JP2009231539A - 太陽電池及びそれに用いる金属電極層の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の太陽電池は、基板上に、第1の電極層と発電層と第2の電極層とが順次積層された太陽電池であって、前記第1の電極層又は前記第2の電極層のうち、少なくとも一方が光透過性を有する金属電極層であり、前記金属電極層が貫通する複数の開口部を有しており、前記金属電極層の金属部位の任意の2点間は切れ目無く連続しており、前記金属電極層の膜厚が10〜200nm以下の範囲にあり、前記金属電極層の開口部径が、発電に利用する光の波長の1/2以下の範囲にあることを特徴とする。以上のような構成を用いることにより、低抵抗率と高透過性とを併せ持ち、かつ安価な材料の金属電極層を用いた太陽電池を提供することができる。
【選択図】 図1
Description
kは光の波数(k = 2π/λ)、θは入射角を表す。
η = 64 ( ka )4 / 27π2 (2)
となる。波数kは波長λの逆数に比例するため、結果としてこの式は、光の透過効率ηは(a/λ)の四乗に比例することを意味する。したがって、開口半径aが小さくなるほど急激に光の透過が減少すると考えられてきた。
このときωp2 = ne2/m×ε0は、伝導電子のプラズマ周波数であり、nはキャリア密度、eは電荷、mは実効質量、ε0は真空の誘電率である。(3)式の第1項は金属のダイポールの寄与であり、ここでは1に近い。第2項は伝道電子からの寄与である。
実施例1では、単結晶型太陽電池の作製方法について説明する。図4は、本発明の実施形態に係る開口部を有する光透過性を有する金属電極層を用いた単結晶Si太陽電池の断面図である。
実施例1で作製した単結晶Si太陽電池について、金属電極層の部位に、平均開口率が等しい52%となるアルミニウムメッシュ電極を、開口径がおよそ実施例1の20倍の1μmとなるように、フォトリソグラフィー技術を用いて作製した。同様の評価を行った結果、得られた変換効率は11.2%であった。
実施例2では、多結晶Si型太陽電池の作製方法について説明する。図5は、本発明の実施形態に係る開口部を有する光透過性を有する金属電極層を用いた多結晶Si太陽電池の断面図である。多結晶Si型の太陽電池の製造方法は、実施例1に述べた単結晶Siの場合のそれとほぼ同様である。
実施例2で作製した太陽電池について、金属電極層の部位に、平均開口率が等しい52%となるアルミニウムメッシュ電極を、開口径がおよそ実施例1の20倍の1μmとなるように、フォトリソグラフィー技術を用いて作製し、同様の評価を行った結果、得られた変換効率は9.2%であった。
実施例3では、アモルファスSi型太陽電池の作製方法について説明する。図6は、本発明の実施形態に係る開口部を有する金属電極層を用いたアモルファスSi太陽電池の断面図である。
実施例3では、化合物半導体(カルコパイライト系)型太陽電池の作製方法について説明する。図7は、本発明の実施形態に係る開口部を有する金属電極層を用いた化合物半導体型太陽電池の断面図である。
2…金属電極層
3…金属部
4…開口部
5…有機ポリマー層
6…無機物質層
7…ブロックポリマー薄膜
8…ドット状ミクロドメイン
9a、9b…P型シリコン基板
10a、10b…n+層
11…裏面電極層
12…金属電極層
13…透明基板
14…p層
15…i層
16…n層
17…裏面側電極層
18…基板
19…Mo電極
20…CIGS光吸収層
21…バッファ層
22…p+層
Claims (9)
- 基板上に、第1の電極層と発電層と第2の電極層とが順次積層された太陽電池であって、
前記第1の電極層又は前記第2の電極層のうち、少なくとも一方が光透過性を有する金属電極層であり、
前記金属電極層が貫通する複数の開口部を有しており、
前記金属電極層の金属部位の任意の2点間は切れ目無く連続しており、
前記金属電極層の膜厚が10〜200nm以下の範囲にあり、
前記金属電極層の開口部径が、発電に利用する光の波長の1/2以下の範囲にある
ことを特徴とする太陽電池。 - 基板上に、第1の電極層と発電層と第2の電極層とが順次積層された太陽電池であって、
前記第1の電極層又は前記第2の電極層のうち、少なくとも一方が光透過性を有する金属電極層であり、
前記金属電極層が貫通する複数の開口部を有しており、
前記金属電極層の金属部位の任意の2点間は切れ目無く連続しており、
前記金属電極層の膜厚が10〜200nm以下の範囲にあり、
前記金属電極層の開口部径が、発電に利用する光の波長の1/2以下の範囲にあり、
前記金属電極層における、前記開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、発電に利用する波長の1/3以下である部位は、全面積の95%以上である
ことを特徴とする太陽電池。 - 前記発電層が、p型の結晶シリコンであるp型シリコン層と、n型の結晶シリコンであるn型シリコン層とを順次積層して構成され、かつ、前記p型シリコン層及び前記n型シリコン層が単結晶シリコンであることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記発電層が、p型の結晶シリコンであるp型シリコン層と、n型の結晶シリコンであるn型シリコン層を順次積層して構成されており、かつ、前記p型シリコン層及び前記n型シリコン層が多結晶シリコンであることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記発電層は、p型半導体シリコン層であるp層と、ドーピングの行われないノンドープシリコン層であるi層と、n型半導体シリコン層であるn層とが順次積層して構成され、かつ、前記p層及び前記i層及び前記n層はアモルファスシリコンであることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記発電層が、化合物半導体層であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 前記金属電極層の材料が、Al、Ag、Au、Pt、Ni、Co、Cr、Cu、Tiからなる群から選択されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の太陽電池。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の金属電極層の製造方法であって、
ブロックコポリマー膜の相分離形状であるドット状のミクロドメインを生成させる工程と、
前記ミクロドメインのパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、開口部を有する金属電極層を形成させる工程と、
を具備することを特徴とする金属電極層の製造方法。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の金属電極層の製造方法であって、
透明基板を準備する工程と、
前記透明基板上に有機ポリマー層を形成させる工程と、
前記有機ポリマー層の上に無機物質層を形成させる工程と、
前記無機物質層の上にブロックコポリマー膜のドット状のミクロドメインを生成させる工程と、
前記ブロックコポリマー膜の前記ミクロドメインパターンを前記有機ポリマー層および前記無機物質層に転写することにより前記透明基板の表面に有機ポリマーと無機物質とからなる柱状構造を形成させる工程と、
前記形成された柱状構造の間隙部位に金属層を製膜する工程と、
前記有機ポリマーを除去して金属電極層を生成する工程と、
を具備することを特徴とする金属電極層の製造方法。
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