JP2007115797A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4703364B2 (ja) 2005-10-24 2011-06-15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US20100184297A1 (en) * 2007-06-22 2010-07-22 Mikio Takagi Method for protecting semiconductor wafer and process for producing semiconductor device
JP2009010043A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法,基板処理装置,記録媒体
JP5171192B2 (ja) * 2007-09-28 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 金属膜成膜方法
JP2009123793A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Shimadzu Corp クラスタ型真空処理装置
CN102105312B (zh) * 2008-07-31 2014-06-11 东京毅力科创株式会社 用于化学处置和热处置的高产量处理系统及操作方法
JP2011066060A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Tokyo Electron Ltd 金属シリサイド膜の形成方法
JP2011100962A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及びプラズマ処理装置
KR20110093476A (ko) * 2010-02-12 2011-08-18 삼성엘이디 주식회사 기상 증착 시스템, 발광소자 제조방법 및 발광소자
JP5933375B2 (ja) * 2011-09-14 2016-06-08 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6121348B2 (ja) * 2014-02-28 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 めっきの前処理方法、記憶媒体およびめっき処理システム
US10217819B2 (en) 2015-05-20 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact
JP5947435B1 (ja) * 2015-08-27 2016-07-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP6600588B2 (ja) * 2016-03-17 2019-10-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム
JP6439774B2 (ja) * 2016-11-21 2018-12-19 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP2020038929A (ja) * 2018-09-05 2020-03-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP7362258B2 (ja) 2019-02-08 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び成膜システム
JP7296806B2 (ja) 2019-07-16 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 RuSi膜の形成方法及び基板処理システム
KR102516340B1 (ko) * 2020-09-08 2023-03-31 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운용 방법
JP7608980B2 (ja) * 2021-06-22 2025-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2025062309A (ja) * 2023-10-02 2025-04-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び半導体製造装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04296021A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の表面処理方法
JP3086719B2 (ja) * 1991-06-27 2000-09-11 株式会社東芝 表面処理方法
JP3487080B2 (ja) * 1996-06-18 2004-01-13 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3201318B2 (ja) * 1997-11-05 2001-08-20 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002016018A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板処理装置及び方法
JP4039385B2 (ja) * 2003-04-22 2008-01-30 東京エレクトロン株式会社 ケミカル酸化膜の除去方法
JP4833512B2 (ja) * 2003-06-24 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
JP4651955B2 (ja) * 2004-03-03 2011-03-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

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