金
１８、３９、１０７ 実装ステム
１９ 電子
２０ 正孔
２１ 発光部
２２、１０９ 透光性基板
２８ 電流分散層用電極
２９ 絶縁層
３２ 放熱用接合層
３３、１１１ ｐ型クラッド層用電極
３４、３６ 通電用接合半田
３５ 放熱用接合半田
３７、３８ ステム用配線パターン
４０、４１ 保護膜
４２ 枝状電極
１１０ ｎ型クラッド層用電極
Claims (10)
- 基板の表面側に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次形成された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された第１の電流阻止部と、前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に形成された導電層部と、前記基板の裏面に形成された下部電極とを有する発光ダイオードにおいて、
前記基板と前記発光層部との間に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上の前記第１の電流阻止部の下方に位置する部分に形成された部分電極と、前記部分電極が形成された部分以外の前記光反射層の表面上に形成された第２の電流阻止部とを有することを特徴とする発光ダイオード。 - 基板の表面を光取り出し部分とし、前記基板の裏面に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次積層された発光層部と、前記第二導電性クラッド層の裏面の側部に形成された電流阻止部と、前記電流阻止部及び前記第二導電性クラッド層の裏面に形成された電流分散層とを有する発光ダイオードにおいて、
前記電流分散層の裏面に、前記電流阻止部と向かい合うように形成された電流注入用電極と、前記注入用電極を形成した以外の部分に形成された光反射層とを有することを特徴とする発光ダイオード。 - 前記第二導電性クラッド層のシート抵抗が前記第一導電性クラッド層のシート抵抗よりも高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
- 前記光反射層がＡｇ、Ａｕ、Ａｌのいずれか若しくはそれらの内の少なくとも１つを含む合金からなる層、又はそれらの複合層からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記活性層が多重量子井戸構造であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた上部電極とを有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
- 前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極を有することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
- 前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電型クラッド層上に前記枝状電極の表面の一部を露出させるように設けられた電流分散層とを有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
- 前記導電層部が前記第二導電型クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電型クラッド層及び前記枝状電極の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた上部電極とを有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
- 前記電流分散層が透明導電膜であることを特徴とする請求項２、６、８又は９のいずれかに記載の発光ダイオード。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005369243A JP4655920B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 半導体発光素子 |
| US11/484,603 US7728340B2 (en) | 2005-12-22 | 2006-07-12 | Semiconductor light-emitting device |
| CN2008101743379A CN101399308B (zh) | 2005-12-22 | 2006-10-25 | 半导体发光元件 |
| CNB2006101375363A CN100466311C (zh) | 2005-12-22 | 2006-10-25 | 半导体发光元件 |
| US12/662,406 US20100308301A1 (en) | 2005-12-22 | 2010-04-15 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005369243A JP4655920B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007173530A true JP2007173530A (ja) | 2007-07-05 |
| JP4655920B2 JP4655920B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=38184897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005369243A Expired - Fee Related JP4655920B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 半導体発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7728340B2 (ja) |
| JP (1) | JP4655920B2 (ja) |
| CN (2) | CN100466311C (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043934A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | フリップチップ型発光素子 |
| US8168987B2 (en) | 2009-02-16 | 2012-05-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2012248795A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR101861222B1 (ko) * | 2011-08-12 | 2018-05-28 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 |
| JP2020010056A (ja) * | 2019-09-11 | 2020-01-16 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 半導体発光部品 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007020291A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für einen derartigen Chip |
| JP4770785B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2011-09-14 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオード |
| JP5236924B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2013-07-17 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR101449005B1 (ko) * | 2007-11-26 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWI370560B (en) * | 2007-12-14 | 2012-08-11 | Delta Electronics Inc | Light-emitting diode device and manufacturing method thereof |
| EP2259346B1 (en) * | 2008-03-27 | 2019-07-03 | LG Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element and a production method therefor |
| KR101448153B1 (ko) * | 2008-06-25 | 2014-10-08 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자 |
| TWI473292B (zh) * | 2008-12-15 | 2015-02-11 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體晶片 |
| CN102292834A (zh) * | 2008-12-15 | 2011-12-21 | 因西亚瓦(控股)有限公司 | 利用穿通效应的硅发光器件 |
| TWI418060B (zh) * | 2008-12-26 | 2013-12-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體晶片的製造方法 |
| KR101007140B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| CN102097559B (zh) * | 2009-12-09 | 2014-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
| KR101047721B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| JP2011249510A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 発光素子 |
| TWI452730B (zh) * | 2010-09-14 | 2014-09-11 | Formosa Epitaxy Inc | 發光二極體 |
| CN102468377A (zh) * | 2010-11-23 | 2012-05-23 | 孙智江 | 一种提高电流扩展效应的led制作方法 |
| TWI462334B (zh) * | 2011-08-01 | 2014-11-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體結構與其製造方法 |
| US8564010B2 (en) * | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US9490409B2 (en) * | 2011-10-24 | 2016-11-08 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emmiting diode chip |
| TWI540753B (zh) | 2013-07-30 | 2016-07-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體結構 |
| CN103456853A (zh) * | 2013-08-15 | 2013-12-18 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种白光led芯片及其生产方法 |
| US9601659B2 (en) * | 2015-01-06 | 2017-03-21 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
| US9484492B2 (en) * | 2015-01-06 | 2016-11-01 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
| US9865772B2 (en) * | 2015-01-06 | 2018-01-09 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
| US10396241B1 (en) * | 2016-08-04 | 2019-08-27 | Apple Inc. | Diffusion revealed blocking junction |
| TWI759289B (zh) * | 2017-03-21 | 2022-04-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
| CN107845711A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 江苏新广联半导体有限公司 | 提升电流扩展均匀性的led倒装芯片及其制作方法 |
| TWI657594B (zh) * | 2018-06-20 | 2019-04-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體 |
| WO2020240645A1 (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0320090A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体素子の製造方法 |
| JPH065921A (ja) * | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 発光ダイオード |
