JP2007128087A - 短波長用偏光素子及び偏光素子製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入射紫外線光に対して透明な基板と、シリコンを含み、前記基板上に積載されている偏光層と、を具備し、前記偏光層は、該偏光層のプラズマ周波数に対応する波長よりも大きく、かつ、波長300nm以下の入射紫外光に対して偏光特性を有し、前記偏光層は、異方性のある縞状構造であり、該縞状構造は基板に平行であり、該縞状構造の横断方向は、縞の間隔が前記入射紫外光の波長の平均で半分以下、かつ、10nm以上である。
【選択図】図2
Description
1.半導体の製造
2.ナノリソグラフィー
3.衛星からのUV放射の測定などの宇宙物理
4.シンクロトロン光の測定装置
本発明の偏光素子は、入射紫外線光に対して透明な基板と、シリコンからなり、前記基板上に積載されている偏光層と、を具備し、前記偏光層は、該偏光層のプラズマ周波数に対応する波長よりも大きく、かつ、波長300nm以下の入射紫外光に対して偏光特性を有し、前記偏光層は、異方性のある縞状構造であり、該縞状構造は基板に平行であり、該縞状構造の横断方向は、縞の間隔が前記入射紫外光の波長の平均で半分以下、かつ、10nm以上であることを特徴とする。
まず、本発明の基本原理について説明する。
これらのワイヤーグリッドは、ブロックコポリマー薄膜をテンプレートとして用いて作成した。本方法では、これまで光や電子線リソグラフィーでできなかった大面積かつ100nm以下の周期パターンを作成することができる。もちろん、将来、光リソグラフィーや電子線リソグラフィーの進歩により、同様の構造が作成されても、偏光素子としての機能は同じである。
必要に応じて有機ポリマーを透明基板100上に50−150nm厚で塗布をする。これには、アモルファスクオーツ(SiO2)、フッ素ドープのアモルファスクオーツ、溶融シリカ、人口ホタル石などが透明基板としてあげられる。特に200nm以下の波長の短い光(例えば157nm)に関しては、ホタル石やフッ素ドープのアモルファスクオーツが基板として好ましい。有機ポリマー110は、基板をエッチングする際に、マスクパターンのアスペクト比を向上させるために用いる。これを達成するためには、高いドライエッチング耐性と、150℃以上の高いガラス転移温度が必要である。さらに液体の剥離液や超音波、アッシング、酸素プラズマなどにより容易に剥離可能であるが必要である。すなわち、有機物のみでできたポリマーであれば、使うことができる。ポリヒドロキシスチレン、ノボラック樹脂、ポリイミド、シクロオレフィンポリマーや、それらの共重合体が有機ポリマーとして適している。
ポリイミド (Durimide(登録商標) 285, Arch Chemicals, Inc) をガンマブチルラクトンで3重量%に希釈した溶液を、4インチアモルファスクオーツウエハー(旭硝子製:AQ)に1500rpm、45秒で回転塗布を行ったのち、ホットプレート上で100nm thick,90℃で30分間加熱したのち、150℃でさらに加熱し、残留溶媒を蒸発させたのち、ポリマーを架橋反応させた。膜厚では100nmであった。
本実施例では、O2 RIEまでは実施例1と同様のプロセスを行ったのち、10sccm、15mTorr、RFパワーを100W(0.4W/cm2)で50秒間、CF4 RIEを行った。この結果、もとポリスチレンのシリンダーがあったところの下のアモルファスクオーツが、ポリイミドをマスクにして70nmの深さでエッチングされた。
4インチアモルファスクオーツウエハー上にポリヒドロキシスチレン(ALDRICH)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(propyleneglycol monomethylether acetate: PGMEA)で3重量%の溶液にしたものを、2000rpmで45秒間回転塗布をおこなった。120℃、90秒間ホットプレート上で加熱し、溶媒を蒸発させた。膜厚は50nmであった。
本実施例では、ナノインプリントを用いた大量生産方法について記述する。理解の助けのために図8を用いて説明を行なうが、詳細については異なっていても良い。
Boric acid: 40g/L;
Interfacial active agent (sodium lauryl sulfate): 0.15g/L;
Liquid temperature: 55℃;
pH: 4.0;
Current density: 20A/dm2.
この結果、メッキ膜8の厚みは0.3mmであった。その後、図8のDに示すように、導電膜6を持つスタンパー8が、メッキ膜8を縞状のポリイミドが付いたウエハーから剥がすことで得られた。
本実施例では、実施例4で作成したスタンパーと同じものを使用した。2インチ角のアモルファスクオーツウエハー上に、g−線用フォトレジスト(東京応化:OFPR−800)をPGMEAで希釈し、ウエハー上に2000rpm、45秒間で回転塗布をおこなった。膜厚は70nmであった。その後、サンプルはナノインプリント装置のステージ上に設置され、室温、圧力200Mpaで1分間プレスをし、ニッケルの縞状パターンをインプリントした。ニッケルスタンパーを取り除いた後、120℃で5分間、ホットプレート上でアニールを行った。
本実施例では実施例3の4インチアモルファスクオーツの代わりに、人工ホタル石(CaF2)ウエハーを用い、他のプロセスは同じでおこなった。
本実施例では実施例4の4インチアモルファスクオーツの代わりに、フッ素ドープの2インチアモルファスクオーツウエハーを用い、他のプロセスは同じでおこなった。
波長193nmについてはUV分光器をもちいて、157nmに関しては真空UV分光器をもちいて、偏光効率について測定を行った。現在、この波長で有効な市販の偏光素子がないため、2枚の偏光素子を、偏光面側を向かい合わせ、直交と平行状態で透過光を測定した。そこから、1枚の偏光素子の透過率と偏光効率を計算した。
193nm 157nm 193nm 157nm
実施例1 60% 40% 80% 40%
実施例2 30% 20% 95% 85%
実施例3 60% 40% 85% 70%
実施例4 30% 20% 95% 85%
実施例5 15% 15% 95% 90%
実施例6 30% 30% 95% 85%
実施例7 60% 40% 95% 85%
(実施例8)
図9中の点線中の(1)において、シリコン902を4インチアモルファスクオーツウエハー901上に化学気相成長法(CVD)で30nm厚に製膜をおこなった。次に、ポリスチレン−ポリヘキシルメタクリレートのジブロックコポリマーの1重量%トルエン溶液を、4000rpm、45秒で回転塗布を行った。ジブロックコポリマーの分子量は、ポリスチレン部が21000g/mol、ポリヘキシルメタクリレート部が64000g/molであり、ポリヘキシルメタクリレートのマトリックス中にポリスチレンのシリンダー状ドメインが33nm間隔で構成されるモルフォロジーが得られる。ブロックコポリマー層の膜厚は25nmであった。
本実施例では実施例8と同様のプロセスを行った。その後、図9(3)の点線中に示すように、得られた縞状パターン上に電子線蒸着法を用いて、アルミニウム910を25nm厚蒸着した。得られた偏光素子はUV−可視光のダブル偏光素子層911であり、実施例9は図9の下図に示される。
本実施例では実施例8と同様のプロセスを、ポリマーをテトラヒドロフランで剥離するところまで行った。その後、サンプルは図9(2)の点線中に示すように、1%フッ酸水溶液に浸漬し、アモルファスクオーツの表面にウエットエッチングを行った。その後、得られた縞状パターン上に電子線蒸着法を用いて、アルミニウムを25nm厚蒸着した。その後、ポリマーはテトラヒドロフラン中で超音波洗浄をおこなった。
600nm 365nm 193nm 157nm 600nm 365nm 193nm 157nm
実施例8 90% 85% 30% 20% 0% 15% 95% 85%
実施例9 35% 35% 30% 20% 99% 90% 95% 85%
実施例10 50% 45% 30% 20% 99% 80% 95% 85%
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
Claims (5)
- 入射紫外線光に対して透明な基板と、
シリコンからなり、前記基板上に積載されている偏光層と、を具備し、
前記偏光層は、該偏光層のプラズマ周波数に対応する波長よりも大きく、かつ、波長300nm以下の入射紫外光に対して偏光特性を有し、
前記偏光層は、異方性のある縞状構造であり、該縞状構造は基板に平行であり、該縞状構造の横断方向は、縞の間隔が前記入射紫外光の波長の平均で半分以下、かつ、10nm以上であることを特徴とする偏光素子。 - 入射紫外線光に対して透明な基板と、
シリコンを含み、前記基板上に積載されている偏光層と、を具備し、
前記偏光層は、該偏光層のプラズマ周波数に対応する波長よりも大きく、かつ、波長300nm以下の入射紫外光に対して偏光特性を有し、
前記偏光層は、平行な2層からなり、各層は異方性のある縞状構造であり、該縞状構造は基板に平行であり、該縞状構造の横断方向は、縞の間隔が前記入射紫外光の波長の平均で半分以下、かつ、10nm以上であり、
前記層ごとに縞は互いに平行であり、2層の縞状構造はインターディジテイテド構造であり、前記2層のうちの1層はシリコンを含み、他の1層は、アルミニウムを含むか、または、アルミニウムとシリコンとを含むことを特徴とすることを特徴とする偏光素子。 - 入射紫外線光に対して透明な基板と、
シリコンを含み、前記基板上に積載されている偏光層と、を具備し、
前記偏光層は、該偏光層のプラズマ周波数に対応する波長よりも大きく、かつ、波長300nm以下の入射紫外光に対して偏光特性を有し、
前記偏光層は、異方性のある縞状構造であり、該縞状構造は基板に平行であり、該縞状構造の横断方向は、縞の間隔が前記入射紫外光の波長の平均で半分以下、かつ、10nm以上であり、
前記縞は互いに平行であり、前記縞状構造はシリコンとアルミニウムとが交互に並んでいることを特徴とすることを特徴とする偏光素子。 - 前記偏光層の縞状構造の長手方向は前記入射紫外光の波長の2倍以上、かつ、10μm以下の連続長であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の偏光素子。
- 入射紫外光に対して偏光特性を有する偏光素子を透明な基板上に製造する偏光素子製造方法において、
前記基板上にシリコン膜を配置し、
前記シリコン膜上にブロックコポリマー膜のシリンダー状もしくはラメラ状のミクロドメインを生成し、剪断応力を前記ブロックコポリマー膜に適応して配向させ、
前記ミクロドメインのパターンを前記基板または前記ブロックコポリマー膜に転写し縞状構造を形成し、
前記形成された縞状構造にアルミニウムを製膜し、
有機物を除去することを具備し、
入射紫外光に対して反射能がある物質を製膜し、該紫外光は前記物質のプラズマ周波数に対応する波長よりも大きく、かつ、波長300nm以下であり、
前記基板上に有機ポリマー層を形成し、
前記有機ポリマー層の上に無機物質層を形成し、
ブロックコポリマーミクロドメインパターンを前記無機物質層と前記有機ポリマー層に転写し、前記縞状構造を形成することをさらに具備することを特徴とする偏光素子製造方法。
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