JP2007115859A - 薄膜トランジスタパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ゲート電極6上にゲート絶縁膜7を介した半導体薄膜8、及びその上に設けられたチャネル保護膜9の上面両側に一対のオーミックコンタクト層10、11が設けられ、更にソース・ドレイン電極12,13が設けられる。ソース・ドレイン電極12,13の各上面及びその各近傍には、画素電極2と同一の材料からなる導電性被覆膜14、15が設けられる。半導体薄膜8と各オーミックコンタクト層10、11とによって形成されるオーミックコンタクト領域16、17には、ソース電極12及びドレイン電極13と同電位である各導電性被覆膜14、15とゲート電極6との間で形成される縦電界がかかることにより、Vg−Id特性のマイナス側へのシフトを抑制することができる。
【選択図】 図2
Description
図1はこの発明の第1実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図2(A)は図1のIIA−IIAに沿う断面図を示し、図2(B)は図1のIIB−IIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板1を備えている。ガラス基板1の上面には、マトリックス状に配置された複数の画素電極2と、これらの画素電極2に接続された薄膜トランジスタ3と、行方向に配置され、各薄膜トランジスタ3に走査信号(ゲート電圧)を供給する走査ライン4と、列方向に配置され、各薄膜トランジスタ3にデータ信号を供給するデータライン5とが設けられている。
図9はこの発明の第2実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図10(A)は図9のXA−XAに沿う断面図を示し、図10(B)は図9のXB−XBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図1及び図2(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、画素電極2及び一方の導電性被覆膜14をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール19を介してソース電極12に接続させて設け、且つ、他方の導電性被覆膜15をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール20を介してドレイン電極13に接続させて設けた点である。
図11はこの発明の第3実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図12(A)は図10のXIIA−XIIAに沿う断面図を示し、図12(B)は図11のXIIB−XIIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図1及び図2(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、薄膜トランジスタ3をチャネルエッチ型とした点である。
図13はこの発明の第4実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図14(A)は図13のXIVA−XIVAに沿う断面図を示し、図14(B)は図13のXIVB−XIVBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図11及び図12(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、画素電極2及び一方の導電性被覆膜14をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール19を介してソース電極12に接続させて設け、且つ、他方の導電性被覆膜15をオーバーコート膜18の上面に該オーバーコート膜18に設けられたコンタクトホール20を介してドレイン電極13に接続させて設けた点である。
図15はこの発明の第5実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図16(A)は図15のXVIA−XVIAに沿う断面図を示し、図16(B)は図15のXVIB−XVIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図1及び図2(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、一方の導電性被覆膜14を省略した点である。
図17はこの発明の第6実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図18(A)は図17のXVIIIA−XVIIIAに沿う断面図を示し、図18(B)は図17のXVIIIB−XVIIIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図9及び図10(A)、(B)に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、一方の導電性被覆膜14を省略し、他方の導電性被覆膜15をドレイン電極13に接続させずにオーバーコート膜18の上面に島状に設けた点である。すなわち、ドレイン電極13上におけるオーバーコート膜18にコンタクトホール20を形成することがレイアウト的に困難な場合には、他方の導電性被覆膜15をドレイン電極13に電気的に接続させずにオーバーコート膜18の上面に島状に設けるようにしてもよい。
2 画素電極
3 薄膜トランジスタ
4 走査ライン
5 データライン
6 ゲート電極
7 ゲート絶縁膜
8 半導体薄膜
9 チャネル保護膜
10、11 オーミックコンタクト層
12 ソース電極
13 ドレイン電極
14、15 導電性被覆膜
16、17 オーミックコンタクト領域
18 オーバーコート膜
Claims (25)
- 基板上に、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜が設けられ、前記半導体薄膜上に一対のオーミックコンタクト層が設けられ、前記各オーミックコンタクト層上にソース電極及びドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続された画素電極を有する薄膜トランジスタパネルにおいて、前記ソース電極側と前記ドレイン電極側との少なくとも一方の上部に設けられた導電性被覆膜を有し、前記導電性被覆膜は前記画素電極と同一の材料によって形成され、前記ソース電極または前記ドレイン電極の幅よりも幅広とされ、且つ、チャネル領域の外側領域における前記ソース電極または前記ドレイン電極を完全に覆っていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項1に記載の発明において、前記導電性被覆膜は前記ソース電極の上面に接触して設けられ、前記画素電極に連続するように一体的に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項1に記載の発明において、前記導電性被覆膜は、前記ソース電極上面及び幅方向両側の側面、前記オーミックコンタクト層の幅方向両側の側面に接触して設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項1に記載の発明において、前記導電性被覆膜は前記ドレイン電極の上面に接触して設けられ、且つ、前記ドレイン電極から前記ドレイン電極に接続されるドレイン配線の一部に跨るように延出されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項4に記載の発明において、前記導電性被覆膜は、前記ドレイン電極の上面及び幅方向両側の側面、前記コンタクト層の幅方向両側の側面に接触して設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項1に記載の発明において、前記薄膜トランジスタを覆うオーバーコート膜を有し、前記画素電極及び前記導電性被覆膜は、前記オーバーコート膜上に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項6に記載の発明において、前記導電性被覆膜は前記ソース電極上における前記オーバーコート膜の上面に前記画素電極に連続して設けられ、前記オーバーコート膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ソース電極に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項6に記載の発明において、前記導電性被覆膜は前記ドレイン電極上における前記オーバーコート膜の上面に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項8に記載の発明において、前記導電性被覆膜は前記オーバーコート膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項1に記載の発明において、薄膜トランジスタは前記半導体薄膜上にチャネル保護膜を有し、前記一対のオーミックコンタクト層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は一端側が前記チャネル保護膜上に延出され、且つ、前記チャネル保護膜上に延出された前記ソース電極または前記ドレイン電極の先端は前記導電性被覆膜に覆われていないことを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項1に記載の発明において、薄膜トランジスタはチャネルエッチ型であることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項11に記載の発明において、前記ソース電極及びその下の前記オーミックコンタクチ層と前記ドレイン電極及びその下の前記オーミックコンタクチ層との相対向する端面のうちの少なくとも一方は前記導電性被覆膜によって覆われていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 請求項1に記載の発明において、前記導電性被覆膜は、前記ソース電極または前記ドレイン電極とは電気的に絶縁されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
- 基板上に、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜が設けられ、前記半導体薄膜上に一対のオーミックコンタクト層が設けられ、前記各オーミックコンタクト層上にソース電極及びドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に画素電極形成用膜を成膜し、
前記画素電極形成用膜をエッチングして、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極に接続された画素電極、及び前記ソース電極側と前記ドレイン電極側の少なくとも一方の上部に、前記ソース電極または前記ドレイン電極の幅よりも幅広とされ、且つ、チャネル領域の外側領域における前記ソース電極または前記ドレイン電極を完全に覆う導電性被覆膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。 - 請求項14に記載された発明において、前記一対のオーミックコンタクト層、前記ソース電極、前記ドレイン電極の形成は、n型アモルファスシリコン膜及び金属膜を順次成膜し、前記ソース電極、前記ドレイン電極を形成するレジスト膜をパターン形成し、金属膜、n型アモルファスシリコン膜を順次エッチングする工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記導電性被覆膜の形成は、前記ソース電極上面及び幅方向両側の側面、前記オーミックコンタクト層の幅方向両側の側面に接触するように形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記薄膜トランジスタを形成した後、前記薄膜トランジスタを覆うオーバーコート膜を形成する工程を有し、前記画素電極形成用膜は前記オーバーコート膜上に形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項17に記載の発明において、前記オーバーコート膜の形成は、前記オーバーコート膜の前記ソース電極との対応部にコンタクトホールを形成する工程を含み、前記導電性被覆膜の形成は、前記コンタクトホールを介して前記ソース電極に接続する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記画素電極と前記導電性被覆膜を電気的に接続して形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記導電性被覆膜を前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に絶縁して形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 基板上に、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜が設けられ、前記半導体薄膜上に一対のオーミックコンタクト層が設けられ、前記各オーミックコンタクト層上にソース電極及びドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に画素電極形成用膜を成膜し、
前記画素電極形成用膜をエッチングして、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極に接続された画素電極、前記ソース電極側の上部に、前記ソース電極の幅よりも幅広とされ、且つ、チャネル領域の外側領域における前記ソース電極を完全に覆うソース側導電性被覆膜、前記ドレイン電極側の上部に、前記ドレイン電極の幅よりも幅広とされ、且つ、チャネル領域の外側領域における前記ドレイン電極を完全に覆うドレイン側導電性被覆膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。 - 請求項21に記載の発明において、前記画素電極形成用膜はITOからなることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項21に記載の発明において、前記画素電極と前記ソース側導電性被覆膜は電気的に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項23に記載の発明において、前記ドレイン側導電性被覆膜は、前記ドレイン電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
- 請求項23に記載の発明において、前記ドレイン側導電性被覆膜は、前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
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