| JPH06334213A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-02 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JPH07263743A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| JPH11191637A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-07-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2001015798A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2002170986A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
| JP2002353505A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JP2004047760A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及び発光ダイオード |
| JP2004235581A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07254732A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| JP2000299492A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Daido Steel Co Ltd | 量子井戸型発光ダイオード |
| JP3725382B2 (ja) | 1999-11-11 | 2005-12-07 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法および半導体発光素子の製造方法 |
| JP2001223384A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US6974688B2 (en) * | 2001-08-10 | 2005-12-13 | Cytokinetics, Inc. | Human smooth muscle myosin heavy chain |
| JP4054631B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、ｌｅｄランプ並びにｌｅｄ表示装置 |
| JP2004128452A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
| US20050205886A1 (en) * | 2002-11-29 | 2005-09-22 | Sanken Electric Co., Ltd. | Gallium-containing light-emitting semiconductor device and method of fabrication |
| US20040188696A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Gelcore, Llc | LED power package |
| KR100571818B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20050051920A (ko) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWM255518U (en) * | 2004-04-23 | 2005-01-11 | Super Nova Optoelectronics Cor | Vertical electrode structure of Gallium Nitride based LED |
| US7166483B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-01-23 | Tekcore Co., Ltd. | High brightness light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device |
| CN2733598Y (zh) * | 2004-10-08 | 2005-10-12 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓系发光二极管的垂直电极结构 |
| JP4985260B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-07-25 | 日立電線株式会社 | 発光装置 |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005369243A patent/JP4655920B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-12 US US11/484,603 patent/US7728340B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-25 CN CNB2006101375363A patent/CN100466311C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-25 CN CN2008101743379A patent/CN101399308B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-15 US US12/662,406 patent/US20100308301A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0320090A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体素子の製造方法 |
| JPH065921A (ja) * | 1992-06-17 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 発光ダイオード |
| JPH06334213A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-02 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JPH07263743A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| JPH11191637A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-07-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2001015798A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2002170986A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
| JP2002353505A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JP2004047760A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及び発光ダイオード |
| JP2004235581A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009043934A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | フリップチップ型発光素子 |
| US8148736B2 (en) | 2007-08-08 | 2012-04-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Flip chip type light-emitting element |
| US8168987B2 (en) | 2009-02-16 | 2012-05-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2012248795A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US9147798B2 (en) | 2011-05-31 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing same |
| KR101861222B1 (ko) * | 2011-08-12 | 2018-05-28 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 |
| JP2020010056A (ja) * | 2019-09-11 | 2020-01-16 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 半導体発光部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100466311C (zh) | 2009-03-04 |
| JP4655920B2 (ja) | 2011-03-23 |
| CN101399308B (zh) | 2012-02-15 |
| US20100308301A1 (en) | 2010-12-09 |
| CN1988195A (zh) | 2007-06-27 |
| CN101399308A (zh) | 2009-04-01 |
| US7728340B2 (en) | 2010-06-01 |
| US20070145381A1 (en) | 2007-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4655920B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4770785B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP4024994B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP5377985B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP6023660B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
| US8399906B2 (en) | AlGaInP-based light-emitting diode with double reflective layers and fabrication method thereof | |
| JP2009076490A (ja) | 発光装置 | |
| JP2010067891A (ja) | 発光素子 | |
| JP5343018B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ | |
| JP2009510730A (ja) | 半導体発光デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2012074665A (ja) | 発光ダイオード | |
| WO2010095353A1 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ | |
| US20060054919A1 (en) | Light-emitting element, method for manufacturing the same and lighting equipment using the same | |
| JP2012054422A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2008091862A (ja) | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| WO2010125792A1 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ | |
| JP5593163B2 (ja) | 発光ダイオード及び発光ダイオードランプ | |
| JP2007335877A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| US20050151136A1 (en) | Light emitting diode having conductive substrate and transparent emitting surface | |
| JP5586371B2 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
| KR20120002130A (ko) | 플립칩형 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| TW201212283A (en) | Light-emitting diode, light-emitting diode lamp, and lighting equipment | |
| JP2013175635A (ja) | 半導体発光素子、およびその製造方法 | |
| JP2006339384A (ja) | 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置 | |
| JP2012054423A (ja) | 発光ダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080314 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101029 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101213 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |