JP2007173517A - 太陽電池とその製造方法 - Google Patents
太陽電池とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007173517A JP2007173517A JP2005369133A JP2005369133A JP2007173517A JP 2007173517 A JP2007173517 A JP 2007173517A JP 2005369133 A JP2005369133 A JP 2005369133A JP 2005369133 A JP2005369133 A JP 2005369133A JP 2007173517 A JP2007173517 A JP 2007173517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon fine
- type silicon
- film
- organic
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
Abstract
本発明は、シリコンを用いながら、従来のアモルファス型太陽電池やシリコン結晶型太陽電池に比べ、大幅にコストダウンできる大面積太陽電池とその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】
本発明は、透明基板表面に透明電極を介して積層形成されているn型シリコン微粒子膜とn型シリコン微粒子膜が透明電極表面に形成された第1の有機被膜とn型シリコン微粒子膜表面に形成された第2の有機被膜、およびn型シリコン微粒子膜表面に形成された第2の有機被膜とn型シリコン微粒子膜表面に形成された第3の有機被膜を介してそれぞれ互いに共有結合している太陽電池を提供することを要旨とする。
【選択図】 図3
Description
例えば以下に示すような特許文献がある。
以上の発明について、さらに要旨を説明する。
また、共有結合が、エポキシ基とイミノ基の反応で形成された−N−C−の結合であれば、耐剥離強度を高める上で都合がよい。
さらに、第1,第2,及び第3の有機被膜が単分子膜で構成されていると、電池の内部抵抗を少なくする上で都合がよい。
ここで、n型およびp型シリコン微粒子表面に形成された有機被膜をそれぞれ2種類用意し、第2の有機被膜が形成されたシリコン微粒子と第3の有機被膜が形成されたシリコン微粒子とを交互に積層すると、複数層のシリコン微粒子膜を累積するのには都合がよい。
さらに、第1の有機被膜と第2の有機被膜が反応して共有結合を形成していると、耐剥離強度を向上できて都合がよい。
単層のn型シリコン微粒子膜を形成する工程の後、第2の反応性の有機被膜の形成されたn型シリコン微粒子膜表面に第4の反応性の有機被膜で被覆されたn型シリコン微粒子を接触させて反応させる工程と、余分な第4の反応性の有機被膜で被覆されたn型シリコン微粒子を洗浄除去して2層目のn型シリコン微粒子膜を形成する工程、及び単層のn型シリコン微粒子膜を形成する工程の後、第3の反応性の有機被膜の形成されたp型シリコン微粒子膜表面に第5の反応性の有機被膜で被覆されたp型シリコン微粒子を接触させて反応させる工程と、余分な第5の反応性の有機被膜で被覆されたp型シリコン微粒子を洗浄除去して2層目のp型シリコン微粒子膜を形成する工程を行うと、累積工程を安定化する上で都合がよい。
さらにまた、それぞれ互いに反応する官能基の組み合わせがエポキシ基とイミノ基であると累積工程を単純化する上で都合がよい。
また、シラノール縮合触媒の代わりに、ケチミン化合物、又は有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物を用いるたり、シラノール縮合触媒に助触媒としてケチミン化合物、又は有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも1つを混合して用いると、製造時間を短縮できて都合がよい。
一方、洗浄せずに空気中に取り出すと、絶縁性や、透明性、反応性はほぼ変わらないが、溶媒が蒸発しITO透明電極表面に残った化学吸着剤が表面で空気中の水分と反応して、表面に前記化学吸着剤よりなる極薄のポリマー膜が形成されたガラス基板が得られた。
なお、n型シリコン微粒子の単層シリコン微粒子膜の厚みが100nm以下であり、極めて均一性が良かったので、干渉色も全く見えなかった
以下同様に、アミノ基を有する化学吸着単分子膜で被われたp型シリコン微粒子とエポキシ基を有する化学吸着単分子膜で被われたp型シリコン微粒子を交互に積層すると、半導体部が累積構造のシリコン微粒子膜で構成された任意の厚みの太陽電池を製造できた。
さらに、ここでシリコン微粒子の粒径を100 nmから1nmの間で制御することで、吸収波長域を赤外光から可視光域まで制御できた。
(1) (CH2OCH)CH2O(CH2)7Si(OCH3)3
(2) (CH2OCH)CH2O(CH2)11Si(OCH3)3
(3) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)2Si(OCH3)3
(4) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)4Si(OCH3)3
(5) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)6Si(OCH3)3
(6) (CH2OCH)CH2O(CH2)7Si(OC2H5)3
(7) (CH2OCH)CH2O(CH2)11Si(OC2H5)3
(8) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)2Si(OC2H5)3
(9) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)4Si(OC2H5)3
(10) (CH2CHOCH(CH2)2)CH(CH2)6Si(OC2H5)3
(11) H2N (CH2)5Si(OCH3)3
(12) H2N (CH2)7Si(OCH3)3
(13) H2N (CH2)9Si(OCH3)3
(14) H2N (CH2)5Si(OC2H5)3
(15) H2N (CH2)7Si(OC2H5)3
(16) H2N (CH2)9Si(OC2H5)3
ここで、(CH2OCH)−基は、下記式(化6)で表される官能基を表し、(CH2CHOCH(CH2)2)CH−基は、下記式(化7)で表される官能基を表す。
さらに、本発明の方法の用途は、太陽電池に限定されるものでもない。光センサーの製作にも適用できることはいうまでもない。
2 水酸基
3 エポキシ基を含む単分子膜
4 アミノ基を含む単分子膜
5 エポキシ基を含む単分子膜で被われたn型シリコン微粒子
6 アミノ基を含む単分子膜で被われたn型シリコン微粒子
11 ITO電極
12 ガラス基板
13 水酸基
14 エポキシ基を含む単分子膜
15 アミノ基を含む単分子膜
16 エポキシ基を含む単分子膜で被われたガラス基板
17 アミノ基を含む単分子膜で被われたガラス基板
18 単層n型シリコン微粒子膜
19 エポキシ基を含む単分子膜で被われたp型シリコン微粒子
20 単層p型シリコン微粒子膜
21 Al膜
22 入射する光
Claims (19)
- 透明基板表面に第1の有機被膜で被われた透明電極と第2の有機被膜で被われたn型シリコン微粒子膜と第3の有機被膜で被われたp型シリコン微粒子膜が順番に積層形成されており、第1の有機被膜と第2の有機被膜および第2の有機被膜と第3の有機被膜が互いに共有結合していることを特徴とする太陽電池。
- 透明基板表面に形成された第1の有機被膜とn型シリコン微粒子表面に形成された第2の有機被膜、およびn型シリコン微粒子表面に形成された第2の有機被膜とp型シリコン微粒子膜表面に形成された第3の有機被膜が互いに異なることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- 共有結合が、エポキシ基とイミノ基の反応で形成された−N−C−の結合であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- 第1,第2,及び第3の有機被膜が単分子膜で構成されていることを特徴とする請求項1および2記載の太陽電池。
- 透明電極表面を少なくとも第1のアルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に接触させてアルコキシシラン化合物と透明電極表面を反応させて透明電極表面に第1の反応性の有機被膜を形成する工程と、n型シリコン微粒子を少なくとも第2のアルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に分散させてアルコキシシラン化合物とn型シリコン微粒子表面を反応させてシリコン微粒子表面に第2の反応性の有機被膜を形成する工程と、p型シリコン微粒子を少なくとも第3のアルコキシシラン化合物とシラノール縮合触媒と非水系の有機溶媒を混合して作成した化学吸着液中に分散させてアルコキシシラン化合物とp型シリコン微粒子表面を反応させてシリコン微粒子表面に第3の反応性の有機被膜を形成する工程と、第1の反応性の有機被膜の形成された透明基板表面の透明電極に第2の反応性の有機被膜で被覆されたn型シリコン微粒子を接触させて反応させる工程と、余分な第2の反応性の有機被膜で被覆されたn型シリコン微粒子を洗浄除去して単層のn型シリコン微粒子膜を形成する工程と、第2の反応性の有機被膜の形成されたn型シリコン微粒子膜表面に第3の反応性の有機被膜で被覆されたp型シリコン微粒子を接触させて反応させる工程と、余分な第3の反応性の有機被膜で被覆されたp型シリコン微粒子を洗浄除去して単層のp型シリコン微粒子膜を形成する工程と、裏面電極を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 第1の反応性の有機被膜を形成する工程、第2の反応性の有機被膜を形成する工程、および第3の反応性の有機被膜を形成する工程において、それぞれアルコキシシラン化合物の反応後、有機溶剤で洗浄して透明基板、n型シリコン微粒子、及びn型シリコン微粒子の表面に共有結合した第1〜第3の反応性の単分子膜を形成することを特徴とする請求項5記載の太陽電池の製造方法。
- 第1、第3の反応性の有機被膜がエポキシ基を含み第2の反応性の有機被膜がイミノ基を含むか、第1、第3の反応性の有機被膜がイミノ基を含み第2の反応性の有機被膜がエポキシ基を含むことを特徴とする請求項5記載の太陽電池の製造方法。
- 第1、第3の反応性の単分子膜がエポキシ基を含み第2の反応性の単分子膜がイミノ基を含むか、第1、第3の反応性の単分子膜がイミノ基を含み第2の反応性の単分子膜がエポキシ基を含むことを特徴とする請求項6記載の太陽電池の製造方法。
- n型シリコン微粒子膜とp型シリコン微粒子膜がそれぞれ複数層有機被膜を介して製膜されていることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- n型およびp型シリコン微粒子表面に形成された有機被膜がそれぞれ2種類有り、第2の有機被膜が形成されたシリコン微粒子と第3の有機被膜が形成されたシリコン微粒子とが交互に積層されていることを特徴とする請求項9記載の太陽電池。
- 第2の有機被膜と第3の有機被膜が反応して共有結合を形成していることを特徴とする請求項10記載の太陽電池。
- 共有結合が、エポキシ基とイミノ基の反応で形成された−N−C−の結合であることを特徴とする請求項11記載の太陽電池。
- 単層のn型シリコン微粒子膜を形成する工程の後、第2の反応性の有機被膜の形成されたn型シリコン微粒子膜表面に第4の反応性の有機被膜で被覆されたn型シリコン微粒子を接触させて反応させる工程と、余分な第4の反応性の有機被膜で被覆されたn型シリコン微粒子を洗浄除去して2層目のn型シリコン微粒子膜を形成する工程、及び単層のp型シリコン微粒子膜を形成する工程の後、第3の反応性の有機被膜の形成されたp型シリコン微粒子膜表面に第5の反応性の有機被膜で被覆されたp型シリコン微粒子を接触させて反応させる工程と、余分な第5の反応性の有機被膜で被覆されたp型シリコン微粒子を洗浄除去して2層目のp型シリコン微粒子膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項5記載の太陽電池の製造方法。
- それぞれの層間で接触する有機被膜に、それぞれ互いに反応する官能基を組み合わせることを特徴とする請求項13記載の太陽電池の製造方法。
- n型及びn型シリコン微粒子膜として、任意の層数だけ累積したシリコン微粒子膜を形成することを特徴とする請求項13記載の太陽電池の製造方法。
- 第1〜5の反応性の有機被膜を形成する工程の後に、それぞれ透明電極あるいはシリコン微粒子表面を有機溶剤で洗浄して透明電極やシリコン微粒子表面に共有結合した第1〜5の反応性の単分子膜を形成することを特徴とする請求項13記載の太陽電池の製造方法。
- それぞれ互いに反応する官能基の組み合わせがエポキシ基とイミノ基であることを特徴とする請求項14記載の太陽電池の製造方法。
- シラノール縮合触媒の代わりに、ケチミン化合物、又は有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物を用いることを特徴とする請求項5に記載の単層シリコン微粒子膜太陽電池の製造方法。
- シラノール縮合触媒に助触媒としてケチミン化合物、又は有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも1つを混合して用いることを特徴とする請求項5に記載の単層シリコン微粒子膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369133A JP4868496B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 太陽電池とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369133A JP4868496B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 太陽電池とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007173517A true JP2007173517A (ja) | 2007-07-05 |
JP4868496B2 JP4868496B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=38299662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005369133A Active JP4868496B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 太陽電池とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4868496B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008123194A1 (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-16 | Kazufumi Ogawa | 光センサーおよびその製造方法 |
WO2008123193A1 (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-16 | Kazufumi Ogawa | 太陽電池およびその製造方法 |
WO2009001472A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Kazufumi Ogawa | Solar cell and method for manufacturing the same |
JP2012164897A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
JP2012164898A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
JP2015129285A (ja) * | 2007-01-03 | 2015-07-16 | ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation | シリコン/ゲルマニウムによるナノ粒子インク、ドーピングされた粒子、印刷法、及び半導体用途のためのプロセス |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4922888A (ja) * | 1972-06-20 | 1974-02-28 | ||
JPH03278461A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Res Dev Corp Of Japan | シリコン固体表面への有機分子の植え付け方法 |
JPH1045409A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-17 | Sharp Corp | シリコン系微粒子の製造方法及びその方法により製造されたシリコン系微粒子を用いた薄膜形成方法 |
JPH11124467A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nippon Shokubai Co Ltd | 複合微粒子、その製造方法および用途 |
JPH11274602A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Kawamura Inst Of Chem Res | 光半導体素子 |
JP2000091625A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Digital Wave:Kk | 半導体装置製造用基板、その製造方法、及び、光電変換装置、その製造方法 |
JP2005322892A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-17 | Japan Science & Technology Agency | 有機材料含有デバイスに適した基板とその製造方法、およびこれを用いた有機材料含有デバイス |
JP2005538573A (ja) * | 2002-09-05 | 2005-12-15 | ナノシス・インク. | ナノ構造及びナノ複合材をベースとする組成物 |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005369133A patent/JP4868496B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4922888A (ja) * | 1972-06-20 | 1974-02-28 | ||
JPH03278461A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Res Dev Corp Of Japan | シリコン固体表面への有機分子の植え付け方法 |
JPH1045409A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-17 | Sharp Corp | シリコン系微粒子の製造方法及びその方法により製造されたシリコン系微粒子を用いた薄膜形成方法 |
JPH11124467A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nippon Shokubai Co Ltd | 複合微粒子、その製造方法および用途 |
JPH11274602A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Kawamura Inst Of Chem Res | 光半導体素子 |
JP2000091625A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Digital Wave:Kk | 半導体装置製造用基板、その製造方法、及び、光電変換装置、その製造方法 |
JP2005538573A (ja) * | 2002-09-05 | 2005-12-15 | ナノシス・インク. | ナノ構造及びナノ複合材をベースとする組成物 |
JP2005322892A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-17 | Japan Science & Technology Agency | 有機材料含有デバイスに適した基板とその製造方法、およびこれを用いた有機材料含有デバイス |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015129285A (ja) * | 2007-01-03 | 2015-07-16 | ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation | シリコン/ゲルマニウムによるナノ粒子インク、ドーピングされた粒子、印刷法、及び半導体用途のためのプロセス |
JP2015129284A (ja) * | 2007-01-03 | 2015-07-16 | ナノグラム・コーポレイションNanoGram Corporation | シリコン/ゲルマニウムによるナノ粒子インク、ドーピングされた粒子、印刷法、及び半導体用途のためのプロセス |
WO2008123194A1 (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-16 | Kazufumi Ogawa | 光センサーおよびその製造方法 |
WO2008123193A1 (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-16 | Kazufumi Ogawa | 太陽電池およびその製造方法 |
US8409910B2 (en) | 2007-03-31 | 2013-04-02 | Empire Technology Development Llc | Optical sensor and method for making the same |
US9373805B2 (en) | 2007-03-31 | 2016-06-21 | Empire Technology Development Llc | Optical sensor and method for making the same |
WO2009001472A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Kazufumi Ogawa | Solar cell and method for manufacturing the same |
US8592676B2 (en) | 2007-06-22 | 2013-11-26 | Empire Technology Development Llc | Solar cell and method for manufacturing the same |
JP2012164897A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
JP2012164898A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Kagawa Univ | 半導体微粒子膜、ダイオード、光電変換素子およびそれらの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4868496B2 (ja) | 2012-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5087764B2 (ja) | シリコン微粒子とその製造方法およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法 | |
JP2007118276A (ja) | 単層微粒子膜と累積微粒子膜およびそれらの製造方法。 | |
JP4868496B2 (ja) | 太陽電池とその製造方法 | |
WO2008068873A1 (en) | Monolayer nanoparticle film, multilayer nanoparticle film, and manufacturing method thereof | |
JP5331977B2 (ja) | 太陽エネルギー利用装置の製造方法 | |
JP5487460B2 (ja) | シリコン微粒子とその製造方法およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法 | |
JP2007117827A (ja) | パターン状の微粒子膜およびその製造方法。 | |
JP2007119545A (ja) | 微粒子膜とその製造方法 | |
JP2010278370A (ja) | ポリシリコン薄膜とその製造方法およびそれを用いた太陽電池とtft、tftアレイ、表示デバイスとそれらの製造方法 | |
JP2007173518A (ja) | 光センサとその製造方法 | |
JP5636646B2 (ja) | バリアフィルムの製造方法、バリアフィルム及び有機光電変換素子の製造方法 | |
JP5326086B2 (ja) | 太陽エネルギー利用装置及びその製造方法 | |
WO2011004698A1 (ja) | ガスバリアフィルムとその製造方法、これを用いた光電変換素子 | |
JP2010129619A (ja) | シリコン微粒子を用いた太陽電池および光センサーとそれらの製造方法 | |
JP5167528B2 (ja) | 化学吸着溶液 | |
JP2007220883A (ja) | 配線およびその製造方法とそれらを用いた電子部品および電子機器 | |
US8658888B2 (en) | Solar energy utilization device and method for manufacturing the same | |
JP5374674B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
US8592676B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
JP2007127847A (ja) | 反射防止膜とその製造方法及びそれを用いた光学機器 | |
JP2007128605A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法及びそれを用いた磁気記録読取装置 | |
JP2007142006A (ja) | 絶縁体微粒子膜とその製造方法及びそれを用いたコンデンサー | |
JP5750706B2 (ja) | Si微粒子を用いたTFT及びその製造方法とそれらを用いたTFTアレイと表示デバイス | |
JP2007161749A (ja) | パターン状の蛍光体微粒子膜およびその製造方法。 | |
JP2008221369A (ja) | 微粒子膜およびその製造方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051222 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081113 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |